JPH05152803A - Dielectric filter - Google Patents
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- JPH05152803A JPH05152803A JP31789291A JP31789291A JPH05152803A JP H05152803 A JPH05152803 A JP H05152803A JP 31789291 A JP31789291 A JP 31789291A JP 31789291 A JP31789291 A JP 31789291A JP H05152803 A JPH05152803 A JP H05152803A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば各種の無線機
器、電子機器等に使用される誘電体フィルタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric filter used in, for example, various wireless devices, electronic devices and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図９は従来の誘電体フィルタを示した図
であり、Ａは表側から見た斜視図、Ｂは裏側から見た斜
視図である。2. Description of the Related Art FIGS. 9A and 9B are views showing a conventional dielectric filter, in which A is a perspective view seen from the front side and B is a perspective view seen from the back side.
【０００３】図中、１は誘電体フィルタ、２は誘電体、
３は貫通孔、４は共振導体、５はＧＮＤ電極、６は溝を
示す。従来の誘電体フィルタの１例を図９に示す。この
誘電体フィルタは、バンドパスフィルタの例であり、複
数の１／４波長共振導体を具備している。そして、前記
の共振導体は、それぞれ共振器を構成している。In the figure, 1 is a dielectric filter, 2 is a dielectric,
3 is a through hole, 4 is a resonance conductor, 5 is a GND electrode, and 6 is a groove. FIG. 9 shows an example of a conventional dielectric filter. This dielectric filter is an example of a bandpass filter and includes a plurality of quarter-wave resonant conductors. And the said resonance conductor each comprises the resonator.
【０００４】図示のように、誘電体フィルタ１は、誘電
体２と、誘電体２に設けた複数個の貫通孔３と、貫通孔
３の内周面に設けた共振導体４と、誘電体２の一面（共
振導体４のある面）を除き、他の全ての外周面に設けた
ＧＮＤ電極５等で構成されている。As shown in the figure, the dielectric filter 1 includes a dielectric 2, a plurality of through holes 3 provided in the dielectric 2, a resonance conductor 4 provided on the inner peripheral surface of the through hole 3, and a dielectric. 2 except for one surface (the surface on which the resonance conductor 4 is located), the GND electrode 5 and the like provided on all other outer peripheral surfaces.
【０００５】また、誘電体２には溝６が設けてあり、こ
の溝６によって、各共振導体間を分離し、共振導体間の
結合を調整している。なお、この溝６の部分にもＧＮＤ
電極５は設けてあり、この溝６のある側で、各共振導体
４とＧＮＤ電極４とを接続（共振導体４のＧＮＤ側を共
通に接続）してある。Further, the dielectric 2 is provided with a groove 6, which separates the resonance conductors from each other and adjusts the coupling between the resonance conductors. It should be noted that the groove 6 is also GND
An electrode 5 is provided, and each resonance conductor 4 and the GND electrode 4 are connected (the GND side of the resonance conductor 4 is commonly connected) on the side where the groove 6 is provided.
【０００６】前記複数の共振導体４（この例では４個の
共振導体）は、それぞれ長さが異なっており（同じ長さ
のものを含む場合もある）、各共振導体４の共振周波数
が異なるように設定されている。The plurality of resonance conductors 4 (four resonance conductors in this example) have different lengths (including the same length in some cases), and the resonance frequencies of the resonance conductors 4 are different. Is set.
【０００７】このような誘電体フィルタ１は、例えば次
のようにして作製する。先ず、プレス成形により、貫通
孔３と溝６のある誘電体２を作製する。その後、貫通孔
３のある一面を残して残りの全ての面（貫通孔３の内面
を含む）をメタライズする。Such a dielectric filter 1 is manufactured, for example, as follows. First, the dielectric 2 having the through hole 3 and the groove 6 is manufactured by press molding. After that, one surface having the through hole 3 is left, and all the remaining surfaces (including the inner surface of the through hole 3) are metallized.
【０００８】そして、貫通孔３内に形成された導体を、
共振導体４として使用し、誘電体２の外周面に形成され
た導体をＧＮＤ電極として使用する。Then, the conductor formed in the through hole 3 is
The resonance conductor 4 is used, and the conductor formed on the outer peripheral surface of the dielectric 2 is used as the GND electrode.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。 (1) 前記の誘電体共振器では、誘電体に高誘電体を使用
し、共振周波数における波長短縮により小型化した誘電
体フィルタとしている。SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned conventional device has the following problems. (1) In the above dielectric resonator, a high dielectric is used for the dielectric, and the dielectric filter is miniaturized by shortening the wavelength at the resonance frequency.
【００１０】しかし、共振導体の片側は空間（貫通孔内
の空間）に露出しているため、However, since one side of the resonance conductor is exposed in the space (the space inside the through hole),
【００１１】[0011]
【数１】 [Equation 1]
【００１２】ほど短縮しない。従って、前記構成での誘
電体フィルタの小型化には限界があった。 (2) 誘電体の材料定数である誘電率εが大きくなると、
共振器の構造上Ｃ成分（容量成分）が大きくなる。Not so short. Therefore, there is a limit to downsizing the dielectric filter with the above configuration. (2) When the dielectric constant ε, which is the material constant of the dielectric, increases,
The C component (capacitance component) increases due to the structure of the resonator.
