JPH0517910U - フアラデーケージ - Google Patents

フアラデーケージ

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JPH0517910U
JPH0517910U JP6574991U JP6574991U JPH0517910U JP H0517910 U JPH0517910 U JP H0517910U JP 6574991 U JP6574991 U JP 6574991U JP 6574991 U JP6574991 U JP 6574991U JP H0517910 U JPH0517910 U JP H0517910U
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JP
Japan
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entrance
faraday cup
faraday
openings
suppressor electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP6574991U
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English (en)
Inventor
和宏 西川
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Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 ファラデーケージは、ビーム入射口を設定す
るマスクスリット5と、電位障壁を形成する開口部4a
を有したサプレッサー電極4と、ビーム入射口に対応し
た入射面積でイオンビーム1のビーム電流を検出するフ
ァラデーカップ2とを有している。そして、上記のサプ
レッサー電極の開口部4aは、阻止可能面積単位に区分
化されて複数形成されているもの。 【効果】 電位障壁がサプレッサー電極4の複数の開口
部4aでそれぞれ形成されるため、ビーム入射口を拡大
してファラデーカップ2の入射面積を拡大した場合で
も、開口部4aの数量を増加させることで常に所定の阻
止能力を維持できる。従って、ファラデーカップ2の入
射面積の拡大に伴う外壁部2b等の調整が不要になるた
め、体積の増大を招来することなくビーム入射口を拡大
させることが可能になる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、イオンビームや電子ビームのビーム電流を検出するファラデーケー ジに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
イオン注入装置は、イオンビームを用いることで、所要の不純物イオンをイオ ン照射対象物へ任意の量、任意の深さに制御性良く注入できることから、例えば 半導体への不純物の注入や新素材の研究開発等の用途に多用されている。
【0003】 上記のイオン注入装置は、通常、ファラデーケージを用いたビーム電流の測定 により、イオン照射対象物への注入ドーズ量が検出されるようになっているが、 このドーズ量は、イオン照射対象物の物性に大きな影響を与えるため、高精度な 検出が要望されている。従って、従来のファラデーケージは、図5および図6に 示すように、ファラデーケージのビーム入射口を設定するマスクスリット54と 、上記のビーム入射口に対応した入射面積を有し、ビーム電流を検出するファラ デーカップ51との間に、負電位の印加されたサプレッサー電極52を介装した 構成にされており、サプレッサー電極52によりファラデーカップ51の開口部 51aの前方に電位障壁を形成するようになっている。
【0004】 これにより、従来のファラデーケージは、サプレッサー電極52の電位障壁に より、イオンビーム53のファラデーカップ51への衝突時に発生する二次電子 がファラデーカップ51外へ漏洩することを防止すると共に、ファラデーカップ 51外の電子がファラデーカップ51内に流入することを防止することで、イオ ンビーム53のビーム電流を高精度に検出することが可能になっている。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のファラデーケージでは、イオンビーム53のビーム 電流を広範囲に検出するためにビーム入射口を拡大する場合、下記の問題を生じ ている。
【0006】 即ち、ビーム入射口を拡大する場合には、入射面積も拡大する必要があるため 、マスクスリット54の開口部54aと共に、サプレッサー電極52の開口部5 2aおよびファラデーカップ51の開口部51aを拡大させる必要がある。とこ ろが、サプレッサー電極52により形成される電位障壁は、開口部52aの周縁 部から最も離れた中心部に位置するに伴って電子の通過を阻止する阻止能力が低 下するものである。
