JPH05183144A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
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- JPH05183144A JPH05183144A JP3347320A JP34732091A JPH05183144A JP H05183144 A JPH05183144 A JP H05183144A JP 3347320 A JP3347320 A JP 3347320A JP 34732091 A JP34732091 A JP 34732091A JP H05183144 A JPH05183144 A JP H05183144A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線マスクを交換するだけで正立像専用、正
立像・鏡像兼用および鏡像専用の３通りのタイプの固体
撮像素子を製造でき、結果的に大幅なコストダウンおよ
び工程の簡素化が図れる固体撮像素子の製造方法を実現
する。 【構成】 正立像専用の固体撮像素子が選択されると、
Ｎ型シリコン単結晶基板にＰＮ接合のための拡散、イオ
ン注入、酸化膜の形成といった一連のウエハー処理工程
が行われた後に、専用の配線マスクを用いてＮ型シリコ
ン単結晶基板上に４本の水平転送電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ
２、Ｈ２Ｂを、固体撮像素子内部で水平転送電極Ｈ１と
Ｈ１ＢおよびＨ２とＨ２Ｂとが電気的に接続するよう
に、かつ水平転送電極Ｈ１とＨ２とが外部端子として取
り出せるように配線し、これにより正立像専用の固体撮
像素子を作製する。配線構造以外の部分については、他
のタイプの固体撮像素子、すなわち正立像・鏡像兼用の
固体撮像素子、鏡像専用の固体撮像素子についても同様
であるので、それぞれの専用の配線マスクを用いれば、
これらの固体撮像素子を同様にして作製できる。
立像・鏡像兼用および鏡像専用の３通りのタイプの固体
撮像素子を製造でき、結果的に大幅なコストダウンおよ
び工程の簡素化が図れる固体撮像素子の製造方法を実現
する。 【構成】 正立像専用の固体撮像素子が選択されると、
Ｎ型シリコン単結晶基板にＰＮ接合のための拡散、イオ
ン注入、酸化膜の形成といった一連のウエハー処理工程
が行われた後に、専用の配線マスクを用いてＮ型シリコ
ン単結晶基板上に４本の水平転送電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ
２、Ｈ２Ｂを、固体撮像素子内部で水平転送電極Ｈ１と
Ｈ１ＢおよびＨ２とＨ２Ｂとが電気的に接続するよう
に、かつ水平転送電極Ｈ１とＨ２とが外部端子として取
り出せるように配線し、これにより正立像専用の固体撮
像素子を作製する。配線構造以外の部分については、他
のタイプの固体撮像素子、すなわち正立像・鏡像兼用の
固体撮像素子、鏡像専用の固体撮像素子についても同様
であるので、それぞれの専用の配線マスクを用いれば、
これらの固体撮像素子を同様にして作製できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は正立像専用、正立像・鏡
像兼用および鏡像専用のいずれかのタイプの固体撮像素
子が選択的に製造可能になった固体撮像素子の製造方法
に関する。
像兼用および鏡像専用のいずれかのタイプの固体撮像素
子が選択的に製造可能になった固体撮像素子の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像素子のタイプとして、正立像専
用の固体撮像素子、正立像・鏡像兼用の固体撮像素子お
よび鏡像専用の固体撮像素子の３通りある。
用の固体撮像素子、正立像・鏡像兼用の固体撮像素子お
よび鏡像専用の固体撮像素子の３通りある。
【０００３】図４は正立像専用の固体撮像素子を示す。
フォトダイオードＰＤで光電変換された信号電荷は、垂
直転送部（ＶＣＣＤ）１、１…から水平転送部（ＨＣＣ
Ｄ）２に転送され、続いて水平転送電極Ｈ１、Ｈ２に印
加される２相駆動の水平転送パルスにより、該水平転送
部２の一端部に接続された電荷検出部３に転送されて検
出される。