【００１３】従って、共振器のラインインピーダンスが
低下するため、共振器のＱも低下する。そのため、εが
大きい程厚み方向を厚くして、入力インピーダンスが低
下しないようにする必要があった。Therefore, since the line impedance of the resonator is lowered, the Q of the resonator is also lowered. Therefore, it is necessary to make the thickness direction thicker as ε is larger so that the input impedance does not decrease.
【００１４】従って、共振器のＱを低下させないで、更
に小型化するのは困難であった。本発明は、このような
従来の課題を解決し、共振器のＱを低下させることな
く、誘電体フィルタの小型化を実現することを目的とす
る。Therefore, it is difficult to further reduce the size of the resonator without lowering its Q. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve such a conventional problem and realize miniaturization of a dielectric filter without lowering Q of a resonator.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理図で
あり、図中、４−１〜４−４は１／４波長共振導体、５
はＧＮＤ電極、６−１、６−２は低誘電体層、７−１、
７−２は高誘電体層、８は入力端子、９は出力端子、１
０は余白を示す。FIG. 1 is a diagram showing the principle of the present invention. In the figure, 4-1 to 4-4 are quarter-wave resonant conductors, 5
Is a GND electrode, 6-1 and 6-2 are low dielectric layers, 7-1,
7-2 is a high dielectric layer, 8 is an input terminal, 9 is an output terminal, 1
0 indicates a margin.
【００１６】本発明は上記の課題を解決するため、次の
ように構成した。 (1) 低誘電体層６−１、６−２及びこの低誘電体層より
も誘電率の高い高誘電体層７−１、７−２を積層した積
層体と、積層体の内部に設定した、共振周波数の異なる
複数の共振導体４−１〜４−４と、積層体の一面を除
く、他の全ての外周面に設けたＧＮＤ電極５とを具備し
た誘電体フィルタであって、前記複数の共振導体４−１
〜４−４の積層方向の両側に、高誘電体層７−１、７−
２を設け、前記両側の高誘電体層７−１、７−２と、積
層方向の両側に設けたＧＮＤ電極５との間には、低誘電
体層６−１、６−２を設けた。In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration. (1) Laminated body in which low-dielectric layers 6-1 and 6-2 and high-dielectric layers 7-1 and 7-2 having a higher dielectric constant than the low-dielectric layer are laminated, and set inside the laminated body. And a plurality of resonance conductors 4-1 to 4-4 having different resonance frequencies, and a GND electrode 5 provided on all other outer peripheral surfaces except one surface of the laminated body. Multiple resonance conductors 4-1
To 4-4 on both sides in the stacking direction, the high dielectric layers 7-1, 7-
2 is provided, and low dielectric layers 6-1 and 6-2 are provided between the high dielectric layers 7-1 and 7-2 on both sides and the GND electrodes 5 provided on both sides in the stacking direction. ..
【００１７】(2) 前記構成（１）において、共振導体４
−１〜４−４の各共振導体間に、該共振導体の両側に設
けた高誘電体層７−１、７−２よりも誘電率の低い低誘
電体を設けた。(2) In the configuration (1), the resonance conductor 4
Between each of the resonance conductors -1 to 4-4, a low dielectric material having a lower dielectric constant than the high dielectric layers 7-1 and 7-2 provided on both sides of the resonance conductor was provided.
【００１８】(3) 前記構成（１）において、共振導体の
両側に設けた高誘電体層７−１、７−２の、各共振導体
の間に位置する部分に、複数の孔を設け、この孔内に、
前記高誘電体層よりも誘電率の低い誘電体を充填した。(3) In the structure (1), a plurality of holes are provided in the portions of the high dielectric layers 7-1 and 7-2 provided on both sides of the resonance conductor, which are located between the resonance conductors. In this hole,
A dielectric having a dielectric constant lower than that of the high dielectric layer was filled.
【００１９】[0019]
【作用】上記構成に基づく本発明の作用を、図１を参照
しながら説明する。図示のように、誘電率ε1 の低誘電
体層６−１、６−２と、誘電率ε2 （ε2 ＞ε1 ）の高
誘電体層７−１、７−２とを積層して、積層体とする。The operation of the present invention based on the above construction will be described with reference to FIG. As shown, a low dielectric layer 6-1, 6-2 of the dielectric constant epsilon 1, the high dielectric layer 7-1, 7-2 of the dielectric constant ε 2 (ε 2> ε 1 ) laminated To form a laminated body.
【００２０】この場合、複数の共振導体４−１〜４−４
の周辺を高誘電体層７−１、７−２によって挟み、その
外側を低誘電体層６−１、６−２によって挟むと共に、
更にその外側にＧＮＤ電極５を設定している。In this case, the plurality of resonance conductors 4-1 to 4-4
Is sandwiched between the high dielectric layers 7-1 and 7-2, and the outside thereof is sandwiched between the low dielectric layers 6-1 and 6-2,
Further, the GND electrode 5 is set outside thereof.
【００２１】また、積層体の一面には入力端子（ＩＮ）
８、出力端子（ＯＵＴ）９を設け、他の側面にはＧＮＤ
電極５を設けて誘電体フィルタとした。ところで、前記
構成の誘電体フィルタ等の共振器では、一般に、無負荷
Ｑ（Ｑｕとする）は次式で定義されている。Further, an input terminal (IN) is provided on one surface of the laminated body.
8, output terminal (OUT) 9 is provided, and GND is provided on the other side surface.
An electrode 5 was provided to make a dielectric filter. By the way, in a resonator such as a dielectric filter having the above-described structure, the unloaded Q (denoted by Qu) is generally defined by the following equation.
