JPH05160222A - Forming method of semiconductor device - Google Patents

Forming method of semiconductor device

Info

Publication number
JPH05160222A
JPH05160222A JP3318155A JP31815591A JPH05160222A JP H05160222 A JPH05160222 A JP H05160222A JP 3318155 A JP3318155 A JP 3318155A JP 31815591 A JP31815591 A JP 31815591A JP H05160222 A JPH05160222 A JP H05160222A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
frame
pellet
semiconductor
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3318155A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takahiro Ikeda
隆浩 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP3318155A priority Critical patent/JPH05160222A/en
Publication of JPH05160222A publication Critical patent/JPH05160222A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To relieve a semiconductor pellet of a non-defective product and to improve yield of a semiconductor device in an assembling process by recognizing, deciding a lead frame having a defect in its shape before the pellet is placed, and eliminating placing of the pellet of the non-defective product in the lead frame having the defect in its shape. CONSTITUTION:A lead frame 2 supplied from a frame supply unit 10 to a conveying route 11 is recognized in its shape by a picture recognition camera 12 at a front stage to be conveyed to a pellet bonding unit 17, and propriety of its shape is decided by a frame propriety deciding circuit 13. If the shape of the frame 2 is decided to be a non-defective product, a semiconductor pellet 4 is placed on a surface of a tab 2A of the frame 2. On the contrary, if it is decided to be defective, a signal for stopping the unit 17 is output to an arm drive controller 14, and the pellet 4 is not placed on the surface of the tab 2A of the frame 2. Thus, the pellet 4 of the non-defective product can be relieved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造技術に関す
る。特に、本発明は、リードフレームに半導体ペレット
を搭載する半導体装置の製造技術、若しくはリードフレ
ームの内部リードと半導体ペレットの外部端子との間を
ワイヤで接続する半導体装置の製造技術に適用して有効
な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing technology. In particular, the present invention is effective when applied to a manufacturing technology of a semiconductor device in which a semiconductor pellet is mounted on a lead frame, or a manufacturing technology of a semiconductor device in which an internal lead of the lead frame and an external terminal of the semiconductor pellet are connected by a wire. Related technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】DIP構造、SOP構造等、樹脂封止型
半導体装置は、タブの表面に搭載された半導体ペレット
の外部端子、内部リードの夫々をワイヤで電気的に接続
し、この半導体ペレット、内部リード等が樹脂封止体で
封止される。前記内部リードは外部リードに機械的にか
つ電気的に接続され、樹脂封止体の外部に配列される。
2. Description of the Related Art In a resin-sealed semiconductor device having a DIP structure, an SOP structure, etc., external terminals and internal leads of a semiconductor pellet mounted on the surface of a tab are electrically connected to each other by wires. Internal leads and the like are sealed with a resin sealing body. The inner leads are mechanically and electrically connected to the outer leads and arranged outside the resin encapsulant.

【0003】この種の樹脂封止型半導体装置は基本的に
以下の組立プロセスに基づき製造される。
This type of resin-sealed semiconductor device is basically manufactured according to the following assembly process.

【0004】まず、タブ、タブ吊りリード、内部リー
ド、外部リードの夫々が枠体に連結されたリードフレー
ムが用意される。このリードフレームは、例えばFe−
Ni合金、銅、銅合金等の板材に、フォトリソグラフィ
技術及びエッチング技術に基づきタブ等のパターンを形
成したものである。
First, a lead frame in which a tab, a tab suspension lead, an internal lead, and an external lead are connected to a frame is prepared. This lead frame is made of, for example, Fe-
A pattern such as a tab is formed on a plate material such as Ni alloy, copper or copper alloy based on the photolithography technique and the etching technique.

【0005】次に、リードフレームのタブ表面に半導体
ペレットを搭載する(ペレット付け工程)。この半導体
ペレットはペレットボンディング装置で搭載され、タブ
表面、半導体ペレットの夫々は接着層を介在して固着さ
れる。半導体ペレットは単結晶珪素基板で形成され、こ
の半導体ペレットの素子形成面には所定の回路システム
が搭載される。
Next, semiconductor pellets are mounted on the tab surface of the lead frame (pellet attaching step). This semiconductor pellet is mounted by a pellet bonding apparatus, and the tab surface and the semiconductor pellet are fixed to each other via an adhesive layer. The semiconductor pellet is formed of a single crystal silicon substrate, and a predetermined circuit system is mounted on the element formation surface of the semiconductor pellet.

【0006】次に、前記半導体ペレットの外部端子、リ
ードフレームの内部リードの夫々をワイヤで接続する。
ワイヤは、例えばAuワイヤが使用され、ワイヤボンデ
ィング装置でボンディングされる。
Next, the external terminals of the semiconductor pellet and the internal leads of the lead frame are connected by wires.
As the wire, for example, an Au wire is used and is bonded by a wire bonding device.

【0007】次に、前記リードフレームのタブ、タブ吊
りリード及び内部リード、半導体ペレットの夫々を樹脂
封止体で封止する。樹脂封止体は、トランスファモール
ド装置で成型され、例えばエポキシ系樹脂で形成され
る。
Next, the tab of the lead frame, the tab suspension lead, the inner lead, and the semiconductor pellet are each sealed with a resin sealing body. The resin sealing body is molded by a transfer molding device and is formed of, for example, an epoxy resin.

【0008】次に、前記リードフレームの枠体から内部
リード、外部リード等を切断し、前記外部リードを所定
の形状に成型する。
Next, the inner lead, the outer lead, etc. are cut from the frame body of the lead frame, and the outer lead is molded into a predetermined shape.

【0009】これら一連の組立工程が施されると、樹脂
封止型半導体装置は完成する。
When these series of assembling steps are performed, the resin-sealed semiconductor device is completed.

