JPH05145008A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Semiconductor integrated circuit deviceInfo
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- JPH05145008A JPH05145008A JP11821692A JP11821692A JPH05145008A JP H05145008 A JPH05145008 A JP H05145008A JP 11821692 A JP11821692 A JP 11821692A JP 11821692 A JP11821692 A JP 11821692A JP H05145008 A JPH05145008 A JP H05145008A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、温度センサーを内蔵し
た半導体集積回路装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device incorporating a temperature sensor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の過渡の温度上昇に対する保
護方法として、特公昭５７−３８１８６号公報に開示さ
れた方法がある。この方法によれば、ＰＮ接合を有する
半導体素子、例えばバイポーラトランジスタを加熱試験
に供する際、そのバイポーラトランジスタのベース−エ
ミッタ間電圧をモニターし、その電圧が所定値になった
時点で加熱を止める。2. Description of the Related Art As a method of protecting a semiconductor device from a transient temperature rise, there is a method disclosed in Japanese Patent Publication No. 57-38186. According to this method, when a semiconductor device having a PN junction, such as a bipolar transistor, is subjected to a heating test, the base-emitter voltage of the bipolar transistor is monitored, and heating is stopped when the voltage reaches a predetermined value.
【０００３】一方、特開昭５８−７７３２９号公報に
は、ＰＮ接合ダイオード、抵抗及びバイポーラトランジ
スタからなる電源電圧検出回路を設けた半導体集積回路
装置が開示されている。そして、この半導体集積回路装
置の加速試験において高い電源電圧がこの半導体集積回
路装置に印加され、通常は逆バイアス状態で非導通であ
る電源電圧検出回路のＰＮ接合ダイオードにそのブレー
クダウン電圧以上の電圧が印加されると、そのＰＮ接合
ダイオードが導通して電源電圧検出回路のバイポーラト
ランジスタがオン状態となり、この結果、半導体集積回
路装置の内部回路を流れる回路電流を制御するために設
けられた別のバイポーラトランジスタがオフ状態となっ
て、回路電流が制御され、内部回路の接合温度の上昇が
抑制される。On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-77329 discloses a semiconductor integrated circuit device provided with a power supply voltage detection circuit composed of a PN junction diode, a resistor and a bipolar transistor. Then, in the acceleration test of this semiconductor integrated circuit device, a high power supply voltage is applied to this semiconductor integrated circuit device, and the PN junction diode of the power supply voltage detection circuit which is normally non-conducting in the reverse bias state has a voltage higher than the breakdown voltage. Is applied, the PN junction diode becomes conductive and the bipolar transistor of the power supply voltage detection circuit is turned on. As a result, another circuit provided for controlling the circuit current flowing through the internal circuit of the semiconductor integrated circuit device is provided. The bipolar transistor is turned off, the circuit current is controlled, and the rise in the junction temperature of the internal circuit is suppressed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
特公昭５７−３８１８６号公報に開示された方法では、
半導体装置の加熱及び加熱停止を半導体装置の外部で行
っており、半導体装置自体には、その温度上昇を制御す
る機構が設けられていない。However, in the method disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Publication No. 57-38186,
The semiconductor device is heated and stopped outside the semiconductor device, and the semiconductor device itself is not provided with a mechanism for controlling its temperature rise.
【０００５】一方、上述の特開昭５８−７７３２９号公
報に開示された構成では、電源電圧検出回路が温度変化
だけでは動作しないため、半導体集積回路装置の実際の
温度上昇に即した制御を行うことができない。即ち、電
源電圧検出回路を作動させない低い電源電圧が印加され
ている限り、半導体集積回路装置の内部に徐々に熱が蓄
積してその温度が上昇しても、それを制御することがで
きない。特に、加速試験等の信頼性試験を行う場合に
は、通常、半導体装置をパッケージに封入してからエー
ジング等の処理を行うが、パッケージの種類によってそ
の放熱能力が異なるため、電源電圧と装置内部の温度上
昇率との関係は、使用するパッケージの種類によって一
律には決まらない。このため、異なる種類のパッケージ
で信頼性試験を行う場合には、電源電圧と装置内部の温
度上昇率との関係をパッケージの種類毎に求めなければ
ならないという手間が生じる。On the other hand, in the structure disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 58-77329, the power supply voltage detection circuit does not operate only by the temperature change, so that control is performed in accordance with the actual temperature rise of the semiconductor integrated circuit device. I can't. That is, as long as a low power supply voltage that does not activate the power supply voltage detection circuit is applied, even if heat gradually accumulates inside the semiconductor integrated circuit device and its temperature rises, it cannot be controlled. In particular, when conducting reliability tests such as acceleration tests, the semiconductor device is usually enclosed in a package and then aging and other processes are performed. The relationship with the temperature rise rate is not uniformly determined by the type of package used. For this reason, when carrying out reliability tests on different types of packages, it is necessary to find the relationship between the power supply voltage and the temperature rise rate inside the device for each type of package.
