JPH05182534A - 交流用NbTi合金系超電導線 - Google Patents
交流用NbTi合金系超電導線Info
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- JPH05182534A JPH05182534A JP3344735A JP34473591A JPH05182534A JP H05182534 A JPH05182534 A JP H05182534A JP 3344735 A JP3344735 A JP 3344735A JP 34473591 A JP34473591 A JP 34473591A JP H05182534 A JPH05182534 A JP H05182534A
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- alloy
- diameter
- filament
- nbti
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】Jcの改善と交流損失の低減化の両方を達成し
た交流用NbTi合金系超電導線を得る。 【構成】マトリックス中に埋め込んだ複数本のNbTi
合金フィラメントからなる直径0.05〜0.5μmの
フィラメント群を、互いに隣接するフィラメント群間の
距離が近接効果による結合電流を生じない距離となるよ
うにマトリックス中に複数埋め込んだ構造を有する。
た交流用NbTi合金系超電導線を得る。 【構成】マトリックス中に埋め込んだ複数本のNbTi
合金フィラメントからなる直径0.05〜0.5μmの
フィラメント群を、互いに隣接するフィラメント群間の
距離が近接効果による結合電流を生じない距離となるよ
うにマトリックス中に複数埋め込んだ構造を有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は交流用NbTi合金系超
電導線に関する。
電導線に関する。
【0002】
【従来の技術】交流用の超電導線としては、NbTi合
金系超電導線が一般的に用いられている。前記交流用N
bTi合金系超電導線は、パルス用等のNbTi合金系
超電導線のNbTi極細多芯構造と本質的な相違はない
が、交流通電時に問題となるヒステリシス損失や結合損
失等の交流損失を低減するために以下に説明する種々の
対策がなされている。
金系超電導線が一般的に用いられている。前記交流用N
bTi合金系超電導線は、パルス用等のNbTi合金系
超電導線のNbTi極細多芯構造と本質的な相違はない
が、交流通電時に問題となるヒステリシス損失や結合損
失等の交流損失を低減するために以下に説明する種々の
対策がなされている。
【0003】即ち、例えばNbTi合金系超電導線に正
弦波形の外部振幅が加わった時のヒステリシス損失は、
下記式(1)により算出される。
弦波形の外部振幅が加わった時のヒステリシス損失は、
下記式(1)により算出される。
【0004】 Ph=(8/3π)・f・λ・Jc・d・Bm …(1) (ただし、式(1)中のPhはヒステリシス損失、fは
周波数、λは超電導線材中の超電導体の占積率、Jcは
臨界電流密度、dはNbTi合金フィラメントの直径、
Bmは外部磁場の振幅をそれぞれ示す) 式(1)から明らかなようにヒステリシス損失Phは、
線材の断面積当りに流れる臨界電流密度Jc及びフィラ
メント径dに比例する。従って、使用条件として周波数
fと外部磁場の振幅Bmとが決まっている場合、前記ヒ
ステリシス損失Phを小さくするためには、前記臨界電
流密度Jc或いは前記フィラメント径dを小さくすれば
よい。ところが、前記臨界電流密度Jcを小さくすると
線材一本当りに流せる電流容量が小さくなって実用性が
損なわれる。このため、前記フィラメント径dを小さく
することが前記ヒステリシス損失Phを小さくするのに
有効な対策となっている。このため、近年、NbTi合
金系超電導線としてフィラメント径を0.1〜0.5μ
m程度と小さくしたものが開発されている。
周波数、λは超電導線材中の超電導体の占積率、Jcは
臨界電流密度、dはNbTi合金フィラメントの直径、
Bmは外部磁場の振幅をそれぞれ示す) 式(1)から明らかなようにヒステリシス損失Phは、
線材の断面積当りに流れる臨界電流密度Jc及びフィラ
