JPH05203845A - 光モジュール - Google Patents
光モジュールInfo
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- JPH05203845A JPH05203845A JP31372792A JP31372792A JPH05203845A JP H05203845 A JPH05203845 A JP H05203845A JP 31372792 A JP31372792 A JP 31372792A JP 31372792 A JP31372792 A JP 31372792A JP H05203845 A JPH05203845 A JP H05203845A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型で低コストでかつ量産性を図る。
【構成】 半導体レーザー１２およびフォトダイオード
１３は、同一の支持台１４に実装されている。透過型ホ
ログラム回析格子１１は、入射光を透過光と回析光とに
分光する。１５はレンズ、１６は伝送路に光を出射また
は伝送路から光を入射する光ファイバ端末である。透過
型ホログラム回析格子１１およびレンズ１５は光ファイ
バ端末１６と支持台１４との間に配設されている。そし
て半導体レーザー１２から出射され透過型ホログラム回
析格子１１を透過した透過光はレンズ１５を介して光フ
ァイバ端末１６と光学的に結合される。また、ファイバ
端末１６から出射されレンズ１５を介して透過型ホログ
ラム回析格子１１で回析された回析光がフォトダイオー
ド１３と光学的に結合される。
１３は、同一の支持台１４に実装されている。透過型ホ
ログラム回析格子１１は、入射光を透過光と回析光とに
分光する。１５はレンズ、１６は伝送路に光を出射また
は伝送路から光を入射する光ファイバ端末である。透過
型ホログラム回析格子１１およびレンズ１５は光ファイ
バ端末１６と支持台１４との間に配設されている。そし
て半導体レーザー１２から出射され透過型ホログラム回
析格子１１を透過した透過光はレンズ１５を介して光フ
ァイバ端末１６と光学的に結合される。また、ファイバ
端末１６から出射されレンズ１５を介して透過型ホログ
ラム回析格子１１で回析された回析光がフォトダイオー
ド１３と光学的に結合される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信用モジュールに関
し、特に発光、受光素子を一体に集積した光モジュール
に関する。
し、特に発光、受光素子を一体に集積した光モジュール
に関する。
【０００２】
【従来の技術】公衆通信網の分野においてＩＳＤＮの進
展にともない、画像情報など大容量の伝送が幹線系のみ
ならず末端の加入者にまで求められると予想されてい
る。このような高速、大容量の伝送においては、従来の
メタリックケーブルによる伝送では間に合わず、光伝送
技術の導入による光加入者系の実現が必須であると考え
られる。
展にともない、画像情報など大容量の伝送が幹線系のみ
ならず末端の加入者にまで求められると予想されてい
る。このような高速、大容量の伝送においては、従来の
メタリックケーブルによる伝送では間に合わず、光伝送
技術の導入による光加入者系の実現が必須であると考え
られる。
【０００３】この光加入者系の実現方式の一つに同一波
長双方向伝送方式がある。これは、局と加入者端末を結
んだ単一の光ファイバで双方向の伝送を行うものであ
る。
長双方向伝送方式がある。これは、局と加入者端末を結
んだ単一の光ファイバで双方向の伝送を行うものであ
る。
【０００４】図５に同一波長双方向伝送方式に用いられ
る従来の送受信用光モジュールの一例を示す。
る従来の送受信用光モジュールの一例を示す。
【０００５】同図において、送信用半導体レーザーモジ
ュール４１と受信用フォトダイオードモジュール４２お
よびそれぞれのピグテイルファイバにコネクタ４４およ
び４５を介して接続されたファイバ融着型３ｄｂスプリ
ッタ４３からなる。
ュール４１と受信用フォトダイオードモジュール４２お
よびそれぞれのピグテイルファイバにコネクタ４４およ
び４５を介して接続されたファイバ融着型３ｄｂスプリ
ッタ４３からなる。
【０００６】半導体レーザーモジュール４１で光に変換
された送信信号４は、３ｄｂスプリッター４３を通って
伝送路に送られる。
された送信信号４は、３ｄｂスプリッター４３を通って
伝送路に送られる。
【０００７】逆に伝送路から届いた受信信号５は３ｄｂ
スプリッター４３で２分岐され、その一方が受信用フォ
トダイオードモジュール４２で電気信号に変換される。
