JPH05165062A - Manufacture of mim type nonlinear switching element - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】各表示画素毎に駆動用スイッチン
グ素子を組み込んだアクティブ方式の液晶フラットディ
スプレイは、低消費電力で高品質大容量の表示装置とし
てテレビジョン、情報端末などに広く応用されている。
駆動用スイッチング素子としては、２端子型と３端子型
とが用いられている。このうち２端子型の駆動用スイッ
チング素子は、その構造が簡単で製造が容易であり、コ
ストも低く工業的に大きな利点を有する。本発明は、２
端子型であるＭＩＭ型非線形スイッチング素子の製造方
法に関するものである。[Field of Industrial Application] An active type liquid crystal flat display incorporating a driving switching element for each display pixel is widely applied to televisions, information terminals, etc. as a display device with low power consumption and high quality and large capacity. There is.
Two-terminal type and three-terminal type are used as drive switching elements. Of these, the two-terminal drive switching element has a simple structure, is easy to manufacture, is low in cost, and has great industrial advantages. The present invention is 2
The present invention relates to a method of manufacturing a terminal type MIM type nonlinear switching element.
【０００２】[0002]
【従来技術とその課題】図２に一般的なＭＩＭ型非線形
スイッチング素子の構造を示す。図２（ａ）は平面図、
図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線における断面図であ
る。ＭＩＭ型非線形スイッチング素子の一般的な製造工
程を図１に示す。2. Description of the Related Art FIG. 2 shows the structure of a general MIM type non-linear switching element. FIG. 2A is a plan view,
FIG. 2B is a sectional view taken along the line AA of FIG. FIG. 1 shows a general manufacturing process of a MIM type non-linear switching element.
【０００３】以下図１と図２とを交互に用いて、ＭＩＭ
型非線形スイッチング素子における製造工程を簡単に説
明する。Hereinafter, the MIM will be described by alternately using FIG. 1 and FIG.
The manufacturing process of the non-linear switching element will be briefly described.
【０００４】まず図１（ａ）に示すように、ガラスから
なる基板１の上に第１の電極層２を形成し、フォトリソ
処理によりパターニングする。このとき非パターン部分
においては、第１の電極層２は完全に除去され、下地で
ある基板３が現われる。First, as shown in FIG. 1A, a first electrode layer 2 is formed on a glass substrate 1 and patterned by photolithography. At this time, in the non-patterned portion, the first electrode layer 2 is completely removed, and the base substrate 3 appears.
【０００５】続いて図１（ｂ）に示すように、陽極酸化
法により第１の電極層２の表面に絶縁層３を形成する。Subsequently, as shown in FIG. 1B, an insulating layer 3 is formed on the surface of the first electrode layer 2 by an anodic oxidation method.
【０００６】その後図１（ｃ）に示すように、第２の電
極層４である酸化インジウム錫（以下ＩＴＯと記載す
る）膜を形成し、フォトリソ処理によりパターニングす
る。Thereafter, as shown in FIG. 1C, an indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO) film which is the second electrode layer 4 is formed and patterned by photolithography.
【０００７】ＭＩＭ素子の形成は、２回のフォトリソ工
程によって行われ、２種類のフォトマスクが使われるた
め、これを２枚マスク工程と称する。The formation of the MIM element is performed by two photolithography processes and two types of photomasks are used. Therefore, this is referred to as a two-mask process.
【０００８】図２に示すように、ＭＩＭ型非線形スイッ
チング素子であるＭＩＭ素子５の電気的特性は、絶縁層
３と第２の電極層４との重なった領域の面積、およびそ
の接合特性に支配される。As shown in FIG. 2, the electrical characteristics of the MIM element 5, which is a MIM type non-linear switching element, are governed by the area of the region where the insulating layer 3 and the second electrode layer 4 overlap, and the junction characteristics thereof. To be done.