【００２２】[0022]
【数２】 [Equation 2]
【００２３】ただし、Ｑｃは伝送路導体によるＱ、Ｑｄ
は誘電体によるＱ、Ｑｒは放射によるＱを示す。同軸タ
イプの共振器では、１／Ｑｒは通常無視されるため、式
（１）は次のようになる。However, Qc is Q and Qd due to the transmission line conductor.
Indicates Q due to a dielectric material, and Qr indicates Q due to radiation. In a coaxial type resonator, 1 / Qr is usually ignored, so that the equation (1) is as follows.
【００２４】[0024]
【数３】 [Equation 3]
【００２５】ここで、Ｑｃは伝送路導体の直列抵抗成分
ｒs と、伝送路のラインインピーダンスＺ0 により、次
式で示される。Here, Qc is expressed by the following equation by the series resistance component r s of the transmission line conductor and the line impedance Z 0 of the transmission line.
【００２６】[0026]
【数４】 [Equation 4]
【００２７】また、Ｑｄについては、誘電体の比誘電率
εr ′と比誘電損失εr ″により次式で示される。Further, Qd is expressed by the following equation by the relative permittivity ε r ′ of the dielectric material and the relative permittivity loss ε r ″.
【００２８】[0028]
【数５】 [Equation 5]
【００２９】前記式（２）及び（３）、（４）より、共
振器の無負荷Ｑ（Ｑｕ）を大きくするためには、 ラインインピーダンスＺ0 と、比誘電率εr ′を大き
くとること。 直列抵抗成分ｒs と比誘電損失εr ″を小さくするこ
と。であることがわかる。From the above equations (2), (3), and (4), in order to increase the no-load Q (Qu) of the resonator, the line impedance Z 0 and the relative permittivity ε r ′ should be increased. .. It can be seen that the series resistance component r s and the relative dielectric loss ε r ″ are reduced.
【００３０】特に、比誘電率εr ′を大きくすれば、当
然のことながら次式で示した波長短縮が起こる。Especially, if the relative permittivity ε r ′ is increased, the wavelength shortening shown by the following equation naturally occurs.
【００３１】[0031]
【数６】 [Equation 6]
【００３２】従って、直列抵抗成分ｒs が小さくなり、
Ｑｃ、Ｑｄとも大きくなる。その結果、無負荷Ｑ（Ｑ
ｕ）も大きくなる。前記のように、本発明によれば、複
数の共振導体４−１〜４−４は、高誘電体層７−１、７
−２によって挟まれており、従来のように空間に露出し
た部分がない。このため、比誘電率εr ′を大きくした
場合十分の波長短縮が得られる。Therefore, the series resistance component r s becomes small,
Both Qc and Qd become large. As a result, no load Q (Q
u) also becomes large. As described above, according to the present invention, the plurality of resonance conductors 4-1 to 4-4 are formed of the high dielectric layers 7-1 and 7-4.
It is sandwiched by -2, and there is no part exposed to the space as in the past. Therefore, when the relative permittivity ε r ′ is increased, the wavelength can be sufficiently shortened.
【００３３】しかも、高誘電体層７−１、７−２のε′
が大きい場合でも、ＧＮＤ電極５との間には、低誘電体
層６−１、６−２が介在しているため、積層体の厚みを
薄くしても、Ｃ成分（容量成分）が大きくならない。従
って、ラインインピーダンスＺ0 も大きくとれる。 ま
た、比誘電率εr ′を大きくとれることにより、前記の
ような波長短縮が起こるから、誘電体フィルタの長手方
向を短くできる。Moreover, ε'of the high dielectric layers 7-1 and 7-2
Even if the thickness is large, the low dielectric layers 6-1 and 6-2 are interposed between the GND electrode 5 and the ground electrode 5, so that the C component (capacitance component) is large even if the thickness of the laminated body is reduced. I won't. Therefore, the line impedance Z 0 can be made large. Further, since the wavelength can be shortened as described above by making the relative permittivity ε r ′ large, the longitudinal direction of the dielectric filter can be shortened.
【００３４】その結果、直列抵抗成分ｒs が小さくな
り、Ｑｃ、Ｑｄが大きくなって、無負荷Ｑ（Ｑｕ）も大
きくなる。即ち、本発明の構成によれば、共振器のＱを
低下させることなく、誘電体フィルタの小型化が実現で
きる。As a result, the series resistance component r s decreases, Qc and Qd increase, and the no-load Q (Qu) also increases. That is, according to the configuration of the present invention, the dielectric filter can be downsized without lowering the Q of the resonator.
【００３５】[0035]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。 （第１実施例の説明）図２〜図３は、本発明の第１実施
例を示した図であり、図２は誘電体フィルタの分解斜視
図、図３は誘電体フィルタの斜視図（Ａは表側から見た
図、Ｂは裏側から見た図）である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (Description of First Embodiment) FIGS. 2 to 3 are views showing a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an exploded perspective view of a dielectric filter, and FIG. 3 is a perspective view of the dielectric filter ( (A is a view seen from the front side, and B is a view seen from the back side).
【００３６】図中、図１と同符号は、同一のものを示
す。第１実施例の誘電体フィルタ（バンドパスフィル
タ）は、４個の共振導体を用いた例である。In the figure, the same symbols as in FIG. 1 indicate the same components. The dielectric filter (bandpass filter) of the first embodiment is an example using four resonance conductors.