【0010】現在、樹脂封止型半導体装置の組立プロセ
スは、量産化を目的として、一貫組立ラインで行われ
る。一貫組立ラインは、リードフレームの搬送経路に、
フレーム供給部(ローダ)、ペレットボンディング装
置、ワイヤボンディング装置、フレーム収納部(アンロ
ーダ)の夫々が順次配置されたものが一般的である。ま
た、一貫組立ラインは、前述の一貫組立ラインのワイヤ
ボンディング装置とフレーム収納部との間に、トランス
ファモールド装置、若しくはこのトランスファモールド
装置及びフレーム切断成型装置を配置したものもある。
At present, the process of assembling a resin-sealed semiconductor device is performed on an integrated assembly line for the purpose of mass production. The integrated assembly line has a lead frame transport path
Generally, a frame supply unit (loader), a pellet bonding device, a wire bonding device, and a frame storage unit (unloader) are sequentially arranged. Further, the integrated assembly line may include a transfer molding device or a transfer molding device and a frame cutting / molding device arranged between the wire bonding device and the frame housing portion of the integrated assembly line.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】前述の樹脂封止型半導
体装置に使用されるリードフレームは前述のエッチング
技術を使用する加工方法から機械的に板材を打抜くプレ
ス加工方法に移行する傾向にある。前者の加工方法は、
マスクの作成、エッチング、マスクの除去等、複数の加
工工程が必要で、リードフレームの製造価格が高くな
る。これに対して、後者のプレス加工方法は、一度の打
抜き工程が必要であるだけで、リードフレームの製造価
格を低くできる特徴がある。
The lead frame used in the above-mentioned resin-encapsulated semiconductor device tends to shift from the above-mentioned processing method using the etching technique to the press processing method of mechanically punching a plate material. .. The former processing method is
A plurality of processing steps such as mask formation, etching, and mask removal are required, which increases the manufacturing cost of the lead frame. On the other hand, the latter press working method has a feature that the manufacturing cost of the lead frame can be reduced because only one punching step is required.

【0012】しかしながら、プレス加工方法で形成され
るリードフレームは、プレス加工に特有の不良、例えば
内部リードの反り、曲り等、正規の形状に対して異なる
形状になる不良が発生する確率が高い。一貫組立ライン
のフレーム供給部からペレットボンディング装置にリー
ドフレームを供給する場合、リードフレームに形状の不
良が存在しても、その良否を判定する手段が存在しない
ので、このリードフレームに良品の半導体ペレットが搭
載される。半導体ペレットが搭載されると、次に、半導
体ペレットの外部端子、リードフレームの内部リードの
夫々がワイヤで接続されるが、内部リードに反り、曲り
等の形状の不良が存在すると、ワイヤの接続不良(ボン
ディング不良)が多発する。つまり、形状に不良が存在
するリードフレームに良品の半導体ペレットが搭載され
た樹脂封止型半導体装置は結果的に不良品となるので、
樹脂封止型半導体装置の組立プロセス上の歩留りが低下
する。
However, the lead frame formed by the press working method has a high probability of causing a failure peculiar to the press working, such as a warp or a bending of the internal lead, which is different from the regular shape. When a lead frame is supplied to the pellet bonding machine from the frame supply section of the integrated assembly line, even if there is a defective shape in the lead frame, there is no means for judging the quality of the lead frame. Will be installed. When the semiconductor pellets are mounted, the external terminals of the semiconductor pellets and the internal leads of the lead frame are then connected by wires, but if there is a shape defect such as warping or bending of the internal leads, the wires will be connected. Frequent defects (bonding defects) occur. In other words, a resin-sealed semiconductor device in which a good semiconductor pellet is mounted on a lead frame having a defective shape will result in a defective product.
The yield in the assembly process of the resin-sealed semiconductor device is reduced.

【0013】特に、形状が不良のリードフレームに良品
の半導体ペレットを搭載し、ワイヤのボンディングが完
了してしまうと、良品である半導体ペレットを救済する
ことができない。このため、結果的に半導体ペレットの
良品数自体も減少し、総合的に樹脂封止型半導体装置の
組立プロセス上の歩留りが低下する。
Particularly, when a good semiconductor pellet is mounted on a lead frame having a defective shape and the wire bonding is completed, the good semiconductor pellet cannot be repaired. As a result, the number of non-defective semiconductor pellets themselves is also reduced, and the yield in the assembly process of the resin-sealed semiconductor device is reduced overall.

【0014】なお、樹脂封止型半導体装置で使用される
リードフレームの成型加工性については、例えば、応用
技術出版株式会社、1988年11月16日発行、「表
面実装形LSIパッケージの実装技術とその信頼性向
上」、第85頁以降に記載されている。
Regarding the moldability of the lead frame used in the resin-sealed semiconductor device, for example, "Technology for Mounting Surface-Mounting LSI Package, Applied Technology Publishing Co., Ltd., issued November 16, 1988. Improving its reliability ", page 85 et seq.

【0015】本発明の目的は、半導体装置の形成方法に
おいて、形成プロセス上の歩留りを向上することが可能
な技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique capable of improving the yield in the forming process in the method of forming a semiconductor device.

【0016】本発明の他の目的は、半導体装置の形成方
法において、良品の半導体ペレットを救済し、結果的に
形成プロセス上の歩留りを向上することが可能な技術を
提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a technique capable of relieving a good semiconductor pellet in a method for forming a semiconductor device and consequently improving the yield in the forming process.

【0017】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
Among the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.

【0019】(1)フレーム供給部から搬送経路にリー
ドフレームを供給し、この供給されたリードフレームに
半導体ペレットを搭載する半導体装置の形成方法におい
て、以下の段階を備える。(A)前記フレーム供給部か
ら搬送経路に供給された後、半導体ペレットを搭載する
前に、リードフレームの形状を認識し、このリードフレ
ームの形状の良否を判定する段階、(B)前記段階
(A)に基づき、リードフレームの形状が良品と判定さ
れた場合、搬送経路で搬送されたリードフレームに半導
体ペレットを搭載し、又リードフレームの形状が不良品
と判定された場合、前記リードフレームに半導体ペレッ
トを搭載しない段階。
(1) A method of forming a semiconductor device in which a lead frame is supplied from a frame supply section to a conveyance path and semiconductor pellets are mounted on the supplied lead frame, includes the following steps. (A) A step of recognizing the shape of the lead frame after being supplied from the frame supply section to the transport path and before mounting the semiconductor pellets, and determining whether the shape of the lead frame is good or bad. If the shape of the lead frame is determined to be non-defective based on A), the semiconductor pellets are mounted on the lead frame transported on the transport path, and if the shape of the lead frame is determined to be defective, the lead frame is Stage without mounting semiconductor pellets.

