JPH05203883A - ファブリ・ペロー型可変波長フィルタ及びその製造方法 - Google Patents
ファブリ・ペロー型可変波長フィルタ及びその製造方法Info
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- JPH05203883A JPH05203883A JP31815991A JP31815991A JPH05203883A JP H05203883 A JPH05203883 A JP H05203883A JP 31815991 A JP31815991 A JP 31815991A JP 31815991 A JP31815991 A JP 31815991A JP H05203883 A JPH05203883 A JP H05203883A
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- optical waveguide
- silicon substrate
- fabry
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Abstract
(57)【要約】
【目的】波長多重光通信技術に必要な可変波長フィルタ
を、シリコン製アクチュエータとシリコン基板上に形成
され端面に鏡が形成された光導波路により低価格で実現
する。 【構成】シリコン基板上に光軸方向にそって微少ギャッ
プをとり順に配置形成された第１の光導波路と第２の光
導波路と第３の光導波路と、第２の光導波路の両端面の
一方および第１の光導波路の第２の光導波路側の端面と
第３の光導波路の第２の光導波路側の端面の一方にそれ
ぞれ形成された高反射膜とから構成され、第２の光導波
路を形成するシリコン基板が可動となっている。
を、シリコン製アクチュエータとシリコン基板上に形成
され端面に鏡が形成された光導波路により低価格で実現
する。 【構成】シリコン基板上に光軸方向にそって微少ギャッ
プをとり順に配置形成された第１の光導波路と第２の光
導波路と第３の光導波路と、第２の光導波路の両端面の
一方および第１の光導波路の第２の光導波路側の端面と
第３の光導波路の第２の光導波路側の端面の一方にそれ
ぞれ形成された高反射膜とから構成され、第２の光導波
路を形成するシリコン基板が可動となっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファブリ・ペロー・エ
タロンの共振器幾何学長を変えることにより透過する光
の波長を変化させる可変波長フィルタ及びその製造方法
に関するものである。
タロンの共振器幾何学長を変えることにより透過する光
の波長を変化させる可変波長フィルタ及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバを用いた通信方式において
は、光の波長多重技術を用いることにより大容量の通信
が実現できる。この場合、波長の異なる複数の光から特
定の波長を持つ光を取り出すことが必要になるが、ファ
ブリ・ペロー型可変波長フィルタはこのために使用され
る光デバイスの一つである。
は、光の波長多重技術を用いることにより大容量の通信
が実現できる。この場合、波長の異なる複数の光から特
定の波長を持つ光を取り出すことが必要になるが、ファ
ブリ・ペロー型可変波長フィルタはこのために使用され
る光デバイスの一つである。
【０００３】従来、この種のファブリ・ペロー型可変波
長フィルタは、機械式ファブリ・ペロー型の可変波長フ
ィルタがあり、これはシステムの低価格化を可能にする
点で魅力的である。この機械式ファブリ・ペローとして
エタロンを回転して共振器の幾何学長を変化されるもの
が、Ａ．ＦｒｅｎｋｅｌおよびＣ．Ｌｉｎらによりアイ
・イー・イー・イー・ジャーナル・オブ・ライトウエイ
ブ・テクノロジー（ＩＥＥＥ Ｊ．Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）の第６巻、頁６１５−６２
５、１９８９年、に報告されている。この方法では、エ
タロンの厚みが大きくなると、エタロン出射ビームの位
置ずれが大きくなり挿入損失が増加するという欠点があ
った。
長フィルタは、機械式ファブリ・ペロー型の可変波長フ
ィルタがあり、これはシステムの低価格化を可能にする
点で魅力的である。この機械式ファブリ・ペローとして
エタロンを回転して共振器の幾何学長を変化されるもの
が、Ａ．ＦｒｅｎｋｅｌおよびＣ．Ｌｉｎらによりアイ
・イー・イー・イー・ジャーナル・オブ・ライトウエイ
