JPH05190971A

JPH05190971A - 半導体レーザ装置

Info

Publication number: JPH05190971A
Application number: JP394292A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Tajiri; 敦志田尻; Norio Tabuchi; 規夫田渕; Koji Yoneda; 幸司米田; Keiichi Yoshitoshi; 慶一吉年
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1992-01-13
Filing date: 1992-01-13
Publication date: 1993-07-30

Abstract

(57)【要約】【目的】高光出力可能な横モード制御に優れた半導体
レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】ｐ型基板１上に、電流通路となるストライプ
溝７を有するｎ型電流阻止層２、ｐ型クラッド層３、活
性層４、及びｎ型クラッド層５がこの順序で形成された
半導体レーザ装置において、前記ｐ型クラッド層３の層
厚ｔが０．５μｍ≦ｔ＜０．８μｍとする。特に、共振
器長Ｌを９００μｍ≦Ｌ≦１２００μｍにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光情報機器、光通信、及
び固体レーザ装置励起用光源等に用いられる半導体レー
ザ装置に関し、特に高光出力可能な半導体レーザ装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光情報機器等の光源として半導体
レーザ装置が多く用いられている。斯る半導体レーザ装
置としては、例えば特開平２−２２４２８８号（Ｈ０１
Ｓ３／１８）公報に開示されている。

【０００３】同公報に示された半導体レーザ装置の横モ
ード制御は、ストライプ溝の両側に位置する電流阻止層
が光吸収層としても働くので、前記ストライプ溝の外側
にある活性層４の実効屈折率が低くなり、水平方向に実
効屈折率差を生じることにより行われる。そして、斯る
構造の半導体レーザ装置においては、ｐ型クラッド層の
層厚を０．２５〜０．３５μｍとして、低光出力時の低
非点隔差、最大出力約２００ｍＷ、及び光出力１００ｍ
Ｗでの連続発振約２０００時間を実現していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、最近半導体
レーザ装置は、書き替え型光ディスク、通信システム、
固体レーザ装置用励起光源、また第２高調波発生素子
（ＳＨＧ素子）用光源等の利用が考えられており、高光
出力化が更に要求されている。

【０００５】しかしながら、上記構造の半導体レーザ装
置では、高光出力時にその強いレーザ光が電流阻止層で
光吸収されて大量の熱を発生する。このため、半導体レ
ーザ装置の温度が上昇し、結晶欠陥等が発生するので、
該半導体レーザ装置が劣化し、高光出力が行えないとい
った問題があった。

【０００６】本発明は係る問題点を鑑みなされたもので
あり、高光出力可能な横モード制御の優れた半導体レー
ザ装置を提供することが目的であり、更に、高信頼性、
長寿命な半導体レーザ装置を提供することが目的であ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、ｐ型基板上に、電流通路となるストライプ溝を有
するｎ型電流阻止層、ｐ型クラッド層、活性層、及びｎ
型クラッド層がこの順序で形成されており、前記ｐ型ク
ラッド層の層厚ｔが０．５μｍ≦ｔ＜０．８μｍである
ことを特徴とする。

【０００８】また、本発明の半導体レーザ装置は、ｎ型
基板上に、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、
及び電流通路となるストライプ溝を有するｎ型電流阻止
層がこの順序で形成されており、前記ｐ型クラッド層の
層厚ｔが０．５μｍ≦ｔ＜０．８μｍであることを特徴
とする。

【０００９】また、本発明の半導体レーザ装置は、ｎ型
基板上に、ｎ型クラッド層、活性層、リッジ部をもつｐ
型クラッド層、及びｎ型電流阻止層がこの順序で形成さ
れており、前記ｐ型クラッド層の層厚ｔが０．５μｍ≦
ｔ＜０．８μｍであることを特徴とする。

【００１０】更に、前記半導体レーザ装置の共振器長Ｌ
が９００μｍ≦Ｌ≦１２００μｍであることを特徴とす
る。

【００１１】

【作用】ｐ型クラッド層の層厚ｔを０．５μｍ≦ｔ＜
０．８μｍとすると、レーザ光の強度が大きい場合に、
ｎ型電流阻止層で横モード制御を行えると共に電流阻止
層での光吸収が小さくできて活性層等の温度上昇を防止
できる。従って、半導体レーザ装置の高光出力化ができ
る。

