JPH05184062A - 通信回線用サージ吸収器及びこれを用いたサージ吸収回路 - Google Patents
通信回線用サージ吸収器及びこれを用いたサージ吸収回路Info
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- JPH05184062A JPH05184062A JP3358966A JP35896691A JPH05184062A JP H05184062 A JPH05184062 A JP H05184062A JP 3358966 A JP3358966 A JP 3358966A JP 35896691 A JP35896691 A JP 35896691A JP H05184062 A JPH05184062 A JP H05184062A
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- Japan
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- surge
- semiconductor element
- absorber
- surge absorber
- voltage
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低いブレークオーバー電圧で大きなサージ
電流耐量を得る。 【構成】 ＰＮＰＮ構造の半導体素子２１とＰＮ構造
の半導体素子２２とを備えた通信回線用サージ吸収器１
３に関し、半導体素子２１の外側Ｐ部２１ａに接続され
た端子と半導体素子２１の外側Ｎ部２１ｄに接続された
端子をそれぞれ接続端子２３及び２４とする。半導体素
子２１の外側Ｐ部２１ａに半導体素子２２のＮ部２２ａ
が電気的に接続され、かつ半導体素子２１のゲート端子
である内側Ｐ部２１ｃに半導体素子２２のＰ部２２ｂが
電気的に接続される。
電流耐量を得る。 【構成】 ＰＮＰＮ構造の半導体素子２１とＰＮ構造
の半導体素子２２とを備えた通信回線用サージ吸収器１
３に関し、半導体素子２１の外側Ｐ部２１ａに接続され
た端子と半導体素子２１の外側Ｎ部２１ｄに接続された
端子をそれぞれ接続端子２３及び２４とする。半導体素
子２１の外側Ｐ部２１ａに半導体素子２２のＮ部２２ａ
が電気的に接続され、かつ半導体素子２１のゲート端子
である内側Ｐ部２１ｃに半導体素子２２のＰ部２２ｂが
電気的に接続される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電話機、ファクシミリ、
電話交換機、モデム等の通信機器の電子部品に適するサ
ージ吸収器に関する。更に詳しくは電子部品に印加され
る雷サージから電子部品を保護する通信回線用サージ吸
収器に関するものである。
電話交換機、モデム等の通信機器の電子部品に適するサ
ージ吸収器に関する。更に詳しくは電子部品に印加され
る雷サージから電子部品を保護する通信回線用サージ吸
収器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のサージ吸収器は通信機器の電子
部品の一対の線路にこの電子部品に並列に接続され、電
子部品の使用電圧より高い電圧で動作するように構成さ
れる。即ち、サージ吸収器はその放電開始電圧より低い
電圧では抵抗値の高い抵抗体であるが、印加電圧がその
放電開始電圧以上のときには数１０Ω以下の抵抗値の低
い抵抗体になる。電子部品に雷サージ等のサージ電圧が
瞬間的に印加されると、サージ吸収器が放電し、サージ
電圧を吸収して電子部品が保護されるようになってい
る。ツェナダイオード、サイリスタ、トライアック等の
半導体素子はサージに対する応答遅れがなく、サージ吸
収特性は良好である。
部品の一対の線路にこの電子部品に並列に接続され、電
子部品の使用電圧より高い電圧で動作するように構成さ
れる。即ち、サージ吸収器はその放電開始電圧より低い
電圧では抵抗値の高い抵抗体であるが、印加電圧がその
放電開始電圧以上のときには数１０Ω以下の抵抗値の低
い抵抗体になる。電子部品に雷サージ等のサージ電圧が
瞬間的に印加されると、サージ吸収器が放電し、サージ
電圧を吸収して電子部品が保護されるようになってい
る。ツェナダイオード、サイリスタ、トライアック等の
半導体素子はサージに対する応答遅れがなく、サージ吸
収特性は良好である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ツェナダイオ