スプリッター４３で２分岐され、その一方が受信用フォ
トダイオードモジュール４２で電気信号に変換される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光加入者系
においては、光端末装置の一端は各加入者側に置かれ
る。したがって、光モジュールには、従来のメタリック
ケーブル用端末装置と同等の大きさに納めるための小型
化が要求される。また、局側においても、幹線系に比べ
加入者系では端末数が膨大に増えるため、やはり光モジ
ュールの小型化が求められる。
においては、光端末装置の一端は各加入者側に置かれ
る。したがって、光モジュールには、従来のメタリック
ケーブル用端末装置と同等の大きさに納めるための小型
化が要求される。また、局側においても、幹線系に比べ
加入者系では端末数が膨大に増えるため、やはり光モジ
ュールの小型化が求められる。
【０００９】また、同一の機能を持つメタリックケーブ
ル用端末装置と置き換えられるためには、それよりも低
コストで製造できることが重要となる。
ル用端末装置と置き換えられるためには、それよりも低
コストで製造できることが重要となる。
【００１０】さらに、各加入社宅および電話局に光端末
装置を配置するためには大規模な生産能力の増大が必要
とされ、このため量産に適した光モジュールが求められ
る。
装置を配置するためには大規模な生産能力の増大が必要
とされ、このため量産に適した光モジュールが求められ
る。
【００１１】このように、光モジュールに種々の要求が
あるにもかかわらず、上述した従来の送受信用光モジュ
ールでは、要求される小型化、低コスト化、量産化を実
現することは困難である。
あるにもかかわらず、上述した従来の送受信用光モジュ
ールでは、要求される小型化、低コスト化、量産化を実
現することは困難である。
【００１２】すなわち、従来の送受信用光モジュールで
は、単一機能の光部品を組み合わせているため、半導体
レーザ、フォトダイオード、スプリッターのそれぞれ単
独に耐環境性や強度を持たせる必要があり、このためサ
イズが大きくなる。同様に、光部品間を接続しているピ
グテイルファイバを収納するためのスペースも余分にと
る必要がある。
は、単一機能の光部品を組み合わせているため、半導体
レーザ、フォトダイオード、スプリッターのそれぞれ単
独に耐環境性や強度を持たせる必要があり、このためサ
イズが大きくなる。同様に、光部品間を接続しているピ
グテイルファイバを収納するためのスペースも余分にと
る必要がある。
【００１３】また、半導体レーザー、フォトダイオード
はそれぞれ個別にμｍ単位の精度の光軸調整および固定
が必要とされ、スプリッターも個別に融着、延伸しなけ
ればならない等、低コスト、量産化に適した構造になっ
てはいないといった問題があった。
はそれぞれ個別にμｍ単位の精度の光軸調整および固定
が必要とされ、スプリッターも個別に融着、延伸しなけ
ればならない等、低コスト、量産化に適した構造になっ
てはいないといった問題があった。
【００１４】したがって、本発明は上記したような従来
の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、小型で低コストでかつ量産性にすぐれた送受
信用光モジュールを提供することにある。
の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、小型で低コストでかつ量産性にすぐれた送受
信用光モジュールを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、同一の
支持台に実装された半導体レーザー素子およびフォトダ
イオード素子と、入射光を透過光と回析光とに分光する
透過型ホログラム素子と、伝送路に光を出射または伝送
路から光を入射する光ファイバ端末とを有し、前記透過
型ホログラム素子は前記光ファイバ端末と前記支持台と
の間に配設され、前記半導体レーザー素子から出射され
前記透過型ホログラム素子を透過した透過光が前記光フ
ァイバ端末と光学的に結合されると共に、前記ファイバ
端末から出射され前記透過型ホログラム素子で回析され
た回析光が前記フォトダイオードと光学的に結合されて
いることを特徴とする光モジュールが得られる。
支持台に実装された半導体レーザー素子およびフォトダ
イオード素子と、入射光を透過光と回析光とに分光する
透過型ホログラム素子と、伝送路に光を出射または伝送
路から光を入射する光ファイバ端末とを有し、前記透過
型ホログラム素子は前記光ファイバ端末と前記支持台と
の間に配設され、前記半導体レーザー素子から出射され
前記透過型ホログラム素子を透過した透過光が前記光フ