【００１２】更に、前記ｐ型クラッド層上に活性層を構
成する場合には、上述のようにｐ型クラッド層の層厚を
大きくすると、ｐ型クラッド層が良好な平坦性且つ結晶
性をもつので、ｐ型クラッド層上に形成する活性層の平
坦性、膜厚の均一性、及び結晶性が良好になり、活性層
の厚みの不均一や欠陥によりレーザ光が散乱される惧れ
がなくなる。従って、更に半導体レーザ装置の高光出力
化ができる。

【００１３】更に、共振器長Ｌを９００μｍ≦Ｌ≦１２
００μｍにすると、動作電流密度が低減され、更に温度
上昇を防止できるので、特に高光出力化、高信頼化、及
び長寿命化が図れる。

【００１４】

【実施例】本発明の半導体レーザ装置の一実施例を図面
を参照しつつ詳細に説明する。図１（ａ）は本実施例の
半導体レーザ装置の斜視図を示しており、図１（ｂ）及
び図１（ｃ）はそれぞれ同図（ａ）のＸ−Ｘ断面図及び
Ｙ−Ｙ断面図である。

【００１５】図１において、１はｐ型ＧａＡｓ（Ｚｎド
ープ濃度：１×１０¹⁹〜４×１０¹⁹ｃｍ^-3）からなる例
えば端面長Ｍ３００μｍ、共振器長Ｌ４００〜１５００
μｍ、厚み３５０μｍの基板、２は該基板１の一主面上
に液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）等のエピタキシャ
ル法により積層された１〜１．２μｍ厚のｎ型ＧａＡｓ
（Ｔｅドープ濃度：２×１０¹⁸〜５×１０¹⁸ｃｍ^-3）か
らなるｎ型電流阻止層２で、その表面にストライプ溝７
が形成されている。

【００１６】斯るストライプ溝７は、例えば端面から２
０μｍの範囲の端面近傍領域Ａとその他の範囲の内部領
域Ｂで構成されており、該領域Ａ及びＢの溝幅は３．５
〜６．５μｍで、望ましくは５．５μｍである。ここ
で、前記端面近傍領域Ａにおけるストライプ溝７の深さ
はｎ型電流阻止層２の層厚より浅く、前記内部領域Ｂに
おけるストライプ溝７の深さは電流阻止層２の層厚より
も深くなっており、この結果、ストライプ溝７の内部領
域Ｂのみで、基板１表面が露出することになり、この部
分を電流が流れる。即ち、レーザ発光端面側にある端面
近傍領域Ａが電流非注入部となるので、電流による温度
上昇と該端面での光吸収を低減してＣＯＤ（瞬時光学破
壊）を防止すると共にストライプ溝の内部領域Ｂに光が
閉じ込められるので、安定な単一横モード特性を得られ
る。

【００１７】３はその層厚ｔが０．５≦ｔ＜０．８μｍ
のｐ型Ａｌ_yＧａ_1-yＡｓ（Ｚｎドープ濃度：５×１０¹⁷
〜１１×１０¹⁷ｃｍ^-3、望ましくは８×１０¹⁷ｃｍ^-3、
また組成比ｙは０．３≦ｙ≦０．４５、望ましくはｙ＝
０．３５）からなるｐ型クラッド層、４は０．０４〜
０．０７μｍ厚、望ましくは０．０５μｍ厚のノンドー
プ型Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ（組成比ｘは０≦ｘ≦０．１８）
からなる活性層、５は２〜３μｍ厚、望ましくは２μｍ
厚のｎ型Ａｌ_yＧａ_1-yＡｓ（Ｔｅドープ濃度：１×１０
¹⁸ｃｍ^-3）からなるｎ型クラッド層、６は例えば６μｍ
厚のｎ型ＧａＡｓ（Ｔｅドープ濃度：４×１０¹⁸〜５×
１０¹⁸ｃｍ^-3）からなるキャップ層で、これらはｎ型電
流阻止層２及び露出した基板１上にＬＰＥ法によって順
次積層されている。

【００１８】また、図には示していないが、キャップ層
６上及び基板１の他主面上にはそれぞれ電極が形成され
ている。この半導体レーザ装置の共振器長Ｌは特に９０
０μｍ≦Ｌ≦１２００μｍが望ましい。