メント径dに比例する。従って、使用条件として周波数
fと外部磁場の振幅Bmとが決まっている場合、前記ヒ
ステリシス損失Phを小さくするためには、前記臨界電
流密度Jc或いは前記フィラメント径dを小さくすれば
よい。ところが、前記臨界電流密度Jcを小さくすると
線材一本当りに流せる電流容量が小さくなって実用性が
損なわれる。このため、前記フィラメント径dを小さく
することが前記ヒステリシス損失Phを小さくするのに
有効な対策となっている。このため、近年、NbTi合
金系超電導線としてフィラメント径を0.1〜0.5μ
m程度と小さくしたものが開発されている。
【0005】また、NbTi合金系超電導線の結合損失
Pcはツイストピッチlpの2乗に比例し、超電導線の
マトリックスの比抵抗ρの逆数に比例する。従って、前
記結合損失Pcを小さくするためには、前記ツイストピ
ッチlpを小さくし、かつ前記比抵抗ρを大きくすれば
よい。前記比抵抗ρを大きくするためには、一般的には
CuNi合金をマトリックス材として使用することが行
なわれている。また、ツイストピッチlpは線材の直径
の5〜10倍程度までしか小さくできないため、前記ツ
イストピッチlpを小さくするためには該線材の直径を
小さくする必要がある。このため、現状ではNbTi合
金系超電導線の直径は0.1〜0.2mm程度の範囲か
ら選ばれている。
Pcはツイストピッチlpの2乗に比例し、超電導線の
マトリックスの比抵抗ρの逆数に比例する。従って、前
記結合損失Pcを小さくするためには、前記ツイストピ
ッチlpを小さくし、かつ前記比抵抗ρを大きくすれば
よい。前記比抵抗ρを大きくするためには、一般的には
CuNi合金をマトリックス材として使用することが行
なわれている。また、ツイストピッチlpは線材の直径
の5〜10倍程度までしか小さくできないため、前記ツ
イストピッチlpを小さくするためには該線材の直径を
小さくする必要がある。このため、現状ではNbTi合
金系超電導線の直径は0.1〜0.2mm程度の範囲か
ら選ばれている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の交流用NbTi合金系超電導線は、フィラメン
ト径が0.1〜0.5μm程度と極めて細くなっている
ことから、パルス用等のNbTi合金系超電導線で行な
われているα−Ti析出のための熱処理を施すとNbT
i合金フィラメント界面においてNbTiとマトリック
ス材とが拡散反応してNbTi合金フィラメントに大き
なダメージを受ける。その結果、前記熱処理を施すこと
ができないため、NbTi合金フィラメント内部に強い
ピンニング点となる常電導相を導入することができず、
Jcが低くなる。例えば1Tの磁場下におけるJcは最
大約5000A/mm2 であり、3Tの磁場下における
Jcは最大約2000A/mm2 である。一方、パルス
用のNbTi合金系超電導線では、前記熱処理を施すこ
とによって3Tの磁場下におけるJcを4000A/m
m2 程度まで高めることができる。
た従来の交流用NbTi合金系超電導線は、フィラメン
ト径が0.1〜0.5μm程度と極めて細くなっている
ことから、パルス用等のNbTi合金系超電導線で行な
われているα−Ti析出のための熱処理を施すとNbT
i合金フィラメント界面においてNbTiとマトリック
ス材とが拡散反応してNbTi合金フィラメントに大き
なダメージを受ける。その結果、前記熱処理を施すこと
ができないため、NbTi合金フィラメント内部に強い
ピンニング点となる常電導相を導入することができず、
Jcが低くなる。例えば1Tの磁場下におけるJcは最
大約5000A/mm2 であり、3Tの磁場下における
Jcは最大約2000A/mm2 である。一方、パルス
用のNbTi合金系超電導線では、前記熱処理を施すこ
とによって3Tの磁場下におけるJcを4000A/m
m2 程度まで高めることができる。
【0007】従って、従来の交流用NbTi合金系超電
導線は、Jcの改善が殆どなされていないためJcが極
めて低くなっている。このため、1T以上の磁場下で十
分な電流容量を得るには多数の超電導線材をよりあわせ
て用いなければならず、交流線材としての中・高磁界応
用において設計の自由度が小さいという問題点があっ
た。
導線は、Jcの改善が殆どなされていないためJcが極
めて低くなっている。このため、1T以上の磁場下で十