フォトダイオードＰＤで光電変換された信号電荷は、垂
直転送部（ＶＣＣＤ）１、１…から水平転送部（ＨＣＣ
Ｄ）２に転送され、続いて水平転送電極Ｈ１、Ｈ２に印
加される２相駆動の水平転送パルスにより、該水平転送
部２の一端部に接続された電荷検出部３に転送されて検
出される。
【０００４】図５は正立像・鏡像兼用の固体撮像素子を
示す。この固体撮像素子は、水平転送部２を構成する４
つの独立した水平転送電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ２Ｂ
を有しており、該水平転送電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ
２Ｂの組合せにより、正立像および鏡像の両方の映像信
号が得られる構成になっている。すなわち、４つの水平
転送電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ２Ｂに印加される転送
パルスを、Ｈ１＝Ｈ１Ｂ、Ｈ２＝Ｈ２Ｂとして２相駆動
すると、フォトダイオードＰＤで光電変換された信号電
荷は、垂直転送部１、１…から水平転送部２に転送さ
れ、続いて水平転送部２内を図中に破線で示される方向
に転送され、これで図４に示される固体撮像素子同様の
正立像の映像信号が得られる。
示す。この固体撮像素子は、水平転送部２を構成する４
つの独立した水平転送電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ２Ｂ
を有しており、該水平転送電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ
２Ｂの組合せにより、正立像および鏡像の両方の映像信
号が得られる構成になっている。すなわち、４つの水平
転送電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ２Ｂに印加される転送
パルスを、Ｈ１＝Ｈ１Ｂ、Ｈ２＝Ｈ２Ｂとして２相駆動
すると、フォトダイオードＰＤで光電変換された信号電
荷は、垂直転送部１、１…から水平転送部２に転送さ
れ、続いて水平転送部２内を図中に破線で示される方向
に転送され、これで図４に示される固体撮像素子同様の
正立像の映像信号が得られる。
【０００５】これに対して、４つの水平転送電極Ｈ１、
Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ２Ｂに印加される転送パルスを、Ｈ１
＝Ｈ２Ｂ、Ｈ２＝Ｈ１Ｂとして２相駆動すると、この場
合は水平転送部２内における転送方向が上記の場合とは
逆になるため、信号電荷は該水平転送部２内を図中実線
で示す方向に転送され、電荷検出部３に鏡像の映像信号
として検出される。
Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ２Ｂに印加される転送パルスを、Ｈ１
＝Ｈ２Ｂ、Ｈ２＝Ｈ１Ｂとして２相駆動すると、この場
合は水平転送部２内における転送方向が上記の場合とは
逆になるため、信号電荷は該水平転送部２内を図中実線
で示す方向に転送され、電荷検出部３に鏡像の映像信号
として検出される。
【０００６】図６は正立像・鏡像専用の固体撮像素子の
また別の従来例を示す。この固体撮像素子は、水平転送
部２の一端部に正立像の映像信号を検出する電荷検出部
３Ａを備え、該水平転送部２他端部に鏡像の映像信号を
検出するための電荷検出部３Ｂを備えている。また、４
つの独立した水平転送電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ２Ｂ
を備えている。
また別の従来例を示す。この固体撮像素子は、水平転送
部２の一端部に正立像の映像信号を検出する電荷検出部
３Ａを備え、該水平転送部２他端部に鏡像の映像信号を
検出するための電荷検出部３Ｂを備えている。また、４
つの独立した水平転送電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ２Ｂ
を備えている。
【０００７】この固体撮像素子の駆動は以下のようにし
て行われる。すなわち、図５に示す固体撮像素子と同様
に、Ｈ１＝Ｈ１Ｂ、Ｈ２＝Ｈ２Ｂの条件で２相駆動する
と、信号電荷は上記同様に破線方向に転送されるので、
この駆動方式では電荷検出部３Ａに正立像の映像信号が