ァイバ端末と光学的に結合されると共に、前記ファイバ
端末から出射され前記透過型ホログラム素子で回析され
た回析光が前記フォトダイオードと光学的に結合されて
いることを特徴とする光モジュールが得られる。
【００１６】さらに本発明によれば、同一の支持台に実
装された半導体レーザー素子およびフォトダイオード素
子と、入射光を透過光と回析光とに分光する透過型ホロ
グラム素子と、伝送路に光を出射または伝送路から光を
入射する光ファイバ端末とを有し、前記透過型ホログラ
ム素子は前記光ファイバ端末と前記支持台との間に配設
され、前記半導体レーザー素子から出射され前記透過型
ホログラム素子で回析された回析光が前記光ファイバ端
末と光学的に結合されると共に、前記ファイバ端末から
出射され前記透過型ホログラム素子を透過した透過光が
前記フォトダイオードと光学的に結合されていることを
特徴とする光モジュールが得られる。
装された半導体レーザー素子およびフォトダイオード素
子と、入射光を透過光と回析光とに分光する透過型ホロ
グラム素子と、伝送路に光を出射または伝送路から光を
入射する光ファイバ端末とを有し、前記透過型ホログラ
ム素子は前記光ファイバ端末と前記支持台との間に配設
され、前記半導体レーザー素子から出射され前記透過型
ホログラム素子で回析された回析光が前記光ファイバ端
末と光学的に結合されると共に、前記ファイバ端末から
出射され前記透過型ホログラム素子を透過した透過光が
前記フォトダイオードと光学的に結合されていることを
特徴とする光モジュールが得られる。
【００１７】好ましくは、前記光ファイバ端末と前記透
過型ホログラム素子との間の光路に少なくとも１つの集
光レンズが配置される。その代りに、少なくとも１つの
集光レンズは前記透過型ホログラム素子と前記支持台に
実装された前記半導体レーザー素子および前記フォトダ
イオード素子との間の光路に配置されても良い。
過型ホログラム素子との間の光路に少なくとも１つの集
光レンズが配置される。その代りに、少なくとも１つの
集光レンズは前記透過型ホログラム素子と前記支持台に
実装された前記半導体レーザー素子および前記フォトダ
イオード素子との間の光路に配置されても良い。
【００１８】
【作用】本発明においては、透過型ホログラム素子を透
過した透過光が光ファイバ端末と光学的に結合されると
共に、透過型ホログラム素子で回析された回析光がフォ
トダイオードと光学的に結合される構成、或いは、透過
型ホログラム素子で回析された回析光が光ファイバ端末
と光学的に結合されると共に、透過型ホログラム素子を
透過した透過光がフォトダイオードと光学的に結合され
る構成によって、半導体レーザー素子からの出射光と光
ファイバからの出射光とが同一光軸上を通過することと
なる。
過した透過光が光ファイバ端末と光学的に結合されると
共に、透過型ホログラム素子で回析された回析光がフォ
トダイオードと光学的に結合される構成、或いは、透過
型ホログラム素子で回析された回析光が光ファイバ端末
と光学的に結合されると共に、透過型ホログラム素子を
透過した透過光がフォトダイオードと光学的に結合され
る構成によって、半導体レーザー素子からの出射光と光
ファイバからの出射光とが同一光軸上を通過することと
なる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。図１は、本発明に係る光モジュールの側断面図、図
２は、同じく光モジュールのホログラム回析格子の拡大
側面図である。
る。図１は、本発明に係る光モジュールの側断面図、図
２は、同じく光モジュールのホログラム回析格子の拡大
側面図である。
【００２０】図１において、ホログラム回析格子１１
は、半導体レーザー１２（以下、ＬＤと称する）とＰＩ
Ｎフォトダイオード１３（以下、ＰＤと称する）が実装
された支持台１４とレンズ１５の間に配置される。入出
射用の光ファイバ端末１６の先端は、反射戻り光を低減
するため３〜７°の角度をもって斜めに光学研磨されて
いる。
は、半導体レーザー１２（以下、ＬＤと称する）とＰＩ
Ｎフォトダイオード１３（以下、ＰＤと称する）が実装
された支持台１４とレンズ１５の間に配置される。入出
射用の光ファイバ端末１６の先端は、反射戻り光を低減
するため３〜７°の角度をもって斜めに光学研磨されて
いる。
【００２１】ホログラム回析格子１１は、図２に示すよ
うに基板表面に形成された一定の間隔Λの周期構造を持
つ回析格子よりなる。このホログラム回析格子１１に、
波長λのコヒーレントなレーザー光１が入射すると、直
進する透過光２と回析光３に分離される。ここで、回析
光３の方向は、次式を満足する。
うに基板表面に形成された一定の間隔Λの周期構造を持
