JPH05186402A - 光学活性化合物および表示素子 - Google Patents
光学活性化合物および表示素子Info
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- JPH05186402A JPH05186402A JP4003772A JP377292A JPH05186402A JP H05186402 A JPH05186402 A JP H05186402A JP 4003772 A JP4003772 A JP 4003772A JP 377292 A JP377292 A JP 377292A JP H05186402 A JPH05186402 A JP H05186402A
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速応答性に優れた3つの安定な分子配列状
態を有する反強誘電性液晶材料、およびそれを用いた表
示素子を提供する。 【構成】 (R)−4’−ウンデシルオキシビフェニル
−4−カルボン酸−3−フルオロ−4−(1−トリフル
オロメチル−5−メトキシペンチルオキシカルボニル)
フェニルエステル等の光学活性化合物、およびそれを用
いた表示素子。
態を有する反強誘電性液晶材料、およびそれを用いた表
示素子を提供する。 【構成】 (R)−4’−ウンデシルオキシビフェニル
−4−カルボン酸−3−フルオロ−4−(1−トリフル
オロメチル−5−メトキシペンチルオキシカルボニル)
フェニルエステル等の光学活性化合物、およびそれを用
いた表示素子。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な光学活性化合物
に関する。本発明の光学活性化合物は、高速応答性に優
れた3つの安定な分子配列状態を有するカイラルスメク
チックCA 相を示す反強誘電性液晶材料として有用であ
る。
に関する。本発明の光学活性化合物は、高速応答性に優
れた3つの安定な分子配列状態を有するカイラルスメク
チックCA 相を示す反強誘電性液晶材料として有用であ
る。
【0002】
【従来の技術】現在、液晶化合物を用いた表示素子は、
その低電圧駆動性、低電力消費性及び小型、薄型化の観
点から、広く利用されている。最近、高速応答性液晶素
子として、強誘電性液晶を用いた表面安定化強誘電性液
晶素子が活発に研究されている。この表面安定化強誘電
性液晶素子は、2つの安定な分子配列状態を有してい
る。この2つの状態間のスイッチングはその素子が有し
ている分極反転しきい値以上の電圧を印加することによ
り可能であり、その応答時間は10〜100μsオーダ
ーと高速である。また、それぞれの状態は印加電圧を0
にしても、その直前の分極反転しきい値以上の電圧を印
加したときの状態を保持するというメモリー性を理想的
には有している。これらの特性を利用して、コンピュー
ターディスプレイ、テレビジョン等の表示素子や、光情
報処理用光学素子等の研究が進められている。
その低電圧駆動性、低電力消費性及び小型、薄型化の観
点から、広く利用されている。最近、高速応答性液晶素
子として、強誘電性液晶を用いた表面安定化強誘電性液
晶素子が活発に研究されている。この表面安定化強誘電
性液晶素子は、2つの安定な分子配列状態を有してい
る。この2つの状態間のスイッチングはその素子が有し
ている分極反転しきい値以上の電圧を印加することによ
り可能であり、その応答時間は10〜100μsオーダ
ーと高速である。また、それぞれの状態は印加電圧を0
にしても、その直前の分極反転しきい値以上の電圧を印
加したときの状態を保持するというメモリー性を理想的
には有している。これらの特性を利用して、コンピュー
ターディスプレイ、テレビジョン等の表示素子や、光情
報処理用光学素子等の研究が進められている。
【0003】しかしながら、この表面安定化強誘電性液
晶素子には次記のような問題点が存在している。表面安
定化強誘電性液晶素子が有する2つの分子配列状態はい
ずれも自発分極が存在している状態であるため、配向膜
として、ポリイミド等の絶縁性材料を用いた場合、この
配向膜に誘電分極が生じ、印加電圧を0にしたとき、液
晶に分極反転しきい値以上の逆電圧がかかり、電極内の
ある部分ではもう一方の状態へのスイッチングが起こ
り、直前の電圧印加時に得られた一様な分子配向状態が
保持できないことがある。即ち、表面安定化強誘電性液
晶素子の特性であるはずのメモリー性を示さないことが
ある。また、この表面安定化強誘電性液晶素子では、ス
メクチック層が折れ曲がった構造、いわゆるシェブロン
構造を取り易く、それにより生じる配向欠陥のために、
良好な分子配向状態を得ることが困難である。さらに、
耐久性の点で、該素子は機械的ショックにより、配向欠
陥が生じ易く、一度生じた欠陥は修復が困難である。
晶素子には次記のような問題点が存在している。表面安
定化強誘電性液晶素子が有する2つの分子配列状態はい
ずれも自発分極が存在している状態であるため、配向膜
として、ポリイミド等の絶縁性材料を用いた場合、この
配向膜に誘電分極が生じ、印加電圧を0にしたとき、液
晶に分極反転しきい値以上の逆電圧がかかり、電極内の
ある部分ではもう一方の状態へのスイッチングが起こ
り、直前の電圧印加時に得られた一様な分子配向状態が