【０００６】また、後者の特開昭５８−７７３２９号公
報に開示された構成では、電源電圧検出回路にバイポー
ラトランジスタを用いているため、半導体集積回路装置
の内部回路がＭＯＳプロセスだけで製造されるＭＯＳ系
の回路装置の場合には、その製造プロセスにバイポーラ
プロセスを加えなければならないという繁雑さも有っ
た。In the latter configuration disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 58-77329, since the bipolar transistor is used in the power supply voltage detection circuit, the internal circuit of the semiconductor integrated circuit device is manufactured only by the MOS process. In the case of a MOS type circuit device, there has been the complexity that a bipolar process must be added to the manufacturing process.
【０００７】そこで、本発明の目的は、半導体集積回路
装置の実際の温度上昇を検出し、その検出結果に基づい
て、内部回路への電力の供給を自己で制御することがで
きる半導体集積回路装置を提供することである。Therefore, an object of the present invention is to detect an actual temperature rise of a semiconductor integrated circuit device and, based on the detection result, can control the supply of electric power to an internal circuit by itself. Is to provide.
【０００８】また、本発明の別の目的は、ＭＯＳ系の半
導体集積回路装置に適した温度上昇制御機構を提供する
ことである。Another object of the present invention is to provide a temperature rise control mechanism suitable for MOS semiconductor integrated circuit devices.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明の半導体集積回路装置は、ＰＮ接合を含
む素子を有する温度センサーと、この温度センサーの出
力が供給されるインバータと、このインバータの出力に
基づいて内部回路への電力の供給を制御する制御手段と
を有する。In order to solve the above-mentioned problems, a semiconductor integrated circuit device of the present invention includes a temperature sensor having an element including a PN junction, an inverter to which an output of the temperature sensor is supplied, And a control unit that controls the supply of electric power to the internal circuit based on the output of the inverter.
【００１０】本発明において、ＰＮ接合を含む前記素子
はＰＮ接合ダイオードで構成することができる。In the present invention, the element having a PN junction may be a PN junction diode.
【００１１】この時、前記温度センサーが、前記ＰＮ接
合ダイオードに直列に接続した抵抗素子を有し、この抵
抗素子と前記ＰＮ接合ダイオードとの間から前記温度セ
ンサーの前記出力が取り出されるようにするのが好まし
い。At this time, the temperature sensor has a resistance element connected in series to the PN junction diode, and the output of the temperature sensor is taken out between the resistance element and the PN junction diode. Is preferred.
【００１２】更に、前記抵抗素子はその所定箇所におい
て温度センサー用電源に接続されているのが好ましい。Further, it is preferable that the resistance element is connected to a temperature sensor power source at a predetermined portion thereof.
【００１３】また、前記インバータが一対のＭＯＳトラ
ンジスタで構成され、これら一対のＭＯＳトランジスタ
のゲートに前記温度センサーの前記出力が夫々供給され
るようにするのが好ましい。It is preferable that the inverter is composed of a pair of MOS transistors, and the outputs of the temperature sensor are supplied to the gates of the pair of MOS transistors, respectively.
【００１４】更に、前記制御手段が、内部回路用電源と
前記内部回路との間に直列に接続されたＭＯＳトランジ
スタからなり、このＭＯＳトランジスタのゲートに前記
インバータの前記出力が供給されるようにするのが好ま
しい。Further, the control means is composed of a MOS transistor connected in series between the internal circuit power source and the internal circuit, and the output of the inverter is supplied to the gate of the MOS transistor. Is preferred.
