JPH05150258A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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Publication number
JPH05150258A
JPH05150258A JP31421091A JP31421091A JPH05150258A JP H05150258 A JPH05150258 A JP H05150258A JP 31421091 A JP31421091 A JP 31421091A JP 31421091 A JP31421091 A JP 31421091A JP H05150258 A JPH05150258 A JP H05150258A
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JP
Japan
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metal wiring
insulating layer
contact hole
liquid crystal
crystal display
Prior art date
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Pending
Application number
JP31421091A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazunori Komori
一徳 小森
Mamoru Takeda
守 竹田
Koji Matsunaga
浩二 松永
Ikunori Kobayashi
郁典 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP31421091A priority Critical patent/JPH05150258A/en
Publication of JPH05150258A publication Critical patent/JPH05150258A/en
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Abstract

PURPOSE:To suppress disconnection at a metal contact part having laminated structure and to provide liq. crystal display device in a high yield of production. CONSTITUTION:A 1st metal wiring 101, a 1st insulating layer 102, a 2nd metal wiring 104, a 2nd insulating layer 103 and a 3rd metal wiring 105 are successively laminated on an insulating substrate. Each of the 1st insulating layer 102 and the 2nd insulating layer 103 has a contact hole and the contact hole in the layer 103 does not overlap the contact hole in the layer 102. The 1st metal wiring 101, the 2nd metal wiring 104 and the 3rd metal wiring 105 are electrically connected to each other.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関する
ものである。特に本発明は、周辺の配線部に使用され
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device. In particular, the present invention is used in the peripheral wiring section.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示装置はCRTに代わるデ
ィスプレイとして注目され、より高画質化や大画面化に
向けて改良が進められている。この為新たな材料が利用
され、これにあった製造プロセスや構造が検討されてい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices have been attracting attention as displays replacing CRTs, and improvements have been made toward higher image quality and larger screens. For this reason, new materials are being used, and manufacturing processes and structures suitable for this are being investigated.

【0003】以下図面を参照しながら、上述した従来の
液晶表示装置の一例について説明する。(図3)は,従
来の液晶表示装置の断面図を示すものである.(図3)
において、301は第1の金属配線、302は第2の金
属配線、303は絵素スイッチ素子、304は絵素電
極、305は透明電極、306は第1の絶縁層、307
は第2の絶縁層、308は絶縁基板、309は液晶層、
310は対向基板、311はシ−ル樹脂である。(たと
えば、映像情報(I)、1989年9月号23〜31ペ
−ジ)。
An example of the above-mentioned conventional liquid crystal display device will be described below with reference to the drawings. (Fig. 3) is a cross-sectional view of a conventional liquid crystal display device. (Figure 3)
, 301 is a first metal wiring, 302 is a second metal wiring, 303 is a pixel switching element, 304 is a pixel electrode, 305 is a transparent electrode, 306 is a first insulating layer, 307
Is a second insulating layer, 308 is an insulating substrate, 309 is a liquid crystal layer,
310 is a counter substrate and 311 is a seal resin. (For example, Video Information (I), September 1989 issue, pages 23 to 31).

【0004】本発明に特に関係する配線部の構造を(図
4)に抜き出す。401は第1の金属配線、402は第
1の絶縁層、403は第2の絶縁層、404は第2の金
属配線、405は絶縁基板である。
The structure of the wiring portion particularly related to the present invention is extracted as shown in FIG. 401 is a first metal wiring, 402 is a first insulating layer, 403 is a second insulating layer, 404 is a second metal wiring, and 405 is an insulating substrate.

【0005】(図3)は、液晶表示装置として最も広く
普及している逆スタッガ−タイプの薄膜トランジスタ−
を用いた例である。この場合第1の金属配線401は走
査線(ゲ−ト)である。この第1の金属配線401の材
料として今まで最も広く用いられてきたのはクロムであ
るが、近年ディスプレイの高画質化や大画面化に伴いア
ルミニウムが用いられるようになった。
FIG. 3 shows an inverted stagger type thin film transistor, which is the most widely used liquid crystal display device.
It is an example using. In this case, the first metal wiring 401 is a scanning line (gate). Although chromium has been most widely used as a material of the first metal wiring 401 until now, aluminum has come to be used in recent years as the image quality and the screen size of the display become larger.