【０００９】この第２の電極層４として、これまでＩＴ
Ｏ膜が用いられてきた。このＩＴＯ膜の膜質、およびエ
ッチング特性は、下地の基板１の種類によって変化する
ことが、たとえば、大野、宮沢、「表示体用透明電極の
エッチング技術」、実務表面技術 Ｖｏｌ．３５ Ｎ
ｏ．１１ １９８８ ｐ．５４０に報告されている。As the second electrode layer 4, the IT
O films have been used. The film quality and etching characteristics of this ITO film may vary depending on the type of the underlying substrate 1, see, for example, Ohno, Miyazawa, "Etching Technology for Transparent Electrodes for Display", Practical Surface Technology Vol. 35 N
o. 11 1988 p. 540.
【００１０】このＩＴＯ膜の膜質とエッチング特性とが
変化することは、ＩＴＯ膜の結晶性が、下地により変化
することに起因している。The change in the film quality and etching characteristics of the ITO film is due to the change in the crystallinity of the ITO film depending on the underlying layer.
【００１１】図２に示すように、この第２の電極層４の
下地層は、基板１、および絶縁層３と、位置によって相
異なる。このため、従来例においては、形成された第２
の電極層４であるＩＴＯ膜の膜質は、絶縁膜３上と基板
１上で膜質が異なり、基板１内で均一にならない。As shown in FIG. 2, the underlying layer of the second electrode layer 4 differs from the substrate 1 and the insulating layer 3 depending on the position. Therefore, in the conventional example, the formed second
The film quality of the ITO film, which is the electrode layer 4 of the above, differs between the insulating film 3 and the substrate 1 and is not uniform in the substrate 1.
【００１２】とくに絶縁層３と基板１との境界部分６で
その影響が大きく、ＩＴＯ膜のエッチング処理の際、ス
パイクと呼ばれる第２の電極層４のパターン形状にくび
れを生じる。In particular, the influence is great at the boundary portion 6 between the insulating layer 3 and the substrate 1, and when the ITO film is etched, the pattern shape of the second electrode layer 4 called a spike is constricted.
【００１３】したがって、従来用いられてきた第２の電
極層４であるＩＴＯ膜は、基板１内において、ＩＴＯ膜
のエッチング特性、および接合特性に不均一性が生じ
る。そのため同一基板上に形成したＭＩＭ型非線形スイ
ッチング素子間に電気特性のばらつきが生じてしまい、
これを用いたアクティブパネルの画像表示の品質は低下
する。Therefore, the ITO film, which is the second electrode layer 4 used conventionally, has nonuniformity in the etching property and the bonding property of the ITO film in the substrate 1. Therefore, variations in electrical characteristics occur between MIM type non-linear switching elements formed on the same substrate,
The quality of the image display of the active panel using this deteriorates.
【００１４】すなわち、従来の製造方法においては、こ
の方法により製造されたＭＩＭ型スイッチング素子の電
気特性の不均一性がその性質上不可避であり、これを用
いたアクティブパネルの画像表示の品質の低下を引き起
こすと言う克服すべき重大な課題が存在している。That is, in the conventional manufacturing method, the non-uniformity of the electrical characteristics of the MIM type switching element manufactured by this method is unavoidable due to its nature, and the quality of the image display of the active panel using this is deteriorated. There is a significant challenge to overcome that causes
【００１５】本発明の目的は、前項において述べた従来
のＩＴＯ膜の課題を改善し、均一な接合特性と、均一な
エッチング性、すなわち均一な結晶性をもち、平滑な表
面を有する第２の電極層を形成して、均一な特性をもつ
ＭＩＭ型非線形スイッチング素子を得るための製造方法
を提供することである。An object of the present invention is to improve the problems of the conventional ITO film described in the preceding paragraph, and to provide a uniform bonding property and a uniform etching property, that is, a uniform crystallinity and a second surface having a smooth surface. An object of the present invention is to provide a manufacturing method for forming an electrode layer to obtain a MIM type non-linear switching element having uniform characteristics.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のＭＩＭ型非線形スイッチング素子の製造方
法は、下記記載の工程を採用する。In order to achieve the above object, a method of manufacturing a MIM type non-linear switching element of the present invention employs the following steps.
