JPH05152696A - メタライズ基板及びその製造方法 - Google Patents

メタライズ基板及びその製造方法

Info

Publication number
JPH05152696A
JPH05152696A JP3316327A JP31632791A JPH05152696A JP H05152696 A JPH05152696 A JP H05152696A JP 3316327 A JP3316327 A JP 3316327A JP 31632791 A JP31632791 A JP 31632791A JP H05152696 A JPH05152696 A JP H05152696A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metallized substrate
metal
metallized
powder composition
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3316327A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3134234B2 (ja
Inventor
Yohei Watabe
洋平 渡部
Shinichi Iwata
伸一 岩田
Tomeji Ono
留治 大野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokin Corp filed Critical Tokin Corp
Priority to JP03316327A priority Critical patent/JP3134234B2/ja
Publication of JPH05152696A publication Critical patent/JPH05152696A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3134234B2 publication Critical patent/JP3134234B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48491—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being an additional member attached to the bonding area through an adhesive or solder, e.g. buffer pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps

Landscapes

  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 半田の選択及び直径２５０μｍ以上のＡｌ，
Ｃｕ線による結線を容易にするための金属片の接合の欠
点を解消する。 【構成】 チップ部品３を搭載して，ワイヤー４による
配線を行うセラミックスとＣｕを７０〜９５重量％，残
部がＴｉからなる金属粉末組成物２とからなるメタライ
ズ基板において，前記ワイヤーの結線部に金属片５を有
する。この金属片は，メタライズ用金属粉末組成物のメ
タライズ温度より融点の高Ｃｕ，Ａｇ，Ｆｅ，Ａｕの内
の少なくとも一種である。また，金属片は，少なくとも
２層に積層されていても良い。このメタライズ基板を製
造には，ワイヤーの結線部の接合に金属片を用い，前記
ワイヤー接合の際，金属組成物を塗布するときに，ワイ
ヤーの接続部に前記金属片を付けて同時にメタライズ焼
成を行い接合させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は厚膜電子回路の導体層形
成及びセラミック基板上に実装された電子機器用素子，
部品等が動作することによって発生する熱を拡散するた
めの銅回路を形成するためのメタライズセラミックス基
板とこのメタライズセラミックス基板を製造する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電子回路基板には，高絶縁性，機械的強
度，他の電子素子を劣化させないこと、金属導体と容易
に接合体となること，熱伝導率が大きいなどの性質が要
求されている。このような基板としては，アルミナ、窒
化物等のセラミックスがある。
【０００３】しかし，セラミックス単体では，電子機器
に用いられるトランジスタ，ダイオード，ＩＣ，ＬＳ
Ｉ，その他各種の電子部品を直接実装することができな
い。
【０００４】そのため，セラミックス表面に金属化膜を
形成し，導体あるいは金属とを接合することにより，電
子回路を製造している。このセラミックス表面に金属化
膜を形成したものをメタライズ基板と呼ぶ。
【０００５】図３は従来のメタライズセラミックス基板
の半田付けによる金属片の接合状態を示す断面図であ
る。図３において，セラミックス基板１に，このセラミ
ックスに対して高い接合強度が得られるペースト状のメ
タライズ用金属粉末組成物２を必要な回路に印刷し，そ
の上のワイヤー結線部に金属片５´を半田６によって，
接合してメタライズ基板としている。このメタライズ基
板に，ＩＣ等の電子部品３がクリーム半田６により接合
され，金属片５´及び電子部品３間はワイヤー４のは半
田付けにより接続されている。尚，図中の符号４ａは接
続用の半田である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来，電子回路を形成
したメタライズ金属粉末組成物上へのワイヤーによる直
接の結線は困難であり，ワイヤー結線部に金属片を半田
により接合し，その金属片にワイヤーを結線し回路を構
成していた。この場合，半導体電子部品を実装するため
の半田と金属片を結線部に接合させるための半田は，熱
抵抗の関係から組成が異なってくる。そのため，半田付
け温度及び雰囲気が異なることが有り，半田の選択が必
要になる。また，メタライズ用金属粉末組成物から形成
された金属化膜は，直径２５〜５０μｍのＡｕ線による
直接の結線は可能であるが，大電流を流す必要の有る場
合に使用されるような２５０μｍ以上のＡｌ，Ｃｕ線に
よる直接結線は困難であった。