【0006】第1の絶縁層402と第2の絶縁層403
は絶縁効果を高めるためこのように2層構造をとること
が多く材質も第1の絶縁層402と第2の絶縁層403
でことなるものにすることが多い。例えば、第1の絶縁
層402を酸化タンタル、第2の絶縁層403を窒化ケ
イ素など。また最近では第1の絶縁層402を第1の金
属配線401の陽極酸化によって形成することもある。
例えば第1の金属配線401をアルミニウム、第1の絶
縁層402を酸化アルミニウムである。
First insulating layer 402 and second insulating layer 403
Often has a two-layer structure like this in order to enhance the insulating effect, and the materials are the first insulating layer 402 and the second insulating layer 403.
Often different things. For example, the first insulating layer 402 is tantalum oxide, the second insulating layer 403 is silicon nitride, or the like. Recently, the first insulating layer 402 may be formed by anodic oxidation of the first metal wiring 401.
For example, the first metal wiring 401 is aluminum and the first insulating layer 402 is aluminum oxide.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構造では、第1の絶縁層402のコンタクトホ−ル
と第2の絶縁層403のコンタクトホ−ルがオ−バ−ラ
ップしているためこの重なり部分の第1の金属配線40
1は、第1の絶縁層402のコンタクトホ−ル形成時と
第2の絶縁層403のコンタクトホ−ル形成時の2回な
んらかのダメ−ジを受けることとなる。
However, in the above structure, the contact hole of the first insulating layer 402 and the contact hole of the second insulating layer 403 are overlapped. The first metal wiring 40 in this overlapping portion
No. 1 receives some damage twice when the contact hole of the first insulating layer 402 is formed and when the contact hole of the second insulating layer 403 is formed.

【0008】特に近年よく用いられるようになったアル
ミニウムのような薬品に対して弱い材料の場合は特に問
題となり最悪の場合コンタクトホ−ル形成時に第1の金
属配線401も消失してしまい第2の金属配線404と
の電気的接続が取れなくなってしまい、断線となる。こ
れが走査線あるいは信号線でおきればディスプレイの表
示は線欠陥となる。
Particularly in the case of a material such as aluminum, which has been often used in recent years, which is weak against chemicals, there is a particular problem, and in the worst case, the first metal wiring 401 disappears when the contact hole is formed. The electrical connection with the metal wiring 404 is lost, resulting in disconnection. If this is a scanning line or a signal line, the display on the display will be a line defect.

【0009】本発明は、上記課題に鑑み、対薬品性に劣
った金属材料を用いても安定した電気的接続の得られ、
断線のない液晶表示装置を提供するものである。
In view of the above problems, the present invention provides stable electrical connection even if a metal material having poor chemical resistance is used.
It is intended to provide a liquid crystal display device without breakage.

【0010】[0010]

【課題を解決する手段】上記課題を解決するために本発
明の液晶表示装置は、第1の絶縁層のコンタクトホ−ル
と第2の絶縁層のコンタクトホ−ルを異なる位置に配置
し、さらに第1の絶縁層と第2の絶縁層との間に新たな
金属配線を配し第1の絶縁層のコンタクトホ−ルと第2
の絶縁層のコンタクトホ−ルを電気的に接続する構造で
あることを特徴とするものである。
In order to solve the above-mentioned problems, a liquid crystal display device of the present invention has a contact hole of a first insulating layer and a contact hole of a second insulating layer arranged at different positions, Further, a new metal wiring is arranged between the first insulating layer and the second insulating layer, and the contact hole of the first insulating layer and the second
The structure is characterized in that the contact holes of the insulating layer are electrically connected.

【0011】[0011]

【作用】本発明は上記した構造によって第1の絶縁層の
コンタクトホ−ル下の第1の金属配線はコンタクトホ−
ル形成プロセスに1度だけしかさらされずダメ−ジが軽
減される。特に前述した様に第1の絶縁層を陽極酸化で
形成することが多くなった現在、第1の絶縁層のコンタ
クトホ−ルは従来のエッチングによる形成ではなく選択
的な陽極酸化により形成することができる。この場合、
第1の絶縁層のコンタクトホ−ルは第1の金属配線に全
くダメ−ジを与えることなく形成できる。
According to the present invention, the first metal wiring under the contact hole of the first insulating layer has the structure described above.
It is only exposed to the rule forming process once, reducing damage. In particular, as the first insulating layer is often formed by anodic oxidation as described above, the contact hole of the first insulating layer should be formed by selective anodic oxidation, not by conventional etching. You can in this case,
The contact hole of the first insulating layer can be formed without giving any damage to the first metal wiring.