ブ・テクノロジー（ＩＥＥＥ Ｊ．Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）の第６巻、頁６１５−６２
５、１９８９年、に報告されている。この方法では、エ
タロンの厚みが大きくなると、エタロン出射ビームの位
置ずれが大きくなり挿入損失が増加するという欠点があ
った。
【０００４】これを解決する方法として、鏡を移動する
ことによりエタロンの幾何学長を変化させることが行な
われている。この方式の代表例として、光ファイバの端
面に鏡を形成し、この光ファイバを圧電アクチュエータ
により動かしてエタロンの共振幾何学長を変化させる方
法が、Ｊ．ＳｔｏｎｅおよびＬ．Ｗ．Ｓｔｕｌｚらによ
りエレクトロニクス・レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）の第２３巻、頁７８１−７８３、
１９８７年に報告されている。
ことによりエタロンの幾何学長を変化させることが行な
われている。この方式の代表例として、光ファイバの端
面に鏡を形成し、この光ファイバを圧電アクチュエータ
により動かしてエタロンの共振幾何学長を変化させる方
法が、Ｊ．ＳｔｏｎｅおよびＬ．Ｗ．Ｓｔｕｌｚらによ
りエレクトロニクス・レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）の第２３巻、頁７８１−７８３、
１９８７年に報告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来例の圧
電アクチュエータによる方法においては、圧電アクチュ
エータを使用するために価格が高くなり、また、ファイ
バの位置ずれを防ぐためにファイバをスリーブの中に設
ける必要があるため、このため部品点数が増え組み立て
が複雑になるという問題がある。
電アクチュエータによる方法においては、圧電アクチュ
エータを使用するために価格が高くなり、また、ファイ
バの位置ずれを防ぐためにファイバをスリーブの中に設
ける必要があるため、このため部品点数が増え組み立て
が複雑になるという問題がある。
【０００６】本発明の目的は、圧電アクチュエータを使
わずに、組立が容易で低価格化が可能なファブリ・ペロ
ー型可変波長フィルタ及びその製造方法を提供すること
にある。
わずに、組立が容易で低価格化が可能なファブリ・ペロ
ー型可変波長フィルタ及びその製造方法を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によるファブリ・
ペロー型可変波長フィルタは、シリコン基板上に光軸方
向にそって微少ギャップをとり順に配置形成された第１
の光導波路と第２の光導波路と第３の光導波路と、前記
第２の光導波路の両端面の一方および前記第１の光導波
路の前記第２の光導波路側の端面と前記第３の光導波路
の前記第２の光導波路側の端面の一方にそれぞれ形成さ
れた高反射膜とを備えており、前記第２の光導波路を形
成するシリコン基板が可動する。又、前記第１〜第３の
光導波路のクラッドとコアとは、前記コアの屈折率が前
記クラッドよりも高くなるように不純物添加された酸化
シリコンから作られている。
ペロー型可変波長フィルタは、シリコン基板上に光軸方
向にそって微少ギャップをとり順に配置形成された第１
の光導波路と第２の光導波路と第３の光導波路と、前記
第２の光導波路の両端面の一方および前記第１の光導波
路の前記第２の光導波路側の端面と前記第３の光導波路
の前記第２の光導波路側の端面の一方にそれぞれ形成さ
れた高反射膜とを備えており、前記第２の光導波路を形
成するシリコン基板が可動する。又、前記第１〜第３の
光導波路のクラッドとコアとは、前記コアの屈折率が前
記クラッドよりも高くなるように不純物添加された酸化
シリコンから作られている。
【０００８】本発明によるファブリ・ペロー型可変波長
フィルタの製造方法は、前記第１〜第３の光導波路のギ
ャップはレーザ加工、イオンミリングあるいは放電加工
により設け、その後前記シリコン基板の前記ギャップが
位置する部分に貫通溝を設け前記第２の光導波路を形成
するシリコン基板を可動するように加工する。又、前記
第１〜第３の光導波路のギャップは前記シリコン基板
（１１０）面を主面に持つシリコンを用い、前記シリコ
ン基板の（１１１）面に並行に前記ギャップを前記シリ
コン基板に達するエッチングにより形成し、その後前記
シリコン基板の異方性エッチングにより（１１１）面と
等価な面を側面に持つ貫通溝を設け前記第２の光導波路
を形成するシリコン基板を可動するように加工すること
でも良い。
フィルタの製造方法は、前記第１〜第３の光導波路のギ
ャップはレーザ加工、イオンミリングあるいは放電加工