ードはサージ電流耐量が小さく低電流のサージ電圧の印
加により破壊し短絡する欠点があった。またサイリスタ
やトライアックは低いブレークオーバー電圧で大きなサ
ージ電流耐量を得ることが困難な問題点があった。本発
明の目的は、低いブレークオーバー電圧で大きなサージ
電流耐量が得られる通信回線用サージ吸収器を提供する
ことにある。
ードはサージ電流耐量が小さく低電流のサージ電圧の印
加により破壊し短絡する欠点があった。またサイリスタ
やトライアックは低いブレークオーバー電圧で大きなサ
ージ電流耐量を得ることが困難な問題点があった。本発
明の目的は、低いブレークオーバー電圧で大きなサージ
電流耐量が得られる通信回線用サージ吸収器を提供する
ことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、図１に示すように、本発明の通信回線用サージ吸収
器１３はＰＮＰＮ構造の半導体素子２１とＰＮ構造の半
導体素子２２とを備え、半導体素子２１の外側Ｐ部２１
ａに接続された端子と半導体素子２１の外側Ｎ部２１ｄ
に接続された端子をそれぞれ接続端子２３及び２４とす
る。その特徴ある構成は、半導体素子２１の外側Ｐ部２
１ａに半導体素子２２のＮ部２２ａが電気的に接続さ
れ、かつ半導体素子２１のゲート端子である内側Ｐ部２
１ｃに半導体素子２２のＰ部２２ｂが電気的に接続され
たことにある。また本発明のサージ吸収回路は、図２に
示すように、通信機器用の電子部品１０の一対の入力線
路１１及び１２間に上記サージ吸収器１３の接続端子２
３及び２４が電子部品１０に並列に接続されたものであ
る。本発明の半導体素子２１としては、サイリスタ、ト
ライアック等が挙げられる。また半導体素子２２として
は、ツェナダイオード等が挙げられる。
に、図１に示すように、本発明の通信回線用サージ吸収
器１３はＰＮＰＮ構造の半導体素子２１とＰＮ構造の半
導体素子２２とを備え、半導体素子２１の外側Ｐ部２１
ａに接続された端子と半導体素子２１の外側Ｎ部２１ｄ
に接続された端子をそれぞれ接続端子２３及び２４とす
る。その特徴ある構成は、半導体素子２１の外側Ｐ部２
１ａに半導体素子２２のＮ部２２ａが電気的に接続さ
れ、かつ半導体素子２１のゲート端子である内側Ｐ部２
１ｃに半導体素子２２のＰ部２２ｂが電気的に接続され
たことにある。また本発明のサージ吸収回路は、図２に
示すように、通信機器用の電子部品１０の一対の入力線
路１１及び１２間に上記サージ吸収器１３の接続端子２
３及び２４が電子部品１０に並列に接続されたものであ
る。本発明の半導体素子２１としては、サイリスタ、ト
ライアック等が挙げられる。また半導体素子２２として
は、ツェナダイオード等が挙げられる。
【０００５】
【作用】端子２３及び２４間に印加された電圧が半導体
素子２２の降伏電圧よりも低い場合には、半導体素子２
１及び２２は高抵抗体となる。この印加電圧が半導体素
子２２の降伏電圧を越えると、半導体素子２１のゲート
端子である内側Ｐ部２１ｃにそのトリガ電流が流れる。
これにより半導体素子２１は遮断状態から導通状態にな
り、引続いてサージ電流の大部分がこの半導体素子２１
に流れるようになる。サージ電流が通過した後は、端子
２３及び２４間に流れる電流は半導体素子２１の保持電
流以下となるため、再び半導体素子２１及び２２は高抵
抗体となる。
素子２２の降伏電圧よりも低い場合には、半導体素子２
１及び２２は高抵抗体となる。この印加電圧が半導体素
子２２の降伏電圧を越えると、半導体素子２１のゲート
端子である内側Ｐ部２１ｃにそのトリガ電流が流れる。
これにより半導体素子２１は遮断状態から導通状態にな
り、引続いてサージ電流の大部分がこの半導体素子２１
に流れるようになる。サージ電流が通過した後は、端子
２３及び２４間に流れる電流は半導体素子２１の保持電
流以下となるため、再び半導体素子２１及び２２は高抵
抗体となる。
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳しく
説明する。図３に示すように、サージ吸収器１３はトラ
イアック２１とツェナダイオード２２とを備える。トラ
イアック２１のＴ2端子とＴ1端子をそれぞれ接続端子２
３及び２４とする。トライアック２１の一方の接続端子
２３にはツェナダイオード２２のＮ部２２ａ（図１）が
電気的に接続され、トライアック２１のゲート端子には
ツェナダイオード２２のＰ部２２ｂ（図１）が電気的に
接続される。この例では、ツェナダイオード２２の特性
値は公称でツェナ電圧が６２Ｖ、定格が１Ｗである。ま