【0020】(2)フレーム供給部から搬送経路にリー
ドフレームを供給し、この供給されたリードフレームに
半導体ペレットを搭載し、この半導体ペレットの外部端
子とリードフレームの内部リードとの間をワイヤで電気
的に接続する半導体装置の形成方法において、前記手段
(1)の段階(A)、段階(B)の夫々の後に以下の段
階を備える。(C)前記段階(B)の後に、リードフレ
ームに半導体ペレットが搭載されているか否かを認識
し、半導体ペレットの存否を判定する段階、(D)前記
段階(C)に基づき、リードフレームに半導体ペレット
が搭載されていると判定された場合、半導体ペレットの
外部端子とリードフレームの内部リードとの間をワイヤ
で接続し、又リードフレームに半導体ペレットが搭載さ
れていないと判定された場合、半導体ペレットの外部端
子とリードフレームの内部リードとの間をワイヤで接続
しない段階。
(2) A lead frame is supplied from the frame supply section to the conveying path, a semiconductor pellet is mounted on the supplied lead frame, and a wire is used between the external terminal of the semiconductor pellet and the internal lead of the lead frame. In the method of forming a semiconductor device to be electrically connected, the following steps are provided after each of the step (A) and step (B) of the means (1). (C) After the step (B), recognizing whether or not the semiconductor pellets are mounted on the lead frame and determining the presence or absence of the semiconductor pellets; (D) Based on the step (C), the lead frame is attached to the lead frame. If it is determined that the semiconductor pellets are mounted, connect between the external terminals of the semiconductor pellets and the internal leads of the lead frame with a wire, and if it is determined that the semiconductor pellets are not mounted on the lead frame, The step of not connecting wires between the external terminals of the semiconductor pellet and the internal leads of the lead frame.

【0021】[0021]

【作用】上述した手段(1)によれば、半導体ペレット
の搭載前(ペレット付け工程前)に形状に不良が存在す
るリードフレームを認識しかつ判定し、この形状に不良
が存在するリードフレームに良品の半導体ペレットを搭
載しないので、良品の半導体ペレットを救済でき(形状
に不良が存在するリードフレームに良品の半導体ペレッ
トが搭載されると、結果的にこの半導体装置は不良品と
なる)、半導体装置の組立プロセス上の歩留りを向上で
きる。
According to the above-mentioned means (1), the lead frame having a defective shape is recognized and determined before the mounting of the semiconductor pellet (before the pelletizing step), and the lead frame having the defective shape is detected. Since a good semiconductor pellet is not mounted, a good semiconductor pellet can be remedied (if a good semiconductor pellet is mounted on a lead frame having a defective shape, this semiconductor device becomes a defective product). The yield in the assembly process of the device can be improved.

【0022】上述した手段(2)によれば、前記作用効
果(1)の他に、半導体ペレットの外部端子とリードフ
レームの内部リードとの間をワイヤで接続する前(ワイ
ヤボンディング工程前)にリードフレームの半導体ペレ
ットの存否を認識しかつ判定し、半導体ペレットが存在
しない場合にワイヤを接続しないので、ワイヤのボンデ
ィング不良を予じめ防止し(半導体ペレットが存在しな
い場合、リードフレームの形状に不良が存在しており、
ボンディング不良が発生するので、結果的にこの半導体
装置は不良品となる)、半導体装置の組立プロセス上の
歩留りを向上できる。
According to the above-mentioned means (2), in addition to the effect (1), before the external terminals of the semiconductor pellet and the internal leads of the lead frame are connected by wires (before the wire bonding step). It recognizes and determines the presence of semiconductor pellets in the lead frame, and does not connect the wire when there is no semiconductor pellet, so it prevents the defective bonding of the wire in advance (when there is no semiconductor pellet, the shape of the lead frame is There is a defect,
Since a defective bonding occurs, this semiconductor device eventually becomes a defective product), and the yield in the process of assembling the semiconductor device can be improved.

【0023】以下、本発明の構成について、一実施例と
ともに説明する。
The structure of the present invention will be described below together with one embodiment.

【0024】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
In all the drawings for explaining the embodiments, those having the same function are designated by the same reference numerals, and the repeated description thereof will be omitted.

【0025】[0025]

【実施例】本発明の実施例1である樹脂封止型半導体装
置を図3(断面図)で示す。
EXAMPLE A resin-encapsulated semiconductor device which is Example 1 of the present invention is shown in FIG. 3 (cross-sectional view).

【0026】図3に示すように、樹脂封止型半導体装置
1はタブ2Aの表面上に搭載された半導体ペレット4の
外部端子(ボンディングパッド)、内部リード2Bの夫
々をワイヤ5で電気的に接続する。半導体ペレット4、
タブ2A、タブ吊りリード、内部リード2B、ワイヤ5
の夫々は樹脂封止体6で封止される。内部リード2Bに
は外部リード2Cが機械的かつ電気的に接続され、この
外部リード2Bは樹脂封止体6の外部に配列される。外
部リード2Bは、この形状に限定されないが、ガルウィ
ング形状に成型される。
As shown in FIG. 3, in the resin-sealed semiconductor device 1, the external terminals (bonding pads) of the semiconductor pellet 4 mounted on the surface of the tab 2A and the internal leads 2B are electrically connected by the wires 5. Connecting. Semiconductor pellets 4,
Tab 2A, tab suspension lead, internal lead 2B, wire 5
Each of these is sealed with a resin sealing body 6. The external lead 2C is mechanically and electrically connected to the internal lead 2B, and the external lead 2B is arranged outside the resin sealing body 6. The outer lead 2B is formed into a gull wing shape, although not limited to this shape.

【0027】前記半導体ペレット4は単結晶珪素基板で
形成され、この単結晶珪素基板の素子形成面には所定の
回路システムが搭載される。半導体ペレット4はフェー
スアップ方式でタブ2Aの表面に搭載され、半導体ペレ
ット4、タブ2Aの夫々は接着層3を介在して固着され
る。
The semiconductor pellet 4 is formed of a single crystal silicon substrate, and a predetermined circuit system is mounted on the element formation surface of the single crystal silicon substrate. The semiconductor pellet 4 is mounted face up on the surface of the tab 2A, and the semiconductor pellet 4 and the tab 2A are fixed to each other with the adhesive layer 3 interposed therebetween.