【００３７】この誘電体フィルタは、従来例と異なり、
多層基板と同様な積層技術を用いて作製するものであ
る。従って、従来例の誘電体フィルタに設けられていた
貫通孔は存在しない。This dielectric filter is different from the conventional example.
It is manufactured by using the same stacking technique as that for the multilayer substrate. Therefore, the through-hole provided in the conventional dielectric filter does not exist.
【００３８】図示のように、低誘電体層（誘電体ε1 ）
６−１上に、高誘電体層（誘電率ε 2 ）７−１が積層さ
れている。この場合ε1 ＜ε2 の関係がある。そして、
前記高誘電体層７−１上には、４個の共振導体４−１、
４−２、４−３、４−４が所定の間隔で配置されてい
る。これらの共振導体４−１〜４−４は長さが異なって
いて、共振周波数も異なっている。As shown, the low dielectric layer (dielectric ε1)
6-1 on top of the high dielectric layer (dielectric constant ε 2) 7-1 is stacked
Has been. In this case ε1<Ε2Have a relationship. And
On the high dielectric layer 7-1, four resonance conductors 4-1 and
4-2, 4-3, 4-4 are arranged at predetermined intervals
It These resonance conductors 4-1 to 4-4 have different lengths.
And the resonance frequency is also different.
【００３９】また、前記共振導体４−１〜４−４の一方
の端部（図の幅広の部分がある方の端部）はＧＮＤ側と
なり、他方の端部が信号入力側となる。このような共振
導体４−１〜４−４を設けた高誘電体層７−１上には、
高誘電体層（誘電率ε2 ）７−２を積層し、前記共振導
体４−１〜４−４の両側を高誘電体層で挟み込むように
する。Further, one end of the resonance conductors 4-1 to 4-4 (the end having the wider portion in the figure) is on the GND side, and the other end is on the signal input side. On the high dielectric layer 7-1 provided with such resonance conductors 4-1 to 4-4,
A high dielectric layer (dielectric constant ε 2 ) 7-2 is laminated so that both sides of the resonant conductors 4-1 to 4-4 are sandwiched by the high dielectric layers.
【００４０】更に、前記高誘電体層７−２上には、低誘
電体層（誘電率ε1）６−２を積層する。そして、低誘
電体層６−２上と、低誘電体層６−１の下側にはＧＮＤ
電極５を設ける。Further, a low dielectric layer (dielectric constant ε 1 ) 6-2 is laminated on the high dielectric layer 7-2. The GND is formed on the low dielectric layer 6-2 and on the lower side of the low dielectric layer 6-1.
The electrode 5 is provided.
【００４１】このようにすると、共振導体４−１〜４−
４の周辺（積層方向の両側）を高誘電体層７−１、７−
２で挟み、その外側を低誘電体層６−１、６−２で挟
み、更にその外側にＧＮＤ電極５を設定した構造とな
る。In this way, the resonance conductors 4-1 to 4-
4 around (on both sides in the stacking direction) high dielectric layers 7-1, 7-
It is sandwiched by 2 and sandwiched by the low dielectric layers 6-1 and 6-2 on the outer side, and the GND electrode 5 is set on the outer side.
【００４２】前記の積層体における信号入力側の一面を
除き、残りの側面にＧＮＤ電極５を設けると共に、信号
入力側の面には、入力端子（ＩＮ）８、出力端子（ＯＵ
Ｔ）９等を設ける。The GND electrode 5 is provided on the remaining side surface of the laminate except one surface on the signal input side, and the input terminal (IN) 8 and the output terminal (OU) are provided on the surface on the signal input side.
T) 9 etc. are provided.
【００４３】この例では、図３に示したように、入力端
子８、出力端子９は、積層体の厚みとほぼ同じ長さの導
体で形成しているため、その周辺のＧＮＤ電極５の一部
を切除して、余白（導体の無い部分）１０を形成してお
く。In this example, as shown in FIG. 3, since the input terminal 8 and the output terminal 9 are formed of conductors having substantially the same length as the thickness of the laminated body, one of the GND electrodes 5 in the vicinity thereof is formed. The portion is cut off to form a blank (a portion without a conductor) 10.
【００４４】このようにすると、入力端子８や出力端子
９がＧＮＤ電極５と接触するのを防止できる。また、こ
のような端子を設けることにより、ＳＭＤ（表面実装部
品）化できる。By doing so, it is possible to prevent the input terminal 8 and the output terminal 9 from coming into contact with the GND electrode 5. Further, by providing such a terminal, it is possible to realize an SMD (surface mount component).
【００４５】（第２実施例の説明）図４、図５は第２実
施例を示した図であり、図４は誘電体フィルタの分解斜
視図、図５は誘電体フィルタの構成図（Ａは一部拡大
図、Ｂは図４のＸ−Ｙ線断面図）である。(Explanation of Second Embodiment) FIGS. 4 and 5 are views showing a second embodiment. FIG. 4 is an exploded perspective view of a dielectric filter, and FIG. 5 is a structural view of the dielectric filter (A). Is a partially enlarged view and B is a sectional view taken along the line XY in FIG. 4.
【００４６】図中、図１〜図３と同符号は同一のものを
示す。また、１１は低誘電体を示す。第２実施例は、複
数の共振導体の間に、低誘電体を介在させて、共振器間
の結合度を調整した例である。In the figure, the same symbols as those in FIGS. 1 to 3 indicate the same components. Further, 11 indicates a low dielectric. The second embodiment is an example in which a low dielectric is interposed between a plurality of resonance conductors to adjust the degree of coupling between the resonators.