【００１５】[0015]
【作用】本発明の半導体集積回路装置においては、自己
の温度上昇を、内蔵した温度センサーにより検出し、そ
の温度が所定の温度以上になった時に、その温度センサ
ーの出力に基づいて内部回路への電力の供給を自動的に
制御する。In the semiconductor integrated circuit device of the present invention, the temperature rise of itself is detected by the built-in temperature sensor, and when the temperature exceeds a predetermined temperature, it is sent to the internal circuit based on the output of the temperature sensor. Automatically control the power supply of.
【００１６】従って、半導体集積回路装置の過渡の温度
上昇による破壊を自己で未然に防止することができると
ともに、半導体集積回路装置の実際の温度上昇に即した
制御を行うことができるので、例えば、使用するパッケ
ージの種類が変わったような場合でも、内部の温度上昇
制御機構の設定を一々変更する必要が無い。Therefore, it is possible to prevent the semiconductor integrated circuit device from being destroyed due to a transient temperature rise, and it is possible to perform control according to the actual temperature rise of the semiconductor integrated circuit device. Even if the type of package used changes, it is not necessary to change the settings of the internal temperature rise control mechanism one by one.
【００１７】また、本発明のインバータ及び制御手段は
いずれもＭＯＳトランジスタで構成することができるの
で、半導体集積回路装置の内部回路がＭＯＳ系の回路装
置の場合には、全てをＭＯＳプロセスだけで製造するよ
うに構成することが可能であり、その製造工程が簡単に
なる。Further, since both the inverter and the control means of the present invention can be constituted by MOS transistors, when the internal circuit of the semiconductor integrated circuit device is a MOS type circuit device, all are manufactured only by the MOS process. Can be configured to simplify the manufacturing process.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、本発明を実施例につき図面を参照して
説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【００１９】図１に、本発明の一実施例による半導体集
積回路装置の要部の等価回路を示す。FIG. 1 shows an equivalent circuit of a main part of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention.
【００２０】図示の如く、この実施例においては、温度
センサー１０が、ＰＮ接合ダイオード１１とその温度加
速のために直列に接続された抵抗１２とで構成されてい
る。そして、ＰＮ接合ダイオード１１のアノード１１ａ
と抵抗１２の一端とが接点１３において接続され、抵抗
１２の他端は、所定の温度センサー用電源電圧ｖ（例え
ば、〜１．０Ｖ）が印加される電源端子１４に接続され
ている。この電源端子１４に印加される温度センサー用
電源電圧ｖは、半導体集積回路装置本体、即ち、ＭＯＳ
系集積回路素子群から構成されるメモリ、ロジック等の
内部回路３０用の電源電圧ＶCCとは別のものである。一
方、ＰＮ接合ダイオード１１のカソード１１ｂは接地さ
れている。As shown in the figure, in this embodiment, the temperature sensor 10 is composed of a PN junction diode 11 and a resistor 12 connected in series to accelerate its temperature. Then, the anode 11a of the PN junction diode 11
And one end of the resistor 12 are connected at a contact 13, and the other end of the resistor 12 is connected to a power supply terminal 14 to which a predetermined temperature sensor power supply voltage v (for example, ˜1.0 V) is applied. The temperature sensor power supply voltage v applied to the power supply terminal 14 is the semiconductor integrated circuit device body, that is, the MOS.
It is different from the power supply voltage V CC for the internal circuit 30 such as a memory and a logic configured by the system integrated circuit element group. On the other hand, the cathode 11b of the PN junction diode 11 is grounded.
