JPH05158246A - Method for developing photosensitive resist - Google Patents
Method for developing photosensitive resistInfo
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- JPH05158246A JPH05158246A JP32462491A JP32462491A JPH05158246A JP H05158246 A JPH05158246 A JP H05158246A JP 32462491 A JP32462491 A JP 32462491A JP 32462491 A JP32462491 A JP 32462491A JP H05158246 A JPH05158246 A JP H05158246A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、感光性レジストの現像
方法に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method for developing a photosensitive resist.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の感光性レジストの現像方法として
は、現像液を加圧してノズルより噴射させ霧状にしてレ
ジスト表面に散布して現像する所謂スプレー現像、或い
は現像液を小穴よりレジスト表面に滴下した後、基板を
回転させてレジスト全体に現像液を広げる所謂滴下回転
式等の方法がある。2. Description of the Related Art As a conventional method for developing a photosensitive resist, so-called spray development is used, in which a developing solution is pressurized and sprayed from a nozzle to be atomized to be sprayed on the resist surface, or a developing solution is applied through a small hole to the resist surface. There is a method of so-called dropping rotation method or the like in which the substrate is rotated and the developing solution is spread over the entire resist after the dropping.
【0003】その他所謂ディップ式、超音波式等の方式
もある。There are other types such as so-called dip type and ultrasonic type.
【0004】上記のうち、特にレジストの厚さ(レジス
ト厚)が厚い場合には、現像液で溶解される部分の深さ
方向への現像の侵入が必要であるため、スプレー式が優
れている。Of the above, particularly when the resist thickness (resist thickness) is large, it is necessary to intrude the development in the depth direction of the portion dissolved by the developing solution, and therefore the spray method is superior. ..
【0005】また、該スプレー式は、コンベア搬送等で
連続現像、洗浄等が可能で自動化し易く、現像の均一性
が高いため、レジスト厚の厚い所謂ドライフィルム等の
厚膜の現像には、スプレー式が主流を占めている。Further, the spray type is capable of continuous development, washing, etc. by conveyor conveyance and the like, is easy to automate, and has high uniformity of development. Therefore, for developing a thick film such as a so-called dry film having a large resist thickness, The spray type is the mainstream.
【0006】一方、レジスト厚が薄い場合には、滴下回
転式が主に用いられている。On the other hand, when the resist thickness is thin, the dropping rotation type is mainly used.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スプレ
ー式或いは滴下回転式の現像方法では、現像液の飛沫が
多量に発生し、レジストの積層された基板が現像室に入
る前に、該レジスト表面に前記現像液の飛沫が飛来し、
現像液の小滴となり、それがレジスト表面に長時間滞留
して、レジスト表面の溶解されない部分(現像後にパタ
ーンとして残る部分)に微小な凹状の丸い“くぼみ”が
発生する。However, in the spray-type or drop-rotation type developing method, a large amount of developer droplets are generated, and the resist-laminated substrate is applied to the surface of the resist before it enters the developing chamber. The developer splashes,
It becomes a small droplet of the developing solution, which stays on the resist surface for a long time, and minute concave round “dents” are generated in the undissolved portion of the resist surface (the portion that remains as a pattern after development).
【0008】これは、前記現像液の小滴が、僅かではあ
るが、レジストの非溶解部も溶解するためで、通常エッ
チングレジストとして、該レジストを用いる場合、特に
問題とはならないが、該レジストを型材として用いる場
合、例えばインクジェット等のノズルの型材等として用
いる場合、レジスト表面の微小なくぼみもインクの吐出
性能に大きな影響を与えるので問題となる。This is because the small droplets of the developing solution dissolves the non-dissolved portion of the resist, although a small amount thereof. Therefore, when the resist is used as an etching resist, there is no particular problem, but the resist is not particularly problematic. When used as a mold material, for example, as a mold material for a nozzle of an ink jet or the like, minute depressions on the resist surface also pose a problem because they greatly affect the ink ejection performance.
【0009】なお、このような、該レジストを型材と
し、インクジェットを製造するための手段として本出願
人は特開昭62−253457で提案している。The applicant of the present invention has proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 253457/1987 as means for manufacturing an ink jet using the resist as a mold material.