【０００７】そこで，本発明の技術的課題は，半田の選
択及び直径２５０μｍ以上のＡｌ，Ｃｕ線による結線を
容易にすることができるメタライズ基板及びメタライズ
基板の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，チップ
部品を搭載して，ワイヤーによる配線を行うセラミック
スと金属粉末組成物とからなるメタライズ基板におい
て，前記ワイヤーの結線部に金属片を有することを特徴
とするメタライズ基板の製造方法が得られる。
【０００９】本発明によれば，前記メタライズ基板，前
記金属片は少なくとも２層に積層されていることを特徴
とする用いるメタライズ基板が得られる。
【００１０】本発明によれば，前記したいずれかのメタ
ライズ基板において，前記金属片はメタライズ用金属粉
末組成物のメタライズ温度より融点の高Ｃｕ，Ａｇ，Ｆ
ｅ，Ａｕの内の少なくとも一種であることを特徴とする
メタライズ基板が得られる。
【００１１】本発明によれば，前記したいずれかのメタ
ライズ基板において，前記金属粉末組成物は，Ｃｕを７
０〜９５重量％，残部がＴｉからなることを特徴とする
メタライズ基板が得られる。
【００１２】本発明によれば，チップ部品を搭載して，
ワイヤーによる配線を行うセラミックスと金属粉末組成
物とからなるメタライズ基板を製造する方法において，
前記ワイヤーの結線部の接合に金属片を用いることを特
徴とするメタライズ基板の製造方法が得られる。
【００１３】本発明によれば，前記メタライズ基板の製
造方法において，前記ワイヤー接合の際，前記金属粉末
組成物を塗布するときに，ワイヤーの接続部に前記金属
片を付けて同時にメタライズ焼成を行い接合させること
を特徴とするメタライズ基板の製造方法が得られる。
【００１４】本発明によれば，前記したいずれかのメタ
ライズ基板の製造方法において，前記金属片として少な
くとも２層を有する積層金属片を用いることを特徴とす
るメタライズ基板の製造方法が得られる。
【００１５】本発明によれば，前記したいずれかのメタ
ライズ基板の製造方法において，前記金属片は前記金属
粉末組成物のメタライズ温度より融点の高Ｃｕ，Ａｇ，
Ｆｅ，Ａｕの内の少なくとも一種であることを特徴とす
るメタライズ基板の製造方法が得られる。
【００１６】本発明によれば，前記したいずれかのメタ
ライズ基板の製造方法において，前記金属粉末組成物と
して，Ｃｕを７０〜９５重量％，残部がＴｉからなる金
属組成物を用いることを特徴とするメタライズ基板の製
造方法が得られる。
【００１７】ここで，本発明のセラミックス基板とし
て，窒素化合物，例えば，ＡｌＮやＳｉ3 Ｎ4 及び酸化
物，例えばＡｌ2 Ｏ3 等あるいは数％の焼結助剤を含む
セラミックス焼結体が適用できるが，これらに限定され
るものではない。
【００１８】
【実施例】以下，本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の実施例に係るメタライズ基
板を示す平面図である。図１において，セラミックス基
板１にセラミックスに対して高い接合強度が得られるペ
ースト状のメタライズ用金属粉末組成物２を所望する回
路パターンとなるように印刷し，他の回路結線部に金属
片５を形成してメタライズ基板１０としている。このメ
タライズ基板１０上にＩＣ等による電子部品３が設けら
れ，金属片５とがワイヤー４によって，半田４ａで接続
されている。
【００１９】図２は図１のメタライズ基板の断面図であ
る。図２において，メタライズ用金属粉末組成物２と電
子部品３の接着は，クリーム半田６によって行われ，金
属片５は，メタライズ用金属粉末組成物２上には，Ａｇ
片７，ワイヤー４との結線表面はＣｕ片８との積層され
て構成されている。
【００２０】次に，図１及び図２を参照して本発明の実
施例のメタライズ基板を製造する方法について説明す
る。まず，メタライズ用金属粉末組成物は，重量％表示
で主成分のＣｕは、７０〜９５％，Ｔｉは５〜３０％の
組成を有するように，夫々平均粒径１〜１０μｍの微粉
末を秤量し混合を行い，次に，ビヒクルを添加混合し
て，三本のロールミル等を用いて十分混練し、均一に分
散させ，スクリーン印刷に適した粘度に調整しペースト
状とした。更に，バインダーとして，アクリル系樹脂な
ど通常用いられているものを混合した。このメタライズ
用金属粉末組成物をＡｌＮからなるセラミックス基板１
に塗布し，形成されたメタライズ組成物回路上に，Ｃｕ
片８とＡｇ片７との積層金属片であるクラッド材からな
る金属片５をワイヤー４のボンディングによる結線部と
して設け，高真空雰囲気中乃至不活性ガス雰囲気中にお
いて熱処理を施した。
【００２１】尚，このメタライズ用金属粉末組成物２上
にＣｕ粉末組成物を塗布することもできるが，このＣｕ
粉末組成物は，上記メタライズ用金属粉末組成物と同様
の方法によって作られたペースト状のものとすることが
できる。また，金属片５は，セラミックス基板１に塗布
したペーストとの接着性が高く，メタライズ用金属粉末
組成物の熱処理温度より融点の高いものとするため，及
び結線に使用されるワイヤーの材質を考慮してＣｕ，Ａ
ｕ，とＡｇ単体及びこれらの金属を２層以上に形成した
ものを用いた。このようにメタライズ用金属粉末組成物
を使用し，金属片５を接合したために，セラミックス基
板に対して高い接合強度が得られ，回路形成の結線が容
易にすることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
半導体電子部品の半田付けのみとなり，半田の選択の必
要がなくなり，半田の選択及び直径２５０μｍ以上のＡ
ｌ，Ｃｕ線による結線を容易にするための金属片の接合
の問題を解決することができ，工程を簡略化したメタラ
イズ基板及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係るメタライズ基板の平面図
である。
【図２】図１のメタライズ基板の断面図である。
【図３】従来のメタライズ基板の一例を示す断面図であ
る。
【符号の説明】 １ セラミックス基板 ２ メタライズ用金属粉末組成物 ３ 電子部品 ４ ワイヤー ５，５´ 金属片 ６ クリーム半田
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｃ 7011−4Ｅ 7/20 Ｄ 8509−4Ｅ