【0007】 従って、電位障壁は、サプレッサー電極52の開口部52aの拡大により、中 心部の阻止能力が一層低下することになり、この阻止能力の低下は、電子のファ ラデーカップ51への出入りを増大させることで、ビーム電流の高精度な検出を 困難にすることになる。これにより、従来のファラデーケージでは、サプレッサ ー電極52の開口部52aの拡大に伴う電位障壁の阻止能力の低下をサプレッサ ー電極52を長くすることで補うことが必要になっている。
【0008】 また、ファラデーカップ51の側壁部51bは、イオンビーム53の衝突時に 発生する二次電子やイオンを吸収してファラデーカップ51外へ漏洩することを 防止するようになっており、開口部51aの拡大に伴って高くすることが漏洩の 確率を低下させる上で必要になっている。
【0009】 このように、従来のファラデーケージは、ファラデーケージのビーム入射口を 拡大させる場合、ビーム電流の高精度な検出を維持するため、サプレッサー電極 52を長くすると共に、ファラデーカップ51の側壁部51bを高くする必要が あり、体積の増大により設計の自由度を低下させるという問題を有している。尚 、上記の問題は、イオンビーム53に限らず、電子ビームのビーム電流を広範囲 に検出する際にも同様に生じるものである。
【0010】 従って、本考案においては、ビーム電流の高精度な検出を維持した状態で、体 積を増大させることなくファラデーケージのビーム入射口を拡大させ、上記の問 題を解決することができるファラデーケージを提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本考案のファラデーケージは、上記課題を解決するために、ビーム入射口を設 定するマスクスリットと、電位障壁を形成する開口部を有したサプレッサー電極 と、上記ビーム入射口に対応した入射面積でイオンビームのビーム電流を検出す るファラデーカップとを有している。そして、上記のサプレッサー電極の開口部 は、阻止可能面積単位に区分化されて複数形成されていることを特徴としている 。
【0012】
【作用】
上記の構成によれば、電位障壁は、サプレッサー電極の阻止可能面積単位に区 分化された複数の開口部でそれぞれ形成されることになる。従って、各開口部で 形成される電位障壁は、ビーム入射口を拡大してファラデーカップの入射面積を 拡大した場合でも、区分化された開口部の数量を増加させることで常に所定の阻 止能力を維持できることになる。
【0013】 従って、上記の各電位障壁は、電子のファラデーカップへの出入りを充分に防 止することができるため、ファラデーカップの入射面積の拡大に伴う外壁部や内 壁部の高さの調整を不要にすることになると共に、サプレッサー電極の長さの調 整も不要にすることになる。これにより、ファラデーケージは、ビーム電流の高 精度な検出を維持した状態で、設計の自由度を制限させる体積の増大を招来する ことなくファラデーケージのビーム入射口を拡大させることが可能になっている 。
【0014】
【実施例】
本考案の一実施例を図1ないし図4に基づいて説明すれば、以下の通りである 。
【0015】 本実施例に係るファラデーケージは、例えばハイブリッド方式のイオン注入装 置に設けられており、図1および図2に示すように、走査電極で水平スキャンさ れたイオンビーム1が入射されるファラデーカップ2を有している。このファラ デーカップ2には、電流計3が接続されており、電流計3は、イオンビーム1に よりファラデーカップ2に生じたビーム電流を検出し、電流値を測定可能にする ようになっている。
【0016】 上記のファラデーカップ2は、イオンビーム1の進行方向に対して略垂直方向 に配置された底面部2aを有している。尚、この底面部2aは、イオンビーム1 との衝突時に二次電子の発生を抑制させるため、例えばカーボンで形成されてい たり、或いは照射面が円錐形や傾斜して形成されていることが望ましい。
【0017】 上記の底面部2aには、イオンビーム1の入射方向へ立ち上げられた外壁部2 bが周縁部に形成されている。この外壁部2bで囲まれる外側開口部2fの入射 面積は、後述のマスクスリット5で設定されるビーム入射口に対応した大きさに 設定されており、外側開口部2fの長手方向の外壁部2b・2b間には、外壁部 2b・2b間を適当な間隔で区切る内壁部2c・2cが形成されている。そして 、これらの内壁部2c・2cと外壁部2bとは、上述の外側開口部2fを区分化 する開口部2d・・を形成するようになっていると共に、底面部2aとで空間部 2e・・を形成するようになっている。尚、これらの空間部2e・・は、二次電 子を外壁部2bと内壁部2c・2cとで充分に吸収できる程度の容積を有してい ることが望ましい。