【0010】本発明の目的は、レジスト表面上に生じる
微小なくぼみの発生を防止する感光性レジストの現像方
法を提供することにある。An object of the present invention is to provide a method for developing a photosensitive resist which prevents the generation of minute depressions on the resist surface.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明は、スプレー式或
いは滴下回転式の感光性レジストの現像において、感光
性レジストの現像工程の前に該感光性レジストの表面に
保護層を付与することを特徴としている。またその保護
層が水を主成分とする液体であったり、保護層中に界面
活性剤を含む特徴を有している。SUMMARY OF THE INVENTION In the development of a spray-type or dropping-rotation type photosensitive resist, the present invention provides a protective layer on the surface of the photosensitive resist before the developing step of the photosensitive resist. It has a feature. Further, the protective layer is a liquid containing water as a main component, or the protective layer contains a surfactant.
【0012】この手段により現像液の飛沫によるレジス
ト表面のくぼみを防止することができるので、表面が平
滑で精度のよいレリーフ像が得られる。また、安価で簡
単に保護層を付与できるし、レジスト表面に欠陥なくす
ばやく保護層を設けることが可能である。By this means, it is possible to prevent the depression of the resist surface due to the splash of the developing solution, so that a relief image with a smooth surface can be obtained with high accuracy. Further, the protective layer can be easily applied at a low cost, and the protective layer can be quickly provided on the resist surface without any defects.
【0013】[0013]
【実施例】以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
【0014】図1〜図9は、本発明の基本的な態様を説
明するための模式図である。1 to 9 are schematic diagrams for explaining the basic mode of the present invention.
【0015】図1は露光後のレジスト表面に付与した保
護層上に現像液の飛沫が付着した図である。FIG. 1 is a diagram in which droplets of a developing solution adhere to the protective layer provided on the resist surface after exposure.
【0016】図2は、ガラス、シリコン、セラミック
ス、プラスチックス或いは金属等から成る基板1上に感
光性レジスト層2を積層したところを表わす模式図であ
る。FIG. 2 is a schematic view showing a photosensitive resist layer 2 laminated on a substrate 1 made of glass, silicon, ceramics, plastics, metal or the like.
【0017】ここで使用される感光性レジストは、液
状、ドライフィルム状或いはネガ型、ポジ型等特に限定
されるものではないが、型材として用いるレジスト、例
えばポジ型ドライフィルム(OZATEC R225ヘ
キストジャパン(株))について説明する。The photosensitive resist used here is not particularly limited to liquid, dry film, negative type, positive type, etc., but a resist used as a mold material, for example, a positive type dry film (OZATEC R225 Hoechst Japan ( Ltd.)).
【0018】前述のようなポジ型のドライフィルムを積
層する方法としては、予め加熱された基板上にヒートロ
ールで熱圧着する所謂ラミネート方式が用いられる。As a method for laminating the positive type dry film as described above, there is used a so-called laminating method in which a preheated substrate is subjected to thermocompression bonding with a heat roll.
【0019】次に図3は、該感光性レジスト層2に所望
の形状のパターンを焼きつけるため、フォトマスク3上
から紫外線を照射した図である。Next, FIG. 3 is a diagram in which ultraviolet rays are irradiated from above the photomask 3 in order to print a pattern of a desired shape on the photosensitive resist layer 2.
【0020】例えば、前述のポジ型ドライフィルムレジ
スト(厚さ25μm)の場合、25mJ/cm2 〜30
0mJ/cm2 の紫外線をマスクアライナー等により、
ポジ型ドライフィルム上に照射する。For example, in the case of the above-mentioned positive type dry film resist (thickness: 25 μm), 25 mJ / cm 2 to 30
UV rays of 0 mJ / cm 2 are applied by mask aligner etc.
Irradiate on a positive dry film.
【0021】ここで21は、フォトマスクにより遮光さ
れ露光されていない部分、22は露光されている部分を
表わしている。Reference numeral 21 denotes a portion which is shielded by the photomask and is not exposed, and 22 denotes an exposed portion.