【0012】第1の金属配線の材質は薄膜トランジスタ
−の場合、ゲ−トとなる場合が多い。従来は製造の安定
性を考慮して化学的に安定な材料、例えばクロムを使用
することが多かった。しかし近年ディスプレイの大型
化、高精細化に伴いゲ−ト材料の低抵抗化が必要となっ
たため、アルミニウムなどの材料が使用されるようにな
った。しかし、アルミニウムは化学的および熱的に不安
定でディスプレイの製造を極端に難しくしてきた。
In the case of a thin film transistor, the material of the first metal wiring is often a gate. In the past, a chemically stable material such as chromium was often used in consideration of manufacturing stability. However, in recent years, with the increase in size and definition of displays, it has become necessary to reduce the resistance of gate materials, and materials such as aluminum have come to be used. However, aluminum has been chemically and thermally unstable, making display manufacturing extremely difficult.

【0013】本発明の構造では、前述の通り第1の金属
配線に与えるダメ−ジが軽減できるので第1の金属配線
の材料の選択幅が広がる。前述のアルミニウムを使用し
てもディスプレイが容易に製造できる。
In the structure of the present invention, since the damage given to the first metal wiring can be reduced as described above, the selection range of the material of the first metal wiring can be widened. A display can be easily manufactured using the aforementioned aluminum.

【0014】[0014]

【実施例】以下本発明の一実施例の液晶表示装置につい
て、図面を参照しながら説明する。(図1)は本発明の
第1の実施例における液晶表示装置の配線部の断面図を
示すものである。101は第1の金属配線、102は第
1の絶縁層、103は第2の絶縁層、104は第2の金
属配線、105は第3の金属配線、106は絶縁基板で
ある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a sectional view of a wiring portion of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. 101 is a first metal wiring, 102 is a first insulating layer, 103 is a second insulating layer, 104 is a second metal wiring, 105 is a third metal wiring, and 106 is an insulating substrate.

【0015】本実施例の構造は液晶表示装置の配線部で
よく用いられる。金属の材料を変換したい時、例えば第
1の金属配線101がアルミニウムで、第3の金属配線
105がITOという構成は、他の素子やフレキシブル
基板との接続部に用いる。また孤立した第1の金属配線
101を第3の金属配線105を使用して電気的接続を
得るときは本構造を2箇所設けて第1の金属配線−第2
の金属配線−第3の金属配線−第2の金属配線−第1の
金属配線の順に電気的接続をとる。これは、基板周辺部
で電源ラインや断線救済用ラインなど入り組んだ配線を
つなぐときに用いる。
The structure of this embodiment is often used in the wiring portion of a liquid crystal display device. When it is desired to convert the metal material, for example, the configuration in which the first metal wiring 101 is aluminum and the third metal wiring 105 is ITO is used for a connection portion with another element or a flexible substrate. Further, when the isolated first metal wiring 101 is electrically connected using the third metal wiring 105, this structure is provided at two places, and the first metal wiring-second
, The third metal wiring, the second metal wiring, and the first metal wiring are electrically connected in this order. This is used when connecting intricate wiring such as a power supply line and a line for relief of disconnection in the peripheral portion of the substrate.

【0016】本構造の製造例を、示す。まず第1の金属
配線101(例えばアルミニウムを材料とする)を所定
の形にパタ−ニングした後、その一部をマスキングして
陽極酸化し、第1の絶縁層102を形成する。この後第
2の金属配線103を成膜、さらに第1の金属配線10
1と電気的接続をとるような形でパタ−ニングする。こ
の後、第2の絶縁層103を成膜(例えば、窒化ケイ素
を材料とする)、さらに第2の金属配線104の上で第
1の金属配線101の未化成部の上以外のところでコン
タクトホ−ルをエッチングにより形成する。この後、第
3の金属配線105を成膜、パタ−ニングすることで第
1の金属配線101、第2の金属配線104、第3の金
属配線105の電気的接続をとる。
An example of manufacturing this structure will be shown. First, the first metal wiring 101 (made of aluminum, for example) is patterned into a predetermined shape, and then a part of it is masked and anodized to form a first insulating layer 102. After that, the second metal wiring 103 is formed, and the first metal wiring 10 is further formed.
The pattern is made in such a manner that it makes an electrical connection with 1. After that, a second insulating layer 103 is formed (for example, using silicon nitride as a material), and a contact hole is formed on the second metal wiring 104 other than on the unformed portion of the first metal wiring 101. -Lease by etching. After that, the third metal wiring 105 is formed and patterned to electrically connect the first metal wiring 101, the second metal wiring 104, and the third metal wiring 105.