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 チップ部品を搭載して，ワイヤーによる
    配線を行うセラミックスと金属粉末組成物とからなるメ
    タライズ基板において， 前記ワイヤーの結線部に金属片を有することを特徴とす
    るメタライズ基板。
  2. 【請求項２】 請求項１記載のメタライズ基板におい
    て，前記金属片は少なくとも２層に積層されていること
    を特徴とする用いるメタライズ基板。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２記載のメタライズ基板に
    おいて，前記金属片はメタライズ用金属粉末組成物のメ
    タライズ温度より融点の高Ｃｕ，Ａｇ，Ｆｅ，Ａｕの内
    の少なくとも一種であることを特徴とするメタライズ基
    板。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至３のうちのいずれか記載の
    メタライズ基板において，前記金属粉末組成物は，Ｃｕ
    を７０〜９５重量％，残部がＴｉからなることを特徴と
    するメタライズ基板。
  5. 【請求項５】 チップ部品を搭載して，ワイヤーによる
    配線を行うセラミックスと金属粉末組成物とからなるメ
    タライズ基板を製造する方法において， 前記ワイヤーの結線部の接合に金属片を用いることを特
    徴とするメタライズ基板の製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項５記載のメタライズ基板の製造方
    法において，前記ワイヤー接合の際，前記金属粉末組成
    物を塗布するときに，ワイヤーの接続部に前記金属片を
    付けて同時にメタライズ焼成を行い接合させることを特
    徴とするメタライズ基板の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項５又は６記載のメタライズ基板の
    製造方法において，前記金属片として少なくとも２層を
    有する積層金属片を用いることを特徴とするメタライズ
    基板の製造方法。
  8. 【請求項８】 請求項５乃至７のうちのいずれか記載の
    メタライズ基板の製造方法において，前記金属片は前記
    金属粉末組成物のメタライズ温度より融点の高Ｃｕ，Ａ
    ｇ，Ｆｅ，Ａｕの内の少なくとも一種であることを特徴
    とするメタライズ基板の製造方法。
  9. 【請求項９】 請求項５乃至８のうちのいずれか記載の
    メタライズ基板の製造方法において，前記金属粉末組成
    物として，Ｃｕを７０〜９５重量％，残部がＴｉからな
    る金属粉末組成物を用いることを特徴とするメタライズ
    基板の製造方法。
JP03316327A 1991-11-29 1991-11-29 メタライズ基板及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3134234B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03316327A JP3134234B2 (ja) 1991-11-29 1991-11-29 メタライズ基板及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03316327A JP3134234B2 (ja) 1991-11-29 1991-11-29 メタライズ基板及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05152696A true JPH05152696A (ja) 1993-06-18
JP3134234B2 JP3134234B2 (ja) 2001-02-13