たトライアック２１の特性値はゲートトリガ電圧が８０
０Ｖで、ゲートトリガ電流が１５ｍＡで、保持電流が１
０ｍＡで、ブレークオーバー電圧が８００Ｖである。
説明する。図３に示すように、サージ吸収器１３はトラ
イアック２１とツェナダイオード２２とを備える。トラ
イアック２１のＴ2端子とＴ1端子をそれぞれ接続端子２
３及び２４とする。トライアック２１の一方の接続端子
２３にはツェナダイオード２２のＮ部２２ａ（図１）が
電気的に接続され、トライアック２１のゲート端子には
ツェナダイオード２２のＰ部２２ｂ（図１）が電気的に
接続される。この例では、ツェナダイオード２２の特性
値は公称でツェナ電圧が６２Ｖ、定格が１Ｗである。ま
たトライアック２１の特性値はゲートトリガ電圧が８０
０Ｖで、ゲートトリガ電流が１５ｍＡで、保持電流が１
０ｍＡで、ブレークオーバー電圧が８００Ｖである。
【０００７】＜試験例１＞上記実施例のサージ吸収器１
３のＶ−Ｉの初期特性を図４（ａ）に示す。比較のた
め、このサージ吸収器１３の構成部品であるツェナダイ
オード２２のみのサージ吸収器のＶ−Ｉの初期特性を図
４（ｂ）に、またサージ吸収器１３の構成部品であるト
ライアック２１のみのサージ吸収器のＶ−Ｉの初期特性
を図４（ｃ）に示す。図４から明らかなように、ツェナ
ダイオード２２のみのサージ吸収器の場合には６０Ｖで
電流が流れ始め、トライアック２１のみのサージ吸収器
の場合にはトリガ電流が０Ａにおいて８００Ｖで電流が
流れ始め、接続端子２３及び２４間の導通により電圧が
降下した。これに対して実施例のサージ吸収器１３の場
合にはツェナダイオード２２が降伏する電圧でトライア
ック２１が導通して電圧が降下した。
３のＶ−Ｉの初期特性を図４（ａ）に示す。比較のた
め、このサージ吸収器１３の構成部品であるツェナダイ
オード２２のみのサージ吸収器のＶ−Ｉの初期特性を図
４（ｂ）に、またサージ吸収器１３の構成部品であるト
ライアック２１のみのサージ吸収器のＶ−Ｉの初期特性
を図４（ｃ）に示す。図４から明らかなように、ツェナ
ダイオード２２のみのサージ吸収器の場合には６０Ｖで
電流が流れ始め、トライアック２１のみのサージ吸収器
の場合にはトリガ電流が０Ａにおいて８００Ｖで電流が
流れ始め、接続端子２３及び２４間の導通により電圧が
降下した。これに対して実施例のサージ吸収器１３の場
合にはツェナダイオード２２が降伏する電圧でトライア
ック２１が導通して電圧が降下した。
【０００８】試験例１で試験した３つのサージ吸収器に
（１．２×５０）μｓｅｃ−２ｋＶの電流波形を有する
疑似サージをそれぞれ印加してサージ吸収特性を調べ
た。サージ吸収器１３の構成部品であるツェナダイオー
ド２２のみのサージ吸収器の応答電圧は１１０Ｖであっ
て、図５（ｂ）のサージ吸収波形を示した。またトライ
アック２１のみのサージ吸収器の応答電圧は１０００Ｖ
であって、図５（ｃ）のサージ吸収波形を示した。これ
に対して実施例のサージ吸収器１３の場合にはツェナダ
イオード２２のみのサージ吸収器の応答電圧に近い１２
０Ｖで応答し、図５（ａ）のサージ吸収波形を示した。
（１．２×５０）μｓｅｃ−２ｋＶの電流波形を有する
疑似サージをそれぞれ印加してサージ吸収特性を調べ
た。サージ吸収器１３の構成部品であるツェナダイオー
ド２２のみのサージ吸収器の応答電圧は１１０Ｖであっ
て、図５（ｂ）のサージ吸収波形を示した。またトライ
アック２１のみのサージ吸収器の応答電圧は１０００Ｖ
であって、図５（ｃ）のサージ吸収波形を示した。これ
に対して実施例のサージ吸収器１３の場合にはツェナダ
イオード２２のみのサージ吸収器の応答電圧に近い１２
０Ｖで応答し、図５（ａ）のサージ吸収波形を示した。
【０００９】試験例１で試験した３つのサージ吸収器に
（８×２０）μｓｅｃの電流波形を有する疑似サージを
それぞれ印加してサージ電流耐量を調べた。サージ吸収
器１３の構成部品であるツェナダイオード２２のみのサ
ージ吸収器は１００Ａのサージ電流で破壊し短絡した。
またトライアック２１のみのサージ吸収器及び実施例の
サージ吸収器１３の場合には６００Ａのサージ電流でも
破壊しなかった。
（８×２０）μｓｅｃの電流波形を有する疑似サージを
それぞれ印加してサージ電流耐量を調べた。サージ吸収
器１３の構成部品であるツェナダイオード２２のみのサ
ージ吸収器は１００Ａのサージ電流で破壊し短絡した。
またトライアック２１のみのサージ吸収器及び実施例の
サージ吸収器１３の場合には６００Ａのサージ電流でも
破壊しなかった。