分な電流容量を得るには多数の超電導線材をよりあわせ
て用いなければならず、交流線材としての中・高磁界応
用において設計の自由度が小さいという問題点があっ
た。
【0008】このようなことから、NbTi合金系超電
導線では、マトリックス中に埋め込まれているNbTi
合金フィラメントの表面がピンニング点として作用する
ため、フィラメント径を0.1μm程度まで細くし、か
つフィラメント数を増やすことによって線材中のフィラ
メントの表面積を増大させてJcを改善し、特に1〜2
Tの磁場下におけるJcを大巾に向上させたものが提案
されている。しかしながら、こうしてJcを改善したN
bTi合金系超電導線は、フィラメント同士が非常に接
近していることから近接効果によってフィラメント間が
超電導電流で結合されて見かけ上の有効フィラメント径
が大きくなるため、交流用に適用した場合においてヒス
テリシス損失の著しい増大を招く。
導線では、マトリックス中に埋め込まれているNbTi
合金フィラメントの表面がピンニング点として作用する
ため、フィラメント径を0.1μm程度まで細くし、か
つフィラメント数を増やすことによって線材中のフィラ
メントの表面積を増大させてJcを改善し、特に1〜2
Tの磁場下におけるJcを大巾に向上させたものが提案
されている。しかしながら、こうしてJcを改善したN
bTi合金系超電導線は、フィラメント同士が非常に接
近していることから近接効果によってフィラメント間が
超電導電流で結合されて見かけ上の有効フィラメント径
が大きくなるため、交流用に適用した場合においてヒス
テリシス損失の著しい増大を招く。
【0009】本発明は、従来の問題点を解決するために
なされたもので、Jcの改善と交流損失の低減化の両方
を達成した交流用NbTi合金系超電導線を提供しよう
とするものである。
なされたもので、Jcの改善と交流損失の低減化の両方
を達成した交流用NbTi合金系超電導線を提供しよう
とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、マトリックス
中に埋め込んだ複数本のNbTi合金フィラメントから
なる直径0.05〜0.5μmのフィラメント群を、互
いに隣接するフィラメント群間の距離が近接効果による
結合電流を生じない距離となるようにマトリックス中に
複数埋め込んだ構造を有することを特徴とする交流用N
bTi合金系超電導線である。
中に埋め込んだ複数本のNbTi合金フィラメントから
なる直径0.05〜0.5μmのフィラメント群を、互
いに隣接するフィラメント群間の距離が近接効果による
結合電流を生じない距離となるようにマトリックス中に
複数埋め込んだ構造を有することを特徴とする交流用N
bTi合金系超電導線である。
【0011】前記マトリックスは、例えばCuNi合金
により形成できる。
により形成できる。
【0012】前記フィラメント群の直径を限定した理由
は、その直径を0.05μm未満にすると線材中のNb
Tiの占積率が低下して十分な電流容量が得られない。
一方、その直径が0.5μmを越えると該フィラメント
群を構成する各フィラメント間の電磁気的な結合によっ
て形成される有効フィラメント径が大きくなって交流損
失の増大を招く。
は、その直径を0.05μm未満にすると線材中のNb
Tiの占積率が低下して十分な電流容量が得られない。
一方、その直径が0.5μmを越えると該フィラメント
群を構成する各フィラメント間の電磁気的な結合によっ
て形成される有効フィラメント径が大きくなって交流損
失の増大を招く。
【0013】前記互いに隣接するフィラメント群間の距
離は、例えばマトリックスがCu−10at%Ni合金
により形成されている場合には0.10〜0.30μm
とすることが望ましい。また、マトリックスがCu−3
0at%Ni合金により形成されている場合には0.0
5〜0.30μmとすることが望ましい。これらの理由
は、その距離をそれぞれ前記下限値未満にするとフィラ
メント群間に近接効果による結合電流を生じて交流損失
の増大を招く恐れがある。一方、その距離が前記上限値
を越えるとフィラメントの表面積が減少し、表面でのピ
ンニング力が小さくなったり、或いは線材中のNbTi
の占積率が低下するため十分な電流容量が得られない恐
れがある。
離は、例えばマトリックスがCu−10at%Ni合金
により形成されている場合には0.10〜0.30μm