【００１９】次に、斯る半導体レーザ装置の製造方法の
一例を図２〜図３を用いて説明する。ここで、図１と同
じ部分には同一符号を付している。

【００２０】先づ、図２（ａ）に示すように、基板１の
一主面上にＬＰＥ法等を用いてｎ型電流阻止層２を積層
する。その後、この電流阻止層２上に第１のレジスト膜
８を塗布し、フォトリソグラフィを用いて第１のレジス
ト膜８のストライプ溝に対応する部分をパターンニング
除去する。この時、第１のレジスト膜８のパターンニン
グ除去する幅は、端面近傍領域Ａと内部領域Ｂで変えて
いる。例えば、端面近傍領域Ａの除去幅Ｗ_Aを３．５〜
４．５μｍとし、内部領域Ｂの除去幅Ｗ_Bを３〜４μｍ
としている。

【００２１】次に、図２（ｂ）に示すように、リン酸系
エッチャント（リン酸：過酸化水素水：メタノール＝
１：１：２）を用いて、ｎ型電流阻止層２をエッチング
する。この時、端面近傍領域Ａ及び内部領域Ｂに形成さ
れる溝の深さはいずれもｎ型電流阻止層２の層厚よりも
浅く、基板１の表面に達していない。

【００２２】続いて、図３（ａ）に示すように、前記パ
ターンニングした第１のレジスト膜８を残した状態で、
端面近傍領域Ａだけを覆うようにフォトリソグラフィを
用いてパターニング形成して第２のレジスト膜９を作成
する。

【００２３】その後、図３（ｂ）に示すように、リン酸
系エッチャントを用いて、内部領域Ｂのｎ型電流阻止層
２及び基板１をエッチングし、しかる後に、第１、第２
のレジスト膜８、９を除去する。これによって、内部領
域Ｂにおける溝は基板１内まで達すると共に、溝幅は端
面近傍領域Ａにおける溝幅と等しくなる。ここで、端面
近傍領域Ａと内部領域Ｂとで溝幅が異なると、光出力特
性においてキンクと呼ばれる曲がりが生じ、出力飽和し
易くなるため、溝幅は等しくするのが望ましい。以上に
よって、両端面側にそれぞれ長さ２０μｍの電流非注入
部を有するストライプ溝７が形成される。

【００２４】そして、このストライプ溝７が形成された
ｎ型電流阻止層２及びストライプ溝７によって露出され
た基板１上に、ｐ型クラッド層３、活性層４、ｎ型クラ
ッド層５、及びキャップ層６をＬＰＥ法を用いて順次積
層して、図１に示す本実施例の半導体レーザ装置を完成
する。

【００２５】斯る半導体レーザ装置は、活性層のＡｌ_x
Ｇａ_1-xＡｓの組成比ｘを変えることにより、波長７５
０〜８８０ｎｍの光を発振できる。例えば、ｘ＝０．０
１４、ｘ＝０．０５６、及びｘ＝０．０８７の場合、そ
れぞれ発振波長は８６０ｎｍ、８３０ｎｍ、及び８０９
ｎｍである。以下、発振波長が８６０ｎｍである場合の
半導体レーザ装置の特性を調べた。

【００２６】図４に斯る構造の半導体レーザ装置のｐ型
クラッド層３の層厚ｔと最大光出力値の関係を示す。但
し、共振器長は６００μｍであり、光出力端面である前
端面及び後端面はそれぞれ５％の反射率（Ａｌ₂Ｏ₃）及
び８０％の反射率（Ａｌ₂Ｏ₃／ａ−Ｓｉ（アモルファス
シリコン））を有する非対称コーティングを施してい
る。

【００２７】この図４からｐ型クラッド層の層厚ｔが
０．５μｍ以上の場合に、比較例（従来例）であるｔ＝
０．３μｍに比べて最大光出力値が著しく大きくなるこ
とが判る。

【００２８】図５に斯る半導体レーザ装置の光出力−電
流特性を示す。この図からｐ型クラッド層の層厚ｔが
０．８μｍ以上になると、ｎ型電流阻止層での光吸収が
殆どなくなって横モード制御が悪くなり、電流−光出力
特性の直線性が著しく低下することが判る。