【0028】前記タブ2A、タブ吊りリード、内部リー
ド2B、外部リード2Cの夫々は切断成型前においてリ
ードフレームの枠体に連結される。リードフレームは、
Fe−Ni合金、銅、銅合金等のいずれかの板材で形成
され、打抜き工具で機械的に打抜きを行うプレス加工に
おいて内部リード2B等の形状がパターンニングされ
る。
Each of the tab 2A, the tab suspension lead, the inner lead 2B, and the outer lead 2C is connected to the frame of the lead frame before cutting and molding. The lead frame is
The inner lead 2B or the like is patterned in a press process in which it is formed of a plate material such as an Fe-Ni alloy, copper, or a copper alloy and mechanically punched by a punching tool.

【0029】前記ワイヤ5は、例えばAuワイヤが使用
され、熱圧着に超音波振動を併用したボンディング方式
でボンディングされる。
As the wire 5, for example, an Au wire is used, and the wire 5 is bonded by a bonding method using ultrasonic vibration in combination with thermocompression bonding.

【0030】前記樹脂封止体6は、トランスファモール
ド法で成型され、例えばエポキシ系樹脂で成型される。
The resin sealing body 6 is molded by a transfer molding method, for example, an epoxy resin.

【0031】次に、前記樹脂封止型半導体装置1の組立
を行う一貫組立ラインについて、図1(概略システム構
成図)を使用し、簡単に説明する。本実施例は、フレー
ム供給部、フレーム収納部の夫々の間の搬送経路にペレ
ットボンディング装置、ワイヤボンディング装置、トラ
ンスファモールド装置、フレーム切断成型装置の夫々が
順次配置された一貫組立ラインについて説明する。
Next, the integrated assembly line for assembling the resin-sealed semiconductor device 1 will be briefly described with reference to FIG. 1 (schematic system configuration diagram). The present embodiment describes an integrated assembly line in which a pellet bonding device, a wire bonding device, a transfer molding device, and a frame cutting / molding device are sequentially arranged in a transport path between a frame supply unit and a frame storage unit.

【0032】図1に示すように、一貫組立ラインは、フ
レーム供給部(ローダ)10、フレーム収納部(アンロ
ーダ)24の夫々の間に、ペレットボンディング装置1
7、ワイヤボンディング装置20、トランスファモール
ド装置22、フレーム切断成型装置23の夫々が順次配
置される。フレーム供給部10、ワイヤボンディング装
置20の夫々の間は搬送経路11を介在して連結され
る。ワイヤボンディング装置20、トランスファモール
ド装置22の夫々の間は搬送経路25を介在して連結さ
れる。トランスファモールド装置22、フレーム切断成
型装置23の夫々の間は搬送経路26を介在して連結さ
れる。フレーム切断成型装置23、フレーム収納部24
の夫々の間は搬送経路27を介在して連結される。
As shown in FIG. 1, in the integrated assembly line, the pellet bonding apparatus 1 is provided between the frame supply unit (loader) 10 and the frame storage unit (unloader) 24.
7, a wire bonding device 20, a transfer molding device 22, and a frame cutting and molding device 23 are sequentially arranged. The frame supply unit 10 and the wire bonding apparatus 20 are connected to each other via a transfer path 11. The wire bonding device 20 and the transfer molding device 22 are connected to each other via a transfer path 25. The transfer mold device 22 and the frame cutting / molding device 23 are connected to each other via a transport path 26. Frame cutting and molding device 23, frame storage 24
The transport paths 27 are connected between the two.

【0033】前記ペレットボンディング装置17はフレ
ーム供給部10から搬送経路11を通して供給されるリ
ードフレーム2に半導体ペレット4を搭載し固着する。
通常、リードフレーム2は、長尺状フレームに複数個例
えば6個の半導体ペレット4を搭載し、6個の樹脂封止
型半導体装置1を連続的に形成できる、多連リードフレ
ームが使用される。ペレットボンディング装置17は、
例えば真空吸着コレットを介在して、ペレットトレイ1
8からリードフレーム2のタブ2Aの表面に半導体ペレ
ット4を搬送する。ペレットトレイ18には、電気的特
性の検査、外観検査等の検査が終了し、良品として選別
された半導体ペレット4が複数個収納される。
The pellet bonding apparatus 17 mounts and fixes the semiconductor pellet 4 on the lead frame 2 supplied from the frame supply unit 10 through the transfer path 11.
Usually, the lead frame 2 is a multiple lead frame in which a plurality of, for example, six semiconductor pellets 4 are mounted on a long frame and six resin-sealed semiconductor devices 1 can be continuously formed. .. The pellet bonding device 17
For example, a pellet tray 1 with a vacuum suction collet interposed
The semiconductor pellet 4 is conveyed from 8 to the surface of the tab 2A of the lead frame 2. The pellet tray 18 stores a plurality of semiconductor pellets 4 which have been selected as non-defective and have undergone inspections such as electrical characteristic inspection and visual inspection.

【0034】前記ワイヤボンディング装置20は、ペレ
ットボンディング装置17から搬送経路11を通して搬
送されたリードフレーム2の内部リード2B、半導体ペ
レット4の外部端子の夫々にワイヤ5の一端、他端の夫
々をボンディングする。
The wire bonding device 20 bonds one end and the other end of the wire 5 to the internal lead 2B of the lead frame 2 and the external terminal of the semiconductor pellet 4, which are transported from the pellet bonding device 17 through the transport path 11. To do.

【0035】前記トランスファモールド装置22は、ワ
イヤボンディング装置20から搬送経路25を通して搬
送されたリードフレーム2のうちタブ2A、タブ吊りリ
ード、内部リード2B、半導体ペレット4及びワイヤ5
を樹脂封止体6で封止する。
The transfer mold device 22 includes the tab 2A, the tab suspension lead, the internal lead 2B, the semiconductor pellet 4 and the wire 5 in the lead frame 2 conveyed from the wire bonding device 20 through the conveying path 25.
Is sealed with the resin sealing body 6.