【００１０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、サ
イリスタ又はトライアックのようなＰＮＰＮ構造の半導
体素子とツェナダイオードのようなＰＮ構造の半導体素
子を組合せることにより、ＰＮ構造の半導体素子の低い
降伏電圧で動作し、しかも高いサージ電流耐量のサージ
吸収器が得られる優れた効果を奏する。
イリスタ又はトライアックのようなＰＮＰＮ構造の半導
体素子とツェナダイオードのようなＰＮ構造の半導体素
子を組合せることにより、ＰＮ構造の半導体素子の低い
降伏電圧で動作し、しかも高いサージ電流耐量のサージ
吸収器が得られる優れた効果を奏する。
【図１】本発明のサージ吸収器の構成図。
【図２】そのサージ吸収器を含む回路構成図。
【図３】本発明実施例のサージ吸収器の構成図。
【図４】本発明実施例と比較例のサージ吸収器のＶ−Ｉ
の初期特性図。
の初期特性図。
【図５】本発明実施例と比較例のサージ吸収器のサージ
吸収波形図。
吸収波形図。
１０ 電子部品 １１，１２ 一対の入力線路 １３ サージ吸収器 ２１ ＰＮＰＮ構造の半導体素子（サイリスタ、トライ
アック） ２２ ＰＮ構造の半導体素子（ツェナダイオード）
アック） ２２ ＰＮ構造の半導体素子（ツェナダイオード）
【手続補正書】
【提出日】平成４年１月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳しく
説明する。図３に示すように、サージ吸収器１３はトラ
イアック２１とツェナダイオード２２とを備える。トラ
イアック２１のＴ2端子とＴ1端子をそれぞれ接続端子２
３及び２４とする。トライアック２１の一方の接続端子
２３にはツェナダイオード２２のＮ部２２ａ（図１）が
電気的に接続され、トライアック２１のゲート端子には
ツェナダイオード２２のＰ部２２ｂ（図１）が電気的に
接続される。本発明では、半導体素子であるトライアッ
ク２１及びツェナダイオードである２２の特性として次
の範囲が好ましい。 １０Ｖ≦ＶZ≦４００Ｖ ５００Ｖ≦ＶGT≦１０００Ｖ １５ｍＡ≦ＩGT≦６００ｍＡ １０ｍＡ≦ＩH≦５００ｍＡ ６００Ｖ≦ＶBD≦１０００Ｖ ここでＶZはツェナ電圧、ＶGTはゲートトリガ電圧、Ｉ
GTはゲートトリガ電流、ＩHは保持電流、ＶBDはブレー
クオーバー電圧である。この例では、ツェナダイオード
２２の特性値は公称でツェナ電圧が６２Ｖ、定格が１Ｗ
である。またトライアック２１の特性値はゲートトリガ
電圧が８００Ｖで、ゲートトリガ電流が１５ｍＡで、保
持電流が１０ｍＡで、ブレークオーバー電圧が８００Ｖ
である。
説明する。図３に示すように、サージ吸収器１３はトラ
イアック２１とツェナダイオード２２とを備える。トラ
イアック２１のＴ2端子とＴ1端子をそれぞれ接続端子２
３及び２４とする。トライアック２１の一方の接続端子
２３にはツェナダイオード２２のＮ部２２ａ（図１）が
電気的に接続され、トライアック２１のゲート端子には
ツェナダイオード２２のＰ部２２ｂ（図１）が電気的に
接続される。本発明では、半導体素子であるトライアッ
ク２１及びツェナダイオードである２２の特性として次
の範囲が好ましい。 １０Ｖ≦ＶZ≦４００Ｖ ５００Ｖ≦ＶGT≦１０００Ｖ １５ｍＡ≦ＩGT≦６００ｍＡ １０ｍＡ≦ＩH≦５００ｍＡ ６００Ｖ≦ＶBD≦１０００Ｖ ここでＶZはツェナ電圧、ＶGTはゲートトリガ電圧、Ｉ
GTはゲートトリガ電流、ＩHは保持電流、ＶBDはブレー
クオーバー電圧である。この例では、ツェナダイオード
２２の特性値は公称でツェナ電圧が６２Ｖ、定格が１Ｗ
である。またトライアック２１の特性値はゲートトリガ
電圧が８００Ｖで、ゲートトリガ電流が１５ｍＡで、保
持電流が１０ｍＡで、ブレークオーバー電圧が８００Ｖ
である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】＜試験例１＞上記実施例のサージ吸収器１
３のＶ−Ｉの初期特性を図４（ａ）に示す。比較のた
め、このサージ吸収器１３の構成部品であるツェナダイ
オード２２のみのサージ吸収器のＶ−Ｉの初期特性を図
４（ｂ）に、またサージ吸収器１３の構成部品であるト
ライアック２１のみのサージ吸収器のＶ−Ｉの初期特性
を図４（ｃ）に示す。図４（ｂ）に示すように、ツェナ
ダイオード２２のみのサージ吸収器の場合には６０Ｖで
電流が流れ始め、トライアック２１のみのサージ吸収器
の場合には図４（ｃ）に示すように８００Ｖで電流が流
れ始め、接続端子２３及び２４間の導通により電圧が降
下した。これに対して実施例のサージ吸収器１３の場合