検出される。
て行われる。すなわち、図５に示す固体撮像素子と同様
に、Ｈ１＝Ｈ１Ｂ、Ｈ２＝Ｈ２Ｂの条件で２相駆動する
と、信号電荷は上記同様に破線方向に転送されるので、
この駆動方式では電荷検出部３Ａに正立像の映像信号が
検出される。
【０００８】これに対して、Ｈ１＝Ｈ２Ｂ、Ｈ２＝Ｈ１
Ｂの条件で２相駆動すると、信号電荷が水平転送部２内
を前記とは逆の実線方向に転送されるので、この駆動方
式では、電荷検出部３Ｂに鏡像の映像信号が検出され
る。
Ｂの条件で２相駆動すると、信号電荷が水平転送部２内
を前記とは逆の実線方向に転送されるので、この駆動方
式では、電荷検出部３Ｂに鏡像の映像信号が検出され
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の固
体撮像素子のタイプはユーザサイドで決定され、車載用
カメラ、監視用カメラ等のように鏡像機能付の固体撮像
素子を必要とするユーザもあれば、カメラ一体型ＶＴＲ
等のように正立像専用の固体撮像素子を必要とするユー
ザもある。
体撮像素子のタイプはユーザサイドで決定され、車載用
カメラ、監視用カメラ等のように鏡像機能付の固体撮像
素子を必要とするユーザもあれば、カメラ一体型ＶＴＲ
等のように正立像専用の固体撮像素子を必要とするユー
ザもある。
【００１０】ここで、両タイプの固体撮像素子は、上記
のように水平転送部と電荷検出部の構成が異なり、かつ
その製造プロセスが、一般にＰＮ接合のための拡散領域
の形成、イオン注入、酸化膜形成といった一連のウェハ
ー処理工程によって行われるため、各々のタイプの固体
撮像素子を専用のプロセスで、全く別のデバイスとして
作製する必要があった。この点、鏡像専用の固体撮像素
子についても同様である。
のように水平転送部と電荷検出部の構成が異なり、かつ
その製造プロセスが、一般にＰＮ接合のための拡散領域
の形成、イオン注入、酸化膜形成といった一連のウェハ
ー処理工程によって行われるため、各々のタイプの固体
撮像素子を専用のプロセスで、全く別のデバイスとして
作製する必要があった。この点、鏡像専用の固体撮像素
子についても同様である。
【００１１】このような理由により、従来では固体撮像
素子をタイプ別に相異なる製造プロセスで作製すること
を余儀なくされていたため、コストアップを招来し、か
つ工程管理が複雑になるという欠点があった。
素子をタイプ別に相異なる製造プロセスで作製すること
を余儀なくされていたため、コストアップを招来し、か
つ工程管理が複雑になるという欠点があった。
【００１２】本発明は、このような従来技術の欠点を解
消するものであり、水平転送電極形成用の配線マスクを
交換するだけで、正立像専用、正立像・鏡像兼用および
鏡像専用の３通りの固体撮像素子を選択的に作製でき、
結果的に大幅なコストダウンおよび工程管理の簡素化が
図れる固体撮像素子の製造方法を提供することを目的と
する。
消するものであり、水平転送電極形成用の配線マスクを
交換するだけで、正立像専用、正立像・鏡像兼用および
鏡像専用の３通りの固体撮像素子を選択的に作製でき、
結果的に大幅なコストダウンおよび工程管理の簡素化が
図れる固体撮像素子の製造方法を提供することを目的と
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子の
製造方法は、正立像専用、正立像・鏡像兼用および鏡像
専用のいずれかのタイプの固体撮像素子が選択的に製造
可能になった固体撮像素子の製造方法において、該正立
像専用、正立像・鏡像兼用および鏡像専用の固体撮像素
子それぞれに具備される第１水平転送電極、第２水平転
送電極、第３水平転送電極および第４水平転送電極の４
本の水平転送電極を配線するために供されるタイプ別の
配線マスクを、選択されたタイプの固体撮像素子に対応
して選択する工程と、該正立像専用の固体撮像素子に対
応した該配線マスクが選択されると、該配線マスクを用
いて、該第１水平転送電極と該第２水平転送電極および
第３水平転送電極と第４水平転送電極とを電気的に接続
し、かつ該第１水平転送電極と該第３水平転送電極とを
外部端子として取り出す一方、該正立像・鏡像兼用の固
体撮像素子に対応した配線マスクが選択されると、該配
線マスクを用いて、該第１水平転送電極、該第２水平転