【００２１】更に、ＰＮ接合ダイオード１１のアノード
１１ａは、接点１３において、ＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ１６及びＰチャネルＭＯＳトランジスタ１８から
なるインバータ２０のゲート１６ａ及び１８ａに夫々接
続されている。そして、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ
１８のソース１８ｂには、電源端子２２から、内部回路
３０用の電源電圧ＶCCと同じ電圧が印加される。また、
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１６のソース１６ｂは接
地されている。そして、このインバータ２０を構成する
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１６のドレイン１６ｃと
ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１８のドレイン１８ｃと
は接点２３において互いに接続されており、これらが、
次段のＰチャネルＭＯＳトランジスタ２４のゲート２４
ａに接続されている。Further, the anode 11a of the PN junction diode 11 is connected at the contact 13 to the gates 16a and 18a of the inverter 20 composed of the N-channel MOS transistor 16 and the P-channel MOS transistor 18, respectively. The same voltage as the power supply voltage V CC for the internal circuit 30 is applied to the source 18b of the P-channel MOS transistor 18 from the power supply terminal 22. Also,
The source 16b of the N-channel MOS transistor 16 is grounded. The drain 16c of the N-channel MOS transistor 16 and the drain 18c of the P-channel MOS transistor 18 which form the inverter 20 are connected to each other at a contact 23, and these are
The gate 24 of the P-channel MOS transistor 24 in the next stage
It is connected to a.
【００２２】ＰチャネルＭＯＳトランジスタ２４は、内
部回路３０とこの内部回路３０用の電源との間に直列に
接続されたスイッチング手段であり、このＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタ２４のソース２４ｂに電源端子２６か
ら電源電圧ＶCCが印加され、このＰチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ２４のドレイン２４ｃが内部回路３０に接続さ
れている。The P-channel MOS transistor 24 is a switching means connected in series between the internal circuit 30 and the power supply for the internal circuit 30, and the P-channel M-transistor is provided.
A power supply voltage V CC is applied from a power supply terminal 26 to the source 24b of the OS transistor 24, and the drain 24c of the P-channel MOS transistor 24 is connected to the internal circuit 30.
【００２３】内部回路３０は、本実施例の場合、ＭＯＳ
系集積回路素子群から構成されるメモリ、ロジック等で
あり、その一部で電気的に接地されている。In the case of this embodiment, the internal circuit 30 is a MOS.
A memory, a logic, and the like configured from a system integrated circuit element group, and a part thereof is electrically grounded.
【００２４】図３は、図１に示した回路構成を実際に半
導体ウェハの上にレイアウトした状態を示す平面図であ
る。この図３において、図１に示した各回路構成要素と
対応する部分には同一の符号を付した。これらの回路素
子及び配線は、通常シリコン基板等の半導体基板上に形
成される。FIG. 3 is a plan view showing a state in which the circuit configuration shown in FIG. 1 is actually laid out on a semiconductor wafer. In FIG. 3, parts corresponding to those of the circuit components shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. These circuit elements and wirings are usually formed on a semiconductor substrate such as a silicon substrate.
【００２５】図示の如く、ＰＮ接合ダイオード１１は、
その中心部に位置するアノード１１ａとそれを包囲する
形で比較的大きなカソード１１ｂとを有し、アノード１
１ａは、リード線１０５により接点１３において抵抗１
２と接続している。一方、カソード１１ｂは、アノード
１１ａの周囲で接点１１０により接地線１１５と接続し
ている。As shown, the PN junction diode 11 is
It has an anode 11a located at the center thereof and a relatively large cathode 11b surrounding the anode 11a.
1a is a resistance 1 at the contact 13 due to the lead wire 105.
It is connected to 2. On the other hand, the cathode 11b is connected to the ground line 115 by the contact 110 around the anode 11a.
【００２６】抵抗１２は、ポリシリコン製の抵抗線１１
８で構成され、その一端は接点１３においてＰＮ接合ダ
イオード１１と接続し、他端は、所望の抵抗値が得られ
る位置に設けられた接点１２０によりアルミニウム製の
電極１４に接続している。この抵抗１２の抵抗線１１８
は、製造時に、後述する臨界電流に合わせて接点１２０
の位置を変えたり、一部にバイパス１２２を設けたりし
て、その抵抗値を所望の値に設定できるよう、ウェハ上
に予め長めに形成されている。The resistor 12 is a resistor wire 11 made of polysilicon.
8, the one end of which is connected to the PN junction diode 11 at the contact 13, and the other end of which is connected to the aluminum electrode 14 by the contact 120 provided at a position where a desired resistance value can be obtained. Resistance wire 118 of this resistance 12
During the manufacturing, the contact 120 is adjusted according to the critical current described later.
Is formed in advance on the wafer so that the resistance value can be set to a desired value by changing the position of or by providing the bypass 122 in part.
【００２７】インバータを構成するＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ１６は、そのソース１６ｂが接点１２５及び
リード線１３０を介して接地線１１５に接続し、ドレイ
ン１６ｃが接点１３５によりリード線１４０に接続して
いる。リード線１４０は、インバータを構成するＰチャ
ネルＭＯＳトランジスタ１８のドレイン１８ｃと接点１
５０により接続し、更に、次段のＰチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ２４のゲート２４ａと接点２３により接続して
いる。また、インバータを構成するＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ１６のゲート１６ａとＰチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ１８のゲート１８ａは互いに同層同一の物質
（通常、ポリシリコン）で構成され、接点１３において
リード線１０５及び抵抗１２に接続している。更に、Ｐ
チャネルＭＯＳトランジスタ１８のソース１８ｂは、接
点１５５により電極２２、２６と接続している。The source 16b of the N-channel MOS transistor 16 constituting the inverter is connected to the ground line 115 via the contact 125 and the lead wire 130, and the drain 16c is connected to the lead wire 140 via the contact 135. The lead wire 140 is connected to the drain 18c of the P-channel MOS transistor 18 forming the inverter and the contact 1
50, and further, it is connected to the gate 24a of the P-channel MOS transistor 24 of the next stage by the contact 23. Further, the gate 16a of the N-channel MOS transistor 16 and the gate 18a of the P-channel MOS transistor 18 which form the inverter are made of the same material (usually polysilicon) in the same layer, and are connected to the lead wire 105 and the resistor 12 at the contact 13. Connected. Furthermore, P
The source 18b of the channel MOS transistor 18 is connected to the electrodes 22 and 26 by a contact 155.
【００２８】また、図外の内部回路３０（図１参照）へ
の電力供給の制御手段であるＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ２４のソース２４ｂは、接点１６０により電極２
２、２６と接続し、ドレイン２４ｃは、接点１６５によ
りリード線１７０と接続している。そして、このリード
線１７０が、図外の内部回路３０に接続している。Further, the source 24b of the P-channel MOS transistor 24, which is a means for controlling the power supply to the internal circuit 30 (see FIG. 1) (not shown), is connected to the electrode 2 by the contact 160.
The drain 24c is connected to the lead wire 170 by a contact 165. The lead wire 170 is connected to the internal circuit 30 (not shown).
【００２９】次に、以上のように構成された半導体集積
回路装置の動作を説明する。Next, the operation of the semiconductor integrated circuit device configured as described above will be described.
【００３０】ＰＮ接合ダイオード１１は、図２に示すよ
うな電流−電圧特性を有する。同図に示す如く、ＰＮ接
合ダイオード１１の接合温度Ｔが上昇すると、それに伴
ってそのＰＮ接合のビルトインポテンシャル（built-in
potential) が下がる結果、ＰＮ接合ダイオード１１を
流れる電流は増加する。The PN junction diode 11 has a current-voltage characteristic as shown in FIG. As shown in the figure, when the junction temperature T of the PN junction diode 11 rises, the built-in potential (built-in potential) of the PN junction is accordingly increased.
potential) decreases, the current flowing through the PN junction diode 11 increases.
【００３１】一方、図１に示すように、このＰＮ接合ダ
イオード１１のアノード１１ａ、即ち温度センサー１０
の出力部に当たる接点１３における電位ＶQは、On the other hand, as shown in FIG. 1, the anode 11a of the PN junction diode 11, that is, the temperature sensor 10.
The electric potential V Q at the contact 13 corresponding to the output of
【００３２】 ＶQ ＝ｖ−ｉＲ …（１）V Q = v−iR (1)
【００３３】で表される。ここで、ｉは抵抗１２を流れ
る電流であり、Ｒは抵抗１２の抵抗値である。この
（１）式から分かるように、接合温度Ｔの上昇に伴って
抵抗１２を流れる電流ｉが増加すると、電位ＶQ は下が
っていく。It is represented by Here, i is a current flowing through the resistor 12, and R is a resistance value of the resistor 12. As can be seen from the equation (1), when the current i flowing through the resistor 12 increases as the junction temperature T increases, the potential V Q decreases.