【0022】次に、図4は、本実施例に用いられる一般
的なスプレー式現像装置の模式的概略図である。Next, FIG. 4 is a schematic diagram of a general spray type developing apparatus used in this embodiment.
【0023】該現像装置は、ローダーからアンローダー
までコンベア等の搬送手段を有し、連続的にレジストが
積層された基板を現像できるようになっている。The developing device has a conveying means such as a conveyor from the loader to the unloader, and can develop a substrate on which resists are continuously laminated.
【0024】本現像装置による現像工程の概略を説明す
ると、まず、ローダー部(a)より搬出された基板は、
予備室(b)を経て現像室(c)に搬入される。To explain the outline of the developing process by the present developing device, first, the substrate carried out from the loader section (a) is
It is carried into the developing chamber (c) through the preliminary chamber (b).
【0025】現像室(c)内には、現像液を加圧し、基
板上に霧状に現像液を散布せしめる多数のノズルが多段
にわたって設けられている。続いて、リンス室(d)及
び水洗室(e),(f)には、現像室(c)と同様の加
圧手段とノズルが設けられており、それぞれリンス液及
び水洗水が、基板上に散布せしめられるような機能を有
している。In the developing chamber (c), a large number of nozzles for applying the developing solution to spray the developing solution in a mist state on the substrate are provided in multiple stages. Subsequently, the rinsing chamber (d) and the rinsing chambers (e) and (f) are provided with the same pressurizing means and nozzles as those in the developing chamber (c). It has the function of being sprayed on.
【0026】さらに、乾燥室(g)には、所謂エアナイ
フ、或いはスピンナー等による水切り手段を有してお
り、水洗水を乾燥された基板はアンローダー部(h)に
収納されるような構造となっている。Furthermore, the drying chamber (g) has a draining means such as a so-called air knife or a spinner, and the structure in which the substrate dried by washing water is stored in the unloader section (h). Is becoming
【0027】例えば、前述のポジ型ドライフィルム(厚
さ25μm)の場合、パターンの形状、寸法等により異
なるが概ね下記のような条件により現像される。For example, in the case of the above-mentioned positive type dry film (thickness: 25 μm), the development is performed under the following conditions, although it varies depending on the shape and size of the pattern.
【0028】 現像液 1%(w/v)苛性ソーダ水溶液 ここに、wは重量(g)、Vは容量(l)。1%(w/
v) は1l中に10gの水溶液である。Developer 1% (w / v) aqueous caustic soda solution w is weight (g), and V is volume (l). 1% (w /
v) is an aqueous solution of 10 g in 1 l.
【0029】 リンス液 0.5%苛性ソーダ水溶液 スプレー圧力 0.5kg/cm2〜3kg/cm2 現像時間 30秒〜3分 リンス時間 30秒〜3分 水洗 30秒〜9分 図5は、従来例で、現像液の飛沫4が付着した図であ
り、前述のような現像をする際にローダー部(a)を搬
出された基板が予備室(b)を通過する際に現像室
(c)のノズルから散布せしめられた現像液の飛沫4
が、予備室(b)にも飛来し基板1上に積層されたレジ
スト2上に付着した図である。Rinsing solution 0.5% aqueous caustic soda solution Spray pressure 0.5 kg / cm 2 to 3 kg / cm 2 Development time 30 seconds to 3 minutes Rinse time 30 seconds to 3 minutes Water washing 30 seconds to 9 minutes FIG. FIG. 4 is a diagram in which the droplets 4 of the developing solution are attached, and when the substrate discharged from the loader section (a) during the above-described development passes through the preliminary chamber (b), Developer droplets sprayed from the nozzle 4
FIG. 6 is a diagram in which the resist 2 has also come to the preliminary chamber (b) and has been attached to the resist 2 laminated on the substrate 1.