【0017】第2の金属配線104と第3の金属配線1
05の材料は必要に応じて選択する。たとえば、クロ
ム、ITO、アルミニウム、チタン、モリブデン、タン
タル、タングステン、あるいはこれらのいずれかを主成
分とする合金である。また前述の説明では金属配線はい
ずれも単層であるような表現をしているが単層に限る必
要はなく、多層膜で形成されていてもよい。
Second metal wiring 104 and third metal wiring 1
The material of 05 is selected as required. For example, it is chromium, ITO, aluminum, titanium, molybdenum, tantalum, tungsten, or an alloy containing any of these as a main component. Further, in the above description, the metal wiring is expressed as a single layer, but it is not limited to a single layer, and may be formed of a multilayer film.

【0018】さらに前述の例では、第1の絶縁層102
を陽極酸化法で形成しているがこれに限定するものでな
く、スパッタリング、各種CVD法、印刷、コ−ティン
グなどで形成しても良い。この時第1の絶縁層102の
コンタクトホ−ルはエッチングで形成される。
Further, in the above-mentioned example, the first insulating layer 102
However, the present invention is not limited to this and may be formed by sputtering, various CVD methods, printing, coating, or the like. At this time, the contact hole of the first insulating layer 102 is formed by etching.

【0019】第1の絶縁層102を、陽極酸化法で形成
する場合は、第1の金属配線101の材料は陽極酸化が
可能な材料に限定される。例えば、アルミニウム、タン
タル、チタンあるいはこれらのいずれかを主成分とする
合金である。陽極酸化法を使用しない場合は使用する金
属に制限はなくたとえば、クロム、ITO、アルミニウ
ム、チタン、モリブデン、タンタル、タングステン、あ
るいはこれらのいずれかを主成分とする合金が使用でき
る。
When the first insulating layer 102 is formed by the anodic oxidation method, the material of the first metal wiring 101 is limited to a material that can be anodized. For example, aluminum, tantalum, titanium, or an alloy containing any of these as a main component. When the anodizing method is not used, the metal used is not limited, and for example, chromium, ITO, aluminum, titanium, molybdenum, tantalum, tungsten, or an alloy containing any of these as the main component can be used.

【0020】(図2)は本発明の第2の実施例における
液晶表示装置の配線部の断面図を示すものである。20
1は第1の金属配線、202は第1の絶縁層、203は
第2の絶縁層、204は第2の金属配線、205は第3
の金属配線、206は絶縁基板である。
FIG. 2 is a sectional view of the wiring portion of the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention. 20
1 is the first metal wiring, 202 is the first insulating layer, 203 is the second insulating layer, 204 is the second metal wiring, and 205 is the third.
Of metal wiring, and 206 is an insulating substrate.

【0021】この構造は、第2の絶縁層103のコンタ
クトホ−ルの下に第1の金属配線201がないので第2
の金属配線204や第1の絶縁層202に多少のピンホ
−ル等の欠陥が生じても第1の金属配線201には影響
をあたえない。
In this structure, since the first metal wiring 201 is not provided under the contact hole of the second insulating layer 103, the second
Even if some defects such as pinholes occur in the metal wiring 204 and the first insulating layer 202, the first metal wiring 201 is not affected.

【0022】なお、第1および第2の実施例においてコ
ンタクトホ−ルは、穴状である表現を用いているがこれ
に限定することなく、コンタクトを得るために絶縁層を
除去した部分を意味し、形状は、穴状とは限らない。
In the first and second embodiments, the contact hole is expressed in the shape of a hole, but the present invention is not limited to this, and it means a portion where the insulating layer is removed to obtain a contact. However, the shape is not limited to the hole shape.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上のように本発明は積層で構成される
液晶表示装置であって下層に化学的安定性にかける材料
を使用しても断線が生じず、液晶表示装置の製造の歩留
りを向上させる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the present invention is a liquid crystal display device having a laminated structure, and even if a material having chemical stability is used in the lower layer, disconnection does not occur, and the manufacturing yield of the liquid crystal display device is improved. Improve.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a second embodiment of the present invention.

【図3】従来の液晶表示装置の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a conventional liquid crystal display device.

【図4】従来の液晶表示装置のコンタクト部の断面図で
ある。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a contact portion of a conventional liquid crystal display device.