保持できないことがある。即ち、表面安定化強誘電性液
晶素子の特性であるはずのメモリー性を示さないことが
ある。また、この表面安定化強誘電性液晶素子では、ス
メクチック層が折れ曲がった構造、いわゆるシェブロン
構造を取り易く、それにより生じる配向欠陥のために、
良好な分子配向状態を得ることが困難である。さらに、
耐久性の点で、該素子は機械的ショックにより、配向欠
陥が生じ易く、一度生じた欠陥は修復が困難である。
【0004】光学活性中心の置換基としてアルコキシア
ルキル基を有する強誘電性液晶化合物として、4’−デ
シルオキシビフェニル−4−カルボン酸−4−〔(1−
トリフルオロメチル−3−エトキシ)プロピルオキシカ
ルボニル〕フェニルエステル(特開昭64−3154号
公報)が知られている。一方、3つの安定な分子配列状
態を有するカイラルスメクチックCA 相を示す反強誘電
性液晶材料として、4’−オクチルオキシビフェニル−
4−カルボン酸−4−〔1−(トリフルオロメチル)ヘ
プチルオキシカルボニル〕フェニルエステル(特開平2
−160748号公報)が知られている。また、反強誘
電性液晶を用いた表示素子として三環性エステル化合物
から構成された組成物を用いた素子(特開平1−213
390号公報)が知られている。
ルキル基を有する強誘電性液晶化合物として、4’−デ
シルオキシビフェニル−4−カルボン酸−4−〔(1−
トリフルオロメチル−3−エトキシ)プロピルオキシカ
ルボニル〕フェニルエステル(特開昭64−3154号
公報)が知られている。一方、3つの安定な分子配列状
態を有するカイラルスメクチックCA 相を示す反強誘電
性液晶材料として、4’−オクチルオキシビフェニル−
4−カルボン酸−4−〔1−(トリフルオロメチル)ヘ
プチルオキシカルボニル〕フェニルエステル(特開平2
−160748号公報)が知られている。また、反強誘
電性液晶を用いた表示素子として三環性エステル化合物
から構成された組成物を用いた素子(特開平1−213
390号公報)が知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来知られ
ている反強誘電性液晶材料とは分子構造を異にし、従来
の表面安定化強誘電性液晶素子の問題点を解決する高速
応答性に優れた3つの安定な分子配列状態を有する反強
誘電性液晶化合物、およびその液晶化合物を用いた表示
素子を提供するものである。
ている反強誘電性液晶材料とは分子構造を異にし、従来
の表面安定化強誘電性液晶素子の問題点を解決する高速
応答性に優れた3つの安定な分子配列状態を有する反強
誘電性液晶化合物、およびその液晶化合物を用いた表示
素子を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式〔I〕
で示される光学活性化合物、および、一般式〔I〕で示
される光学活性化合物を用いた表示素子である。
で示される光学活性化合物、および、一般式〔I〕で示
される光学活性化合物を用いた表示素子である。
【0007】
【化3】
【0008】(式中、R1 は炭素数1〜20のアルキル
基またはアルコキシル基であり、R2 は炭素数1〜12
のアルキル基であり、nは4〜12の整数である) 上記一般式〔I〕において、R1 は炭素数1〜20のア
ルキル基またはアルコキシル基であり、具体的には、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、
デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、
テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘ
プタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシ
ル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチル
オキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシル
オキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ト
リデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシ
ルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキ
シ基、オクタデシルオキシ基、ノナデシルオキシ基、イ
コシルオキシ基が挙げられ、これらは直鎖状でも、分岐
鎖を有していてもよい。
基またはアルコキシル基であり、R2 は炭素数1〜12
のアルキル基であり、nは4〜12の整数である) 上記一般式〔I〕において、R1 は炭素数1〜20のア
ルキル基またはアルコキシル基であり、具体的には、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、
デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、
テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘ
プタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシ
ル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチル
オキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシル
オキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ト
リデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシ
ルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキ
シ基、オクタデシルオキシ基、ノナデシルオキシ基、イ
コシルオキシ基が挙げられ、これらは直鎖状でも、分岐
鎖を有していてもよい。
【0009】上記一般式〔I〕において、R2 は、炭素
数1〜12のアルキル基であり、具体的には、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル
基、ウンデシル基、ドデシル基であり、直鎖状でも分岐
鎖を有していてもよい。また、nは4〜12の整数であ
る。
数1〜12のアルキル基であり、具体的には、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル
基、ウンデシル基、ドデシル基であり、直鎖状でも分岐
鎖を有していてもよい。また、nは4〜12の整数であ
る。
【0010】本発明の一般式〔I〕で示される化合物の
具体例としては、下表1〜2に示される化合物が挙げら
れる。
具体例としては、下表1〜2に示される化合物が挙げら
れる。
【0011】
【表1】
【0012】
【表2】
【0013】(製造方法)本発明の一般式〔I〕で示さ
れる化合物は、以下の反応式に示す方法により製造する
ことができる。以下、反応式で例示するが、式中、
R1 、R2 およびnは、一般式〔I〕で規定したものと
同一であり、式中の〔 〕の番号は、上段の化合物を表
す。
れる化合物は、以下の反応式に示す方法により製造する
ことができる。以下、反応式で例示するが、式中、
R1 、R2 およびnは、一般式〔I〕で規定したものと
同一であり、式中の〔 〕の番号は、上段の化合物を表
す。
【0014】
【化4】
【0015】反応工程(1)は、2‐フルオロ−4−ヒ
ドロキシ安息香酸[II]とアルコキシアルキルアルコ
ール[III]とを、硫酸、ホウ酸等を触媒として用
い、トルエン等を溶媒として用いて、還流下、脱水する
ことにより実施できる。反応工程(2)は、4’−アル
キルまたはアルコキシビフェニル−4−カルボン酸
[V]と反応工程(1)で得られた安息香酸エステル
[VI]とを、N,N−ジメチル−4−アミノピリジン
等の有機塩基を触媒として用い、ジシクロヘキシルカル
ボジイミド等の脱水縮合剤の存在下、塩化メチレン、ク
ロロホルム等の溶媒中で反応させることによって、容易
に本発明の目的化合物である一般式〔I〕で示される光
学活性化合物を得ることができる。
ドロキシ安息香酸[II]とアルコキシアルキルアルコ
ール[III]とを、硫酸、ホウ酸等を触媒として用
い、トルエン等を溶媒として用いて、還流下、脱水する
ことにより実施できる。反応工程(2)は、4’−アル
キルまたはアルコキシビフェニル−4−カルボン酸
[V]と反応工程(1)で得られた安息香酸エステル
[VI]とを、N,N−ジメチル−4−アミノピリジン
等の有機塩基を触媒として用い、ジシクロヘキシルカル
ボジイミド等の脱水縮合剤の存在下、塩化メチレン、ク
ロロホルム等の溶媒中で反応させることによって、容易
に本発明の目的化合物である一般式〔I〕で示される光
学活性化合物を得ることができる。
【0016】(素子の製造)本発明の液晶化合物を用い
た素子の作製には、従来の強誘電性液晶を用いる素子の
作製技術が応用できる。即ち、透明電極が設けられ、表
面が配向処理された2枚の透明基板をスペーサーを挟ん
で貼り合わせたものに、液晶化合物を注入することによ
り得られる。配向膜の材料としては、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、SiO、SiO2 などを用いること
ができる。また、スペーサーとしては、シリカビーズ、
アルミナビーズ、ガラスファイバー、ポリマーフィルム
などを用いることができる。
た素子の作製には、従来の強誘電性液晶を用いる素子の
作製技術が応用できる。即ち、透明電極が設けられ、表
面が配向処理された2枚の透明基板をスペーサーを挟ん
で貼り合わせたものに、液晶化合物を注入することによ
り得られる。配向膜の材料としては、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、SiO、SiO2 などを用いること
ができる。また、スペーサーとしては、シリカビーズ、
アルミナビーズ、ガラスファイバー、ポリマーフィルム
などを用いることができる。
【0017】
【発明の効果】本発明の光学活性化合物は、従来知られ
ている反強誘電性液晶材料とは分子構造を異にし、高速
応答性に優れた3つの安定な分子配列状態を有する反強