送電極、該第３水平転送電極および該第４水平転送電極
を外部端子として取り出し、該鏡像専用の固体撮像素子
に対応した配線マスクが選択されると、該配線マスクを
用いて、該第１水平転送電極と該第４水平転送電極およ
び該第２水平転送電極と該第３水平転送電極とを電気的
に接続し、かつ該第１水平転送電極と該第３水平転送電
極とを外部端子として取り出す配線工程を選択的に行う
工程とを含んでなり、そのことにより上記目的が達成さ
れる。
製造方法は、正立像専用、正立像・鏡像兼用および鏡像
専用のいずれかのタイプの固体撮像素子が選択的に製造
可能になった固体撮像素子の製造方法において、該正立
像専用、正立像・鏡像兼用および鏡像専用の固体撮像素
子それぞれに具備される第１水平転送電極、第２水平転
送電極、第３水平転送電極および第４水平転送電極の４
本の水平転送電極を配線するために供されるタイプ別の
配線マスクを、選択されたタイプの固体撮像素子に対応
して選択する工程と、該正立像専用の固体撮像素子に対
応した該配線マスクが選択されると、該配線マスクを用
いて、該第１水平転送電極と該第２水平転送電極および
第３水平転送電極と第４水平転送電極とを電気的に接続
し、かつ該第１水平転送電極と該第３水平転送電極とを
外部端子として取り出す一方、該正立像・鏡像兼用の固
体撮像素子に対応した配線マスクが選択されると、該配
線マスクを用いて、該第１水平転送電極、該第２水平転
送電極、該第３水平転送電極および該第４水平転送電極
を外部端子として取り出し、該鏡像専用の固体撮像素子
に対応した配線マスクが選択されると、該配線マスクを
用いて、該第１水平転送電極と該第４水平転送電極およ
び該第２水平転送電極と該第３水平転送電極とを電気的
に接続し、かつ該第１水平転送電極と該第３水平転送電
極とを外部端子として取り出す配線工程を選択的に行う
工程とを含んでなり、そのことにより上記目的が達成さ
れる。
【００１４】
【作用】上記の工程によれば、相異なる配線マスクが使
用される水平転送電極の配線工程を変更するだけで、正
立像専用、正立像・鏡像兼用および鏡像専用の３タイプ
の固体撮像素子を作製することができる。
用される水平転送電極の配線工程を変更するだけで、正
立像専用、正立像・鏡像兼用および鏡像専用の３タイプ
の固体撮像素子を作製することができる。
【００１５】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。
【００１６】（実施例１）図１は本発明方法により製造
される正立像専用の固体撮像素子を示す。この固体撮像
素子の構成は、水平転送電極の配線構造が異なる他は図
５に示される従来の正立像・鏡像兼用の固体撮像素子の
構成と同様である。
される正立像専用の固体撮像素子を示す。この固体撮像
素子の構成は、水平転送電極の配線構造が異なる他は図
５に示される従来の正立像・鏡像兼用の固体撮像素子の
構成と同様である。
【００１７】まず、この固体撮像素子の概略構成を動作
と共に説明する。この固体撮像素子はインターライン転
送型（ＩＬＴ）の固体撮像素子であり、Ｎ型シリコン単
結晶基板上には、縦方向に複数の垂直転送部（ＶＣＣ
Ｄ）１、１…が形成され、該垂直転送部１を構成するＣ
ＣＤの電極に隣接する部分に受光部となるフォトダイオ
ードＰＤ、ＰＤ…が配設される。
と共に説明する。この固体撮像素子はインターライン転
送型（ＩＬＴ）の固体撮像素子であり、Ｎ型シリコン単
結晶基板上には、縦方向に複数の垂直転送部（ＶＣＣ
Ｄ）１、１…が形成され、該垂直転送部１を構成するＣ
ＣＤの電極に隣接する部分に受光部となるフォトダイオ
ードＰＤ、ＰＤ…が配設される。
【００１８】これらの垂直転送部１、１…の一端部に
は、水平転送部（ＨＣＣＤ）が配設され、フォトダイオ
ードＰＤ、ＰＤ…で光電変換された信号電荷は、垂直転
送部１、１…から水平転送部２に転送され、続いて水平
転送電極Ｈ１、Ｈ２に印加される２相駆動の水平転送パ
ルスにより、水平転送部２の一端部に接続された電荷検
出部３に転送され、これで正立像の映像信号が検出され
る構成になっている。
は、水平転送部（ＨＣＣＤ）が配設され、フォトダイオ
ードＰＤ、ＰＤ…で光電変換された信号電荷は、垂直転
送部１、１…から水平転送部２に転送され、続いて水平
転送電極Ｈ１、Ｈ２に印加される２相駆動の水平転送パ