【００４７】図示のように、低誘電体層（誘電率ε1 ）
６−１上に、高誘電体層（誘電率ε 2 ）７−１を積層
し、この高誘電体層７−１上に、４個の共振導体４−
１、４−２、４−３、４−４を設ける。As shown, the low dielectric layer (dielectric constant ε1)
6-1 on top of the high dielectric layer (dielectric constant ε 2) Laminate 7-1
On the high dielectric layer 7-1, four resonance conductors 4-
1, 4-2, 4-3, 4-4 are provided.
【００４８】また、前記共振導体４−１〜４−４の間に
は、それぞれ低誘電体（誘電率ε1 ）１１を設ける。こ
の低誘電体１１は、印刷によって形成したり、あるい
は、シートを貼り付ける方法等で形成する。A low dielectric material (dielectric constant ε 1 ) 11 is provided between the resonance conductors 4-1 to 4-4. The low dielectric 11 is formed by printing, or by a method of attaching a sheet.
【００４９】そして、前記高誘電体層７−１上には、高
誘電体層（誘電率ε2 ）７−２を積層し、更にその上に
低誘電体層６−２（誘電率ε1 ）を設ける。また、低誘
電体層６−１の下側と、低誘電体層６−２の上側には、
ＧＮＤ電極５を設ける。このように構成した積層体の一
面（共振導体の入力側の面）を除き、他の全ての外周面
にＧＮＤ電極５を設けて誘電体フィルタとする。A high dielectric layer (dielectric constant ε 2 ) 7-2 is laminated on the high dielectric layer 7-1, and a low dielectric layer 6-2 (dielectric constant ε 1 ) Is provided. Further, on the lower side of the low dielectric layer 6-1 and the upper side of the low dielectric layer 6-2,
The GND electrode 5 is provided. Except for one surface (the surface on the input side of the resonance conductor) of the laminated body configured in this manner, the GND electrode 5 is provided on all other outer peripheral surfaces to form a dielectric filter.
【００５０】前記の共振導体間に設けた低誘電体１１の
形状等を変えることにより、各共振器間の結合度の調整
を行う（従来の溝６による調整と同じ）。前記誘電体フ
ィルタの製造工程は、次のとおりである。以下、製造工
程の概要を説明する。The degree of coupling between the resonators is adjusted by changing the shape or the like of the low dielectric material 11 provided between the resonance conductors (the same as the conventional adjustment by the groove 6). The manufacturing process of the dielectric filter is as follows. The outline of the manufacturing process will be described below.
【００５１】工程：図４に示した低誘電体層６−１、
６−２と、高誘電体層７−１、７−２を構成する各誘電
体を用意する。 工程：各誘電体層上に、共振導体４−１〜４−４、及
びＧＮＤ電極５を印刷法等で形成する。Process: Low dielectric layer 6-1 shown in FIG.
6-2 and the dielectrics forming the high dielectric layers 7-1 and 7-2 are prepared. Step: Resonant conductors 4-1 to 4-4 and the GND electrode 5 are formed on each dielectric layer by a printing method or the like.
【００５２】工程：共振導体４−１〜４−４を形成し
た高誘電体層７−１上に、印刷法等を用いて低誘電体１
１を形成する。この場合、低誘電体１１は、各共振導体
と、一定の間隔をあけて形成する。Step: On the high dielectric layer 7-1 on which the resonance conductors 4-1 to 4-4 are formed, the low dielectric 1 is formed by using a printing method or the like.
1 is formed. In this case, the low dielectric material 11 is formed with a certain space from each resonance conductor.
【００５３】工程：〜で処理された各層を積層し
た後、熱プレス処理を行う。 工程：脱バインダー処理し、焼成する。 工程：積層体の側面に電極を形成。Step: After laminating the layers treated in to, a hot press treatment is carried out. Process: binder removal processing and baking. Process: An electrode is formed on the side surface of the laminated body.
【００５４】工程：電極の焼き付けを行う。 以上〜の工程により、誘電体フィルタが完成する。
なお、最外層のＧＮＤ電極の形成は、工程で行っても
よい。Process: Electrodes are baked. The dielectric filter is completed through the above steps.
The outermost GND electrode may be formed in a process.
【００５５】（第３実施例の説明）図６は第３実施例に
おける誘電体フィルタの分解斜視図、図７は第３実施例
における誘電体フィルタの構成図であり、図３のＡは高
誘電体層の斜視図、図３のＢは図６のＳ−Ｔ線方向の断
面図である。(Explanation of the Third Embodiment) FIG. 6 is an exploded perspective view of a dielectric filter in the third embodiment, and FIG. 7 is a block diagram of the dielectric filter in the third embodiment, where A in FIG. FIG. 3 is a perspective view of the dielectric layer, and FIG. 3B is a sectional view taken along the line ST of FIG.
【００５６】図中、図１〜図５と同符号は同一のものを
示す。また、１２は孔（貫通孔）を示す。第３実施例
は、高誘電体層に複数の孔をあけて、その中に低誘電体
を充填することにより、各共振導体間に低誘電体を介在
させ、共振器間の結合度を調整した例である。In the figure, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 5 indicate the same parts. Further, 12 indicates a hole (through hole). In the third embodiment, a plurality of holes are formed in a high dielectric layer and a low dielectric is filled in the holes, so that the low dielectric is interposed between the resonance conductors and the coupling degree between the resonators is adjusted. It is an example.