とすることが望ましい。また、マトリックスがCu−3
0at%Ni合金により形成されている場合には0.0
5〜0.30μmとすることが望ましい。これらの理由
は、その距離をそれぞれ前記下限値未満にするとフィラ
メント群間に近接効果による結合電流を生じて交流損失
の増大を招く恐れがある。一方、その距離が前記上限値
を越えるとフィラメントの表面積が減少し、表面でのピ
ンニング力が小さくなったり、或いは線材中のNbTi
の占積率が低下するため十分な電流容量が得られない恐
れがある。
【0014】
【作用】本発明によれば、マトリックス中に埋め込んだ
複数本のNbTi合金フィラメントからなる直径0.0
5〜0.5μmのフィラメント群を、互いに隣接するフ
ィラメント群間の距離が近接効果による結合電流を生じ
ない距離となるようにマトリックス中に複数埋め込んだ
ことによって、Jcの改善と交流損失の低減化の両方を
達成した交流用NbTi合金系超電導線を得ることがで
きる。
複数本のNbTi合金フィラメントからなる直径0.0
5〜0.5μmのフィラメント群を、互いに隣接するフ
ィラメント群間の距離が近接効果による結合電流を生じ
ない距離となるようにマトリックス中に複数埋め込んだ
ことによって、Jcの改善と交流損失の低減化の両方を
達成した交流用NbTi合金系超電導線を得ることがで
きる。
【0015】即ち、前記各フィラメント群を構成する複
数本のNbTi合金フィラメントが磁界中において近接
効果によって電磁気的に結合され、あたかも一つのフィ
ラメントのように振舞う。こうしたフィラメント群内で
はNbTi合金フィラメント及びマトリックスからなる
超電導相と常電導相との界面が数多く存在してピン密度
が高くなっているため、Jcを改善できる。また、フィ
ラメント群の直径を0.05〜0.5μmと小さくし、
しかも互いに隣接するフィラメント群間の距離が近接効
果による結合電流を生じない距離となるようにマトリッ
クス中に前記フィラメント群を複数埋め込んだことによ
って該フィラメント群間の電磁気的な結合が防止される
ため、ヒステリシス損失等の交流損失を十分に低減でき
る。従って、Jcの改善と交流損失の低減化の両方を達
成した交流用NbTi合金系超電導線を得ることができ
る。
数本のNbTi合金フィラメントが磁界中において近接
効果によって電磁気的に結合され、あたかも一つのフィ
ラメントのように振舞う。こうしたフィラメント群内で
はNbTi合金フィラメント及びマトリックスからなる
超電導相と常電導相との界面が数多く存在してピン密度
が高くなっているため、Jcを改善できる。また、フィ
ラメント群の直径を0.05〜0.5μmと小さくし、
しかも互いに隣接するフィラメント群間の距離が近接効
果による結合電流を生じない距離となるようにマトリッ
クス中に前記フィラメント群を複数埋め込んだことによ
って該フィラメント群間の電磁気的な結合が防止される
ため、ヒステリシス損失等の交流損失を十分に低減でき
る。従って、Jcの改善と交流損失の低減化の両方を達
成した交流用NbTi合金系超電導線を得ることができ
る。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
【0017】実施例1 まず、図1(a)に示すように直径45mmのCu−1
0重量%Ni合金インゴット1に、直径5mmの穴を互
いに隣接する穴間の距離aが1mmとなるように7個形
成した。つづいて、これらの穴に直径4.9mmのNb
−46.5重量%Ti合金棒2をそれぞれ挿入する。ひ
きつづき、これらに電子ビームで蓋をした後、熱間押出
しと冷間伸線加工を施す。これにより、図1(b)に示
すような外径1.0mmφの複合材3を形成する。
0重量%Ni合金インゴット1に、直径5mmの穴を互
いに隣接する穴間の距離aが1mmとなるように7個形
成した。つづいて、これらの穴に直径4.9mmのNb
−46.5重量%Ti合金棒2をそれぞれ挿入する。ひ
きつづき、これらに電子ビームで蓋をした後、熱間押出
しと冷間伸線加工を施す。これにより、図1(b)に示
すような外径1.0mmφの複合材3を形成する。
【0018】次いで、図2(a)に示すように前記複合
材3を1250本まとめて外径45mmφ、内径38m
mφの第1のCuNi合金管4内に挿入する。つづい
て、これらに電子ビームで蓋をした後、熱間押出しと冷