誘電性液晶材料であり、従来の表面安定化強誘電性液晶
素子の問題点を解決する性能を有している。この特性
は、この光学活性化合物を用いた素子の、従来品以上の
利用態様に対する可能性を与えるものである。
ている反強誘電性液晶材料とは分子構造を異にし、高速
応答性に優れた3つの安定な分子配列状態を有する反強
誘電性液晶材料であり、従来の表面安定化強誘電性液晶
素子の問題点を解決する性能を有している。この特性
は、この光学活性化合物を用いた素子の、従来品以上の
利用態様に対する可能性を与えるものである。
【0018】
【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに具体的
に説明する。なお、実施例中の相転移温度の測定および
相の同定は、DSC、および、実施例3で製造する素子
の電場応答を偏光顕微鏡で観察することによって実施し
た。
に説明する。なお、実施例中の相転移温度の測定および
相の同定は、DSC、および、実施例3で製造する素子
の電場応答を偏光顕微鏡で観察することによって実施し
た。
【0019】(実施例1) (R)−4’−ウンデシルオキシビフェニル−4−カル
ボン酸−2−フルオロ−4−(1−トリフルオロメチル
−5−メトキシペンチルオキシカルボニル)フェニルエ
ステル(化合物No.2) (1)(R)−2−フルオロ−4−ヒドロキシ安息香酸
−1−トリフルオロメチル−5−メトキシペンチルエス
テルの製造 2−フルオロ−4−ヒドロキシ安息香酸600mg
(3.87mmol)、(R)−1−トリフルオロメチ
ル−5−メトキシペンタノール600mg(3.22m
mol)、トルエン80ml、硫酸95mg、およびホ
ウ酸60mgを混合し、3時間還流下に反応させた。反
応終了後、エーテル抽出し、エーテル層を水、飽和食塩
水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥
剤を濾別し、エーテルを留去し、粗目的物を得た。
ボン酸−2−フルオロ−4−(1−トリフルオロメチル
−5−メトキシペンチルオキシカルボニル)フェニルエ
ステル(化合物No.2) (1)(R)−2−フルオロ−4−ヒドロキシ安息香酸
−1−トリフルオロメチル−5−メトキシペンチルエス
テルの製造 2−フルオロ−4−ヒドロキシ安息香酸600mg
(3.87mmol)、(R)−1−トリフルオロメチ
ル−5−メトキシペンタノール600mg(3.22m
mol)、トルエン80ml、硫酸95mg、およびホ
ウ酸60mgを混合し、3時間還流下に反応させた。反
応終了後、エーテル抽出し、エーテル層を水、飽和食塩
水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥
剤を濾別し、エーテルを留去し、粗目的物を得た。
【0020】このものを、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより精製することにより、目的の(R)−2
−フルオロ−4−ヒドロキシ安息香酸−1−トリフルオ
ロメチル−5−メトキシペンチルエステル770mg
(2.37mmol)を得た。
ラフィーにより精製することにより、目的の(R)−2
−フルオロ−4−ヒドロキシ安息香酸−1−トリフルオ
ロメチル−5−メトキシペンチルエステル770mg
(2.37mmol)を得た。
【0021】(2)目的化合物(化合物No.2)の製
造 上記(1)で得られた(R)−2−フルオロ−4−ヒド
ロキシ安息香酸−1−トリフルオロメチル−5−メトキ
シペンチルエステル62mg(0.19mmol)、
4’−ウンデシルオキシビフェニル−4−カルボン酸8
4mg(0.23mmol)、およびN,N−ジメチル
−4−アミノピリジン14mg(0.11mmol)に
塩化メチレン5mlを加え、室温にて攪拌した後、ジシ
クロヘキシルカルボジイミド55mg(0.27mmo
l)を加え、室温で2時間反応させた。
造 上記(1)で得られた(R)−2−フルオロ−4−ヒド
ロキシ安息香酸−1−トリフルオロメチル−5−メトキ
シペンチルエステル62mg(0.19mmol)、
4’−ウンデシルオキシビフェニル−4−カルボン酸8
4mg(0.23mmol)、およびN,N−ジメチル
−4−アミノピリジン14mg(0.11mmol)に
塩化メチレン5mlを加え、室温にて攪拌した後、ジシ
クロヘキシルカルボジイミド55mg(0.27mmo
l)を加え、室温で2時間反応させた。
【0022】反応終了後、析出した固形物を濾別し、水
洗、5%酢酸水溶液による洗浄、水洗を経た後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾別し、塩化メ
チレンを留去し、粗目的物を得た。このものを、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することによ
り、目的の(R)−4’−ウンデシルオキシビフェニル
−4−カルボン酸−2−フルオロ−4−(1−トリフル
オロメチル−5−メトキシペンチルオキシカルボニル)
フェニルエステル52mg(0.08mmol)を得
た。
洗、5%酢酸水溶液による洗浄、水洗を経た後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾別し、塩化メ