つ回析格子よりなる。このホログラム回析格子１１に、
波長λのコヒーレントなレーザー光１が入射すると、直
進する透過光２と回析光３に分離される。ここで、回析
光３の方向は、次式を満足する。
【００２２】
【数１】
【００２３】そして、＋１次回析光３に着目すると、そ
の回析角はθH ＝ｓｉｎ-1（λ／Λ）となる。
の回析角はθH ＝ｓｉｎ-1（λ／Λ）となる。
【００２４】したがって、ホログラム回析格子１１とＬ
Ｄ１２間の距離をｌH とすると、ＬＤ１２とＰＤ１３間
の距離ｄを次式とすることにより、透過光２をＬＤ１２
と、＋１次回析光３をＰＤ１３と結合させることができ
る。
Ｄ１２間の距離をｌH とすると、ＬＤ１２とＰＤ１３間
の距離ｄを次式とすることにより、透過光２をＬＤ１２
と、＋１次回析光３をＰＤ１３と結合させることができ
る。
【００２５】
【数２】
【００２６】ホログラム回析格子１１の製造方法は、通
常の干渉露光による方法以外に、干渉縞パターンを計算
機により算出してフォトマスクを作製して、フォトリソ
グラフィーの手法によりガラスなどの基板に作製する方
法や、前記手法により金型を作製し樹脂等の可塑性の材
料を注入して転写する方法等、種々の方法があり、いず
れもきわめて低コストで量産することができる。
常の干渉露光による方法以外に、干渉縞パターンを計算
機により算出してフォトマスクを作製して、フォトリソ
グラフィーの手法によりガラスなどの基板に作製する方
法や、前記手法により金型を作製し樹脂等の可塑性の材
料を注入して転写する方法等、種々の方法があり、いず
れもきわめて低コストで量産することができる。
【００２７】図３は本発明に係る光モジュールの要部の
実装構造を示す斜視図である。
実装構造を示す斜視図である。
【００２８】同図において、ＬＤ１２はチップの端面３
１から光を出射するため支持台１４の上面に固定され、
ＰＤ１３は受光面３２がチップ表面にあるため支持台１
４の側面に固定される。クロストークを防ぐためＬＤ１
２、ＰＤ１３間は電気的に絶縁されている。ＬＤ１２お
よびＰＤ１３は、支持台１４上に形成されたボンディン
グバッド３３、３４にボンディングワイヤ３５、３６に
よって、それぞれ電気的に接続されている。
１から光を出射するため支持台１４の上面に固定され、
ＰＤ１３は受光面３２がチップ表面にあるため支持台１
４の側面に固定される。クロストークを防ぐためＬＤ１
２、ＰＤ１３間は電気的に絶縁されている。ＬＤ１２お
よびＰＤ１３は、支持台１４上に形成されたボンディン
グバッド３３、３４にボンディングワイヤ３５、３６に
よって、それぞれ電気的に接続されている。
【００２９】図１において、入力電気信号によりＬＤ１
２で変調された送信信号光のうち、ホログラム回析格子
１１で回析されずに透過した光はレンズ１５により集光
され光ファイバ１７に入射し伝送路に送られる。
２で変調された送信信号光のうち、ホログラム回析格子
１１で回析されずに透過した光はレンズ１５により集光
され光ファイバ１７に入射し伝送路に送られる。
【００３０】伝送路から届いた受信信号光のうち、ホロ
グラム回析格子１１でθH 方向に回析された光はＰＤ１
３に入射し出力電気信号に変換される。
グラム回析格子１１でθH 方向に回析された光はＰＤ１
３に入射し出力電気信号に変換される。
【００３１】このとき、受信信号光のうち、透過成分は
ＬＤ１２にも入射する。しかし、受信信号光は伝送路で
大きな減衰を受けており、ＬＤ出力光に比べ微弱なこ
と、および光加入者系の伝送速度はせいぜい１００Ｍｂ
／ｓであるため、受信信号光の入射がＬＤ１２の変調特
性に及ぼす影響は無視できる。
ＬＤ１２にも入射する。しかし、受信信号光は伝送路で
大きな減衰を受けており、ＬＤ出力光に比べ微弱なこ
と、および光加入者系の伝送速度はせいぜい１００Ｍｂ
／ｓであるため、受信信号光の入射がＬＤ１２の変調特
性に及ぼす影響は無視できる。
【００３２】送受信光を分岐するホログラム回析格子１
１の損失は、送信の場合回析されず透過する光の割合で
決まる。また、受信の場合はθH 方向に回析される＋１
次回析光の割合で決定される。
１の損失は、送信の場合回析されず透過する光の割合で
決まる。また、受信の場合はθH 方向に回析される＋１
次回析光の割合で決定される。
【００３３】ホログラム回析格子型スプリッター低損失
化のためには、不必要な高次回析光を低減することが重
要となる。
化のためには、不必要な高次回析光を低減することが重
要となる。
【００３４】このためには、ホログラムの格子形状を図
２に示したように鋸歯状化し、回析角θH と鋸歯状面の
微小領域においてスネルの法則により求められる屈折角