間伸線加工を施す。これにより、図2(b)に示すよう
な対辺距離が3.1mmの六角状の素線5を形成する。
材3を1250本まとめて外径45mmφ、内径38m
mφの第1のCuNi合金管4内に挿入する。つづい
て、これらに電子ビームで蓋をした後、熱間押出しと冷
間伸線加工を施す。これにより、図2(b)に示すよう
な対辺距離が3.1mmの六角状の素線5を形成する。
【0019】次いで、図3(a)に示すように前記素線
5を121本まとめて外径45mmφ、内径38mmφ
の第2のCuNi合金管6内に挿入する。つづいて、こ
れらに電子ビームで蓋をした後、熱間押出しと冷間伸線
加工を施す。これにより、図3(b)に示すような直径
0.2mmのNbTi合金系超電導線7を製造した。
5を121本まとめて外径45mmφ、内径38mmφ
の第2のCuNi合金管6内に挿入する。つづいて、こ
れらに電子ビームで蓋をした後、熱間押出しと冷間伸線
加工を施す。これにより、図3(b)に示すような直径
0.2mmのNbTi合金系超電導線7を製造した。
【0020】こうして得られたNbTi合金系超電導線
7は、CnNi合金マトリックス中に埋め込まれた7本
のNbTi合金フィラメントからなる直径0.1μmの
フィラメント群がCnNi合金マトリックス中に125
0×121個埋め込まれ、かつ互いに隣接するフィラメ
ント群間の距離が0.18μmとなっている。
7は、CnNi合金マトリックス中に埋め込まれた7本
のNbTi合金フィラメントからなる直径0.1μmの
フィラメント群がCnNi合金マトリックス中に125
0×121個埋め込まれ、かつ互いに隣接するフィラメ
ント群間の距離が0.18μmとなっている。
【0021】参照例1 最終の熱間押出しと冷間伸線加工による線材の縮径度合
をより大きくした以外、実施例1と同様にして直径0.
1mmのNbTi合金系超電導線を製造した。
をより大きくした以外、実施例1と同様にして直径0.
1mmのNbTi合金系超電導線を製造した。
【0022】こうして得られたNbTi合金系超電導線
は、CnNi合金マトリックス中に埋め込まれた7本の
NbTi合金フィラメントからなる直径0.05μmの
フィラメント群がCnNi合金マトリックス中に125
0×121個埋め込まれ、かつ互いに隣接するフィラメ
ント群間の距離が0.09μmとなっている。
は、CnNi合金マトリックス中に埋め込まれた7本の
NbTi合金フィラメントからなる直径0.05μmの
フィラメント群がCnNi合金マトリックス中に125
0×121個埋め込まれ、かつ互いに隣接するフィラメ
ント群間の距離が0.09μmとなっている。
【0023】比較例1 まず、図4(a)に示すように直径45mmのCu−1
0重量%Ni合金インゴット11に直径16mmの穴を
形成した。つづいて、この穴に直径15.9mmのNb
−46.5重量%Ti合金棒12を挿入する。ひきつづ
き、これらに電子ビームで蓋をした後、熱間押出しと冷
間伸線加工を施す。これにより、図4(b)に示すよう
な外径1.0mmφの複合材13を形成する。
0重量%Ni合金インゴット11に直径16mmの穴を
形成した。つづいて、この穴に直径15.9mmのNb
−46.5重量%Ti合金棒12を挿入する。ひきつづ
き、これらに電子ビームで蓋をした後、熱間押出しと冷
間伸線加工を施す。これにより、図4(b)に示すよう
な外径1.0mmφの複合材13を形成する。
【0024】次いで、前記複合材13を用いて実施例と
同様にCuNi合金管内への挿入、熱間押出しと冷間伸
線加工等を施すことにより、直径0.2mmのNbTi
合金系超電導線を製造した。
同様にCuNi合金管内への挿入、熱間押出しと冷間伸
線加工等を施すことにより、直径0.2mmのNbTi
合金系超電導線を製造した。
【0025】こうして得られたNbTi合金系超電導線
は、直径0.1μmのNbTi合金フィラメントがCn
Ni合金マトリックス中に1250×121個埋め込ま
れ、かつ互いに隣接するフィラメント間の距離が0.1
8μmとなっている。
は、直径0.1μmのNbTi合金フィラメントがCn
Ni合金マトリックス中に1250×121個埋め込ま
れ、かつ互いに隣接するフィラメント間の距離が0.1
8μmとなっている。
【0026】比較例2 最終の熱間押出しと冷間伸線加工による線材の縮径度合
をより大きくした以外、比較例1と同様にして直径0.