には図４（ａ）に示すようにツェナダイオード２２が降
伏する電圧でトライアック２１が導通して電圧が降下し
た。
３のＶ−Ｉの初期特性を図４（ａ）に示す。比較のた
め、このサージ吸収器１３の構成部品であるツェナダイ
オード２２のみのサージ吸収器のＶ−Ｉの初期特性を図
４（ｂ）に、またサージ吸収器１３の構成部品であるト
ライアック２１のみのサージ吸収器のＶ−Ｉの初期特性
を図４（ｃ）に示す。図４（ｂ）に示すように、ツェナ
ダイオード２２のみのサージ吸収器の場合には６０Ｖで
電流が流れ始め、トライアック２１のみのサージ吸収器
の場合には図４（ｃ）に示すように８００Ｖで電流が流
れ始め、接続端子２３及び２４間の導通により電圧が降
下した。これに対して実施例のサージ吸収器１３の場合
には図４（ａ）に示すようにツェナダイオード２２が降
伏する電圧でトライアック２１が導通して電圧が降下し
た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
Claims (2)
- 【請求項１】 ＰＮＰＮ構造の半導体素子(21)とＰＮ構
造の半導体素子(22)とを備え、前記半導体素子(21)の外
側Ｐ部(21a)に接続された端子と前記半導体素子(21)の
外側Ｎ部(21d)に接続された端子をそれぞれ接続端子(2
3,24)とする通信回線用サージ吸収器(13)であって、 前記半導体素子(21)の外側Ｐ部(21a)に前記半導体素子
(22)のＮ部(22a)が電気的に接続され、かつ前記半導体
素子(21)のゲート端子である内側Ｐ部(21c)に前記半導
体素子(22)のＰ部(22b)が電気的に接続されたことを特
徴とする通信回線用サージ吸収器。 - 【請求項２】 通信機器の電子部品(10)の一対の入力線
路(11,12)間に請求項１記載のサージ吸収器(13)の接続
端子(23,24)が前記電子部品(10)に並列に接続されたサ
ージ吸収回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3358966A JPH05184062A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 通信回線用サージ吸収器及びこれを用いたサージ吸収回路 |
| CA002085757A CA2085757A1 (en) | 1991-12-27 | 1992-12-18 | Communication-network surge absorber and surge absorbing circuit using the absorber |
| GB9226597A GB2262848A (en) | 1991-12-27 | 1992-12-21 | Communication network surge absorber |
| DE4244133A DE4244133A1 (ja) | 1991-12-27 | 1992-12-24 | |
| KR1019920025696A KR930015242A (ko) | 1991-12-27 | 1992-12-26 | 통신회선용 서어지흡수기 및 그것을 이용한 서어지흡수회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3358966A JPH05184062A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 通信回線用サージ吸収器及びこれを用いたサージ吸収回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05184062A true JPH05184062A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18462037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3358966A Pending JPH05184062A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 通信回線用サージ吸収器及びこれを用いたサージ吸収回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05184062A (ja) |
| KR (1) | KR930015242A (ja) |
| CA (1) | CA2085757A1 (ja) |
| DE (1) | DE4244133A1 (ja) |