【0036】前記フレーム切断成型装置23は、トラン
スファモールド装置22から搬送経路26を通して搬送
されたリードフレーム2の枠体からタブ吊りリード、内
部リード2B、外部リード2Cの夫々を切断し、外部リ
ード2Bをガルウィング形状に成型する。このフレーム
切断成型装置23において、リードフレーム2の切断成
型処理が終了すると、樹脂封止型半導体装置1が完成す
る。
The frame cutting / molding device 23 cuts each of the tab suspension lead, the inner lead 2B, and the outer lead 2C from the frame body of the lead frame 2 conveyed from the transfer molding device 22 through the conveying path 26, and the outer lead 2B. Is molded into a gull wing shape. When the cutting and molding process of the lead frame 2 is completed in the frame cutting and molding device 23, the resin-sealed semiconductor device 1 is completed.

【0037】前記フレーム収納部24は、フレーム切断
成型装置23から搬送経路27を通して搬送される樹脂
封止型半導体装置1を収納する。
The frame accommodating portion 24 accommodates the resin-sealed semiconductor device 1 conveyed from the frame cutting / molding device 23 through the conveying path 27.

【0038】このように構成される一貫組立ラインは、
同図1に示すように、フレーム供給部10、ペレットボ
ンディング装置17の夫々の間の搬送経路11にリード
フレーム2の形状不良を認識し、判定する目的で画像認
識用カメラ12が設置される。この画像認識用カメラ1
2は、フレーム供給部10から供給されるプレス加工方
法で形成されるリードフレーム2において、図4(不良
フレームの要部斜視図)に示すように、内部リード2B
のうち、ボンディング領域側の先端に反りが存在する内
部リード2b、曲がりが存在する内部リード2bbを画
像として捕らえることができる。また、画像認識用カメ
ラ12は、リードフレーム2において、図5(不良フレ
ームの要部側面図)に示すように、内部リード2Bの表
面の位置に対して表面の位置が浮き上がったタブ2aを
画像として捕らえることができる。
The integrated assembly line constructed in this way is
As shown in FIG. 1, an image recognition camera 12 is installed on the transport path 11 between the frame supply unit 10 and the pellet bonding apparatus 17 for the purpose of recognizing and determining the shape defect of the lead frame 2. This image recognition camera 1
2 is an internal lead 2B in the lead frame 2 formed by the press working method supplied from the frame supply unit 10, as shown in FIG. 4 (a perspective view of the main part of the defective frame).
Among them, the internal lead 2b having a warp at the tip on the bonding region side and the internal lead 2bb having a bend can be captured as an image. Further, the image recognition camera 12 images the tab 2a whose surface position is raised with respect to the surface position of the internal lead 2B in the lead frame 2 as shown in FIG. 5 (side view of the main part of the defective frame). Can be captured as

【0039】前記画像認識用カメラ12は、図1に示す
ように、フレーム良・否判定回路13に連結され、フレ
ーム良・否判定回路13は、予じめ記憶された正規のリ
ードフレーム2の形状、画像認識用カメラ12で認識し
たリードフレーム2の形状の夫々を比較し、後者のリー
ドフレーム2の形状の良否を判定する。フレーム良・否
判定回路13は、ペレットボンディング装置17のアー
ム駆動制御回路14を介在して、アーム駆動源15、真
空吸着コレット駆動源16の夫々に連結され、ペレット
ボンディング装置17の動作を制御する信号を出力す
る。
As shown in FIG. 1, the image recognition camera 12 is connected to a frame pass / fail determination circuit 13, and the frame pass / fail determination circuit 13 stores a previously stored regular lead frame 2. The shape and the shape of the lead frame 2 recognized by the image recognition camera 12 are compared with each other, and the quality of the latter lead frame 2 is determined. The frame pass / fail determination circuit 13 is connected to each of the arm drive source 15 and the vacuum suction collet drive source 16 via the arm drive control circuit 14 of the pellet bonding apparatus 17, and controls the operation of the pellet bonding apparatus 17. Output a signal.

【0040】同様に、前記一貫組立ラインは、ペレット
ボンディング装置17、ワイヤボンディング装置20の
夫々の間の搬送経路11にリードフレーム2に半導体ペ
レット4が搭載されているか否かを認識し、判定する目
的で画像認識用カメラ19が設置される。この画像認識
用カメラ19は、ペレットボンディング装置17から供
給されるリードフレーム2のうち、ペレットボンディン
グ装置17において形状が不良のリードフレーム2には
半導体ペレット4を搭載しないので、この半導体ペレッ
ト4の存否を画像として捕らえることができる。
Similarly, the integrated assembly line recognizes and determines whether or not the semiconductor pellet 4 is mounted on the lead frame 2 in the transfer path 11 between the pellet bonding apparatus 17 and the wire bonding apparatus 20. An image recognition camera 19 is installed for the purpose. Since the image recognition camera 19 does not mount the semiconductor pellet 4 on the lead frame 2 having a defective shape in the pellet bonding apparatus 17 among the lead frames 2 supplied from the pellet bonding apparatus 17, the presence or absence of the semiconductor pellet 4 is detected. Can be captured as an image.

【0041】前記画像認識用カメラ19はペレット存・
否判定回路21に連結され、このペレット存・否判定回
路21は、リードフレーム2に半導体ペレット4が搭載
されているか否かの判定を行い、ワイヤボンディング装
置20の動作を制御する。半導体ペレット4の存在が確
認されないリードフレーム2、つまり形状に不良が存在
するリードフレーム2はワイヤボンディング装置20で
のボンディングは行われない。
The image recognition camera 19 has a pellet
The pellet presence / absence determination circuit 21 is connected to the rejection determination circuit 21, determines whether the semiconductor pellet 4 is mounted on the lead frame 2, and controls the operation of the wire bonding apparatus 20. The lead frame 2 in which the presence of the semiconductor pellet 4 is not confirmed, that is, the lead frame 2 having a defective shape is not bonded by the wire bonding device 20.

【0042】次に、前記一貫組立ラインにおいて、リー
ドフレーム2に形状の不良が存在する場合の制御方法に
ついて、図2(制御フロー図)を使用し、簡単に説明す
る。
Next, in the integrated assembly line, a control method when the lead frame 2 has a defective shape will be briefly described with reference to FIG. 2 (control flow chart).