ルスにより、水平転送部２の一端部に接続された電荷検
出部３に転送され、これで正立像の映像信号が検出され
る構成になっている。
【００１９】ここで、水平転送電極Ｈ１、Ｈ２は、Ｎ型
シリコン単結晶基板にＰＮ接合のための拡散領域の形
成、イオン注入、酸化膜の形成といった一連のウエハー
処理工程が行われた後に、専用の配線マスクを用いた配
線工程により作製される。
シリコン単結晶基板にＰＮ接合のための拡散領域の形
成、イオン注入、酸化膜の形成といった一連のウエハー
処理工程が行われた後に、専用の配線マスクを用いた配
線工程により作製される。
【００２０】具体的には、正立像専用の固体撮像素子が
選択されると、それ専用の配線マスクを用意し、上記ウ
エハー処理が終了すると、該配線マスクを用いてＮ型シ
リコン単結晶基板上に４本の水平転送電極Ｈ１、Ｈ１
Ｂ、Ｈ２、Ｈ２Ｂを、固体撮像素子内部で水平転送電極
Ｈ１とＨ１ＢおよびＨ２とＨ２Ｂとが電気的に接続する
ように、かつ水平転送電極Ｈ１とＨ２とが外部端子とし
て取り出せるように配線する。
選択されると、それ専用の配線マスクを用意し、上記ウ
エハー処理が終了すると、該配線マスクを用いてＮ型シ
リコン単結晶基板上に４本の水平転送電極Ｈ１、Ｈ１
Ｂ、Ｈ２、Ｈ２Ｂを、固体撮像素子内部で水平転送電極
Ｈ１とＨ１ＢおよびＨ２とＨ２Ｂとが電気的に接続する
ように、かつ水平転送電極Ｈ１とＨ２とが外部端子とし
て取り出せるように配線する。
【００２１】このような配線構造をとる故、本実施例の
固体撮像素子においては、図１に示すように、最終的に
Ｈ１とＨ２のみが水平転送電極となり、水平転送電極Ｈ
１、Ｈ２に印加される２相駆動の水平転送パルスによ
り、図４に示す正立像専用の固体撮像素子同様の正立像
の映像信号が電荷検出部３に転送されて検出される。
固体撮像素子においては、図１に示すように、最終的に
Ｈ１とＨ２のみが水平転送電極となり、水平転送電極Ｈ
１、Ｈ２に印加される２相駆動の水平転送パルスによ
り、図４に示す正立像専用の固体撮像素子同様の正立像
の映像信号が電荷検出部３に転送されて検出される。
【００２２】（実施例２）図２は本発明方法により製造
される正立像・鏡像兼用の固体撮像素子を示す。この固
体撮像素子は配線構造が異なる他は実施例１の固体撮像
素子と同様の構成をとる。該配線構造は実施例１の配線
マスクとは別の専用の配線マスクを用いて作製される。
される正立像・鏡像兼用の固体撮像素子を示す。この固
体撮像素子は配線構造が異なる他は実施例１の固体撮像
素子と同様の構成をとる。該配線構造は実施例１の配線
マスクとは別の専用の配線マスクを用いて作製される。
【００２３】すなわち、正立像・鏡像兼用の固体撮像素
子が選択されると、それ専用の配線マスクを用意し、該
配線マスクを用いてＮ型シリコン単結晶基板上に４本の
独立した水平転送電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ２Ｂを配
線する。これらの水平転送電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ
２Ｂは、外部端子としてそれぞれ取り出せるようにそれ
ぞれ４つのボンディングパッドに接続され、これで本実
施例の正立像・鏡像兼用の固体撮像素子が作製される。
子が選択されると、それ専用の配線マスクを用意し、該
配線マスクを用いてＮ型シリコン単結晶基板上に４本の
独立した水平転送電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ２Ｂを配
線する。これらの水平転送電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ
２Ｂは、外部端子としてそれぞれ取り出せるようにそれ
ぞれ４つのボンディングパッドに接続され、これで本実
施例の正立像・鏡像兼用の固体撮像素子が作製される。
【００２４】本実施例の固体撮像素子によれば、図５に
示す従来の固体撮像素子同様の２相駆動方式により、正
立像および鏡像の映像信号を電荷検出部３が検出でき
る。
示す従来の固体撮像素子同様の２相駆動方式により、正
立像および鏡像の映像信号を電荷検出部３が検出でき
る。
【００２５】このように本実施例の固体撮像素子は、実
施例１の固体撮像素子と配線構造が異なる他は同様の構
成をとるので、同一のウエハー処理工程が行われたＮ型