【記号の説明】[Explanation of symbols]

101 第1の金属配線 102 第1の絶縁層 103 第2の絶縁層 104 第2の金属配線 105 第3の金属配線 106 絶縁基板 201 第1の金属配線 202 第1の絶縁層 203 第2の絶縁層 204 第2の金属配線 205 第3の金属配線 206 絶縁基板 301 第1の金属配線 302 第2の金属配線 303 絵素スイッチ素子 304 絵素電極 305 透明電極 306 第1の絶縁層 307 第2の絶縁層 308 絶縁基板 309 液晶層 310 対向基板 311 シ−ル樹脂 401 第1の金属配線 402 第1の絶縁層 403 第2の絶縁層 404 第2の金属配線 405 絶縁基板 101 First Metal Wiring 102 First Insulating Layer 103 Second Insulating Layer 104 Second Metal Wiring 105 Third Metal Wiring 106 Insulating Substrate 201 First Metal Wiring 202 First Insulating Layer 203 Second Insulation Layer 204 Second metal wiring 205 Third metal wiring 206 Insulating substrate 301 First metal wiring 302 Second metal wiring 303 Picture element switch element 304 Picture element electrode 305 Transparent electrode 306 First insulating layer 307 Second Insulating layer 308 Insulating substrate 309 Liquid crystal layer 310 Counter substrate 311 Seal resin 401 First metal wiring 402 First insulating layer 403 Second insulating layer 404 Second metal wiring 405 Insulating substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 郁典 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Ikunori Kobayashi 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】絶縁基板上に第1の金属配線と第1の絶縁
層と第2の金属配線と第2の絶縁層と第3の金属配線が
順に積層されていて、前記第1の絶縁層と前記第2の絶
縁層は、それぞれコンタクトホ−ルを有していて、前記
第2の絶縁層のコンタクトホ−ルは前記第1の絶縁層の
コンタクトホ−ルと重ならない位置にあってかつ前記第
1の金属配線と前記第2の金属配線と前記第3の金属配
線は電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示
装置。
1. A first metal wiring, a first insulating layer, a second metal wiring, a second insulating layer, and a third metal wiring are sequentially laminated on an insulating substrate, and the first insulating layer is formed. The layer and the second insulating layer each have a contact hole, and the contact hole of the second insulating layer is in a position not overlapping the contact hole of the first insulating layer. In addition, the liquid crystal display device is characterized in that the first metal wiring, the second metal wiring, and the third metal wiring are electrically connected.
【請求項2】絶縁基板上に第1の金属配線と第1の絶縁
層と第2の金属配線と第2の絶縁層と第3の金属配線が
順に積層されていて、前記第1の絶縁層と前記第2の絶
縁層は、それぞれコンタクトホ−ルを有していて、前記
第2の絶縁層のコンタクトホ−ルは前記第1の絶縁層の
コンタクトホ−ルと重ならない位置にあってかつ前記第
2の絶縁層のコンタクトホ−ルの下には前記第1の金属
配線がなくかつ前記第1の金属配線と前記第2の金属配
線と前記第3の金属配線は電気的に接続されていること
を特徴とする液晶表示装置。
2. A first metal wiring, a first insulating layer, a second metal wiring, a second insulating layer, and a third metal wiring are sequentially laminated on an insulating substrate, and the first insulating layer is formed. The layer and the second insulating layer each have a contact hole, and the contact hole of the second insulating layer is in a position not overlapping the contact hole of the first insulating layer. In addition, the first metal wiring is not present below the contact hole of the second insulating layer, and the first metal wiring, the second metal wiring, and the third metal wiring are electrically connected. A liquid crystal display device characterized by being connected.
【請求項3】第1の金属配線がアルミニウムあるいはア
ルミニウム合金である請求項1または2記載の液晶表示
装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first metal wiring is aluminum or an aluminum alloy.
【請求項4】第2の金属配線がクロムあるいはITOあ
るいはこれらの合金である請求項1または2記載の液晶
表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the second metal wiring is chromium, ITO or an alloy thereof.
JP31421091A 1991-11-28 1991-11-28 Liquid crystal display device Pending JPH05150258A (en)

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JP (1) JPH05150258A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0850308A (en) * 1994-06-03 1996-02-20 Furontetsuku:Kk Production of electrooptical element

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0850308A (en) * 1994-06-03 1996-02-20 Furontetsuku:Kk Production of electrooptical element

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