【0018】 上記のファラデーカップ2のイオンビーム1の入射方向(以下ビーム入射方向 と称する。)には、例えば−数百V〜−1千V程度の負電位を印加されたサプレ ッサー電極4が配設されている。このサプレッサー電極4は、阻止可能面積単位 に区分化された複数の開口部4a・・を有しており、これらの開口部4a・・は 、ファラデーカップ2の開口部2d・・と同数で略同一形状に形成されている。
【0019】 そして、これらの開口部4a・・は、ファラデーカップ2の開口部2d・・の ビーム入射方向側に負電位の電位障壁を面状に形成するようになっている。
【0020】 尚、上記の阻止可能面積とは、各開口部4a・・により形成された電位障壁が 、イオンビーム1とファラデーカップ2との衝突で生じた二次電子等のファラデ ーカップ2外への漏洩を防止できると共に、ファラデーカップ2外の電子の空間 部2e・・への入り込みを防止できる程度の面積のことである。
【0021】 さらに、サプレッサー電極4のビーム入射方向には、サプレッサー電極4の開 口部4a・・と同数の開口部5a・・が形成されたマスクスリット5が配設され ている。そして、これらの開口部5a・・は、イオンビーム1がファラデーカッ プ2の各空間部2e・・へ入射するビーム入射口の入射面積を決定するようにな っており、この入射面積がビーム電流とでドーズ量の算出に使用されるようにな っている。
【0022】 上記の構成において、ファラデーケージの動作について説明する。
【0023】 先ず、イオンビーム1が走査電極で平行スキャンされながらマスクスリット5 方向に進行することになる。マスクスリット5に到達したイオンビーム1は、マ スクスリット5の開口部5a・・からなるビーム入射口を介してサプレッサー電 極4の開口部4a・・を通過し、ファラデーカップ2の空間部2e・・に到達す ることになる。空間部2e・・に到達したイオンビーム1は、底面部2aや外壁 部2b、内壁部2c・2cに衝突し、空間部2e・・に二次電子を放出させるこ とになる。そして、上記の二次電子は、空間部2e・・の任意の方向へ飛散する ことになり、一部が外壁部2bや内壁部2c・2c、底面部2aに衝突して吸収 されることになる一方、残りが開口部2d・・方向へ移動することになる。
【0024】 この際、開口部2d・・のビーム入射方向には、サプレッサー電極4により負 電位の電位障壁が形成されており、この電位障壁は、各開口部4a・・の周縁部 の負電位によりそれぞれ形成されている。従って、各電位障壁は、電子の通過を 阻止する阻止能力の低下が中心部でも僅かなものになっており、開口部2d・・ 方向へ移動する全ての二次電子は、各電位障壁により移動方向が変更されて空間 部2e・・内に閉じ込められることになる。
【0025】 これにより、上記の各電位障壁は、空間部2e・・の全ての二次電子を外壁部 2bや内壁部2c・2c、底面部2aに衝突させて吸収させることになると共に 、ファラデーカップ2外の電子の空間部2e・・への侵入を阻止することになり 、イオンビーム1のビーム電流は、ファラデーカップ2から電流計3を流れる電 流で高精度に検出されることになる。尚、上記のイオンビーム1は、一部がマス クスリット5の開口部5a・・以外の部分で遮断されることになるが、この遮断 による検出誤差は、開口部5a・・と開口部5a・・以外の部分との幾何学的面 積比により算出できるため、精度の低下を招来することはない。
【0026】 このように、本実施例のファラデーケージは、ファラデーカップ2の電位障壁 がサプレッサー電極4の各開口部4a・・でそれぞれ形成されており、各開口部 4a・・で形成される電位障壁は、ファラデーカップ2の外側開口部2fで設定 される入射面積を拡大した場合でも、開口部4a・・の数量を増加させることで 常に所定の阻止能力を維持できるようになっている。
【0027】 従って、上記の各電位障壁は、電子のファラデーカップ2への出入りを充分に 防止することができることになり、外側開口部2fの入射面積の拡大に伴う外壁 部2bや内壁部2c・2cの高さの調整を不要にすると共に、サプレッサー電極 4の長さの調整も不要にすることになる。これにより、ファラデーケージは、ビ ーム電流の高精度な検出を維持した状態で、設計の自由度を制限させる体積の増 大を招来することなくファラデーケージのビーム入射口を拡大させることが可能 になっている。
【0028】 尚、本実施例のファラデーケージのファラデーカップ2には、内壁部2c・2 cが底面部2aに一体的に形成されているが、これに限定されることはない。即 ち、ファラデーカップ2は、図3に示すように、底面部2aと外壁部2bとで形 成されていても良い。さらに、ファラデーカップ2は、図4に示すように、それ ぞれが独立したファラデーカップ6・・の集合体であっても良く、この場合には 、ファラデーケージのビーム入射口を容易に変更することができる。