シリコン単結晶基板に、実施例１の配線マスクとは別の
専用の配線マスクを用いた配線工程により、正立像・鏡
像兼用の固体撮像素子を作製できる。
施例１の固体撮像素子と配線構造が異なる他は同様の構
成をとるので、同一のウエハー処理工程が行われたＮ型
シリコン単結晶基板に、実施例１の配線マスクとは別の
専用の配線マスクを用いた配線工程により、正立像・鏡
像兼用の固体撮像素子を作製できる。
【００２６】（実施例３）図３は本発明方法により製造
される鏡像専用の固体撮像素子を示す。この固体撮像素
子は配線構造が異なる他は上記実施例１および実施例２
の固体撮像素子と同様の構成をとる。該配線構造は上記
各実施例の配線マスクとは別の専用の配線マスクを用い
て作製される。
される鏡像専用の固体撮像素子を示す。この固体撮像素
子は配線構造が異なる他は上記実施例１および実施例２
の固体撮像素子と同様の構成をとる。該配線構造は上記
各実施例の配線マスクとは別の専用の配線マスクを用い
て作製される。
【００２７】すなわち、鏡像専用の固体撮像素子が選択
されると、それ専用の配線マスクを用意し、該配線マス
クを用いてＮ型シリコン単結晶基板上に４本の水平転送
電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ２Ｂを、固体撮像素子内部
で水平転送電極Ｈ１とＨ２ＢおよびＨ２とＨ１Ｂとが電
気的に接続するように、かつ水平転送電極Ｈ１とＨ２と
が外部端子として取り出せるように配線する。
されると、それ専用の配線マスクを用意し、該配線マス
クを用いてＮ型シリコン単結晶基板上に４本の水平転送
電極Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ２Ｂを、固体撮像素子内部
で水平転送電極Ｈ１とＨ２ＢおよびＨ２とＨ１Ｂとが電
気的に接続するように、かつ水平転送電極Ｈ１とＨ２と
が外部端子として取り出せるように配線する。
【００２８】上記の配線構造の固体撮像素子によれば、
Ｈ１＝Ｈ２Ｂ、Ｈ２＝Ｈ１Ｂの条件で２相駆動されるの
で、図５に破線に示した転送経路で電荷検出部３に鏡像
の映像信号が検出される。
Ｈ１＝Ｈ２Ｂ、Ｈ２＝Ｈ１Ｂの条件で２相駆動されるの
で、図５に破線に示した転送経路で電荷検出部３に鏡像
の映像信号が検出される。
【００２９】従って、本実施例によれば、配線マスクを
交換し、配線工程を変更するだけで、その他の構成が上
記各実施例のものと同様であるのにかかわらず、鏡像専
用の固体撮像素子を作製することができる。
交換し、配線工程を変更するだけで、その他の構成が上
記各実施例のものと同様であるのにかかわらず、鏡像専
用の固体撮像素子を作製することができる。
【００３０】なお、上記各実施例では、本発明方法を図
５に示す構成の固体撮像素子に応用する場合について説
明したが、図６に示す構成の固体撮像素子についても同
様に適用できることはもちろんである。
５に示す構成の固体撮像素子に応用する場合について説
明したが、図６に示す構成の固体撮像素子についても同
様に適用できることはもちろんである。
【００３１】以上のように本発明固体撮像素子の製造方
法によれば、配線マスクを交換するだけで、正立像専
用、正立像・鏡像兼用および鏡像専用の３通りのタイプ
の固体撮像素子を選択的に製造することができる。従っ
て、ユーザの需要に応じた固体撮像素子を効率よく製造
できる利点がある。
法によれば、配線マスクを交換するだけで、正立像専
用、正立像・鏡像兼用および鏡像専用の３通りのタイプ
の固体撮像素子を選択的に製造することができる。従っ
て、ユーザの需要に応じた固体撮像素子を効率よく製造
できる利点がある。
【００３２】
【発明の効果】以上の本発明固体撮像素子の製造方法に
よれば、相異なる専用の配線マスクが使用される水平転
送電極の配線工程を変更するだけで、正立像専用、正立
像・鏡像兼用および鏡像専用の３タイプの固体撮像素子
を作製することができるので、上記従来技術のように、
これら３タイプの固体撮像素子をそれぞれ別個のデバイ
スとして製造する必要がない。従って、製造プロセスの
共通化が図れ、ユーザの需要に対応した効率のよい製造
が行えるので、製品の大幅なコストダウンが可能にな
る。また、工程管理を簡素化できる利点もある。
よれば、相異なる専用の配線マスクが使用される水平転