【0030】前述のように付着した現像液の飛沫4は、
レジストの露光された部分22はもちろん溶解するが、
レジストの露光されていない部分21もわずかであるが
溶解する作用があるため、露光されていない部分21の
飛沫4が付着した部分のみ他の露光されていない部分で
飛沫の付着しなかった部分に比べて僅かに多く膜減り
し、現像後に残ったパターン上に凹状の丸いくぼみ23
が発生する。この様態を表わしたものが図6である。The droplet 4 of the developing solution attached as described above is
The exposed portion 22 of the resist will of course dissolve,
Since the unexposed portion 21 of the resist also has a slight dissolving effect, only the portion of the unexposed portion 21 to which the droplets 4 have adhered can be applied to other unexposed portions where droplets have not adhered. Compared to the pattern left after the development, the film is slightly thinned, and the concave round depression 23 is formed on the pattern.
Occurs. FIG. 6 shows this mode.
【0031】通常該くぼみの大きさは、飛沫の大きさに
依存し、5〜200μm程度であり、深さは約0.2〜
2μm程度である。このようなパターン上のくぼみは、
該レジストをエッチングレジストとして使用する上で
は、大きな障害とならない場合が多いが、該レジストを
型材として用いる場合、レジスト表面のくぼみが注型材
側に転写され所望の形状が得られず問題となる場合があ
る。Usually, the size of the depression depends on the size of the droplet and is about 5 to 200 μm, and the depth is about 0.2 to.
It is about 2 μm. The depressions on such a pattern are
When the resist is used as an etching resist, it often does not cause a big obstacle, but when the resist is used as a mold material, a dent on the resist surface is transferred to the casting material side and a desired shape cannot be obtained, which causes a problem. There is.
【0032】本発明は、以上述べたような現像液の飛沫
によるレジスト2上の微小なくぼみを解決する手段とし
て、図7に示すように、現像前に該現像液の飛沫に対す
る保護層5を付与することである。In the present invention, as a means for solving the minute depressions on the resist 2 due to the above-mentioned droplets of the developing solution, as shown in FIG. 7, a protective layer 5 against the droplets of the developing solution is provided before the development. It is to give.
【0033】図1に示すようにレジスト上に付与された
保護層5により、レジスト2と現像液の飛沫4は完全に
遮断されるか、或いは現像液の飛沫が保護層5中に拡散
され、その溶解力を減失せしめられ、前述のようなレジ
スト2上のくぼみ23が発生しない。As shown in FIG. 1, the protective layer 5 applied on the resist completely shuts off the resist 2 and the developer droplets 4, or the developer droplets are diffused into the protective layer 5. The dissolving power is reduced, and the depressions 23 on the resist 2 as described above do not occur.
【0034】さらに、該保護層5に水或いは水を主成分
とする液体を用いることにより、該レジスト2の表面状
態を変えることなく、かつ、現像工程で容易に排除する
ことが可能となり、安価で簡単にレジスト2表面のくぼ
み23を防ぐことが可能である。Further, by using water or a liquid containing water as a main component for the protective layer 5, it becomes possible to remove the resist 2 without changing the surface condition thereof and easily in the developing step, which is inexpensive. Thus, it is possible to easily prevent the depression 23 on the surface of the resist 2.
【0035】また、該保護層5に微量の界面活性剤を添
加することにより、レジスト2表面上にすばやく欠陥な
く広がり該保護層5としての機能を発揮する。Further, by adding a trace amount of the surfactant to the protective layer 5, the protective layer 5 spreads quickly and without any defects on the surface of the resist 2 and exhibits the function as the protective layer 5.
【0036】具体的実施例としては、図4に説明したロ
ーダー部(a)から予備室(b)に基板1が搬出される
際に、界面活性剤例えば界面活性剤サーフィノール44
0(日信化学(株)製)0.5%を含有する純水を基板
1を搬送させながら直径0.1〜3mm程度の穴が多数
配置された管からレジスト2上に滴下し、レジスト表面
全域に付与することにより該現像液の飛沫が付着しても
前記界面活性剤を含有する純水中に拡散してしまい、レ
ジスト2の露光されていない部分を溶解する作用はなく
なり、レジスト上のくぼみを防止することができる。As a concrete example, when the substrate 1 is unloaded from the loader section (a) shown in FIG. 4 to the preliminary chamber (b), a surfactant such as the surfactant Surfynol 44 is used.