【００１７】本発明におけるＭＩＭ型非線形スイッチン
グ素子の製造方法は、基板上に第１の電極層を形成する
工程と、この第１の電極層の上に絶縁層を形成する工程
と、第２の電極層を形成する工程とを有し、第２の電極
層としては、アルミニウム元素を含む酸化亜鉛膜を用い
ることを特徴とする。A method of manufacturing a MIM type non-linear switching element according to the present invention comprises a step of forming a first electrode layer on a substrate, a step of forming an insulating layer on the first electrode layer, and a second step. And a step of forming an electrode layer, and a zinc oxide film containing an aluminum element is used as the second electrode layer.
【００１８】[0018]
【作用】本発明の製造方法により、第２の電極層の均一
なエッチング性、すなわち均一な結晶性と、平滑な表面
を有し、絶縁層と第２の電極層との間の均一な接合特性
とを提供し、さらに可視光透過率が高く、電気的特性に
優れ液晶駆動能力のより大きく、そのうえ均一なＭＩＭ
型非線形スイッチング素子の製造が可能となる。According to the manufacturing method of the present invention, the second electrode layer has a uniform etching property, that is, a uniform crystallinity and a smooth surface, and a uniform bonding between the insulating layer and the second electrode layer. Characteristics, high visible light transmittance, excellent electrical characteristics, greater liquid crystal driving capability, and uniform MIM.
Type non-linear switching element can be manufactured.
【００１９】[0019]
【実施例】以下本発明におけるＭＩＭ型非線形スイッチ
ング素子の製造方法の実施例を、図１から図７の図面に
基づいて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a method for manufacturing a MIM type non-linear switching element according to the present invention will be described below with reference to the drawings of FIGS.
【００２０】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明におけるＭ
ＩＭ型非線形スイッチング素子の製造方法を工程順に示
す断面図である。1 (a) to 1 (c) show M in the present invention.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the IM nonlinear switching element in the order of steps.
【００２１】図１（ａ）に示すように、ガラスからなる
基板１の上に、タンタルからなる第１の電極層２を形成
し、フォトリソ処理を行い、第１の電極層２をパターニ
ングする。このとき第１の電極層２の非パターン部分に
おいては、第１の電極層２は完全に除去され、下地であ
る基板１が現われる。As shown in FIG. 1A, a first electrode layer 2 made of tantalum is formed on a substrate 1 made of glass, and photolithography is performed to pattern the first electrode layer 2. At this time, in the non-patterned portion of the first electrode layer 2, the first electrode layer 2 is completely removed, and the base substrate 1 appears.
【００２２】続いて図１（ｂ）に示すように、陽極酸化
法により第１の電極層２の表面にタンタル酸化膜からな
る絶縁層３を形成する。Subsequently, as shown in FIG. 1B, an insulating layer 3 made of a tantalum oxide film is formed on the surface of the first electrode layer 2 by an anodic oxidation method.
【００２３】その後図１（ｃ）に示すように、第２の電
極層４として、アルミニウム元素を含む酸化亜鉛膜を形
成し、フォトリソ処理を行い、第２の電極層４をパター
ニングする。Thereafter, as shown in FIG. 1C, a zinc oxide film containing an aluminum element is formed as the second electrode layer 4, and photolithography is performed to pattern the second electrode layer 4.
【００２４】図２に示すように、絶縁層３によって、そ
の表面を被覆された第１の電極層２のパターニングされ
た配線部分と、この絶縁層３上に形成された第２の電極
層４であるアルミニウム元素を含む酸化亜鉛膜との重な
り部分が、ＭＩＭ素子５である。As shown in FIG. 2, the patterned wiring portion of the first electrode layer 2 whose surface is covered with the insulating layer 3 and the second electrode layer 4 formed on the insulating layer 3. The MIM element 5 is an overlapping portion with the zinc oxide film containing the aluminum element.