【0043】まず、図1に示すフレーム供給部10から
搬送経路11にリードフレーム2を供給する〈31〉。
First, the lead frame 2 is supplied from the frame supply section 10 shown in FIG. 1 to the transfer path 11 <31>.

【0044】次に、搬送経路11に供給されたリードフ
レーム2は、ペレットボンディング装置17に搬送され
る前段において、画像認識用カメラ12で形状が認識さ
れ、フレーム良・否判定回路13で形状の良否が判定さ
れる〈32〉。リードフレーム2の形状が良品と判定さ
れた場合は、アーム駆動制御回路14を通してアーム駆
動源15、真空吸着コレット駆動源16の夫々を駆動
し、リードフレーム2のタブ2Aの表面に半導体ペレッ
ト4を搭載する〈34〉。逆に、リードフレーム2の形
状が不良品と判定された場合は、アーム駆動制御回路1
4にペレットボンディング装置17の動作を停止する信
号を出力し、リードフレーム2のタブ2Aの表面に半導
体ペレット4を搭載しない〈33〉。
Next, the shape of the lead frame 2 supplied to the transfer path 11 is recognized by the image recognition camera 12 before being transferred to the pellet bonding apparatus 17, and the shape is checked by the frame pass / fail judgment circuit 13. The quality is judged <32>. When the shape of the lead frame 2 is determined to be non-defective, each of the arm drive source 15 and the vacuum suction collet drive source 16 is driven through the arm drive control circuit 14, and the semiconductor pellet 4 is attached to the surface of the tab 2A of the lead frame 2. Install it <34>. On the contrary, when the shape of the lead frame 2 is determined to be defective, the arm drive control circuit 1
A signal for stopping the operation of the pellet bonding apparatus 17 is output to the semiconductor chip 4 and the semiconductor pellet 4 is not mounted on the surface of the tab 2A of the lead frame 2 <33>.

【0045】このペレットボンディング装置17での組
立処理が終了すると、次段のワイヤボンディング装置2
0にリードフレーム2を搬送する〈35〉。
When the assembly process in the pellet bonding apparatus 17 is completed, the wire bonding apparatus 2 in the next stage
The lead frame 2 is conveyed to 0 <35>.

【0046】次に、ワイヤボンディング装置20に搬送
される前段において、画像認識用カメラ19でリードフ
レーム2に半導体ペレット4が搭載されているか否かの
認識がなされ、ペレット存・否判定回路21でこの半導
体ペレット4の存否が判定される〈36〉。半導体ペレ
ット4が存在すると判定された場合、ワイヤボンディン
グ装置20でワイヤ5のボンディングが行われ〈3
7〉、次段の組立処理を経て、樹脂封止型半導体装置1
としてフレーム収納部24に搬送される。半導体ペレッ
ト4が存在しないと判定された場合、ワイヤボンディン
グ装置20でワイヤ5のボンディングを行わずに次段の
組立処理へと搬送される。この半導体ペレット4が搭載
されない形状に不良が存在するリードフレーム2は、本
実施例においては、半導体ペレット4の搭載及びワイヤ
5のボンディングを行わないが、樹脂封止体6の成型及
びリードフレーム2の切断成型は行われる。
Next, before being conveyed to the wire bonding apparatus 20, the image recognition camera 19 recognizes whether or not the semiconductor pellet 4 is mounted on the lead frame 2, and the pellet presence / absence determination circuit 21. The presence or absence of this semiconductor pellet 4 is determined <36>. When it is determined that the semiconductor pellet 4 is present, the wire 5 is bonded by the wire bonding device 20 <3.
7>, the resin-sealed semiconductor device 1 through the assembly process of the next stage
Is conveyed to the frame storage section 24. When it is determined that the semiconductor pellet 4 does not exist, the wire 5 is transferred to the next assembly process without bonding the wire 5 by the wire bonding device 20. In this embodiment, the lead frame 2 in which the semiconductor pellet 4 is not mounted has a defect is not mounted with the semiconductor pellet 4 and the wire 5 is bonded thereto, but the molding of the resin sealing body 6 and the lead frame 2 are not performed. Is cut and molded.

【0047】このように、フレーム供給部10から搬送
経路11にリードフレーム2を供給し、この供給された
リードフレーム2に半導体ペレット4を搭載する樹脂封
止型半導体装置1の形成方法において、以下の段階を備
える。(A)前記フレーム供給部10から搬送経路11
に供給された後、半導体ペレット4を搭載する前に、リ
ードフレーム2の形状を認識し、このリードフレーム2
の形状の良否を判定する段階、(B)前記段階(A)に
基づき、リードフレーム2の形状が良品と判定された場
合、搬送経路11で搬送されたリードフレーム2に半導
体ペレット4を搭載し、又リードフレーム2の形状が不
良品と判定された場合、前記リードフレーム2に半導体
ペレット4を搭載しない段階。この構成により、半導体
ペレット4の搭載前に形状に不良が存在するリードフレ
ーム2を認識しかつ判定し、この形状に不良が存在する
リードフレーム2に良品の半導体ペレット4を搭載しな
いので、良品の半導体ペレット4を救済でき(形状に不
良が存在するリードフレーム2に良品の半導体ペレット
4が搭載されると、結果的にこの樹脂封止型半導体装置
1は不良品となる)、樹脂封止型半導体装置1の組立プ
ロセス上の歩留りを向上できる。
As described above, in the method of forming the resin-sealed semiconductor device 1 in which the lead frame 2 is supplied from the frame supply unit 10 to the transport path 11 and the semiconductor pellets 4 are mounted on the supplied lead frame 2, With the stages of. (A) Transport path 11 from the frame supply unit 10
Of the lead frame 2 after being supplied to the lead frame 2 before the semiconductor pellet 4 is mounted.
(B) Based on the step (A), when the shape of the lead frame 2 is judged to be non-defective, the semiconductor pellets 4 are mounted on the lead frame 2 transferred on the transfer path 11. If the lead frame 2 is determined to be defective, the semiconductor pellet 4 is not mounted on the lead frame 2. With this configuration, the lead frame 2 having a defective shape is recognized and determined before the semiconductor pellet 4 is mounted, and the good semiconductor pellet 4 is not mounted on the lead frame 2 having a defective shape. The semiconductor pellet 4 can be repaired (if a good semiconductor pellet 4 is mounted on the lead frame 2 having a defective shape, the resin-sealed semiconductor device 1 becomes a defective product as a result). The yield in the assembly process of the semiconductor device 1 can be improved.