【００５７】この例では、低誘電体層６−１、高誘電体
層７−１、７−２、低誘電体層６−２を図示の通り積層
するが、この場合、各誘電体層の配置や共振導体４−１
〜４−４、ＧＮＤ電極５の構成は、第１実施例と同じで
ある。In this example, the low-dielectric layer 6-1, the high-dielectric layers 7-1 and 7-2, and the low-dielectric layer 6-2 are laminated as shown in the figure. Arrangement and resonance conductor 4-1
4-4, the configuration of the GND electrode 5 is the same as that of the first embodiment.
【００５８】第３実施例では、高誘電体層７−１、７−
２に、パンチングを行って孔（貫通孔）１２をあけ、こ
の孔１２内に低誘電体を充填したものである。そして、
高誘電体層７−１、７−２に設けた孔１２は、図のよう
に積層した場合、各共振導体４−１〜４−４の間に配置
されるように位置決めする。In the third embodiment, the high dielectric layers 7-1 and 7-
2 is punched to form a hole (through hole) 12, and the hole 12 is filled with a low dielectric material. And
The holes 12 provided in the high dielectric layers 7-1 and 7-2 are positioned so as to be arranged between the resonance conductors 4-1 to 4-4 when they are laminated as shown in the figure.
【００５９】この場合、孔１２に充填する低誘電体の誘
電率は、例えば低誘電体層６−１、６−２と同じε
1 （ε1 ＜ε2 ）とする。前記誘電体フィルタの製造工
程は、次のとおりである。以下、製造工程の概要を説明
する。In this case, the dielectric constant of the low dielectric material filled in the hole 12 is, for example, the same as that of the low dielectric material layers 6-1 and 6-2.
Let 1 (ε 1 <ε 2 ). The manufacturing process of the dielectric filter is as follows. The outline of the manufacturing process will be described below.
【００６０】工程：低誘電体層６−１、６−２、高誘
電体層７−１、７−２となる各誘電体を用意する。そし
て、高誘電体層７−１、７−２にはパンチングにより孔
（貫通孔）１２を形成する。Step: Prepare the dielectrics to be the low dielectric layers 6-1 and 6-2 and the high dielectric layers 7-1 and 7-2. Then, holes (through holes) 12 are formed in the high dielectric layers 7-1 and 7-2 by punching.
【００６１】工程：各誘電体層上に、共振導体４−１
〜４−４、及びＧＮＤ電極５を印刷法等で形成する。 工程：高誘電体層７−１、７−２に設けた孔１２に、
印刷法等によって低誘電体を充填する。Step: Resonant conductor 4-1 is formed on each dielectric layer.
4-4 and the GND electrode 5 are formed by a printing method or the like. Process: In the holes 12 provided in the high dielectric layers 7-1 and 7-2,
The low dielectric is filled by a printing method or the like.
【００６２】工程：〜で処理された各層を積層し
た後、熱プレス処理を行う。 工程：脱バインダー、焼成処理 工程：側面電極の形成処理 なお、６−１、６−２のＧＮＤの形成はで行ってもよ
い。Step: After laminating each layer treated in to, a hot press treatment is carried out. Step: binder removal and firing treatment Step: side electrode formation treatment In addition, the formation of the GNDs 6-1 and 6-2 may be performed.
【００６３】工程：電極の焼き付け処理 以上〜の工程により誘電体フィルタが完成する。こ
の例では、孔１２の大きさや、個数等により、各共振間
の結合度を調整する。Step: Electrode baking process The dielectric filter is completed by the above steps. In this example, the degree of coupling between the resonances is adjusted by the size and the number of the holes 12.
【００６４】更に、図６の７−１上に孔１２を充填する
ように形成される低誘電体は、図５Ａに示されるように
共振電極間に形成されるようにして、その形成（印刷法
等で）と同じに孔１２を同時に充填されるようにしても
よい。Further, the low dielectric substance formed so as to fill the hole 12 on 7-1 in FIG. 6 is formed (printed) between the resonance electrodes as shown in FIG. 5A. The holes 12 may be simultaneously filled in the same manner as the above method).
【００６５】（共振導体の構成例の説明）図８は、共振
導体の構成例を示した図であり、図中、４は共振導体、
７−１は高誘電体層を示す。(Description of Configuration Example of Resonance Conductor) FIG. 8 is a diagram showing a configuration example of the resonance conductor, in which 4 is a resonance conductor,
7-1 shows a high dielectric layer.
【００６６】図８のＡはテーパー型の共振導体４の例で
ある。この共振導体４は、全体がテーパー状に形成され
ており、その幅を連続的に変化させたものである。図８
のＢはステップ型の共振導体４の例である。この共振導
体４は、長手方向の途中に、幅がステップ状に変化する
幅の変化点を設けたものであり、幅の広い導体部分と、
狭い導体部分とで構成されている。FIG. 8A shows an example of the tapered resonance conductor 4. The resonance conductor 4 is formed in a taper shape as a whole, and its width is continuously changed. Figure 8
B is an example of the step type resonance conductor 4. The resonance conductor 4 has a width change point at which the width changes stepwise in the middle of the longitudinal direction.
It is composed of a narrow conductor part.