チレンを留去し、粗目的物を得た。このものを、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することによ
り、目的の(R)−4’−ウンデシルオキシビフェニル
−4−カルボン酸−2−フルオロ−4−(1−トリフル
オロメチル−5−メトキシペンチルオキシカルボニル)
フェニルエステル52mg(0.08mmol)を得
た。
【0023】 1H−NMRスペクトル(ppm) 0.88(t,3H), 1.23−1.68(m,20H), 1.75−1.85(m,2H),
1.88−1.98(m,2H), 3.30(s,3H), 3.39(t,2H), 4.03(t,2
H), 5.53−5.62(m,1H), 7.00(d,2H), 7.15−7.20(m,2
H), 7.60(d,2H), 7.70(d,2H), 8.05−8.13(m,1H), 8.23
(d,2H) IRスペクトル(cm-1) 2900, 2850, 1740, 1600, 1500, 1420, 1250, 1180, 11
20, 820, 760, 相転移温度(℃)
1.88−1.98(m,2H), 3.30(s,3H), 3.39(t,2H), 4.03(t,2
H), 5.53−5.62(m,1H), 7.00(d,2H), 7.15−7.20(m,2
H), 7.60(d,2H), 7.70(d,2H), 8.05−8.13(m,1H), 8.23
(d,2H) IRスペクトル(cm-1) 2900, 2850, 1740, 1600, 1500, 1420, 1250, 1180, 11
20, 820, 760, 相転移温度(℃)
【0024】
【化5】
【0025】但し、Cryは結晶相を、SmCA * はカ
イラルスメクチックCA 相を、SmC* はカイラルスメ
クチックC相を、SmAはスメクチックA相を、Iso
は等方性液体相を表す。また、上段の値は5℃/min
で昇温したとき、下段の値は5℃/minで降温したと
きの相転移温度を表す。
イラルスメクチックCA 相を、SmC* はカイラルスメ
クチックC相を、SmAはスメクチックA相を、Iso
は等方性液体相を表す。また、上段の値は5℃/min
で昇温したとき、下段の値は5℃/minで降温したと
きの相転移温度を表す。
【0026】(実施例2) (R)−4’−ノニルビフェニル−4−カルボン酸−2
−フルオロ−4−(1−トリフルオロメチル−5−メト
キシペンチルオキシカルボニル)フェニルエステル(化
合物No.28) 実施例1の(1)で得られた(R)−2−フルオロ−4
−ヒドロキシ安息香酸−1−トリフルオロメチル−5−
メトキシペンチルエステル100mg(0.31mmo
l)、4’−ノニルビフェニル−4−カルボン酸110
mg(0.34mmol)、およびN,N−ジメチル−
4−アミノピリジン23mg(0.19mmol)に塩
化メチレン10mlを加え、室温にて攪拌した後、ジシ
クロヘキシルカルボジイミド95mg(0.46mmo
l)を加え、室温で2時間反応させた。
−フルオロ−4−(1−トリフルオロメチル−5−メト
キシペンチルオキシカルボニル)フェニルエステル(化
合物No.28) 実施例1の(1)で得られた(R)−2−フルオロ−4
−ヒドロキシ安息香酸−1−トリフルオロメチル−5−
メトキシペンチルエステル100mg(0.31mmo
l)、4’−ノニルビフェニル−4−カルボン酸110
mg(0.34mmol)、およびN,N−ジメチル−
4−アミノピリジン23mg(0.19mmol)に塩
化メチレン10mlを加え、室温にて攪拌した後、ジシ
クロヘキシルカルボジイミド95mg(0.46mmo
l)を加え、室温で2時間反応させた。
【0027】反応終了後、析出した固形物を濾別し、水
洗、5%酢酸水溶液による洗浄、水洗を経た後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾別し、塩化メ
チレンを留去し、粗目的物を得た。このものを、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することによ
り、目的の(R)−4’−ノニルビフェニル−4−カル
ボン酸−2−フルオロ−4−(1−トリフルオロメチル
−5−メトキシペンチルオキシカルボニル)フェニルエ
ステル182mg(0.28mmol)を得た。
洗、5%酢酸水溶液による洗浄、水洗を経た後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾別し、塩化メ
チレンを留去し、粗目的物を得た。このものを、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することによ
り、目的の(R)−4’−ノニルビフェニル−4−カル
ボン酸−2−フルオロ−4−(1−トリフルオロメチル
−5−メトキシペンチルオキシカルボニル)フェニルエ
ステル182mg(0.28mmol)を得た。
【0028】 1H−NMRスペクトル(ppm) 0.89(t,3H), 1.25−1.40(m,16H), 1.59−1.73(m,2H),
1.89−1.97(m,2H), 2.63−2.71(m,2H), 3.32(s,3H), 3.