1mmのNbTi合金系超電導線を製造した。
をより大きくした以外、比較例1と同様にして直径0.
1mmのNbTi合金系超電導線を製造した。
【0027】こうして得られたNbTi合金系超電導線
は、直径0.05μmのNbTi合金フィラメントがC
nNi合金マトリックス中に1250×121個埋め込
まれ、かつ互いに隣接するフィラメント間の距離が0.
09μmとなっている。
は、直径0.05μmのNbTi合金フィラメントがC
nNi合金マトリックス中に1250×121個埋め込
まれ、かつ互いに隣接するフィラメント間の距離が0.
09μmとなっている。
【0028】実施例1、参照例1及び比較例1,2のN
bTi合金系超電導線について、それぞれ液体へリウム
中、1T,2T,3Tの磁界下での臨界電流密度(J
c)を測定し、更に0.5Tの磁界下でのヒステリシス
損失(Ph)を測定した。これらの結果を下記表1に示
す。
bTi合金系超電導線について、それぞれ液体へリウム
中、1T,2T,3Tの磁界下での臨界電流密度(J
c)を測定し、更に0.5Tの磁界下でのヒステリシス
損失(Ph)を測定した。これらの結果を下記表1に示
す。
【0029】
【表1】 表1から明らかなように実施例1のNbTi合金系超電
導線は、比較例1,2と比べてJc値が大巾に向上し、
しかもヒステリシス損失が小さいことがわかる。これ
は、直径0.1μmのフィラメント群を構成する7本の
NbTi合金フィラメントが電磁気的に結合されて一つ
のフィラメントのように振舞って、その内部ではNbT
i合金フィラメント及びCnNi合金マトリックスから
なる超電導相と常電導相との界面が数多く存在してピン
密度が高くなっているためJcが改善されたこと、及び
前記フィラメント群の直径が0.1μmと小さく、しか
も互いに隣接するフィラメント群間の距離が近接効果に
よる結合電流を生じない距離である0.18μmとなっ
ているためフィラメント群間の電磁気的な結合が防止さ
れてヒステリス損失が十分に低減されたことによるもの
である。
導線は、比較例1,2と比べてJc値が大巾に向上し、
しかもヒステリシス損失が小さいことがわかる。これ
は、直径0.1μmのフィラメント群を構成する7本の
NbTi合金フィラメントが電磁気的に結合されて一つ
のフィラメントのように振舞って、その内部ではNbT
i合金フィラメント及びCnNi合金マトリックスから
なる超電導相と常電導相との界面が数多く存在してピン
密度が高くなっているためJcが改善されたこと、及び
前記フィラメント群の直径が0.1μmと小さく、しか
も互いに隣接するフィラメント群間の距離が近接効果に
よる結合電流を生じない距離である0.18μmとなっ
ているためフィラメント群間の電磁気的な結合が防止さ
れてヒステリス損失が十分に低減されたことによるもの
である。
【0030】これに対し、比較例1,2のNbTi合金
系超電導線は、NbTi合金フィラメント表面だけのピ
ンニング利用であるためJc値が小さくなっている。特
に比較例2のNbTi合金系超電導線では、互いに隣接
するフィラメント間の距離が近接効果による結合電流を
生じる距離である0.09μmとなっているためフィラ
メント間が電磁気的に結合してヒステリシス損失が大き
くなり、更に超電導特性の低下によって2T,3Tの磁
界下でのJc値もより小さくなっている。
系超電導線は、NbTi合金フィラメント表面だけのピ
ンニング利用であるためJc値が小さくなっている。特
に比較例2のNbTi合金系超電導線では、互いに隣接
するフィラメント間の距離が近接効果による結合電流を
生じる距離である0.09μmとなっているためフィラ
メント間が電磁気的に結合してヒステリシス損失が大き
くなり、更に超電導特性の低下によって2T,3Tの磁
界下でのJc値もより小さくなっている。
【0031】また、参照例1のNbTi合金系超電導線
は、互いに隣接するフィラメント群間の距離が近接効果
による結合電流を生じる距離である0.09μmとなっ
ているためフィラメント群間が電磁気的に結合してヒス
テリシス損失が大きくなり、更に超電導特性の低下によ
って2T,3Tの磁界下でのJc値も小さくなってい
る。
は、互いに隣接するフィラメント群間の距離が近接効果
による結合電流を生じる距離である0.09μmとなっ
ているためフィラメント群間が電磁気的に結合してヒス
テリシス損失が大きくなり、更に超電導特性の低下によ
って2T,3Tの磁界下でのJc値も小さくなってい
る。
【0032】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明によればJc
の改善と交流損失の低減化の両方を達成し、ひいては設
計自由度の増大が可能な交流用NbTi合金系超電導線
を提供することができる。
の改善と交流損失の低減化の両方を達成し、ひいては設
計自由度の増大が可能な交流用NbTi合金系超電導線