【００２９】従って、ｐ型クラッド層３の層厚ｔは０．
５μｍ以上がよく、特に最大光出力値と横モード制御の
両方を鑑みると、０．５μｍ≦ｔ＜０．８μｍがよく、
更に層厚ｔは０．７μｍ程度が望ましい。このｐ型クラ
ッド層３の層厚ｔが、０．５μｍ≦ｔ＜０．８μｍの半
導体レーザ装置は、連続発振で光出力１５０ｍＷが可能
であり、且つ単一横モードである。これはｐ型クラッド
層の層厚ｔを０．５μｍ≦ｔ＜０．８μｍとするので、
レーザ光の強度が大きい場合に、ｎ型電流阻止層で横モ
ード制御を行えると共に電流阻止層での光吸収が小さく
できて活性層等の温度上昇を防止できるためであり、ま
た、このようにｐ型クラッド層の層厚を大きくすると、
ｐ型クラッド層が良好な平坦性且つ結晶性をもつので、
ｐ型クラッド層上に形成する活性層の平坦性、膜厚の均
一性、及び結晶性が良好になり、活性層の厚みの不均一
や欠陥によりレーザ光が散乱される惧れがなくなるため
である。

【００３０】次に、図６に斯る構造の半導体レーザ装置
の共振器長と最大光出力の関係を示す。但し、ｐ型クラ
ッド層の層厚ｔは０．７μｍとし、光出力端面には上述
と同じ反射率の非対称コーティングを施している。この
図から共振器長が９００μｍ以上である場合に、特に最
大光出力が大きくなることが判る。これは、図示しない
が、共振器長９００μｍ以上の場合に半導体レーザ装置
の動作電流密度が特に低下するためである。例えば、共
振器長９００μｍ、ｐクラッド層の層厚０．７μｍの半
導体レーザ装置が１５０ｍＷで発振する際の電流密度
は、７ＫＡ／ｃｍ ²にあり、共振器長６００μｍ、ｐク
ラッド層の層厚０．３μｍの従来の半導体レーザ装置が
１００ｍＷで発振する際の電流密度と略同等の小さな値
である。

【００３１】また、ＳＨＧ素子用の光源として、重要な
パラメータである発振波長のスペクトル線幅を測定し
た。この線幅は例えば青色レーザ光に変換する変換効率
に関係しており、該線幅が小さい方がよい。

【００３２】図７に斯る構造の半導体レーザ装置の共振
器長（６００μｍと９００μｍ）、光出力値、及び発振
波長８６０ｎｍのスペクトル線幅の関係を示す。但し、
この半導体レーザ装置は図６と同じものである。この図
７から共振器長が９００μｍである装置は、共振器長が
６００μｍである装置に比べて線幅が小さくなり、特に
光出力が１５０ｍＷ以上の場合には線幅が約５ＭＨｚ以
下と小さくなり、ＳＨＧ用光源として望ましい値である
ことが判る。

【００３３】更に、半導体レーザ装置の共振器長Ｌを９
００μｍ以上とした場合のレーザ装置の特性を調べた。
以下、共振器長Ｌが９００μｍの場合について述べる。

【００３４】図８及び図９に斯る半導体レーザ装置の電
流−光出力特性及びその温度特性を示す。ここで、ｐ型
クラッド層の層厚は例えば０．７μｍであり、光出力端
面には上述と同様の非対称コーティングが施されてい
る。

【００３５】この図８から動作電流を７００ｍＡにした
ときに光出力３５０ｍＷが得られることが判る。また、
一方このとき光出力が２０ｍＷ以上２３０ｍＷまで単一
縦モード且つ単一基本横モードで発振した。更に、図９
から５０℃でも高光出力において光出力−電流特性に良
好な直線性が得られることが判る。また１００℃近傍の
高温においても１５０ｍＷの光出力が得られることが判
る。

【００３６】更に、図１０に斯る構造の半導体レーザ装
置の非点隔差と光出力の関係を示す。但し、この半導体
レーザ装置は図８と同じものである。

【００３７】この図１０から光出力が６０ｍＷ以上の場
合に非点隔差が１０μｍより小さい値を持つので、ビー
ムスポット径を小さく絞ることができることが判る。

【００３８】図１１に温度５０℃、光出力１５０ｍＷ
（連続発振）の状態でのエージング特性を示す。この図
からエージング時間が２０００時間以上であっても安定
な動作電流で発振しており、高光出力状態で高信頼性、
長寿命化が図れることが判る。