により設け、その後前記シリコン基板の前記ギャップが
位置する部分に貫通溝を設け前記第２の光導波路を形成
するシリコン基板を可動するように加工する。又、前記
第１〜第３の光導波路のギャップは前記シリコン基板
（１１０）面を主面に持つシリコンを用い、前記シリコ
ン基板の（１１１）面に並行に前記ギャップを前記シリ
コン基板に達するエッチングにより形成し、その後前記
シリコン基板の異方性エッチングにより（１１１）面と
等価な面を側面に持つ貫通溝を設け前記第２の光導波路
を形成するシリコン基板を可動するように加工すること
でも良い。
【０００９】
【作用】本発明によるファブリ・ペロー型可変波長フィ
ルタでは、共振器を構成する光導波路はシリコン基板へ
の成膜、及びエッチング等のフォトリソグラフィプロセ
スで位置精度よく形成されるため後からの設置、組み立
ては全く不要である。また、端面に鏡が形成された光導
波路がシリコン基板の可動部に設けられるが、シリコン
は完全弾性体に近くヒステリシスが小さいため、静電気
的な力で光導波路の位置が精度良くコントロールされ、
高性能なファブリ・ペロー型可変波長フィルタを得るこ
とができる。また、本発明による製造方法によればシリ
コン・ウェハに多数の素子が同時に形成されるため、大
量生産および低価格化が可能になる。
ルタでは、共振器を構成する光導波路はシリコン基板へ
の成膜、及びエッチング等のフォトリソグラフィプロセ
スで位置精度よく形成されるため後からの設置、組み立
ては全く不要である。また、端面に鏡が形成された光導
波路がシリコン基板の可動部に設けられるが、シリコン
は完全弾性体に近くヒステリシスが小さいため、静電気
的な力で光導波路の位置が精度良くコントロールされ、
高性能なファブリ・ペロー型可変波長フィルタを得るこ
とができる。また、本発明による製造方法によればシリ
コン・ウェハに多数の素子が同時に形成されるため、大
量生産および低価格化が可能になる。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例について図を参照して詳
細に説明する。図１は本発明によるファブリ・ペロー型
可変波長フィルタの一実施例の平面図で、図２は図１の
光導波路のＡ−Ａ線位置における断面図である。図１お
よび図２において、光導波路（１）１、光導波路（２）
２、光導波路（３）３はそれぞれシリコン基板（１）
４、シリコン基板（２）５、シリコン基板（３）６の表
面に形成されている。各シリコン基板はガラス基板８上
に設けられている。又各シリコン基板にはそれぞれ電極
７が設けられている。光導波路（１）１の右端および光
導波路（２）２の右端の表面は、ファブリ・ペロー共振
器を形成するために高反射膜の鏡面になっている。
細に説明する。図１は本発明によるファブリ・ペロー型
可変波長フィルタの一実施例の平面図で、図２は図１の
光導波路のＡ−Ａ線位置における断面図である。図１お
よび図２において、光導波路（１）１、光導波路（２）
２、光導波路（３）３はそれぞれシリコン基板（１）
４、シリコン基板（２）５、シリコン基板（３）６の表
面に形成されている。各シリコン基板はガラス基板８上
に設けられている。又各シリコン基板にはそれぞれ電極
７が設けられている。光導波路（１）１の右端および光
導波路（２）２の右端の表面は、ファブリ・ペロー共振
器を形成するために高反射膜の鏡面になっている。
【００１１】ここで、光導波路は、シリコン基板上に、
クラッドとなる酸化シリコン１０ａを１０μｍ、コアと
なるリン添加酸化シリコン９を約７μｍ、ＣＶＤ法によ
り連続して形成し、エッチングによりコア層を光軸方向
に幅７μｍのストライプ状に加工し、その上から更にク
ラッドとなる酸化シリコン１０ｂを堆積させコアを埋め
込んだ構造を持っている。また、シリコン基板（１）
１、シリコン基板（２）２、シリコン基板（３）３はガ
ラス８に接合され固定されるが、このうちシリコン基板
（２）２は部分的にガラス８の上に浮かんだ構造を持ち
光導波路の支持部および梁部が可動部となっている。
クラッドとなる酸化シリコン１０ａを１０μｍ、コアと
なるリン添加酸化シリコン９を約７μｍ、ＣＶＤ法によ
り連続して形成し、エッチングによりコア層を光軸方向
に幅７μｍのストライプ状に加工し、その上から更にク
ラッドとなる酸化シリコン１０ｂを堆積させコアを埋め
込んだ構造を持っている。また、シリコン基板（１）
１、シリコン基板（２）２、シリコン基板（３）３はガ
ラス８に接合され固定されるが、このうちシリコン基板
（２）２は部分的にガラス８の上に浮かんだ構造を持ち
光導波路の支持部および梁部が可動部となっている。