【００２５】したがって、ＭＩＭ素子の電気特性は、絶
縁層３と第２の電極層４との重なり部分の面積、および
接合特性によって決定される。Therefore, the electrical characteristics of the MIM element are determined by the area of the overlapping portion of the insulating layer 3 and the second electrode layer 4 and the junction characteristics.
【００２６】つぎに本発明の製造方法によって形成し
た、ＭＩＭ型非線形スイッチング素子の電圧電流特性を
示す。図３は、本発明によるアルミニウム元素を含む酸
化亜鉛膜を、第２の電極層４に用いたＭＩＭ素子の電気
特性を示すグラフである。これに対して、第２の電極層
４として、従来のＩＴＯ膜を用いたＭＩＭ素子の電気特
性例を図のグラフに示す。Next, the voltage-current characteristics of the MIM type non-linear switching element formed by the manufacturing method of the present invention will be shown. FIG. 3 is a graph showing the electrical characteristics of the MIM element in which the zinc oxide film containing aluminum element according to the present invention is used for the second electrode layer 4. On the other hand, an example of electrical characteristics of a MIM element using a conventional ITO film as the second electrode layer 4 is shown in the graph of the figure.
【００２７】この図３、図４に示すＭＩＭ素子の電気特
性は、図７に示すように、第１の電極層２を接地し、第
２の電極層４に電圧を印加して測定した。The electrical characteristics of the MIM element shown in FIGS. 3 and 4 were measured by grounding the first electrode layer 2 and applying a voltage to the second electrode layer 4 as shown in FIG.
【００２８】図３および図４のグラフを比較して判るよ
うに、図４の従来例に比べ、本発明を示す図３において
はマイナス側の非線形特性、およびＯＮ電圧特性が向上
し、かつＯＦＦ電圧特性も高くなっている。As can be seen by comparing the graphs of FIGS. 3 and 4, in comparison with the conventional example of FIG. 4, in FIG. 3 showing the present invention, the non-linear characteristic on the negative side and the ON voltage characteristic are improved, and the OFF characteristic is OFF. The voltage characteristics are also high.
【００２９】ここでＯＮ電圧特性、ＯＦＦ電圧特性と
は、それぞれ１０ー 7 Ａ、１０ー 11Ａの電流が得られる
印加電圧を指す。[0029] Here, ON voltage characteristics, and OFF voltage characteristic refers to a voltage applied to the current of each 10 @ 7 A, 10-2 11 A is obtained.
【００３０】したがって、図３と図４とから明らかなよ
うに、第２の電極層４にアルミニウム元素を含む酸化亜
鉛膜を用いたＭＩＭ素子の液晶駆動能力は、従来のＩＴ
Ｏ膜を第２の電極層に用いた場合に比べ向上している。Therefore, as is apparent from FIGS. 3 and 4, the liquid crystal driving capability of the MIM element using the zinc oxide film containing aluminum element for the second electrode layer 4 is the same as that of the conventional IT.
This is improved compared to the case where the O film is used for the second electrode layer.