【0029】 また、本実施例のファラデーケージは、ハイブリッド方式のイオン注入装置に 設けられているが、これに限定されることはなく、例えばビームスキャン方式や メカニカルスキャン方式のイオン注入装置に設けられていても良く、さらに、電 子ビームを使用する電子ビーム加工装置に設けられていても良い。但し、上記の イオンビーム1や電子ビームは、ファラデーケージの全面に対して略垂直方向に 照射されることが望ましい。
【0030】
【考案の効果】
本考案のファラデーケージは、以上のように、ビーム入射口を設定するマスク スリットと、電位障壁を形成する開口部を有したサプレッサー電極と、上記ビー ム入射口に対応した入射面積でイオンビームのビーム電流を検出するファラデー カップとを有しており、上記サプレッサー電極の開口部が、阻止可能面積単位に 区分化されて複数形成されている構成である。
【0031】 これにより、電位障壁がサプレッサー電極の阻止可能面積単位に区分化された 複数の開口部でそれぞれ形成されるため、ビーム入射口を拡大してファラデーカ ップの入射面積を拡大した場合でも、区分化された開口部の数量を増加させるこ とで常に所定の阻止能力を維持できることになる。そして、この阻止能力の維持 は、ファラデーカップの入射面積の拡大に伴う外壁部や内壁部の高さの調整やサ プレッサー電極の長さの調整を不要にすることになることから、ビーム電流の高 精度な検出を維持した状態で、設計の自由度を制限させる体積の増大を招来する ことなくビーム入射口を拡大させることが可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案のファラデーケージの横断面を示す説明
図である。
【図2】ファラデーケージの縦断面を示す説明図であ
る。
【図3】ファラデーケージ横断面を示す説明図である。
【図4】ファラデーケージ横断面を示す説明図である。
【図5】従来例を示すものであり、ファラデーケージの
横断面を示す説明図である。
【図6】ファラデーケージの縦断面を示す説明図であ
る。
【符号の説明】
1 イオンビーム 2 ファラデーカップ 2a 底面部 2b 外壁部 2c 内壁部 2d 開口部 2e 空間部 2f 外側開口部 3 電流計 4 サプレッサー電極 4a 開口部 5 マスクスリット 5a 開口部 6 ファラデーカップ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】ビーム入射口を設定するマスクスリット
    と、電位障壁を形成する開口部を有したサプレッサー電
    極と、上記ビーム入射口に対応した入射面積でイオンビ
    ームのビーム電流を検出するファラデーカップとを有す
    るファラデーケージにおいて、上記サプレッサー電極の
    開口部が阻止可能面積単位に区分化されて複数形成され
    ていることを特徴とするファラデーケージ。
JP6574991U 1991-08-20 1991-08-20 フアラデーケージ Pending JPH0517910U (ja)

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JP6574991U JPH0517910U (ja) 1991-08-20 1991-08-20 フアラデーケージ

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006236601A (ja) * 2005-02-22 2006-09-07 Kobe Steel Ltd 軌道位置検出装置,組成分析装置,荷電粒子ビームの軌道調整方法及び位置座標検出装置
JP2010507194A (ja) * 2006-10-11 2010-03-04 アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド イオン注入装置のためのセンサ
JP2010177120A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Ulvac Japan Ltd イオン検出器及びこれを備えた四重極型質量分析計並びにファラデーカップ
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JP2014212353A (ja) * 2009-09-24 2014-11-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 放射検出器

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