【００１２】さらに、シリコン基板（１）１、シリコン
基板（２）２、シリコン基板（３）３には、それぞれ、
電極７が光導波路の酸化シリコン層を取り除いて形成さ
れ所定の電圧が加えられる。シリコン基板（２）２の可
動部の梁２０の幅が２０μｍ．長さが５ｍｍ、可動部と
シリコン基板（１）１の隙間が１０μｍの場合、シリコ
ン基板（１）１とシリコン基板（２）２の間に加える電
圧を０Ｖから８０Ｖに変化させることにより、鏡面を持
つ２つの光導波路で形成されるファブリ・ペロー共振器
の共振器長は約５０ｎｍ変化し、透過する光の波長を選
択することができる。
基板（２）２、シリコン基板（３）３には、それぞれ、
電極７が光導波路の酸化シリコン層を取り除いて形成さ
れ所定の電圧が加えられる。シリコン基板（２）２の可
動部の梁２０の幅が２０μｍ．長さが５ｍｍ、可動部と
シリコン基板（１）１の隙間が１０μｍの場合、シリコ
ン基板（１）１とシリコン基板（２）２の間に加える電
圧を０Ｖから８０Ｖに変化させることにより、鏡面を持
つ２つの光導波路で形成されるファブリ・ペロー共振器
の共振器長は約５０ｎｍ変化し、透過する光の波長を選
択することができる。
【００１３】次に、本発明によるファブリ・ペロー型可
変波長フィルタの製造方法の第１の実施例について図３
〜図８の図を参照して詳述する。図３は平面図で、図４
および図５はそれぞれ図３のａ−ａ線、ｂ−ｂ線におけ
る断面図である。図６は平面図で図７および図８は図６
のａ−ａ線、ｂ−ｂ線における断面図である。これらの
図において酸化シリコン１０は光導波路の上部クラッド
となる酸化シリコン１０ａ、光導波路の下部クラッドと
なる酸化シリコン１０ｂ、光導波路のコアを形成するリ
ン添加酸化シリコン９、シリコン基板１１、メタル電極
７、パイレックスガラス８で構成されている。
変波長フィルタの製造方法の第１の実施例について図３
〜図８の図を参照して詳述する。図３は平面図で、図４
および図５はそれぞれ図３のａ−ａ線、ｂ−ｂ線におけ
る断面図である。図６は平面図で図７および図８は図６
のａ−ａ線、ｂ−ｂ線における断面図である。これらの
図において酸化シリコン１０は光導波路の上部クラッド
となる酸化シリコン１０ａ、光導波路の下部クラッドと
なる酸化シリコン１０ｂ、光導波路のコアを形成するリ
ン添加酸化シリコン９、シリコン基板１１、メタル電極
７、パイレックスガラス８で構成されている。
【００１４】まず、シリコン基板１１の片面に光導波路
のクラッドとなる酸化シリコン１０ａを１０μｍ、コア
となるリン添加酸化シリコン９を約７μｍ、ＣＶＤ法に
より連続して成膜する。次に、エッチングによりコア層
を光軸方向に幅７μｍのストライプ状に加工し、その上
から更にクラッドとなる酸化シリコン１０ｂを堆積させ
コアを埋め込み直線状の単一モード光導波路を作製す
る。次に、シリコン基板のもう一方の表面に酸化シリコ
ン１０を３００ｎｍの厚さに形成する。
のクラッドとなる酸化シリコン１０ａを１０μｍ、コア
となるリン添加酸化シリコン９を約７μｍ、ＣＶＤ法に
より連続して成膜する。次に、エッチングによりコア層
を光軸方向に幅７μｍのストライプ状に加工し、その上
から更にクラッドとなる酸化シリコン１０ｂを堆積させ
コアを埋め込み直線状の単一モード光導波路を作製す
る。次に、シリコン基板のもう一方の表面に酸化シリコ
ン１０を３００ｎｍの厚さに形成する。
【００１５】次に、シリコン基板１１の光導波路の形成
されていない裏面の可動部を含む領域にエッチングによ
り窪みを設ける。ついで、酸化シリコン１０を除去し、
シリコン基板１１をパイレックスガラス８に静電的に結
合する。電極７をシリコン基板１１の表面に形成した
後、レーザ加工、イオンミリングあるいは放電加工によ
り、シリコン基板上の導波路のギャップを形成し、さら
にその下のシリコン基板１１にも貫通溝を設け可動部を
形成する。シリコン基板１１は図２に示すシリコン基板
（１）〜（３）４〜６に相当し、又、リン添加酸化シリ
コン９をコアとする光導波路は図２に示す光導波路
（１）〜（３）１〜３にそれぞれ相当する。
されていない裏面の可動部を含む領域にエッチングによ
り窪みを設ける。ついで、酸化シリコン１０を除去し、
シリコン基板１１をパイレックスガラス８に静電的に結
合する。電極７をシリコン基板１１の表面に形成した
後、レーザ加工、イオンミリングあるいは放電加工によ
り、シリコン基板上の導波路のギャップを形成し、さら
にその下のシリコン基板１１にも貫通溝を設け可動部を
形成する。シリコン基板１１は図２に示すシリコン基板
（１）〜（３）４〜６に相当し、又、リン添加酸化シリ
コン９をコアとする光導波路は図２に示す光導波路
