JPH0519836B2 - - Google Patents
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- JPH0519836B2 JPH0519836B2 JP59232887A JP23288784A JPH0519836B2 JP H0519836 B2 JPH0519836 B2 JP H0519836B2 JP 59232887 A JP59232887 A JP 59232887A JP 23288784 A JP23288784 A JP 23288784A JP H0519836 B2 JPH0519836 B2 JP H0519836B2
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- mixture
- cadmium
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- depolymerizable polymer
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/549—Organic PV cells
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
本発明は太陽電池、光センサなどに利用させる
光電池の製造法および光電池製造用のインクに関
するものである。
光電池の製造法および光電池製造用のインクに関
するものである。
光電池にはアモルフアスシリコンや−族の
化合物半導体などを利用するものと、カドミウム
を使用するものとがある。前者は気相成長法や蒸
着法によつて製造されるため真空装置が必要で大
量生産に適していない。また、コストも高く大面
積の光電池をうることが困難である。これに対し
後者はスクリーン印刷を利用することができるの
で大量生産に適しており、コストも安く、かつ大
面積の光電池を容易にうることができるが、その
反面、パターンの精度が低い欠点がある。これは
従来のカドミウム光電池が硫化カドミウムと塩化
カドミウムとの混合物、およびテルル化カドミウ
ムと塩化カドミウムとの混合物に、それぞれプロ
ピレングリコールを混入したインクを使用してい
ることに基因するものと考えられる。本発明はこ
の問題を解決することを意図するものであつて、
その目的とするところは高精度のスクリーン印刷
が可能なカドミウム光電池の製造法およびその製
造用インクを提供することにある。
化合物半導体などを利用するものと、カドミウム
を使用するものとがある。前者は気相成長法や蒸
着法によつて製造されるため真空装置が必要で大
量生産に適していない。また、コストも高く大面
積の光電池をうることが困難である。これに対し
後者はスクリーン印刷を利用することができるの
で大量生産に適しており、コストも安く、かつ大
面積の光電池を容易にうることができるが、その
反面、パターンの精度が低い欠点がある。これは
従来のカドミウム光電池が硫化カドミウムと塩化
カドミウムとの混合物、およびテルル化カドミウ
ムと塩化カドミウムとの混合物に、それぞれプロ
ピレングリコールを混入したインクを使用してい
ることに基因するものと考えられる。本発明はこ
の問題を解決することを意図するものであつて、
その目的とするところは高精度のスクリーン印刷
が可能なカドミウム光電池の製造法およびその製
造用インクを提供することにある。
本発明の光電池の製造法は、硫化カドミウムに
塩化カドミウムを添加した混合物に解重合性ポリ
マーの単独又はその混合物の溶液を混入して構成
したインクを基板上に塗布又は印刷して硫化カド
ミウムを主成分とする被膜を形成し、これを加熱
して前記解重合性ポリマーを分解した後、焼結
し、その上に、テルル化カドミウムに塩化カドミ
ウムを添加した混合物に解重合性ポリマーの単独
又はその混合物の溶液を混入して構成したインク
を塗布又は印刷してテルル化カドミウムを主成分
とする被膜を形成し、これを加熱して前記解重合
性ポリマーを分解した後、焼結することを特徴と
する。また、その製造用のインクは、硫化カドミ
ウムに塩化カドミウムを添加した混合物に解重合
性ポリマーの単独又はその混合物の溶液を混入し
て構成したインクと、テルル化カドミウムに塩化
カドミウムを添加した混合物に解重合性ポリマー
の単独又はその混合物の溶液を混入して構成した
インクとよりなることを特徴とする。なお、本発
明において使用される解重合性ポリマーには、ポ
リ塩化ビニール、ポリスチレン、ポリメタクリル
酸メチル等が採用される。
塩化カドミウムを添加した混合物に解重合性ポリ
マーの単独又はその混合物の溶液を混入して構成
したインクを基板上に塗布又は印刷して硫化カド
ミウムを主成分とする被膜を形成し、これを加熱
して前記解重合性ポリマーを分解した後、焼結
し、その上に、テルル化カドミウムに塩化カドミ
ウムを添加した混合物に解重合性ポリマーの単独
又はその混合物の溶液を混入して構成したインク
を塗布又は印刷してテルル化カドミウムを主成分
とする被膜を形成し、これを加熱して前記解重合
性ポリマーを分解した後、焼結することを特徴と
する。また、その製造用のインクは、硫化カドミ
ウムに塩化カドミウムを添加した混合物に解重合
性ポリマーの単独又はその混合物の溶液を混入し
て構成したインクと、テルル化カドミウムに塩化
カドミウムを添加した混合物に解重合性ポリマー
の単独又はその混合物の溶液を混入して構成した
インクとよりなることを特徴とする。なお、本発
明において使用される解重合性ポリマーには、ポ
リ塩化ビニール、ポリスチレン、ポリメタクリル
酸メチル等が採用される。
硫化カドミウム（CdS）、塩化カドミウム
（CdCl2）、ポリメタクリル酸メチルおよびベンジ
ルアルコールをそれぞれ、60％、６％、８％およ
び81％（以上重量％）の割合で混合して構成した
インクをスクリーン印刷法によつてガラス基板上
に印刷してCdSを主成分とする被膜を形成し、こ
れを400℃で１時間加熱した後、チツ素雰囲気中
で、690℃で１時間焼成した。次に焼結したCdS
被膜の上にテルル化カドミウム（CdTe）、塩化
カドミウム（CdCl2）、ポリメタクリル酸および
ベンジルアルコールをそれぞれ60％、0.3％、３
％および36.7％（以上重量％）の割合で混合して
構成したインクをスクリーン印刷法によつて印刷
してCdTeを主成分とする被膜を形成し、これを
400℃で１時間加熱した後、チツ素雰囲気中で、
620℃で１時間焼結した。焼結したCdTe被膜の
上にカーボン電極をつけ、さらにその上に銀電極
をつけた。また、CdS被膜には銀−インジユーム
電極をつけた。
（CdCl2）、ポリメタクリル酸メチルおよびベンジ
ルアルコールをそれぞれ、60％、６％、８％およ
び81％（以上重量％）の割合で混合して構成した
インクをスクリーン印刷法によつてガラス基板上
に印刷してCdSを主成分とする被膜を形成し、こ
れを400℃で１時間加熱した後、チツ素雰囲気中
で、690℃で１時間焼成した。次に焼結したCdS
被膜の上にテルル化カドミウム（CdTe）、塩化
カドミウム（CdCl2）、ポリメタクリル酸および
ベンジルアルコールをそれぞれ60％、0.3％、３
％および36.7％（以上重量％）の割合で混合して
構成したインクをスクリーン印刷法によつて印刷
してCdTeを主成分とする被膜を形成し、これを
400℃で１時間加熱した後、チツ素雰囲気中で、
620℃で１時間焼結した。焼結したCdTe被膜の
上にカーボン電極をつけ、さらにその上に銀電極
をつけた。また、CdS被膜には銀−インジユーム
電極をつけた。
かくしてえた光電池はCdS被膜およびCdTe被
膜が共に線間0.1mm線幅0.1mmの微細なパターンを
正確に保持して亀裂のない均一な被膜形成してお
り、起電力0.8Vの良質な光電池をうることがで
きた。これは本発明がCdSおよびCdTeにポリメ
タクリル酸メチルを混合したインクでスクリーン
印刷をすることによるものと考えられる。しか
し、このポリマーはCdSおよびCdTeの焼結の際
に障害となるので除去しなければならない、その
ために本発明の光電池の製造法においてはCdSイ
ンクおよびCdTeインクの印刷後、400℃で１時
間加熱している。なお、この点を確認するため
に、前記実施例のうち、400℃、１時間加熱の工
程を除外した実験を行なつたところ、CdSおよび
CdTeは共に焼結しなかつた。
膜が共に線間0.1mm線幅0.1mmの微細なパターンを
正確に保持して亀裂のない均一な被膜形成してお
り、起電力0.8Vの良質な光電池をうることがで
きた。これは本発明がCdSおよびCdTeにポリメ
タクリル酸メチルを混合したインクでスクリーン
印刷をすることによるものと考えられる。しか
し、このポリマーはCdSおよびCdTeの焼結の際
に障害となるので除去しなければならない、その
ために本発明の光電池の製造法においてはCdSイ
ンクおよびCdTeインクの印刷後、400℃で１時
間加熱している。なお、この点を確認するため
に、前記実施例のうち、400℃、１時間加熱の工
程を除外した実験を行なつたところ、CdSおよび
CdTeは共に焼結しなかつた。
本発明の製造法による光電池の従来法による光
電池とを比較するために、テレビジヨン学会技術
報告1983年第19〜24頁記載のCdSインクをスクリ
ーン印刷法によつてガラス基板上に印刷したとこ
ろ、印刷されたCdS膜はスクリーン版の線間１
mm、線巾１mm以下の印刷パターンを精密に再現す
ることができなかつた。また、印刷されたCdS膜
のレベルも不均一で良質の光電池がえられなかつ
た。これに対し本発明の光電池の製造法は前記実
施例が示すように、線間0.1mm、線巾0.1mmの微細
なパターンの形成が可能であり、かつ亀裂のない
均一なレベルを有するCdS膜およびCdTe膜をう
ることができるすぐれた効果を有する。
電池とを比較するために、テレビジヨン学会技術
報告1983年第19〜24頁記載のCdSインクをスクリ
ーン印刷法によつてガラス基板上に印刷したとこ
ろ、印刷されたCdS膜はスクリーン版の線間１
mm、線巾１mm以下の印刷パターンを精密に再現す
ることができなかつた。また、印刷されたCdS膜
のレベルも不均一で良質の光電池がえられなかつ
た。これに対し本発明の光電池の製造法は前記実
施例が示すように、線間0.1mm、線巾0.1mmの微細
なパターンの形成が可能であり、かつ亀裂のない
均一なレベルを有するCdS膜およびCdTe膜をう
ることができるすぐれた効果を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 硫化カドミウムに塩化カドミウムを添加した
混合物に解重合性ポリマーの単独又はその混合物
の溶液を混入して構成したインクを基板上に塗布
又は印刷して硫化カドミウムを主成分とする被膜
を形成し、これを加熱して前記解重合性ポリマー
を分解した後、焼結し、その上に、テルル化カド
ミウムに塩化カドミウムを添加した混合物に解重
合性ポリマーの単独又はその混合物の溶液を混入
して構成したインクを塗布又は印刷してテルル化
カドミウムを主成分とする被膜を形成し、これを
加熱して前記解重合性ポリマーを分解した後、焼
結することを特徴とする光電池の製造法。 ２ 硫化カドミウムに塩化カドミウムを添加した
混合物に解重合性ポリマーの単独又はその混合物
の溶液を混入してなることを特徴とする光電池製
造用インク。 ３ テルル化カドミウムに塩化カドミウムを添加
した混合物に解重合性ポリマーの単独又はその混
合物の溶液を混入してなることを特徴とする光電
池製造用インク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232887A JPS61111585A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 光電池の製造法および光電池製造用インク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232887A JPS61111585A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 光電池の製造法および光電池製造用インク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61111585A JPS61111585A (ja) | 1986-05-29 |
| JPH0519836B2 true JPH0519836B2 (ja) | 1993-03-17 |
Family
ID=16946394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59232887A Granted JPS61111585A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 光電池の製造法および光電池製造用インク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61111585A (ja) |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP59232887A patent/JPS61111585A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61111585A (ja) | 1986-05-29 |
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