送電極の配線工程を変更するだけで、正立像専用、正立
像・鏡像兼用および鏡像専用の３タイプの固体撮像素子
を作製することができるので、上記従来技術のように、
これら３タイプの固体撮像素子をそれぞれ別個のデバイ
スとして製造する必要がない。従って、製造プロセスの
共通化が図れ、ユーザの需要に対応した効率のよい製造
が行えるので、製品の大幅なコストダウンが可能にな
る。また、工程管理を簡素化できる利点もある。
【図１】本発明方法により製造される正立像専用の固体
撮像素子を示す模式的平面図。
撮像素子を示す模式的平面図。
【図２】本発明方法により製造される正立像・鏡像兼用
の固体撮像素子を示す模式的平面図。
の固体撮像素子を示す模式的平面図。
【図３】本発明方法により製造される鏡像専用の固体撮
像素子を示す模式的平面図。
像素子を示す模式的平面図。
【図４】正立像専用の固体撮像素子の従来例を示す模式
的平面図。
的平面図。
【図５】正立像・鏡像兼用の固体撮像素子の従来例を示
す模式的平面図。
す模式的平面図。
【図６】正立像・鏡像兼用の固体撮像素子のまた別の従
来例を示す模式的平面図。
来例を示す模式的平面図。
１ 垂直転送部 ２ 水平転送部 ３ 電荷検出部 ＰＤ フォトダイオード Ｈ１、Ｈ１Ｂ、Ｈ２、Ｈ２Ｂ 水平転送電極
Claims (1)
- 【請求項１】正立像専用、正立像・鏡像兼用および鏡像
専用のいずれかのタイプの固体撮像素子が選択的に製造
可能になった固体撮像素子の製造方法において、 該正立像専用、正立像・鏡像兼用および鏡像専用の固体
撮像素子それぞれに具備される第１水平転送電極、第２
水平転送電極、第３水平転送電極および第４水平転送電
極の４本の水平転送電極を配線するために供されるタイ
プ別の配線マスクを、選択されたタイプの固体撮像素子
に対応して選択する工程と、 該正立像専用の固体撮像素子に対応した該配線マスクが
選択されると、該配線マスクを用いて、該第１水平転送
電極と該第２水平転送電極および第３水平転送電極と第
４水平転送電極とを電気的に接続し、かつ該第１水平転
送電極と該第３水平転送電極とを外部端子として取り出
す一方、該正立像・鏡像兼用の固体撮像素子に対応した
配線マスクが選択されると、該配線マスクを用いて、該
第１水平転送電極、該第２水平転送電極、該第３水平転
送電極および該第４水平転送電極を外部端子として取り
出し、該鏡像専用の固体撮像素子に対応した配線マスク
が選択されると、該配線マスクを用いて、該第１水平転
送電極と該第４水平転送電極および該第２水平転送電極
と該第３水平転送電極とを電気的に接続し、かつ該第１
水平転送電極と該第３水平転送電極とを外部端子として
取り出す配線工程を選択的に行う工程とを含む固体撮像
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3347320A JP2713674B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3347320A JP2713674B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183144A true JPH05183144A (ja) | 1993-07-23 |
| JP2713674B2 JP2713674B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=18389428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3347320A Expired - Fee Related JP2713674B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2713674B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP3347320A patent/JP2713674B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2713674B2 (ja) | 1998-02-16 |
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