【００３９】図８〜図１１では、ｐ型クラッド層の層厚
が０．７μｍ、共振器長が９００μｍとした場合のレー
ザ特性について述べたが、ｐ型クラッド層の層厚ｔ及び
共振器長Ｌの範囲がそれぞれ０．５μｍ≦ｔ＜０．８μ
ｍ、９００μｍ≦Ｌ≦１２００μｍであれば略同等の特
性が得られる。尚、共振器長Ｌが１２００μｍより大き
いと動作電流が大きくなり、発熱が大きくなる惧れがあ
るので望ましくない。また、発振波長が８６０ｎｍ以外
の７５０〜８８０ｎｍの発振波長領域でも略同様な特性
を示す。

【００４０】更に、上記実施例のように光端面近傍に電
流非注入部を設ける方が望ましいが、電流非注入部を設
けない場合も効果がある。更に、活性層はノンドープ型
以外のｐ、ｎ型等の他の導電型であってもよい。また、
ｐ、ｎ型のドーパントとしてはＺｅ、Ｔｅ以外のものを
用いてもよい。

【００４１】また、上記実施例では、ｐ型ＧａＡｓ基板
上にｎ型電流阻止層、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、Ａ
ｌＧａＡｓ（またはＧａＡｓ）活性層、ｎ型ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層を積層するようにしているが、例えば次の
第２、第３実施例に示すような構造をもつ半導体レーザ
装置のｐ型クラッド層の層厚ｔを０．５μｍ≦ｔ＜０．
８μｍにすることにより略同等の効果が得られ、特に共
振器長Ｌを９００μｍ≦Ｌ≦１２００μｍとすることに
より望ましい効果が得られる。

【００４２】図１２に第２実施例の半導体レーザ装置の
断面図を示す。

【００４３】図１２において、１１はｎ型ＧａＡｓ基板
である。この基板１１上にはｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層１５、ノンドープ型ＡｌＧａＡｓ（またはＧａＡｓ）
活性層１４、ストライプ状のリッジ部１３ａをもつ層厚
ｔのｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１３、ｎ型ＧａＡｓ電
流阻止層１２、及びｐ型ＧａＡｓキャップ層１６が形成
されている。

【００４４】斯る半導体レーザ装置の各層は、ＭＯＣＶ
Ｄ法やＭＢＥ法等のエピタキャル法で形成され、ｐ型ク
ラッド層１３のリッジ部１３ａはエッチング技術で作成
される。

【００４５】また、図１３に第３実施例の半導体レーザ
装置の断面図を示す。

【００４６】図１３において、１１はｎ型ＧａＡｓ基板
である。この基板１１上にはｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層１５、ノンドープ型ＡｌＧａＡｓ（またはＧａＡｓ）
活性層１４、層厚ｔのｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１
３、ストライプ溝１２ａをもつｎ型ＧａＡｓ電流阻止層
１２、及びｐ型ＧａＡｓキャップ層１６が形成されてい
る。

【００４７】尚、第２、第３実施例とも第１実施例と同
様に両端面側に電流非注入部を有するようにする方が望
ましい。

【００４８】斯る半導体レーザ装置の各層は、ＭＯＣＶ
Ｄ法やＭＢＥ法等のエピタキャル法で形成され、ｎ型電
流阻止層１２のストライプ溝１２ａはエッチング技術で
作成される。

【００４９】本発明の半導体レーザ装置は、ｐ型クラッ
ド層の層厚ｔを０．５μｍ≦ｔ＜０．８μｍとしている
ので、レーザ光の強度が大きい場合に、ｎ型電流阻止層
で横モード制御を行えると共に電流阻止層での光吸収が
小さくできて活性層等の温度上昇を防止できる。従っ
て、半導体レーザ装置の横モード制御が優れ、且つ高光
出力化が可能である。

【００５０】更に、前記ｐ型クラッド層上に活性層を構
成する場合には、上述のようにｐ型クラッド層の層厚を
大きくすると、ｐ型クラッド層が良好な平坦性且つ結晶
性をもつので、ｐ型クラッド層上に形成する活性層の平
坦性、膜厚の均一性、及び結晶性が良好になり、活性層
の厚みの不均一や欠陥によりレーザ光が散乱される惧れ
がなくなる。従って、更に半導体レーザ装置の高光出力
化ができる。