【００６７】なお、前記の幅の変化点を複数個所に設け
て、導体幅を複数の部分でステップ状に変化させてもよ
い。また、幅の変化点の位置は任意に設定可能である。
図８のＣは蛇行型の共振導体４の例である。この共振導
体４は、導体幅が一定で、蛇行した形状にしたものであ
り、共振導体を実質的に長くできる。The conductor width may be changed stepwise at a plurality of portions by providing a plurality of width change points. The position of the width change point can be set arbitrarily.
FIG. 8C shows an example of the meandering type resonance conductor 4. The resonance conductor 4 has a constant conductor width and has a meandering shape, and the resonance conductor can be substantially lengthened.
【００６８】（他の実施例）以上実施例について説明し
たが、本発明は次のようにしても実施可能である。 (1) 共振導体は、上記実施例のように、４個に限らず、
任意の個数（複数）でよい。(Other Embodiments) Although the embodiments have been described above, the present invention can be implemented as follows. (1) The number of resonance conductors is not limited to four as in the above embodiment,
Any number (plurality) may be used.
【００６９】(2) 共振導体は、高誘電体層を介して多層
化することも可能である。例えば、上記実施例におい
て、共振導体４−１〜４−４を形成した高誘電体層７−
１と同じ構成の高誘電体層を、前記高誘電体層７−１の
下側に積層してもよい。(2) The resonant conductor can be multilayered with a high dielectric layer interposed. For example, in the above embodiment, the high dielectric layer 7- on which the resonance conductors 4-1 to 4-4 are formed
A high dielectric layer having the same structure as that of No. 1 may be laminated below the high dielectric layer 7-1.
【００７０】このようにすれば、共振導体の損失を低下
させることが可能となる。 (3) 共振導体は、図８に示した形状に限らず、他の形状
にしてもよい。 (4) 前記実施例における各共振導体の一方の端部は、積
層体の側面に形成したＧＮＤ電極と接続されるが、更
に、ＧＮＤ電極との接続を強固にするため、誘電体層に
ブラインドスルーホール（内部が導体で満たされたスル
ーホール）を形成して、各共振導体のＧＮＤ側の端部付
近と、積層体の下側、あるいは上側のＧＮＤ電極と接続
してもよい。By doing so, it is possible to reduce the loss of the resonance conductor. (3) The resonant conductor is not limited to the shape shown in FIG. 8 and may have another shape. (4) One end of each resonance conductor in the above-described embodiment is connected to the GND electrode formed on the side surface of the laminated body. Further, in order to strengthen the connection with the GND electrode, a blind is formed on the dielectric layer. A through hole (a through hole whose inside is filled with a conductor) may be formed to connect the vicinity of the GND side end of each resonant conductor to the GND electrode on the lower side or the upper side of the stacked body.
【００７１】(5) 前記実施例における低誘電体層６−
１、６−２は、それぞれ一層に限らず、多層構造として
もよい。また、高誘電体層７−１、７−２も、それぞれ
一層に限らず、多層構造としてもよい。(5) Low dielectric layer 6 in the above embodiment
Each of 1 and 6-2 is not limited to a single layer, and may have a multilayer structure. Further, the high dielectric layers 7-1 and 7-2 are not limited to one layer, and may have a multilayer structure.
【００７２】(6) 誘電体フィルタの外形は、角形に限ら
ず、他の形状にしてもよい。(6) The outer shape of the dielectric filter is not limited to the rectangular shape, but may be another shape.
【００７３】[0073]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 (1) 複数の共振導体が完全に誘電体（高誘電体層）内に
入るため、As described above, the present invention has the following effects. (1) Since multiple resonance conductors completely enter the dielectric (high dielectric layer),
【００７４】[0074]
【数７】 [Equation 7]
【００７５】による波長短縮が可能となる。従って、そ
の分誘電体共振器の小型化ができる。 (2) 低誘電体層をＧＮＤ電極との間に介在させているた
め、積層方向の厚みを薄くしても、Ｃ成分（容量成分）
が大きくならないため、Ｑの低下を抑えることができ
る。It is possible to shorten the wavelength by Therefore, the size of the dielectric resonator can be reduced accordingly. (2) Since the low dielectric layer is interposed between the GND electrode and the GND electrode, the C component (capacitance component) is obtained even if the thickness in the stacking direction is reduced.
Does not become large, so that the deterioration of Q can be suppressed.
【００７６】(3) 誘電体の積層法によって、誘電体フィ
ルタを構成しているため、共振電極は、印刷法等によ
り、任意の形状のものが容易に形成できる。また、共振
導体の設定の自由度が増す。(3) Since the dielectric filter is formed by the dielectric stacking method, the resonance electrode can be easily formed into an arbitrary shape by a printing method or the like. Also, the degree of freedom in setting the resonance conductor is increased.
【００７７】(4) 積層体が薄くできるので、脱バインダ
ーや焼成の時間が短縮できる。 (5) 従来のように、貫通孔内のメタライズ工程が不要と
なり、その分製造工程が簡単となる。(4) Since the laminate can be made thin, the time required for debinding and firing can be shortened. (5) The metallization step in the through-hole is not required as in the conventional case, and the manufacturing process is simplified accordingly.
【図１】本発明の原理図である。FIG. 1 is a principle diagram of the present invention.
【図２】本発明の第１実施例における誘電体フィルタの
分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the dielectric filter according to the first embodiment of the present invention.