を提供することができる。
【図1】実施例1のNbTi合金系超電導線の製造工程
を示す説明図。
を示す説明図。
【図2】実施例1のNbTi合金系超電導線の製造工程
を示す説明図。
を示す説明図。
【図3】実施例1のNbTi合金系超電導線の製造工程
を示す説明図。
を示す説明図。
【図4】比較例1のNbTi合金系超電導線の製造工程
を示す説明図。
を示す説明図。
1…CuNi合金インゴット(マトリックス)、2…N
bTi合金棒、3…複合材、4,6…CuNi合金管
(マトリックス)、7…NbTi合金系超電導線。
bTi合金棒、3…複合材、4,6…CuNi合金管
(マトリックス)、7…NbTi合金系超電導線。
【手続補正書】
【提出日】平成5年1月13日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】前記互いに隣接するフィラメント群間の距
離は、例えばマトリックスがCu−10重量%Ni合金
により形成されている場合には0.10〜0.30μm
とすることが望ましい。また、マトリックスがCu−3
0重量%Ni合金により形成されている場合には0.0
5〜0.30μmとすることが望ましい。これらの理由
は、その距離をそれぞれ前記下限値未満にするとフィラ
メント群間に近接効果による結合電流を生じて交流損失
の増大を招く恐れがある。一方、その距離が前記上限値
を越えるとフィラメントの表面積が減少し、表面でのピ
ンニング力が小さくなったり、或いは線材中のNbTi
の占積率が低下するため十分な電流容量が得られない恐
れがある。
離は、例えばマトリックスがCu−10重量%Ni合金
により形成されている場合には0.10〜0.30μm
とすることが望ましい。また、マトリックスがCu−3
0重量%Ni合金により形成されている場合には0.0
5〜0.30μmとすることが望ましい。これらの理由
は、その距離をそれぞれ前記下限値未満にするとフィラ
メント群間に近接効果による結合電流を生じて交流損失
の増大を招く恐れがある。一方、その距離が前記上限値
を越えるとフィラメントの表面積が減少し、表面でのピ
ンニング力が小さくなったり、或いは線材中のNbTi
の占積率が低下するため十分な電流容量が得られない恐
れがある。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0020
【補正方法】変更
【補正内容】
【0020】こうして得られたNbTi合金系超電導線
7は、CuNi合金マトリックス中に埋め込まれた7本
のNbTi合金フィラメントからなる直径0.1μmの
フィラメント群がCuNi合金マトリックス中に125
0×121個埋め込まれ、かつ互いに隣接するフィラメ
ント群間の距離が0.18μmとなっている。
7は、CuNi合金マトリックス中に埋め込まれた7本
のNbTi合金フィラメントからなる直径0.1μmの
フィラメント群がCuNi合金マトリックス中に125
0×121個埋め込まれ、かつ互いに隣接するフィラメ
ント群間の距離が0.18μmとなっている。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0022
【補正方法】変更
【補正内容】
【0022】こうして得られたNbTi合金系超電導線
は、CuNi合金マトリックス中に埋め込まれた7本の
NbTi合金フィラメントからなる直径0.05μmの
フィラメント群がCuNi合金マトリックス中に125
0×121個埋め込まれ、かつ互いに隣接するフィラメ
ント群間の距離が0.09μmとなっている。
は、CuNi合金マトリックス中に埋め込まれた7本の
NbTi合金フィラメントからなる直径0.05μmの
フィラメント群がCuNi合金マトリックス中に125
0×121個埋め込まれ、かつ互いに隣接するフィラメ
ント群間の距離が0.09μmとなっている。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0025
【補正方法】変更
【補正内容】
【0025】こうして得られたNbTi合金系超電導線
は、直径0.1μmのNbTi合金フィラメントがCu
Ni合金マトリックス中に1250×121個埋め込ま
れ、かつ互いに隣接するフィラメント間の距離が0.1
8μmとなっている。
は、直径0.1μmのNbTi合金フィラメントがCu
Ni合金マトリックス中に1250×121個埋め込ま
れ、かつ互いに隣接するフィラメント間の距離が0.1
8μmとなっている。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正内容】
【0027】こうして得られたNbTi合金系超電導線
は、直径0.05μmのNbTi合金フィラメントがC
uNi合金マトリックス中に1250×121個埋め込
まれ、かつ互いに隣接するフィラメント間の距離が0.
09μmとなっている。
は、直径0.05μmのNbTi合金フィラメントがC