40(t,2H), 5.50−5.60(m,1H), 7.16−7.20(m,2H), 7.42
(d,2H), 7.59(d,2H), 7.75(d,2H), 8.06−8.12(m,1H),
8.26(d,2H) IRスペクトル(cm-1) 2920, 2850, 1730, 1620, 1500, 1250, 1190, 1130, 10
80, 970, 860, 相転移温度(℃)
1.89−1.97(m,2H), 2.63−2.71(m,2H), 3.32(s,3H), 3.
40(t,2H), 5.50−5.60(m,1H), 7.16−7.20(m,2H), 7.42
(d,2H), 7.59(d,2H), 7.75(d,2H), 8.06−8.12(m,1H),
8.26(d,2H) IRスペクトル(cm-1) 2920, 2850, 1730, 1620, 1500, 1250, 1190, 1130, 10
80, 970, 860, 相転移温度(℃)
【0029】
【化6】
【0030】但し、Cryは結晶相を、SmCA * はカ
イラルスメクチックCA 相を、SmAはスメクチックA
相を、Isoは等方性液体相を表す。また、上段の値は
5℃/minで昇温したとき、下段の値は5℃/min
で降温したときの相転移温度を表す。
イラルスメクチックCA 相を、SmAはスメクチックA
相を、Isoは等方性液体相を表す。また、上段の値は
5℃/minで昇温したとき、下段の値は5℃/min
で降温したときの相転移温度を表す。
【0031】(実施例3)透明電極付きの2枚のガラス
基板に、配向膜としてポリイミドをスピンコートし、ラ
ビング処理を施し、それらを、それぞれのラビング方向
が互いに平行となるよう、1.7μmのギャップ間隔で
貼り合わせ、セルを組み立てた。それに実施例1で得ら
れた化合物を等方性液体状態にして注入し、その後、液
晶状態まで徐々に冷却した。これを透過軸を直交させた
偏光子と検光子とで挟み、印加電圧が0Vのとき、透過
光量が最小となるよう、偏光子に対するセルの角度を調
整した。
基板に、配向膜としてポリイミドをスピンコートし、ラ
ビング処理を施し、それらを、それぞれのラビング方向
が互いに平行となるよう、1.7μmのギャップ間隔で
貼り合わせ、セルを組み立てた。それに実施例1で得ら
れた化合物を等方性液体状態にして注入し、その後、液
晶状態まで徐々に冷却した。これを透過軸を直交させた
偏光子と検光子とで挟み、印加電圧が0Vのとき、透過
光量が最小となるよう、偏光子に対するセルの角度を調
整した。
【0032】以上の手順で作成した素子に、60℃にお
いて、印加電圧変化に対する透過光量変化を測定したと
ころ、この素子は、高速応答性に優れた3つの安定な分
子配列状態を有することが認められ、かつ、上記表面安
定化強誘電性液晶素子の問題点を解決することが明らか
となった。これらについて、図1に記した。なお、透過
光量は検光子の透過軸を回転させ、偏光子の透過軸と一
致させたときの値を100%とした。
いて、印加電圧変化に対する透過光量変化を測定したと
ころ、この素子は、高速応答性に優れた3つの安定な分
子配列状態を有することが認められ、かつ、上記表面安
定化強誘電性液晶素子の問題点を解決することが明らか
となった。これらについて、図1に記した。なお、透過
光量は検光子の透過軸を回転させ、偏光子の透過軸と一
致させたときの値を100%とした。
【0033】これは、60℃において10Vあるいは−
10Vのバイアス電圧を印加することにより、1つの暗
状態と、2つの明状態それぞれとの間において、メモリ
ー性を利用した駆動が可能であることを示している。ま
た、60℃において、印加電圧を0Vから30Vに瞬時
に変化させたときの暗状態から明状態への応答時間は6
0μs、印加電圧を30Vから0Vに瞬時に変化させた
ときの明状態から暗状態への応答時間は750μsであ
り、印加電圧変化に対する状態間スイッチングの高速応
答性が認められた。さらに、この素子は、シェブロン構
造による欠陥が少なく、分子配向状態が良好であり、6
0℃において、暗状態と明状態とのコントラスト比が
1:40であった。また、この素子中の化合物を結晶化
させ、配向状態を乱した後、再び液晶状態に戻し、電圧
を印加してスイッチングさせたところ、結晶化による欠
陥が消失し、配向状態の回復が観察された。
10Vのバイアス電圧を印加することにより、1つの暗
状態と、2つの明状態それぞれとの間において、メモリ
ー性を利用した駆動が可能であることを示している。ま
た、60℃において、印加電圧を0Vから30Vに瞬時
に変化させたときの暗状態から明状態への応答時間は6
0μs、印加電圧を30Vから0Vに瞬時に変化させた
ときの明状態から暗状態への応答時間は750μsであ
り、印加電圧変化に対する状態間スイッチングの高速応
答性が認められた。さらに、この素子は、シェブロン構
造による欠陥が少なく、分子配向状態が良好であり、6
0℃において、暗状態と明状態とのコントラスト比が