Pure water containing 0% (manufactured by Nisshin Chemical Co., Ltd.) is dropped onto the resist 2 from a tube in which a large number of holes having a diameter of about 0.1 to 3 mm are arranged while the substrate 1 is transported. By applying it to the entire surface, even if the droplets of the developing solution are attached, they diffuse into the pure water containing the surfactant, and the effect of dissolving the unexposed portion of the resist 2 disappears. The depression can be prevented.
【0037】次に上述のように予め付与された保護層5
は、現像室(c)に入った後、図8に示すように現像液
のシャワーにより簡単に洗い流され現像が開始される。Next, the protective layer 5 previously applied as described above.
After entering the developing chamber (c), the developing solution is easily washed away by a shower of developing solution as shown in FIG. 8 to start development.
【0038】図9は現像液によりレジスト2の露光され
た部分22が溶解されレジスト2の露光されない部分2
1が残った図である。いうまでもなく残ったレジスト2
1の表面には、微小なくぼみは存在しない。In FIG. 9, the exposed portion 22 of the resist 2 is dissolved by the developer and the unexposed portion 2 of the resist 2 is dissolved.
It is the figure where 1 remained. Needless to say, the remaining resist 2
No fine dents exist on the surface of No. 1.
【0039】しかる後、基板1は、リンス及び水洗、水
切りを終えて、現像が完了する。Thereafter, the substrate 1 is rinsed, washed with water, and drained to complete the development.
【0040】なお、前述の実施例においては感光性レジ
ストとしてポジ型ドライフィルムを用いたが、必ずしも
ポジ型ドライフィルムに限定されるものではなく、ネガ
型ドライフィルム或いはポジ型液状レジスト、ネガ型液
状レジスト等の現像にも有効である。Although a positive type dry film is used as the photosensitive resist in the above-mentioned embodiments, it is not necessarily limited to the positive type dry film, and a negative type dry film or a positive type liquid resist or a negative type liquid film is used. It is also effective for developing resists and the like.
【0041】また、レジストの用途としては、型材とし
て使用する場合に限らず、例えばインクジェットの流路
のノズル壁を構成する構造材として使用するような場合
も、レジスト表面のくぼみが問題となり本発明による現
像法が有効である。Further, the use of the resist is not limited to the case of being used as a mold material, but also when it is used as a structural material constituting the nozzle wall of an ink jet channel, for example, the depression of the resist surface causes a problem. Is effective.
【0042】また、前述の実施例のような水溶性のレジ
ストのみではなく、溶剤現像型のレジストの場合も、適
当な保護液を選ぶことにより、本発明の現像法が可能で
ある。Further, not only the water-soluble resist as in the above-mentioned embodiment but also the solvent-developing type resist, the developing method of the present invention can be carried out by selecting an appropriate protective solution.
【0043】例えば、溶剤現像型のネガ型ドライフィル
ムの場合、通常現像液は1−1−1トリクロルエタンが
使用されるが、この場合、水の他にアルコール、グリコ
ール類等の使用が可能である。For example, in the case of a solvent-developing negative dry film, 1-1-1 trichloroethane is usually used as the developing solution. In this case, alcohol, glycols, etc. can be used in addition to water. is there.
【0044】さらに、保護層としては、液体に限る必要
はなく、レジストを溶解せず現像液のスプレーの衝撃等
により容易に排除可能なものであれば、樹脂等の被膜等
でも可能である。Further, the protective layer is not limited to a liquid, and a resin film or the like may be used as long as it does not dissolve the resist and can be easily removed by the impact of the spray of the developing solution.
【0045】また、前述の実施例では、現像方式にスプ
レー式を用いたが滴下回転式の場合も、基板を回転させ
た際の現像液の飛沫が現像室(c)の前にある基板レジ
スト上に付着し、前述のスプレー式と同様なレジスト上
のくぼみが発生するため本発明による現像方法が有効で
ある。Further, in the above-mentioned embodiment, the spray method was used as the developing method, but also in the case of the dropping rotation method, the droplets of the developing solution when the substrate is rotated have the substrate resist in front of the developing chamber (c). The developing method according to the present invention is effective because it is deposited on the surface of the resist and causes depressions on the resist similar to those of the spray method described above.