（１）〜（３）１〜３にそれぞれ相当する。
【００１６】次に、本発明によるファブリ・ペロー型可
変波長フィルタの製造方法の第２の実施例について、図
９〜図１４の図を参照して詳述する。図９は平面図で、
図１０および図１１は、それぞれ図９のａ−ａ線、ｂ−
ｂ線における断面図である。図１２は平面図で、図１３
および図１４は図１２のａ−ａ線、ｂ−ｂ線における断
面図である。これらの図において、酸化シリコン１０、
光導波路のクラッドとなる酸化シリコン１０ａ、コアと
なるリン添加酸化シリコン９、（１１０）面を主面に持
つシリコン基板１１、メタル電極７、パイレックスガラ
ス８で構成されている。
変波長フィルタの製造方法の第２の実施例について、図
９〜図１４の図を参照して詳述する。図９は平面図で、
図１０および図１１は、それぞれ図９のａ−ａ線、ｂ−
ｂ線における断面図である。図１２は平面図で、図１３
および図１４は図１２のａ−ａ線、ｂ−ｂ線における断
面図である。これらの図において、酸化シリコン１０、
光導波路のクラッドとなる酸化シリコン１０ａ、コアと
なるリン添加酸化シリコン９、（１１０）面を主面に持
つシリコン基板１１、メタル電極７、パイレックスガラ
ス８で構成されている。
【００１７】シリコン基板１１上への光導波路の形成、
及び反対面への酸化シリコン１０の形成は第１の実施例
と全く同様である。その後、光導波路のクラッド及びコ
アをドライエッチングにより加工し微少なギャップを形
成し所定の場所のシリコンを露出させ、水酸化カリウム
などの異方性エッチング液によりエッチングを行なう。
この時、（１１１）面と等価な面がエッチング時に側面
に現われるように方位を選ぶと、ほぼ表面に垂直なエッ
チングが行なわれ貫通溝が形成される。さらに、シリコ
ン基板１１の裏面の可動部を含む領域にエッチングによ
り窪みを設ける。次に、酸化シリコン１０を除去し、シ
リコン基板１１をパイレックスガラス８に静電的に結合
し、最後に電極７をシリコン１１の表面に形成する。
及び反対面への酸化シリコン１０の形成は第１の実施例
と全く同様である。その後、光導波路のクラッド及びコ
アをドライエッチングにより加工し微少なギャップを形
成し所定の場所のシリコンを露出させ、水酸化カリウム
などの異方性エッチング液によりエッチングを行なう。
この時、（１１１）面と等価な面がエッチング時に側面
に現われるように方位を選ぶと、ほぼ表面に垂直なエッ
チングが行なわれ貫通溝が形成される。さらに、シリコ
ン基板１１の裏面の可動部を含む領域にエッチングによ
り窪みを設ける。次に、酸化シリコン１０を除去し、シ
リコン基板１１をパイレックスガラス８に静電的に結合
し、最後に電極７をシリコン１１の表面に形成する。
【００１８】
【発明の効果】以上、説明したとおり、本発明によるフ
ァブリ・ペロー型可変波長フィルタでは、シリコン基板
を用いて可動部を形成し、可動部を静電的に駆動するた
め、圧電アクチュエータが不要である。また、共振器を
構成する光導波路はフォトリソグラフィ技術により、製
造時に整列した形で形成されるため、加工後の組立位置
調整は全く不要である。さらに、シリコン・ウェハを用
いて製造するため一度にたくさんの素子が形成できる。
このために低価格なファブリ・ペロー型可変波長フィル
タの製造を可能にするという効果がある。
ァブリ・ペロー型可変波長フィルタでは、シリコン基板
を用いて可動部を形成し、可動部を静電的に駆動するた
め、圧電アクチュエータが不要である。また、共振器を
構成する光導波路はフォトリソグラフィ技術により、製
造時に整列した形で形成されるため、加工後の組立位置
調整は全く不要である。さらに、シリコン・ウェハを用
いて製造するため一度にたくさんの素子が形成できる。
このために低価格なファブリ・ペロー型可変波長フィル
タの製造を可能にするという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図３】本発明によるファブリ・ペロー型可変波長フィ
ルタの製造方法の第１の実施例の平面図である。
ルタの製造方法の第１の実施例の平面図である。
【図４】図３のａ−ａ線における断面図であある。
【図５】図３のｂ−ｂ線における断面図である。
【図６】図３の後の工程における平面図である。
【図７】図６のａ−ａ線における断面図である。
【図８】図６のｂ−ｂ線における断面図である。
【図９】本発明によるファブリ・ペロー型可変波長フィ
ルタの製造方法の第２の実施例の平面図である。
ルタの製造方法の第２の実施例の平面図である。
【図１０】図９のａ−ａ線における断面図である。
【図１１】図９のｂ−ｂ線における断面図である。
【図１２】図９の後の工程における平面図である。