| GB (1) | GB2262848A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017048240A1 (en) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | Intel Corporation | Silicon controlled rectifier with propagating trigger |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5321395U (ja) * | 1976-08-02 | 1978-02-23 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3573550A (en) * | 1969-03-07 | 1971-04-06 | M & T Chemicals Inc | Automatically resetting transient protection device |
| US3631264A (en) * | 1970-02-11 | 1971-12-28 | Sybron Corp | Intrinsically safe electrical barrier system and improvements therein |
| US3904931A (en) * | 1973-08-03 | 1975-09-09 | Rca Corp | Overvoltage protection circuit |
| SE426002B (sv) * | 1980-12-23 | 1982-11-29 | Ellemtel Utvecklings Ab | Anordning for skydd av en krets i en telekommunikationsutrustning mot overspenningar |
| EP0186873B1 (en) * | 1984-12-24 | 1991-09-25 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Protector circuit |
| JPS62110435A (ja) * | 1985-11-04 | 1987-05-21 | シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 加入者線の過電圧保護用集積回路装置 |
| NO870996L (no) * | 1986-04-04 | 1987-10-05 | Siemens Ag | Koblingsanordning til aa verne en forbruker mot overspenninger. |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP3358966A patent/JPH05184062A/ja active Pending
-
1992
- 1992-12-18 CA CA002085757A patent/CA2085757A1/en not_active Abandoned
- 1992-12-21 GB GB9226597A patent/GB2262848A/en not_active Withdrawn
- 1992-12-24 DE DE4244133A patent/DE4244133A1/de not_active Withdrawn
- 1992-12-26 KR KR1019920025696A patent/KR930015242A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5321395U (ja) * | 1976-08-02 | 1978-02-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4244133A1 (ja) | 1993-07-01 |
| GB2262848A (en) | 1993-06-30 |
| GB9226597D0 (en) | 1993-02-17 |
| CA2085757A1 (en) | 1993-06-28 |
| KR930015242A (ko) | 1993-07-24 |
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