を一致させるブレーズ化の手法が有効となる。鋸歯状化
の角度、すなわちブレーズ角θB は（１）式とスネルの
法則を表す次式により求められる。
２に示したように鋸歯状化し、回析角θH と鋸歯状面の
微小領域においてスネルの法則により求められる屈折角
を一致させるブレーズ化の手法が有効となる。鋸歯状化
の角度、すなわちブレーズ角θB は（１）式とスネルの
法則を表す次式により求められる。
【００３５】
【数３】
【００３６】以上からブレーズ角θB を次式とすること
により、＋１次以外の回析光を抑圧できる。
により、＋１次以外の回析光を抑圧できる。
【００３７】
【数４】
【００３８】このブレーズ化の手法により透過光通過損
失４ｄｂ、＋１次回析光損失４ｄｂというきわめて低損
失なホログラム回析格子型スプリッターを得ることがで
きる。
失４ｄｂ、＋１次回析光損失４ｄｂというきわめて低損
失なホログラム回析格子型スプリッターを得ることがで
きる。
【００３９】ホログラム回析格子１１は、（１）式に示
したように回析角が波長依存性を持つため、受信信号の
波長が変動するとＰＤ１３に結合する＋１次回析光も変
動する。
したように回析角が波長依存性を持つため、受信信号の
波長が変動するとＰＤ１３に結合する＋１次回析光も変
動する。
【００４０】しかし、ＰＤ１３の受光面３２は、φ１０
０μｍ程度あるためこの回析光の波長依存性は、問題と
ならない。同様にＬＤ１２とＰＤ１３の中心間隔ｄの実
装誤差もこのＰＤ受光径により吸収することができる。
０μｍ程度あるためこの回析光の波長依存性は、問題と
ならない。同様にＬＤ１２とＰＤ１３の中心間隔ｄの実
装誤差もこのＰＤ受光径により吸収することができる。
【００４１】図４は本発明に係る別の光モジュールの側
断面図である。図４において、入力電気信号によりＬＤ
１２で変調された送信信号光のうち、ホログラム回析格
子１１でθH 方向に回析された光はレンズ１５により集
光され光ファイバ１７に入射し伝送路に送られる。
断面図である。図４において、入力電気信号によりＬＤ
１２で変調された送信信号光のうち、ホログラム回析格
子１１でθH 方向に回析された光はレンズ１５により集
光され光ファイバ１７に入射し伝送路に送られる。
【００４２】伝送路から届いた受信信号光のうち、ホロ
グラム回析格子１１で回析されずに透過した光はＰＤ１
３に入射し出力電気信号に変換される。
グラム回析格子１１で回析されずに透過した光はＰＤ１
３に入射し出力電気信号に変換される。
【００４３】このとき、受信信号光のうち、回析成分は
ＬＤ１２にも入射する。しかし、受信信号光は伝送路で
大きな減衰を受けており、ＬＤ出力光に比べ微弱なこ
と、および光加入者系の伝送速度はせいぜい１００Ｍｂ
／ｓであるため、受信信号光の入射がＬＤ１２の変調特
性に及ぼす影響は無視できる。
ＬＤ１２にも入射する。しかし、受信信号光は伝送路で
大きな減衰を受けており、ＬＤ出力光に比べ微弱なこ
と、および光加入者系の伝送速度はせいぜい１００Ｍｂ
／ｓであるため、受信信号光の入射がＬＤ１２の変調特
性に及ぼす影響は無視できる。
【００４４】送受信光を分岐するホログラム回析格子１
１の損失は、送信の場合θH 方向に回析される＋１次回
析光の割合で決まる。また、受信の場合は回析されず透
過する光の割合で決定される。
１の損失は、送信の場合θH 方向に回析される＋１次回
析光の割合で決まる。また、受信の場合は回析されず透
過する光の割合で決定される。
【００４５】ホログラム回析格子１１は入出射光線を透
過光と回析光とに分岐させるスプリッターを構成する。
ホログラム回析格子１１は厚さ数μｍで機能するため、
スプリッターを大幅に小型化できる。
過光と回析光とに分岐させるスプリッターを構成する。
ホログラム回析格子１１は厚さ数μｍで機能するため、
スプリッターを大幅に小型化できる。
【００４６】また、ホログラム回析格子１１はフォトリ
ソグラフィー法や金型による転写法により、安価な材料
を用いてバッチプロセスにより量産することができるの
で、従来に比べて大幅に低コスト化することができる。
ソグラフィー法や金型による転写法により、安価な材料
を用いてバッチプロセスにより量産することができるの
で、従来に比べて大幅に低コスト化することができる。
【００４７】さらに、ＬＤ１２とＰＤ１３を同一の支持
台１４に実装し、ホログラム回析格子１１により透過・
回析された光ビームがそれぞれに結合するように配置す
ることにより、各素子間の光接続距離を大幅に短縮でき
る。
台１４に実装し、ホログラム回析格子１１により透過・
回析された光ビームがそれぞれに結合するように配置す
ることにより、各素子間の光接続距離を大幅に短縮でき
る。