【0048】また、フレーム供給部10から搬送経路に
リードフレーム2を供給し、この供給されたリードフレ
ーム2に半導体ペレット4を搭載し、この半導体ペレッ
ト4の外部端子とリードフレーム2の内部リード2Bと
の間をワイヤ5で電気的に接続する樹脂封止型半導体装
置1の形成方法において、前記段階(A)、段階(B)
の夫々の後に以下の段階を備える。(C)前記段階
(B)の後に、リードフレーム2に半導体ペレット4が
搭載されているか否かを認識し、半導体ペレット4の存
否を判定する段階、(D)前記段階(C)に基づき、リ
ードフレーム2に半導体ペレット4が搭載されていると
判定された場合、半導体ペレット4の外部端子とリード
フレーム2の内部リード2Bとの間をワイヤ5で接続
し、又リードフレーム2に半導体ペレット4が搭載され
ていないと判定された場合、半導体ペレット4の外部端
子とリードフレーム2の内部リード2Bとの間をワイヤ
5で接続しない段階。この構成により、前記作用効果
(1)の他に、半導体ペレット4の外部端子とリードフ
レーム2の内部リード2Bとの間をワイヤ5で接続する
前にリードフレーム2の半導体ペレット4の存否を認識
しかつ判定し、半導体ペレット4が存在しない場合にワ
イヤ5を接続しないので、ワイヤ5のボンディング不良
を予じめ防止し(半導体ペレット4が存在しない場合、
リードフレーム2の形状に不良が存在しており、ボンデ
ィング不良が発生するので、結果的にこの樹脂封止型半
導体装置1は不良品となる)、半導体装置の組立プロセ
ス上の歩留りを向上できる。
Further, the lead frame 2 is supplied from the frame supply unit 10 to the conveying path, the semiconductor pellets 4 are mounted on the supplied lead frames 2, and the external terminals of the semiconductor pellets 4 and the internal leads 2B of the lead frame 2 are mounted. In the method of forming the resin-encapsulated semiconductor device 1 in which the wire 5 and the wire are electrically connected to each other, the steps (A) and (B)
After each of the following steps are provided. (C) after the step (B), recognizing whether or not the semiconductor pellet 4 is mounted on the lead frame 2 and determining the presence or absence of the semiconductor pellet 4, (D) based on the step (C), When it is determined that the semiconductor pellet 4 is mounted on the lead frame 2, the external terminal of the semiconductor pellet 4 and the internal lead 2B of the lead frame 2 are connected by the wire 5, and the semiconductor pellet 4 is attached to the lead frame 2. When it is determined that the semiconductor chip 4 is not mounted, the step of not connecting the external terminal of the semiconductor pellet 4 and the internal lead 2B of the lead frame 2 with the wire 5. With this configuration, in addition to the action and effect (1), the presence or absence of the semiconductor pellet 4 of the lead frame 2 is recognized before connecting the external terminal of the semiconductor pellet 4 and the internal lead 2B of the lead frame 2 with the wire 5. If the semiconductor pellet 4 does not exist, the wire 5 is not connected. Therefore, a defective bonding of the wire 5 is prevented in advance (when the semiconductor pellet 4 does not exist,
Since there is a defect in the shape of the lead frame 2 and a bonding defect occurs, as a result, the resin-sealed semiconductor device 1 becomes a defective product), the yield in the assembly process of the semiconductor device can be improved.

【0049】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
The inventions made by the present inventors are as follows.
Although the specific description has been given based on the above-mentioned embodiment, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and needless to say, various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

【0050】例えば、本発明は、前記実施例において、
フレーム供給部10とフレーム収納部24との間に、ペ
レットボンディング装置17及びワイヤボンディング装
置20が配置された、若しくはそれに併せてトランスフ
ァモールド装置22が配置された一貫組立ラインに適用
してもよい。
For example, according to the present invention, in the above-mentioned embodiment,
The present invention may be applied to an integrated assembly line in which the pellet bonding device 17 and the wire bonding device 20 are arranged between the frame supply unit 10 and the frame housing unit 24, or the transfer molding device 22 is arranged accordingly.

【0051】また、本発明は、樹脂基板の表面にプレス
加工で形成されたリード配線を配置する配線技術に適用
できる。
Further, the present invention can be applied to a wiring technique for arranging lead wires formed by pressing on the surface of a resin substrate.

【0052】[0052]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in this application will be briefly described as follows.

【0053】半導体装置の形成方法において、形成プロ
セス上の歩留りを向上できる。
In the method of forming a semiconductor device, the yield in the forming process can be improved.

【0054】半導体装置の形成方法において、良品の半
導体ペレットを救済できる。
In the method of forming a semiconductor device, a good semiconductor pellet can be rescued.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の一実施例である一貫組立ラインのシ
ステム構成図。
FIG. 1 is a system configuration diagram of an integrated assembly line that is an embodiment of the present invention.

【図2】 一貫組立ラインの制御フロー図。FIG. 2 is a control flow diagram of an integrated assembly line.

【図3】 樹脂封止型半導体装置の断面図。FIG. 3 is a sectional view of a resin-sealed semiconductor device.

【図4】 不良フレームの要部斜視図。FIG. 4 is a perspective view of a main part of a defective frame.