uNi合金マトリックス中に1250×121個埋め込
まれ、かつ互いに隣接するフィラメント間の距離が0.
09μmとなっている。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0029
【補正方法】変更
【補正内容】
【0029】
【表1】 表1から明らかなように実施例1のNbTi合金系超電
導線は、比較例1,2と比べてJc値が大巾に向上し、
しかもヒステリシス損失が小さいことがわかる。これ
は、直径0.1μmのフィラメント群を構成する7本の
NbTi合金フィラメントが電磁気的に結合されて一つ
のフィラメントのように振舞って、その内部ではNbT
i合金フィラメント及びCuNi合金マトリックスから
なる超電導相と常電導相との界面が数多く存在してピン
密度が高くなっているためJcが改善されたこと、及び
前記フィラメント群の直径が0.1μmと小さく、しか
も互いに隣接するフィラメント群間の距離が近接効果に
よる結合電流を生じない距離である0.18μmとなっ
ているためフィラメント群間の電磁気的な結合が防止さ
れてヒステリシス損失が十分に低減されたことによるも
のである。
導線は、比較例1,2と比べてJc値が大巾に向上し、
しかもヒステリシス損失が小さいことがわかる。これ
は、直径0.1μmのフィラメント群を構成する7本の
NbTi合金フィラメントが電磁気的に結合されて一つ
のフィラメントのように振舞って、その内部ではNbT
i合金フィラメント及びCuNi合金マトリックスから
なる超電導相と常電導相との界面が数多く存在してピン
密度が高くなっているためJcが改善されたこと、及び
前記フィラメント群の直径が0.1μmと小さく、しか
も互いに隣接するフィラメント群間の距離が近接効果に
よる結合電流を生じない距離である0.18μmとなっ
ているためフィラメント群間の電磁気的な結合が防止さ
れてヒステリシス損失が十分に低減されたことによるも
のである。
Claims (1)
- 【請求項1】 マトリックス中に埋め込んだ複数本のN
bTi合金フィラメントからなる直径0.05〜0.5
μmのフィラメント群を、互いに隣接するフィラメント
群間の距離が近接効果による結合電流を生じない距離と
なるようにマトリックス中に複数埋め込んだ構造を有す
ることを特徴とする交流用NbTi合金系超電導線。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3344735A JPH05182534A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 交流用NbTi合金系超電導線 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3344735A JPH05182534A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 交流用NbTi合金系超電導線 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05182534A true JPH05182534A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18371573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3344735A Pending JPH05182534A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 交流用NbTi合金系超電導線 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05182534A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230099529A1 (en) * | 2020-02-24 | 2023-03-30 | University Of Houston System | Hybrid round superconductor wires |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP3344735A patent/JPH05182534A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230099529A1 (en) * | 2020-02-24 | 2023-03-30 | University Of Houston System | Hybrid round superconductor wires |
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