1:40であった。また、この素子中の化合物を結晶化
させ、配向状態を乱した後、再び液晶状態に戻し、電圧
を印加してスイッチングさせたところ、結晶化による欠
陥が消失し、配向状態の回復が観察された。
【図1】 図1は、実施例3において作成した表示素子
の、印加電圧に対する透過光量変化を測定したものであ
る。
の、印加電圧に対する透過光量変化を測定したものであ
る。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年1月28日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0019
【補正方法】変更
【補正内容】
【0019】(実施例1) (R)−4’−ウンデシルオキシビフェニル−4−カル
ボン酸−3−フルオロ−4−(1−トリフルオロメチル
−5−メトキシペンチルオキシカルボニル)フェニルエ
ステル(化合物No.2) (1)(R)−2−フルオロ−4−ヒドロキシ安息香酸
−1−トリフルオロメチル−5−メトキシペンチルエス
テルの製造 2−フルオロ−4−ヒドロキシ安息香酸600mg
(3.87mmol)、(R)−1−トリフルオロメチ
ル−5−メトキシペンタノール600mg(3.22m
mol)、トルエン80ml、硫酸95mg、およびホ
ウ酸60mgを混合し、3時間還流下に反応させた。反
応終了後、エーテル抽出し、エーテル層を水、飽和食塩
水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥
剤を濾別し、エーテルを留去し、粗目的物を得た。
ボン酸−3−フルオロ−4−(1−トリフルオロメチル
−5−メトキシペンチルオキシカルボニル)フェニルエ
ステル(化合物No.2) (1)(R)−2−フルオロ−4−ヒドロキシ安息香酸
−1−トリフルオロメチル−5−メトキシペンチルエス
テルの製造 2−フルオロ−4−ヒドロキシ安息香酸600mg
(3.87mmol)、(R)−1−トリフルオロメチ
ル−5−メトキシペンタノール600mg(3.22m
mol)、トルエン80ml、硫酸95mg、およびホ
ウ酸60mgを混合し、3時間還流下に反応させた。反
応終了後、エーテル抽出し、エーテル層を水、飽和食塩
水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥
剤を濾別し、エーテルを留去し、粗目的物を得た。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0022
【補正方法】変更
【補正内容】
【0022】反応終了後、析出した固形物を濾別し、水
洗、5%酢酸水溶液による洗浄、水洗を経た後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾別し、塩化メ
チレンを留去し、粗目的物を得た。このものを、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することによ
り、目的の(R)−4’−ウンデシルオキシビフェニル
−4−カルボン酸−3−フルオロ−4−(1−トリフル
オロメチル−5−メトキシペンチルオキシカルボニル)
フェニルエステル52mg(0.08mmol)を得
た。
洗、5%酢酸水溶液による洗浄、水洗を経た後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾別し、塩化メ
チレンを留去し、粗目的物を得た。このものを、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することによ
り、目的の(R)−4’−ウンデシルオキシビフェニル
−4−カルボン酸−3−フルオロ−4−(1−トリフル
オロメチル−5−メトキシペンチルオキシカルボニル)
フェニルエステル52mg(0.08mmol)を得
た。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0026
【補正方法】変更
【補正内容】
【0026】(実施例2) (R)−4’−ノニルビフェニル−4−カルボン酸−3
−フルオロ−4−(1−トリフルオロメチル−5−メト
キシペンチルオキシカルボニル)フェニルエステル(化
合物No.28) 実施例1の(1)で得られた(R)−2−フルオロ−4
−ヒドロキシ安息香酸−1−トリフルオロメチル−5−
メトキシペンチルエステル100mg(0.31mmo
l)、4’−ノニルビフェニル−4−カルボン酸110
mg(0.34mmol)、およびN,N−ジメチル−
4−アミノピリジン23mg(0.19mmol)に塩
化メチレン10mlを加え、室温にて攪拌した後、ジシ
クロヘキシルカルボジイミド95mg(0.46mmo
l)を加え、室温で2時間反応させた。
−フルオロ−4−(1−トリフルオロメチル−5−メト
キシペンチルオキシカルボニル)フェニルエステル(化
合物No.28) 実施例1の(1)で得られた(R)−2−フルオロ−4