【００５１】更に、共振器長Ｌを９００μｍ≦Ｌ≦１２
００μｍにすると、動作電流密度が特に低減され、更に
温度上昇を防止できるので、特に高光出力化、高信頼
化、及び長寿命化が図れる。

【００５２】また、本発明の半導体レーザ装置は簡単な
構造で容易に形成できるので、生産性、低コスト化に優
れている。

【００５３】

【発明の効果】本発明の半導体レーザ装置は、ｐ型クラ
ッド層の層厚ｔを０．５μｍ≦ｔ＜０．８μｍとしてい
るので、レーザ光の強度が大きい場合に、ｎ型電流阻止
層で横モード制御を行えると共に電流阻止層での光吸収
が小さくできて活性層等の温度上昇を防止できる。従っ
て、半導体レーザ装置の横モード制御が優れ、且つ高光
出力化が行える。

【００５４】また、更に、前記ｐ型クラッド層上に活性
層を構成する場合には、上述のようにｐ型クラッド層の
層厚が大きくすると、該ｐ型クラッド層が良好な平坦性
且つ結晶性をもつので、ｐ型クラッド層上に形成する活
性層の平坦性、膜厚の均一性、及び結晶性が良好にな
り、活性層の厚みの不均一や欠陥によりレーザ光が散乱
される惧れがなくなる。従って、更に高光出力を安定し
て行える。

【００５５】更に、共振器長Ｌを９００μｍ≦Ｌ≦１２
００μｍμｍ以上にするので、動作電流密度が低減さ
れ、更に温度上昇を防止できるので、特に高光出力化、
高信頼化、及び長寿命化が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置を示
す図である。

【図２】上記半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す
工程図である。

【図３】上記半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す
工程図である。

【図４】上記半導体レーザ装置のｐ型クラッド層の層厚
と最大光出力の関係を示す図である。

【図５】上記半導体レーザ装置の光出力−電流特性を示
す図である。

【図６】上記半導体レーザ装置の共振器長と最大光出力
の関係を示す図である。

【図７】上記半導体レーザ装置の光出力、共振器長、及
びスペクトル線幅の関係を示す図である。

【図８】上記半導体レーザ装置の光出力と動作電流の関
係を示す図である。

【図９】上記半導体レーザ装置の光出力−動作電流特性
の温度依存性を示す図である。

【図１０】上記半導体レーザ装置の光出力と非点隔差の
関係を示す図である。

【図１１】上記半導体レーザ装置のエージング時間と動
作電流の関係を示す図である。

【図１２】本発明の第２実施例に係る半導体レーザ装置
を示す断面図である。

【図１３】本発明の第３実施例に係る半導体レーザ装置
を示す断面図である。

【符号の説明】

１ｐ型基板２ｎ型電流阻止層３ｐ型クラッド層４活性層５ｎ型クラッド層７ストライプ溝１１ｎ型基板１２ｎ型電流阻止層１３ｐ型クラッド層１４活性層１５ｎ型クラッド層１２ａストライプ溝１３ａリッジ部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者吉年慶一大阪府守口市京阪本通２丁目18番地三洋電機株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ｐ型基板上に、電流通路となるストライ
プ溝を有するｎ型電流阻止層、ｐ型クラッド層、活性
層、及びｎ型クラッド層がこの順序で形成されている半
導体レーザ装置において、前記ｐ型クラッド層の層厚ｔ
が０．５μｍ≦ｔ＜０．８μｍであることを特徴とする
半導体レーザ装置。
【請求項２】ｎ型基板上に、ｎ型クラッド層、活性
層、ｐ型クラッド層、及び電流通路となるストライプ溝
を有するｎ型電流阻止層がこの順序で形成されている半
導体レーザ装置において、前記ｐ型クラッド層の層厚ｔ
が０．５μｍ≦ｔ＜０．８μｍであることを特徴とする
半導体レーザ装置。
【請求項３】ｎ型基板上に、ｎ型クラッド層、活性
層、リッジ部をもつｐ型クラッド層、及びｎ型電流阻止
層がこの順序で形成されている半導体レーザ装置におい
て、前記ｐ型クラッド層の層厚ｔが０．５μｍ≦ｔ＜
０．８μｍであることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】前記半導体レーザ装置の共振器長Ｌが９
００μｍ≦Ｌ≦１２００μｍであることを特徴とする請
求項１、請求項２または請求項３記載の半導体レーザ装
置。