【図１３】図１２のａ−ａ線における断面図である。
【図１４】図１２のｂ−ｂ線における断面図である。
１ 光導波路（１） ２ 光導波路（２） ３ 光導波路（３） ４ シリコン基板（１） ５ シリコン基板（２） ６ シリコン基板（３） ７ 電極 ８ ガラス ９ リン添加酸化シリコン １０，１０ａ，１０ｂ 酸化シリコン １１ シリコン基板
Claims (4)
- 【請求項１】 シリコン基板上に光軸方向にそって微少
ギャップをとり順に配置形成された第１の光導波路と第
２の光導波路と第３の光導波路と、前記第２の光導波路
の両端面の一方および前記第１の光導波路の前記第２の
光導波路側の端面と前記第３の光導波路の前記第２の光
導波路側の端面の一方にそれぞれ形成された高反射膜と
を備えており、前記第２の光導波路を形成するシリコン
基板が可動であることを特徴とするファブリ・ペロー型
可変波長フィルタ。 - 【請求項２】 前記第１〜第３の光導波路のクラッドと
コアとは、前記コアの屈折率が前記クラッドよりも高く
なるように不純物添加された酸化シリコンから作られる
ことを特徴とする請求項１記載のファブリ・ペロー型可
変波長フィルタ。 - 【請求項３】 前記第１〜第３の光導波路のギャップは
レーザ加工、イオンミリングあるいは放電加工により設
け、その後前記シリコン基板の前記ギャップが位置する
部分に貫通溝を設け前記第２の光導波路を形成するシリ
コン基板を可動するように加工することを特徴とする請
求項１あるいは請求項２記載のファブリ・ペロー型可変
波長フィルタの製造方法。 - 【請求項４】 前記第１〜第３の光導波路のギャップは
前記シリコン基板に（１１０）面を主面に持つシリコン
を用い、前記シリコン基板の（１１１）面に並行に前記
ギャップを前記シリコン基板に達するエッチングにより
形成し、その後前記シリコン基板の異方性エッチングに
より（１１１）面と等価な面を側面に持つ貫通溝を設け
前記第２の光導波路を形成するシリコン基板を可動する
ように加工することを特徴とする請求項１あるいは請求
項２記載のファブリ・ペロー型可変波長フィルタの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31815991A JPH05203883A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | ファブリ・ペロー型可変波長フィルタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31815991A JPH05203883A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | ファブリ・ペロー型可変波長フィルタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05203883A true JPH05203883A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=18096142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31815991A Withdrawn JPH05203883A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | ファブリ・ペロー型可変波長フィルタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05203883A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004348136A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 外部共振器半導体レーザーおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-12-02 JP JP31815991A patent/JPH05203883A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004348136A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 外部共振器半導体レーザーおよびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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