Family

ID=18075898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03316327A Expired - Fee Related JP3134234B2 (ja) 1991-11-29 1991-11-29 メタライズ基板及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3134234B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011165728A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Mitsubishi Materials Corp 識別記号付パワーモジュール用基板およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011165728A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Mitsubishi Materials Corp 識別記号付パワーモジュール用基板およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3134234B2 (ja) 2001-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4924033A (en) Brazing paste for bonding metal and ceramic
JP3237258B2 (ja) セラミック多層配線基板
JP2573225B2 (ja) 電子部品の製造方法
JPH09275166A (ja) 窒化アルミニウム基材を用いた半導体装置用部材及びその製造方法
US5292574A (en) Ceramic substrate having wiring of silver series
JP3238051B2 (ja) ろう材
JP3401102B2 (ja) 回路基板およびその製造方法、電子デバイス実装体、グリーンシート
JP2572823B2 (ja) セラミック接合体
JPS61248302A (ja) 炭化ケイ素焼結体用メタライズペ−スト
JP3134234B2 (ja) メタライズ基板及びその製造方法
JP2783577B2 (ja) 金属―セラミックス接合用ろう材ペースト及び電子部品
JP2002134885A (ja) 回路基板およびその製造方法、電子デバイス実装体、グリーンシート
JPH08298359A (ja) 銅厚膜回路基板
JP2004327945A (ja) セラミック電子回路部品
JP3505659B2 (ja) 導電膜付メタライズ基板の製造方法
JP3252743B2 (ja) セラミックス回路基板
JPH0737420A (ja) 導体ペースト組成物及びそれを用いた回路基板
JPH07207452A (ja) 金属粉末組成物及びそれを用いたメタライズ基板の製造方法
JP3905991B2 (ja) ガラスセラミック配線基板
JPS58130590A (ja) セラミツク配線基板および該セラミツク配線基板を用いた厚膜ハイブリツドｉｃ
JP3279846B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05267496A (ja) セラミックス配線基板の製造方法
JPH08274422A (ja) 回路基板
WO1994009182A1 (en) Metal powder composition for metallization and metallized substrate
JPH0760872B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20001101

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees