JPH0519505B2 - - Google Patents

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JPH0519505B2
JPH0519505B2 JP1120330A JP12033089A JPH0519505B2 JP H0519505 B2 JPH0519505 B2 JP H0519505B2 JP 1120330 A JP1120330 A JP 1120330A JP 12033089 A JP12033089 A JP 12033089A JP H0519505 B2 JPH0519505 B2 JP H0519505B2
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JP
Japan
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displacement
piezoelectric
voltage
hysteresis
present
Prior art date
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JP1120330A
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English (en)
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JPH02301173A (ja
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Nobuo Hiroi
Toshuki Sugawara
Toshuki Tachikawa
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Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
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Publication date
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野] 本発明は圧電磁器組成物に係り、特に電圧印加
により、大きい機械的変位と共に高精度位置制御
を必要とする電圧駆動型圧電圧変位素子に好適な
圧電磁器組成物に関する。 [従来の技術] 近年、電磁方式に代わる新方式の駆動源として
圧電磁器の電気歪効果を利用し、電気エネルギー
を機械エネルギーに変換する。電圧駆動型圧電変
位素子(以下変位素子と称す)の実用化が、微小
位置制御機器等、多方面にわたつて進められてき
ている。この種の変位素子としては、例えば第2
図に示す如く、金属製弾性板1に両面から挟む様
に電極を付与した圧電磁器板2,2′を貼り合わ
せたバイモルフ構造を成すものが知られている。 この変位素子に直流或は交流電圧を印加すると
電気歪効果(この場合は、圧電横効果)に伴なう
機械的変位dS1或はdS2が生ずる。この機械的変
位は用途或は搭載された際の機構にもよるが、一
般に変位素子としての機能上、できるだけ大きい
事が望ましく、更に高精度な位置制御或は機器と
しての品質面から電圧−変位ヒステリシスが出来
るだけ小さい事が望しい。例えば、機械的変位に
関しては、より大きな電気歪効果を有する圧電機
器組成物が有利とされている。 [発明が解決しようとする課題] 従来よりこの種の圧電磁器組成物としては、例
えば比較的圧電定数d31の大きいPb(Ni1/3Nb2/3
O3−PbZrO3−PbTiO3等の3成分系のものがあ
る。しかしながら、従来の組成物のものでは機械
的変位がある程度得られるものの、電圧−変位ヒ
ステリシスが大きく変位素子としての利用が極め
て狭い範囲に限定されていた。従つて変位素子と
しての広範囲の用途に適応する上で、より大きな
機械的変位をもたらすと共に、電圧−変位ヒステ
リシスの小さい圧電磁器材料が望まれていた。 そこで、本発明の技術的課題は、かかる要求に
対し十分応え得るものであり、電圧印加による電
気歪効果が大きいと共に、ヒステリシスが小さ
く、その結果変位素子として広範囲な用途に応用
できる圧電磁器組成物を提供することにある。 [課題を解決するための手段] 本発明の圧電磁器組成物は、 一般式 Pb[(Ni1/3Nb2/3A (Mn1/3Sb2/3B(Sb1/2Nb1/2CZrDTiE]O3で示さ
れ (但しA+B+C+D+E=1) 0.300≦A≦0.550、 0.001≦B≦0.020、 0.002≦C≦0.050、 0.090≦D≦0.290、 0.290≦E≦0.407、 を満足する基本組成に対し副成分としてNiO,
Bi2O3から選ばれた少くとも1種を0.02〜0.5重量
%添加含有せしめてなることを特徴とする。 尚、本発明において、0.300>A,A>0.550,
B>0.020,C>0.050,0.090>D,D>0.290,
0.290>E,E>0.407から成る基本組成物及び副
成分NiO,Bi2O3から選ばれた少なくとも1種が
0.5重量%より多い組成物のものでは電気歪量、
機械的変位が低下し、従つて、目的とする変位素
子用としては好ましくなく、又、 0.002>C及び副成分NiO,Bi2O3から選ばれた
少なくとも1種が0.02重量%未満の組成物では電
気歪量、機械的変位の大幅な改善効果が認められ
ず、更には基本組成に於いて0.001>Bではヒス
テリシスに対する大幅な改善効果が認められない
ために、本発明の範囲から除外した。 [実施例] 以下本発明の実施例について参考例と比較しな
がら詳細に説明する。 出発原料として化学的に高純度のPbO,NiO,
Nb2O5,MnCO3,Sb2O3,ZrO2,TiO2及び所定
の副成分を選び、第1表〜第3表に示す組成にな
る様に精秤した。次に、これら原料ボールミルで
混合し後、乾燥し、850℃で仮焼成した。次いで
ボールミルによつて粉砕して得られた粉末に、有
機バインダを適量加えて造粒した後、1ton/cm2
圧力で加圧成形し、1200〜1250℃の温度で数時間
焼成した。得られた焼結体を所定の形状に切断、
研磨した後、電極を付与し、シリコーン油中で温
度60〜100℃の条件下で直流電場35〜50kV/cmを
30分間印加し、分極処理を施して圧電的に活性化
せしめた。次に、所定の測定方法により圧電的諸
定数を求めた後、実質的な効果を確認するために
更に研磨、加工を施して2種類の形状の短形状圧
電素子、即ち長さ10mm、幅2mm、厚さ1mm、
長さ35mm、幅10mm、厚さ0.15mmを得た。この2種
類の圧電素子のうち形状のものに、分極方向と
同方向に500Vの直流電圧を印加し、その時に生
ずる電気歪電(収縮歪)を測定し△l/lで評価
した(△l…縮み量、l…素子長さ)、一方形状
の圧電素子については、更に金属製弾性板に両
面からサンドイツチして第2図に示す様なバイモ
ルフ型変位素子を作製し、機械的変位及びヒステ
リシスを調べた。尚、機械的変位は、第1図に示
す様に30Vの直流電圧を印加した時の一端固定、
他端自由状態での先端に発生する変位dS30で求
め、一方ヒステリシスは電圧30Vでの変位dS30
と、電圧0に戻した際に生じている残留変位dS0
から、次式より算出して求めた。ヒステリシス=
(dS0/dS30)×100[%] 第1表〜第3表に結果の一例を示す。尚、第1
表〜第3表に於いて〓印の試料No.は、本発明の圧
電磁器組成物に該当する。 第1表〜第3表からも明らかな様に、本発明の
圧電磁器組成物から成る試料は、各々の組成群の
参考例と比較して電気歪量及び機械的変位のいず
れも大きく、且つ電圧−変位ヒステリシスが極め
て小さく、変位素子として好適な特性を有してい
る事は明白である。 尚、本発明に於いて、副成分であるNiO,
Bi2O3を同時添加しても総添加含有量が0.02〜0.5
重量%の範囲であれば同様な効果が得られる。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】 [発明の効果] この様に、本発明は、Pb[(Ni1/3Nb2/3A
(Mn1/3Sb2/3B(Sb1/2Nb1/2CZrDTiE]O3を基本組
成とし、A,B,C,D,Eを各々適度な範囲に
設定し、且つ副成分としてNiO,Bi2O3の1種を
適度な範囲で添加含有したものであり、特に基本
組成に於けるPb(Mn1/3Sb2/3)O3,Pb(Sb1/2
Nb1/2)O3成分及び副成分との相互作用により、
従来組成物では成し得なかつたより大きな電気歪
量、機械的変位と共に低ヒステリシスが実現でき
る。また、本発明の圧電磁器組成物によれば、以
下に挙げる用途への適用が期待できる。 (1) 大きな機械的変位の発生と共に電圧−変位ヒ
ステリシスが小さいので高精度な位置制御等が
要求される新しい変位素子分野に広範囲に適用
できる。 (2) 大きな機械的変位を発生するので、小形・軽
量化及び低電圧駆動が可能であり、省エネルギ
ー時代にマツチした変位素子分野に適用でき
る。 (3) 比較的低電圧で大きな機械的変位を必要とす
る変位を必要とする変位素子への応用が可能で
ある。 (4) 片側駆動方式(圧電素子の分極方向と同方向
の直流電圧のみ印加)の採用による大きな機械
的変位を必要とする変位素子に適用出来る。尚
この場合、印加電圧の大きさは用途に応じて自
由に選択出来る。 (5) 比較的高い圧電定数(例えば圧電d定数)を
有しているので、高圧電定数を必要とする各種
圧電製品への適用が可能である。 尚、本発明の実施例においては、圧電横効果に
伴なう電気歪量、機械的変位及び電圧−変位ヒス
テリシスについて特にバイモルフ型圧電変位素子
に関連して説明したが同組成物を用い圧電縦効果
についても調べ、その改善効果が確認されてお
り、従つて、例えば積層型圧電変位素子への適用
も十分可能である。 以上詳述した様に、本発明の圧電磁器組成物は
広範囲な用途に利用できる変位素子に好適なもの
であり、産業上極めて価値大なるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に於いて測定基準を示
すグラフ、第2図は従来のバイモルフ型圧電変位
素子の一例を示す図である。 図中、1……金属製弾性板、2,2′……圧電
磁器板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 Pb[(Ni1/3Nb2/3A(Mn1/3Sb2/3B
    (Sb1/2Nb1/2CZrDTiE]O3で示され(但しA+B
    +C+D+E=1) 0.300≦A≦0.550、 0.001≦B≦0.020、 0.002≦C≦0.050、 0.090≦D≦0.290、 0.290≦E≦0.407、 を満足する基本組成に対し副成分としてNiO,
    Bi2O3から選ばれた少くとも1種を0.02〜0.5重量
    %添加含有してなることを特徴とする圧電磁器組
    成物。
JP1120330A 1989-05-16 1989-05-16 圧電磁器組成物 Granted JPH02301173A (ja)

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JP1120330A JPH02301173A (ja) 1989-05-16 1989-05-16 圧電磁器組成物

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JP1120330A JPH02301173A (ja) 1989-05-16 1989-05-16 圧電磁器組成物

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JPH02301173A JPH02301173A (ja) 1990-12-13
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JPH02301173A (ja) 1990-12-13

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