【図5】 不良フレームの要部側面図。FIG. 5 is a side view of a main part of the defective frame.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…樹脂封止型半導体装置、2…リードフレーム、2A
…タブ、2B…内部リード、2C…外部リード、4…半
導体ペレット、5…ワイヤ、6…樹脂封止体、10…供
給部、12,19…画像認識用カメラ、11,25,2
6,27…搬送経路、17…ペレットボンディング装
置、20…ワイヤボンディング装置、22…トランスフ
ァモールド装置、23…フレーム切断成型装置、24…
収納部、13,21…判定回路。
1 ... Resin-sealed semiconductor device, 2 ... Lead frame, 2A
... tab, 2B ... internal lead, 2C ... external lead, 4 ... semiconductor pellet, 5 ... wire, 6 ... resin encapsulant, 10 ... supply section, 12, 19 ... image recognition cameras 11, 25, 2
6, 27 ... Transport path, 17 ... Pellet bonding apparatus, 20 ... Wire bonding apparatus, 22 ... Transfer molding apparatus, 23 ... Frame cutting molding apparatus, 24 ...
Storage unit, 13, 21 ... Judgment circuit.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フレーム供給部から搬送経路にリードフ
レームを供給し、この供給されたリードフレームに半導
体ペレットを搭載する半導体装置の形成方法において、
以下の段階(A)及び段階(B)を備える。 (A)前記フレーム供給部から搬送経路に供給された
後、半導体ペレットを搭載する前に、リードフレームの
形状を認識し、このリードフレームの形状の良否を判定
する段階、 (B)前記段階(A)に基づき、リードフレームの形状
が良品と判定された場合、搬送経路で搬送されたリード
フレームに半導体ペレットを搭載し、又リードフレーム
の形状が不良品と判定された場合、前記リードフレーム
に半導体ペレットを搭載しない段階。
1. A method of forming a semiconductor device, wherein a lead frame is supplied from a frame supply unit to a conveyance path, and a semiconductor pellet is mounted on the supplied lead frame,
The following steps (A) and (B) are provided. (A) A step of recognizing the shape of the lead frame after being supplied from the frame supply section to the transport path and before mounting the semiconductor pellets, and determining whether or not the shape of the lead frame is good, (B) The step ( If the shape of the lead frame is determined to be non-defective based on A), the semiconductor pellets are mounted on the lead frame transported on the transport path, and if the shape of the lead frame is determined to be defective, the lead frame is Stage without mounting semiconductor pellets.
【請求項2】 フレーム供給部から搬送経路にリードフ
レームを供給し、この供給されたリードフレームに半導
体ペレットを搭載し、この半導体ペレットの外部端子と
リードフレームの内部リードとの間をワイヤで電気的に
接続する半導体装置の形成方法において、以下の段階
(A)乃至段階(D)を備える。 (A)前記フレーム供給部から搬送経路に供給された
後、半導体ペレットを搭載する前に、リードフレームの
形状を認識し、このリードフレームの形状の良否を判定
する段階、 (B)前記段階(A)に基づき、リードフレームの形状
が良品と判定された場合、搬送経路で搬送されたリード
フレームに半導体ペレットを搭載し、又リードフレーム
の形状が不良品と判定された場合、前記リードフレーム
に半導体ペレットを搭載しない段階、 (C)前記段階(B)の後に、リードフレームに半導体
ペレットが搭載されているか否かを認識し、半導体ペレ
ットの存否を判定する段階、 (D)前記段階(C)に基づき、リードフレームに半導
体ペレットが搭載されていると判定された場合、半導体
ペレットの外部端子とリードフレームの内部リードとの
間をワイヤで接続し、又リードフレームに半導体ペレッ
トが搭載されていないと判定された場合、半導体ペレッ
トの外部端子とリードフレームの内部リードとの間をワ
イヤで接続しない段階。
2. A lead frame is supplied from a frame supply section to a conveyance path, a semiconductor pellet is mounted on the supplied lead frame, and a wire is electrically connected between an external terminal of the semiconductor pellet and an internal lead of the lead frame. In the method for forming a semiconductor device that is electrically connected, the following steps (A) to (D) are provided. (A) A step of recognizing the shape of the lead frame after being supplied from the frame supply section to the transport path and before mounting the semiconductor pellets, and determining whether or not the shape of the lead frame is good, (B) The step ( If the shape of the lead frame is determined to be non-defective based on A), the semiconductor pellets are mounted on the lead frame transported on the transport path, and if the shape of the lead frame is determined to be defective, the lead frame is A step of not mounting a semiconductor pellet, (C) a step of recognizing whether or not a semiconductor pellet is mounted on a lead frame and determining the presence or absence of a semiconductor pellet after the step (B), (D) the step (C) ), It is determined that the semiconductor pellet is mounted on the lead frame, the external terminal of the semiconductor pellet and the internal lead of the lead frame. Between the connecting wire, and when the semiconductor pellet is determined not to be mounted on the lead frame, the step is not connected by wires between the external terminal and the internal lead of the lead frame of the semiconductor pellet.
JP3318155A 1991-12-02 1991-12-02 Forming method of semiconductor device Pending JPH05160222A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3318155A JPH05160222A (en) 1991-12-02 1991-12-02 Forming method of semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3318155A JPH05160222A (en) 1991-12-02 1991-12-02 Forming method of semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05160222A true JPH05160222A (en) 1993-06-25

Family

ID=18096103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3318155A Pending JPH05160222A (en) 1991-12-02 1991-12-02 Forming method of semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05160222A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100220154B1 (en) Method manufacture of semiconductor package
JP3007023B2 (en) Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same
US8314493B2 (en) Method for manufacturing a package-on-package type semiconductor device
JP4097403B2 (en) Semiconductor device
JP2811613B2 (en) Manufacturing method and apparatus for electronic components
US6326238B1 (en) Die paddle clamping method for wire bond enhancement
JPH10163405A (en) Integrated circuit package, wafer contained in package and method for wafer level package processing
US20050009237A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus used in it
JPH10506361A (en) Method and apparatus for transferring lead frames and in-line system using the method and apparatus
JP2003332542A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3893624B2 (en) Semiconductor device substrate, lead frame, semiconductor device and manufacturing method thereof, circuit board, and electronic apparatus
US7781259B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor using a rigid substrate
US7332804B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US20080067643A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US5196992A (en) Resin sealing type semiconductor device in which a very small semiconductor chip is sealed in package with resin
JPH03250756A (en) Outer lead molding process of semiconductor element
JPH05160222A (en) Forming method of semiconductor device
JP2008270278A (en) Semiconductor manufacturing apparatus, and manufacturing method of semiconductor device
US20020048846A1 (en) Die paddle clamping method for wire bond enhancement
JP2002031603A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JPH10116953A (en) Lead frame and semiconductor device using the same
JPS59139639A (en) Manufacturing device for semiconductor
JP2007081232A (en) Method for manufacturing semiconductor device
JPH0730043A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
KR100244270B1 (en) method for fabricating semiconductor chip package