【００３１】以下にこのとき用いたアルミニウム元素を
含む酸化亜鉛膜の形成条件を示す。 成膜方法：ＤＣスパッタリング ターゲット：ＺｎＯ酸化物タ−ゲット ターゲットＡｌ含有量：１重量％ 基板温度：３００℃ スパッタリング圧力：０．５Ｐａ（パスカル） スパッタリングガス：アルゴン（１００％）The conditions for forming the zinc oxide film containing the aluminum element used at this time are shown below. Film formation method: DC sputtering target: ZnO oxide target target Al content: 1 wt% Substrate temperature: 300 ° C. Sputtering pressure: 0.5 Pa (Pascal) Sputtering gas: Argon (100%)
【００３２】このとき得られたアルミニウム元素を含む
酸化亜鉛膜は、透過率を示す図５のグラフに示すよう
に、膜厚３００ｎｍで９０％以上と高い可視光透過率を
示している。この値はＩＴＯ膜に比べ５〜１５％大き
く、光利用効率の点でも、アルミニウム元素を含む酸化
亜鉛膜は優れている。The zinc oxide film containing aluminum element obtained at this time has a high visible light transmittance of 90% or more at a film thickness of 300 nm, as shown in the graph of transmittance in FIG. This value is 5 to 15% larger than that of the ITO film, and the zinc oxide film containing an aluminum element is also excellent in light utilization efficiency.
【００３３】さらに、第２の電極層４のアルミニウム元
素を含む酸化亜鉛膜の原料である亜鉛は、ＩＴＯ膜の主
原料であるインジウムに比べ豊富に存在し、安価であ
る。Further, zinc, which is a raw material of the zinc oxide film containing the aluminum element of the second electrode layer 4, is present in abundant amount as compared with indium which is a main raw material of the ITO film, and is inexpensive.
【００３４】また、アモルファスシリコン太陽電池の製
造において知られているように、酸化亜鉛膜はＩＴＯ膜
に比べ、プラズマ耐性に優れているため、保護膜形成時
のプラズマダメージによる膜特性の劣化も少ない。Further, as is known in the manufacture of amorphous silicon solar cells, the zinc oxide film is superior in plasma resistance to the ITO film, and therefore the film characteristics are less deteriorated due to plasma damage at the time of forming the protective film. ..
【００３５】酸化亜鉛膜の結晶性は、アルミニウム元素
の含有量により大きく変化する。その１例を図６に示
す。図６は、酸化亜鉛ターゲット中のアルミニウムの含
有量が１重量％と４重量％の酸化亜鉛ターゲットを用い
てスパッタリング法により膜形成した、アルミニウム元
素を含む酸化亜鉛膜のＸ線回折スペクトルを示すグラフ
である。The crystallinity of the zinc oxide film greatly changes depending on the content of aluminum element. One example is shown in FIG. FIG. 6 is a graph showing an X-ray diffraction spectrum of a zinc oxide film containing an aluminum element, which is formed by a sputtering method using a zinc oxide target having an aluminum content of 1% by weight and a zinc oxide target of 4% by weight. Is.
【００３６】図６から明らかなように、アルミニウム元
素の含有量が１重量％の場合に対して、４重量％の場
合、アルミニウム元素を含む酸化亜鉛膜の結晶性は約１
／４と大きく減少し、かつその結晶粒径も小さくなって
いる。As is clear from FIG. 6, when the content of aluminum element is 1% by weight, when the content of aluminum element is 4% by weight, the crystallinity of the zinc oxide film containing aluminum element is about 1.
/ 4, and the crystal grain size is also small.
【００３７】さらにそのうえ、アルミニウム元素を含む
酸化亜鉛膜の結晶配向性は、極めて安定で、下地の種類
に依存せず、Ｃ軸配向となっている。Furthermore, the crystal orientation of the zinc oxide film containing the aluminum element is extremely stable and does not depend on the kind of the base, and is C-axis oriented.
【００３８】これに対して、これまで用いられてきたＩ
ＴＯ膜の結晶性は、下地の種類により結晶配向性は異な
り、ガラスからなる基板上では（１１１）優先配向を示
すのに対し、絶縁膜３であるタンタル酸化膜上では（１
００）優先配向を示すことを確認している。On the other hand, I that has been used so far
The crystallinity of the TO film varies depending on the type of the underlying layer, and the (111) preferential orientation is exhibited on the substrate made of glass, while the crystal orientation on the tantalum oxide film which is the insulating film 3 is (1).