【００４８】さらに、ＬＤ１２とＰＤ１３との間隔、ホ
ログラム回析格子１１の回析角を一定に設定しておくこ
とにより、ただ一度の光軸調整・固定により光素子の結
合を行うことができるため、大幅に工程数を削減するこ
とができる。
ログラム回析格子１１の回析角を一定に設定しておくこ
とにより、ただ一度の光軸調整・固定により光素子の結
合を行うことができるため、大幅に工程数を削減するこ
とができる。
【００４９】以上のように、双方向伝送を行うためのス
プリッターおよび結合光学系が大幅に小型化されてお
り、従来のＬＤモジュール単体と同等の大きさで送受信
用光モジュールを実現することが可能である。
プリッターおよび結合光学系が大幅に小型化されてお
り、従来のＬＤモジュール単体と同等の大きさで送受信
用光モジュールを実現することが可能である。
【００５０】なお、図１及び図４の実施例では、ホログ
ラム回析格子１１をレンズ１５と支持台１４の間に配置
した構造としたが、これに限定されず、光ファイバ端末
１６とレンズ１５との間にホログラム回析格子１１を配
置しても同様な作用効果が得られる。
ラム回析格子１１をレンズ１５と支持台１４の間に配置
した構造としたが、これに限定されず、光ファイバ端末
１６とレンズ１５との間にホログラム回析格子１１を配
置しても同様な作用効果が得られる。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、透
過型ホログラム素子を透過した透過光が光ファイバ端末
と光学的に結合されると共に、透過型ホログラム素子で
回析された回析光がフォトダイオードと光学的に結合さ
れる構成、或いは、透過型ホログラム素子で回析された
回析光が光ファイバ端末と光学的に結合されると共に、
透過型ホログラム素子を透過した透過光がフォトダイオ
ードと光学的に結合される構成によって、半導体レーザ
ー素子からの出射光と光ファイバからの出射光とを同一
光軸上を通過させることができ、このため半導体レーザ
ー素子等をユニット化でき、しかも透過型ホログラム素
子およびレンズにより、光軸の距離を最小限とすること
ができるので、大幅に小型化を図ることが可能となる効
果がある。
過型ホログラム素子を透過した透過光が光ファイバ端末
と光学的に結合されると共に、透過型ホログラム素子で
回析された回析光がフォトダイオードと光学的に結合さ
れる構成、或いは、透過型ホログラム素子で回析された
回析光が光ファイバ端末と光学的に結合されると共に、
透過型ホログラム素子を透過した透過光がフォトダイオ
ードと光学的に結合される構成によって、半導体レーザ
ー素子からの出射光と光ファイバからの出射光とを同一
光軸上を通過させることができ、このため半導体レーザ
ー素子等をユニット化でき、しかも透過型ホログラム素
子およびレンズにより、光軸の距離を最小限とすること
ができるので、大幅に小型化を図ることが可能となる効
果がある。
【００５２】また、透過型ホログラム素子は、安価な材
料を用いてバッチプロセスにより量産することができる
ので、低コストで量産性にすぐれた効果もある。
料を用いてバッチプロセスにより量産することができる
ので、低コストで量産性にすぐれた効果もある。
【図１】本発明に係る光モジュールの側断面図である。
【図２】本発明に係る光モジュールのホログラム回析格
子の拡大側面図である。
子の拡大側面図である。
【図３】本発明に係る光モジュールの要部の実装構造を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図４】本発明に係る別の光モジュールの側断面図であ
る。
る。
【図５】従来の送受信用光モジュールの構想図である。
１ レーザー光 ２ 透過光 ３ 回析光 １１ ホログラム回析格子 １２ 半導体レーザー １３ フォトダイオード １４ 支持台 １５ レンズ １７ 光ファイバ
Claims (6)
- 【請求項１】 同一の支持台に実装された半導体レーザ
ー素子およびフォトダイオード素子と、入射光を透過光
と回析光とに分光する透過型ホログラム素子と、伝送路
に光を出射または伝送路から光を入射する光ファイバ端
末とを有し、前記透過型ホログラム素子は前記光ファイ
バ端末と前記支持台との間に配設され、前記半導体レー
ザー素子から出射され前記透過型ホログラム素子を透過
した透過光が前記光ファイバ端末と光学的に結合される
と共に、前記ファイバ端末から出射され前記透過型ホロ
グラム素子で回析された回析光が前記フォトダイオード
と光学的に結合されていることを特徴とする光モジュー
ル。 - 【請求項２】 前記光ファイバ端末と前記透過型ホログ
ラム素子との間の光路に配置された少なくとも１つの集