【図３】第１実施例における誘電体フィルタの斜視図で
あり、Ａは表側から見た斜視図、Ｂは裏側から見た斜視
図である。FIG. 3 is a perspective view of a dielectric filter in the first embodiment, where A is a perspective view seen from the front side and B is a perspective view seen from the back side.
【図４】第２実施例における誘電体フィルタの分解斜視
図である。FIG. 4 is an exploded perspective view of a dielectric filter according to a second embodiment.
【図５】第２実施例における誘電体フィルタの構成図で
あり、Ａは一部拡大図、Ｂは図４のＸ−Ｙ線方向断面図
である。5A and 5B are configuration diagrams of a dielectric filter according to a second embodiment, in which A is a partially enlarged view and B is a sectional view taken along line XY in FIG.
【図６】第３実施例における誘電体フィルタの分解斜視
図である。FIG. 6 is an exploded perspective view of a dielectric filter according to a third embodiment.
【図７】第３実施例における誘電体フィルタの構成図で
あり、Ａは高誘電体層の斜視図、Ｂは図６のＳ−Ｔ線方
向断面図である。7A and 7B are configuration diagrams of a dielectric filter according to a third embodiment, in which A is a perspective view of a high dielectric layer and B is a cross-sectional view taken along the line S-T of FIG.
【図８】共振導体の構成例である。FIG. 8 is a structural example of a resonance conductor.
【図９】従来の誘電体フィルタを示した図であり、Ａは
表側から見た図、Ｂは裏側から見た図である。9A and 9B are views showing a conventional dielectric filter, in which A is a view from the front side and B is a view from the back side.
４−１〜４−４ 共振導体 ５ ＧＮＤ電極 ６−１、６−２ 低誘電体層 ７−１、７−２ 高誘電体層 ８ 入力端子 ９ 出力端子 １０ 余白 4-1 to 4-4 Resonant conductor 5 GND electrode 6-1, 6-2 Low dielectric layer 7-1, 7-2 High dielectric layer 8 Input terminal 9 Output terminal 10 Margin
Claims (3)
の低誘電体層よりも誘電率の高い高誘電体層（７−１、
７−２）を積層した積層体と、 積層体の内部に設定した、共振周波数の異なる複数の共
振導体（４−１〜４−４）と、 積層体の一面を除く、他の全ての外周面に設けたＧＮＤ
電極（５）とを具備した誘電体フィルタであって、 前記複数の共振導体（４−１〜４−４）の積層方向の両
側に、高誘電体層（７−１、７−２）を設け、 前記両側の高誘電体層（７−１、７−２）と、積層方向
の両側に設けたＧＮＤ電極（５）との間には、低誘電体
層（６−１、６−２）を設けたことを特徴とする誘電体
フィルタ。1. A low dielectric layer (6-1, 6-2) and a high dielectric layer (7-1, having a higher dielectric constant than this low dielectric layer).
7-2) laminated body, a plurality of resonance conductors (4-1 to 4-4) having different resonance frequencies set inside the laminated body, and all other peripheries except one surface of the laminated body GND on the surface
A dielectric filter comprising an electrode (5), wherein high dielectric layers (7-1, 7-2) are provided on both sides of the plurality of resonant conductors (4-1 to 4-4) in the stacking direction. The low dielectric layers (6-1, 6-2) are provided between the high dielectric layers (7-1, 7-2) on both sides and the GND electrodes (5) provided on both sides in the stacking direction. ) Are provided, the dielectric filter characterized by the above-mentioned.
の各共振導体間に、該共振導体の両側に設けた高誘電体
層（７−１、７−２）よりも、誘電率の低い低誘電体
（１１）を設定したことを特徴とする請求項１記載の誘
電体フィルタ。2. The plurality of resonant conductors (4-1 to 4-4)
A low dielectric (11) having a lower dielectric constant than the high dielectric layers (7-1, 7-2) provided on both sides of the resonance conductor is set between the resonance conductors. Item 2. The dielectric filter according to item 1.
（７−１、７−２）の、各共振導体の間に位置する部分
に、複数の孔（１２）を設け、 この孔（１２）内に、前記高誘電体層よりも誘電率の低
い誘電体を充填したことを特徴とする請求項１記載の誘
電体フィルタ。3. A plurality of holes (12) are provided in portions of the high dielectric layers (7-1, 7-2) provided on both sides of the resonance conductor, the holes being located between the resonance conductors. The dielectric filter according to claim 1, wherein (12) is filled with a dielectric material having a dielectric constant lower than that of the high dielectric layer.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31789291A JPH05152803A (en) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | Dielectric filter |
| US08/225,341 US5406235A (en) | 1990-12-26 | 1991-12-25 | High frequency device |
| PCT/JP1991/001761 WO1992012548A1 (en) | 1990-12-26 | 1991-12-25 | High-frequency device |
| DE69122748T DE69122748T2 (en) | 1990-12-26 | 1991-12-25 | HIGH FREQUENCY DEVICE |
| EP92901922A EP0519085B1 (en) | 1990-12-26 | 1991-12-25 | High-frequency device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP31789291A JPH05152803A (en) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | Dielectric filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152803A true JPH05152803A (en) | 1993-06-18 |
Family
ID=18093220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31789291A Withdrawn JPH05152803A (en) | 1990-12-26 | 1991-12-02 | Dielectric filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152803A (en) |
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-
1991
- 1991-12-02 JP JP31789291A patent/JPH05152803A/en not_active Withdrawn
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