00) It has been confirmed that it exhibits a preferred orientation.
【００３９】この結晶配向性が安定であることは、絶縁
層３と第２の電極層４であるアルミニウム元素を含む酸
化亜鉛膜との接合特性、すなわちＭＩＭ素子の電気特性
の均一性、およびエッチング性の不均一性によるＭＩＭ
素子面積のばらつきに大きく影響する。The fact that the crystal orientation is stable means that the junction characteristics between the insulating layer 3 and the zinc oxide film containing the aluminum element, which is the second electrode layer 4, that is, the uniformity of the electrical characteristics of the MIM element, and the etching. MIM due to non-uniformity of sex
It greatly affects the variation of the element area.
【００４０】実際にＭＩＭ素子を複数個マトリクス状に
して比較した場合、その電気特性の特性ばらつきは、ア
ルミニウム元素の含有量が、１重量％を最小として４重
量％以上で著しく増加する。When a plurality of MIM elements are actually compared in a matrix and compared, the characteristic variation of the electrical characteristics increases remarkably when the content of the aluminum element is 1% by weight as a minimum and 4% by weight or more.
【００４１】このアルミニウム元素を含む酸化亜鉛膜
を、第２の電極層として用いたＭＩＭ素子をスイッチン
グ素子とするアクティブ液晶セルの表示特性は、この特
性ばらつきを反映し、アルミニウム含有量が４重量％未
満の条件で、表示ザラツキと呼ぶ液晶セルの隣合う画素
間での表示特性のばらつきによる全体的表示の不均一が
無い、優れた表示品質を示した。The display characteristics of the active liquid crystal cell using the MIM element using the zinc oxide film containing the aluminum element as the second electrode layer as the switching element reflects this characteristic variation, and the aluminum content is 4% by weight. Under the conditions below, excellent display quality was exhibited in which there was no non-uniformity in the overall display due to variations in display characteristics between adjacent pixels of the liquid crystal cell called display roughness.
【００４２】またこのＭＩＭ素子を用いたアクティブセ
ルにおいては、そのＭＩＭ素子の電気的特性を反映し
て、従来のＩＴＯ膜を用いた場合に比べ、コントラスト
比についてもその値が１０％以上改善された。Further, in the active cell using this MIM element, the contrast ratio is improved by 10% or more as compared with the case where the conventional ITO film is used, reflecting the electrical characteristics of the MIM element. It was
【００４３】本発明による製造条件に基づいて作製した
ＭＩＭ型スイッチング素子の電気特性の基板内分布は、
プラスマイナス５％以内と非常に良好であった。The distribution of the electrical characteristics of the MIM type switching element manufactured on the basis of the manufacturing conditions according to the present invention in the substrate is:
It was very good within plus or minus 5%.
【００４４】[0044]
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明の製造方法に基づいて、第１の電極層上に絶縁膜を形
成後、第２の電極層であるアルミニウム元素を含む酸化
亜鉛膜の形成を行ない、しかる後ＭＩＭ素子形成のパタ
ーニングを行う基板を用いることにより、第２の電極層
の下地層である絶縁膜上と基板上とで、従来のように結
晶配向性に差が発生せず、結晶配向性は、極めて安定し
ている。したがって、均一な結晶性と平滑な表面とを有
する第２の電極層が得られる。As is apparent from the above description, according to the manufacturing method of the present invention, after the insulating film is formed on the first electrode layer, the zinc oxide film containing the aluminum element, which is the second electrode layer, is formed. By using a substrate on which the MIM element is formed and then patterned to form the MIM element, a difference in crystal orientation between the insulating film, which is the base layer of the second electrode layer, and the substrate occurs as in the conventional case. Without it, the crystal orientation is extremely stable. Therefore, the second electrode layer having uniform crystallinity and a smooth surface can be obtained.