−ヒドロキシ安息香酸−1−トリフルオロメチル−5−
メトキシペンチルエステル100mg(0.31mmo
l)、4’−ノニルビフェニル−4−カルボン酸110
mg(0.34mmol)、およびN,N−ジメチル−
4−アミノピリジン23mg(0.19mmol)に塩
化メチレン10mlを加え、室温にて攪拌した後、ジシ
クロヘキシルカルボジイミド95mg(0.46mmo
l)を加え、室温で2時間反応させた。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正内容】
【0027】反応終了後、析出した固形物を濾別し、水
洗、5%酢酸水溶液による洗浄、水洗を経た後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾別し、塩化メ
チレンを留去し、粗目的物を得た。このものを、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することによ
り、目的の(R)−4’−ノニルビフェニル−4−カル
ボン酸−3−フルオロ−4−(1−トリフルオロメチル
−5−メトキシペンチルオキシカルボニル)フェニルエ
ステル182mg(0.28mmol)を得た。
洗、5%酢酸水溶液による洗浄、水洗を経た後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾別し、塩化メ
チレンを留去し、粗目的物を得た。このものを、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することによ
り、目的の(R)−4’−ノニルビフェニル−4−カル
ボン酸−3−フルオロ−4−(1−トリフルオロメチル
−5−メトキシペンチルオキシカルボニル)フェニルエ
ステル182mg(0.28mmol)を得た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯村 典子 茨城県稲敷郡阿見町中央8丁目3番1号 三菱油化株式会社筑波総合研究所内
Claims (2)
- 【請求項1】 一般式〔I〕で示される光学活性化合
物。 【化1】 (式中、R1 は炭素数1〜20のアルキル基またはアル
コキシル基であり、R2 は炭素数1〜12のアルキル基
であり、nは4〜12の整数である) - 【請求項2】 一般式〔I〕で示される光学活性化合物
を用いた表示素子。 【化2】 (式中、R1 は炭素数1〜20のアルキル基またはアル
コキシル基であり、R2 は炭素数1〜12のアルキル基
であり、nは4〜12の整数である)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4003772A JPH05186402A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 光学活性化合物および表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4003772A JPH05186402A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 光学活性化合物および表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05186402A true JPH05186402A (ja) | 1993-07-27 |
Family
ID=11566472
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4003772A Pending JPH05186402A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 光学活性化合物および表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05186402A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6267910B1 (en) | 1994-04-18 | 2001-07-31 | Nippon Soken, Inc. | Antiferroelectric liquid crystal composition |
-
1992
- 1992-01-13 JP JP4003772A patent/JPH05186402A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6267910B1 (en) | 1994-04-18 | 2001-07-31 | Nippon Soken, Inc. | Antiferroelectric liquid crystal composition |
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