光レンズを有することを特徴とする請求項１に記載の光
モジュール。 - 【請求項３】 前記透過型ホログラム素子と前記支持台
に実装された前記半導体レーザー素子および前記フォト
ダイオード素子との間の光路に配置された少なくとも１
つの集光レンズを有することを特徴とする請求項１に記
載の光モジュール。 - 【請求項４】 同一の支持台に実装された半導体レーザ
ー素子およびフォトダイオード素子と、入射光を透過光
と回析光とに分光する透過型ホログラム素子と、伝送路
に光を出射または伝送路から光を入射する光ファイバ端
末とを有し、前記透過型ホログラム素子は前記光ファイ
バ端末と前記支持台との間に配設され、前記半導体レー
ザー素子から出射され前記透過型ホログラム素子で回析
された回析光が前記光ファイバ端末と光学的に結合され
ると共に、前記ファイバ端末から出射され前記透過型ホ
ログラム素子を透過した透過光が前記フォトダイオード
と光学的に結合されていることを特徴とする光モジュー
ル。 - 【請求項５】 前記光ファイバ端末と前記透過型ホログ
ラム素子との間の光路に配置された少なくとも１つの集
光レンズを有することを特徴とする請求項４に記載の光
モジュール。 - 【請求項６】 前記透過型ホログラム素子と前記支持台
に実装された前記半導体レーザー素子および前記フォト
ダイオード素子との間の光路に配置された少なくとも１
つの集光レンズを有することを特徴とする請求項４に記
載の光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31372792A JPH05203845A (ja) | 1991-11-21 | 1992-11-24 | 光モジュール |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33161791 | 1991-11-21 | ||
| JP3-331617 | 1991-11-21 | ||
| JP31372792A JPH05203845A (ja) | 1991-11-21 | 1992-11-24 | 光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05203845A true JPH05203845A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=26567683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31372792A Pending JPH05203845A (ja) | 1991-11-21 | 1992-11-24 | 光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05203845A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000017691A1 (fr) * | 1998-09-17 | 2000-03-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lentille de couplage et module laser à semiconducteur |
| JP2004294513A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送受信モジュール |
-
1992
- 1992-11-24 JP JP31372792A patent/JPH05203845A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000017691A1 (fr) * | 1998-09-17 | 2000-03-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lentille de couplage et module laser à semiconducteur |
| US6504975B1 (en) | 1998-09-17 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Coupling lens and semiconductor laser module |
| JP2004294513A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送受信モジュール |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990630 |