【００４５】このため、第２の電極層である酸化亜鉛膜
の基板上における均一な接合特性、すなわち均一な電気
特性と、安定した結晶性、すなわち安定したエッチング
性という優れた特徴を備え、液晶層の駆動能力に優れ、
かつ表示ばらつきの無い、高品質なアクティブパネルの
製造が可能である。Therefore, the zinc oxide film, which is the second electrode layer, has excellent bonding characteristics on the substrate, that is, uniform electrical characteristics, and stable crystallinity, that is, stable etching characteristics. Excellent driving ability of layers,
In addition, it is possible to manufacture a high-quality active panel without display variations.
【図１】本発明のＭＩＭ型非線形スイッチング素子の製
造方法を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing an MIM type nonlinear switching element of the present invention.
【図２】ＭＩＭ型非線形スイッチング素子の構造を示す
図面である。FIG. 2 is a view showing a structure of a MIM type non-linear switching element.
【図３】本発明によるアルミニウム元素を含む酸化亜鉛
膜を第２の電極層として用いたＭＩＭ型非線形スイッチ
ング素子の電気的特性を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing electrical characteristics of a MIM type non-linear switching element using a zinc oxide film containing aluminum element according to the present invention as a second electrode layer.
【図４】従来のＩＴＯ膜を第２の電極層として用いたＭ
ＩＭ型非線形スイッチング素子の電気的特性を示すグラ
フである。FIG. 4 is a schematic diagram of an M using a conventional ITO film as a second electrode layer.
It is a graph which shows the electric characteristic of an IM type non-linear switching element.
【図５】本発明におけるアルミニウム元素を含む酸化亜
鉛膜の透過率を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing the transmittance of a zinc oxide film containing aluminum element according to the present invention.
【図６】アルミニウムの含有量がそれぞれ１重量％およ
び４重量％の場合における酸化亜鉛膜のＸ線回折スペク
トルを示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing an X-ray diffraction spectrum of a zinc oxide film when the aluminum contents are 1% by weight and 4% by weight, respectively.
【図７】ＭＩＭ型非線形スイッチング素子の電圧電流特
性の測定方法を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing a method for measuring voltage-current characteristics of a MIM type nonlinear switching element.
１ 基板 ２ 第１の電極層 ３ 絶縁層 ４ 第２の電極層 ５ ＭＩＭ素子 1 substrate 2 first electrode layer 3 insulating layer 4 second electrode layer 5 MIM element
Claims (2)
の電極層上に設ける絶縁層と、第２の電極層とからなる
ＭＩＭ型非線形スイッチング素子の製造方法において、
前記第２の電極層は、アルミニウムを含む酸化亜鉛膜を
用いることを特徴とするＭＩＭ型非線形スイッチング素
子の製造方法。1. A first electrode layer provided on a substrate, and the first electrode layer.
In the method of manufacturing an MIM type non-linear switching element, which comprises an insulating layer provided on the electrode layer and a second electrode layer,
The method of manufacturing a MIM type non-linear switching element, wherein the second electrode layer is a zinc oxide film containing aluminum.
亜鉛膜は、この酸化亜鉛膜中に４重量％未満のアルミニ
ウム元素を含むことを特徴とするＭＩＭ型非線形スイッ
チング素子の製造方法。2. The method for manufacturing a MIM type non-linear switching element according to claim 1, wherein the zinc oxide film as the second electrode layer contains less than 4% by weight of aluminum element in the zinc oxide film. ..
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35316391A JPH05165062A (en) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | Manufacture of mim type nonlinear switching element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35316391A JPH05165062A (en) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | Manufacture of mim type nonlinear switching element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05165062A true JPH05165062A (en) | 1993-06-29 |
Family
ID=18428992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35316391A Pending JPH05165062A (en) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | Manufacture of mim type nonlinear switching element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05165062A (en) |
-
1991
- 1991-12-18 JP JP35316391A patent/JPH05165062A/en active Pending
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