【0046】[0046]
【発明の効果】以上述べたように、本発明の感光性レジ
ストの現像方法はスプレー式或いは滴下回転式の現像法
において、感光性レジストの現像工程の前に該感光性レ
ジストの表面に保護層を付与するので、現像液の飛沫に
よるレジスト表面のくぼみを防止でき、表面が平滑で精
度のよいレリーフ像が得られる効果がある。As described above, the developing method of the photosensitive resist of the present invention is a spray type or dropping rotary type developing method, and a protective layer is formed on the surface of the photosensitive resist before the developing step of the photosensitive resist. As a result, the depression of the resist surface due to the splash of the developing solution can be prevented, and the relief image can be obtained with a smooth surface and high accuracy.
【0047】また、前記保護層に水を主成分とする液体
を用いることにより、安価で簡単に保護層を付与でき
る。By using a liquid containing water as a main component for the protective layer, the protective layer can be easily provided at a low cost.
【0048】また、前記保護層中に界面活性剤を含有さ
せることにより、レジスト表面に欠陥なくすばやく保護
層を設けることが可能である。By containing a surfactant in the protective layer, it is possible to quickly form the protective layer on the resist surface without any defects.
【図1】露光後のレジスト表面に付与した保護層上に現
像液の飛沫が付着した図である。FIG. 1 is a diagram in which droplets of a developing solution adhere to a protective layer provided on a resist surface after exposure.
【図2】基板に感光性レジストが積層された模式図であ
る。FIG. 2 is a schematic diagram in which a photosensitive resist is laminated on a substrate.
【図3】感光性レジストにパターンの露光を行っている
模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram in which a photosensitive resist is subjected to pattern exposure.
【図4】現像装置概略模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram of a developing device.
【図5】従来例で、現像液の飛沫が付着した図である。FIG. 5 is a diagram in which droplets of a developer are attached in a conventional example.
【図6】従来例で、現像後にレジスト表面にくぼみが発
生した図である。FIG. 6 is a diagram showing a dent formed on a resist surface after development in a conventional example.
【図7】本発明おける保護層を付与した図である。FIG. 7 is a view in which a protective layer according to the present invention is provided.
【図8】本発明における現像を表わす模式図である。FIG. 8 is a schematic view showing development in the present invention.
【図9】本発明における現像が完了しレジストパターン
が残った図である。FIG. 9 is a diagram in which development in the present invention is completed and a resist pattern remains.
1 基板 2 感光性レジスト 3 フォトマスク 4 現像液の飛沫 5 保護層 1 substrate 2 photosensitive resist 3 photomask 4 developer splash 5 protective layer
Claims (3)
ジストの現像において、感光性レジストの現像工程の前
に該感光性レジストの表面に保護層を付与することを特
徴とする感光性レジストの現像方法。1. Development of a photosensitive resist of spray type or dropping rotary type, characterized in that a protective layer is provided on the surface of said photosensitive resist before the developing step of the photosensitive resist. Method.
体であることを特徴とする請求項1の感光性レジストの
現像方法。2. The method of developing a photosensitive resist according to claim 1, wherein the protective layer is a liquid containing water as a main component.
徴とする請求項1または請求項2の感光性レジストの現
像方法。3. The method for developing a photosensitive resist according to claim 1 or 2, wherein the protective layer contains a surfactant.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32462491A JPH05158246A (en) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | Method for developing photosensitive resist |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32462491A JPH05158246A (en) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | Method for developing photosensitive resist |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05158246A true JPH05158246A (en) | 1993-06-25 |
Family
ID=18167899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32462491A Pending JPH05158246A (en) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | Method for developing photosensitive resist |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05158246A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6400161B1 (en) * | 2017-08-08 | 2018-10-03 | キヤノン株式会社 | Film forming method, dry film manufacturing method, and liquid discharge head manufacturing method |
-
1991
- 1991-12-09 JP JP32462491A patent/JPH05158246A/en active Pending
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JP2019033171A (en) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | キヤノン株式会社 | Deposition method, manufacturing method of dry film, and manufacturing method of liquid discharge head |
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