【００３４】そして、次段のＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ１８のしきい値電圧ＶT1に対し、Then, with respect to the threshold voltage V T1 of the P-channel MOS transistor 18 in the next stage,
【００３５】 ＶT1≦ＶCC−ＶQ …（２）V T1 ≦ V CC −V Q (2)
【００３６】となった時点で、このＰチャネルＭＯＳト
ランジスタ１８はオン状態、ＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ１６はオフ状態となり、インバータ２０の出力部に
当たる接点２３の電位ＶS はローレベルからハイレベル
に変化する。そして、これにより、次段のＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタ２４はオフ状態となり、内部回路３０
と電源ＶCCとが切り離されて、回路電流が０になる。At this point, the P-channel MOS transistor 18 is turned on, the N-channel MOS transistor 16 is turned off, and the potential V S of the contact 23 corresponding to the output portion of the inverter 20 changes from low level to high level. .. Then, by this, the P channel M of the next stage
The OS transistor 24 is turned off, and the internal circuit 30
And the power supply V CC are disconnected, and the circuit current becomes zero.
【００３７】この時、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１
８のしきい値電圧ＶT1は、半導体集積回路装置の内部回
路３０のものと同じになるように設定しておく。そし
て、信頼性試験において、１回目のエージング或いはバ
ーンインテストの際に、或る１種類のパッケージに封入
した本実施例による半導体集積回路装置が温度上昇によ
りラッチアップ等を起こし始める時の電流ｉ、即ち、臨
界電流ｉC を求めておく。At this time, the P-channel MOS transistor 1
The threshold voltage V T1 of 8 is set to be the same as that of the internal circuit 30 of the semiconductor integrated circuit device. Then, in the reliability test, during the first aging or burn-in test, the current i when the semiconductor integrated circuit device according to the present embodiment enclosed in a certain type of package starts to cause latch-up due to temperature rise, That is, the critical current i C is obtained.
【００３８】そして、And
【００３９】 ＶT1≦ＶCC−（ｖ−ｉＲ）＝ＶCC−ｖ＋ｉＲ …（３）V T1 ≦ V CC − (v−iR) = V CC −v + iR (3)
【００４０】であるから、Therefore,
【００４１】 ＶT1＝ＶCC−ｖ＋ｉC Ｒ …（４）[0041] V T1 = V CC -v + i C R ... (4)
【００４２】が満たされるように抵抗Ｒを設定しておく
と、後の信頼性試験に異なる種類のパッケージを使用し
た場合でも、本実施例による温度上昇制御機構は全く同
様に動作し、接合温度Ｔが同じ臨界温度に達した時点で
自動的に回路電流を遮断する。従って、ラッチアップ等
による半導体集積回路装置の破壊を未然に防止すること
ができる。If the resistance R is set so as to satisfy the above condition, the temperature rise control mechanism according to the present embodiment operates in exactly the same manner even when different types of packages are used in the reliability test, and the junction temperature is increased. The circuit current is automatically cut off when T reaches the same critical temperature. Therefore, it is possible to prevent damage to the semiconductor integrated circuit device due to latch-up or the like.
【００４３】また、本実施例においては、温度センサ
ー、インバータ及び回路電流を遮断するための手段から
なる温度上昇制御機構を全てＭＯＳトランジスタやＰＮ
接合ダイオード等で構成しているので、半導体集積回路
装置の内部回路がＭＯＳ系の回路装置である場合には、
本実施例の温度上昇制御機構をそれらの回路装置と同時
に製造することができ、製造工程が簡単になる。Further, in this embodiment, the temperature rise control mechanism including the temperature sensor, the inverter and the means for cutting off the circuit current are all MOS transistors or PN.
Since the semiconductor integrated circuit device is composed of a junction diode or the like, if the internal circuit of the semiconductor integrated circuit device is a MOS type circuit device,
The temperature rise control mechanism of this embodiment can be manufactured simultaneously with those circuit devices, and the manufacturing process is simplified.
【００４４】以上、本発明を一実施例につき説明した
が、本発明は上述の実施例に限定されるものではない。
例えば、上述の実施例では、温度センサー１０にＰＮ接
合ダイオード１１を用いたが、このＰＮ接合ダイオード
１１の代わりにバイポーラトランジスタを用いても良
い。また、半導体集積回路装置の内部回路３０はＭＯＳ
系の回路装置のみに限定されない。Although the present invention has been described above with reference to an embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment.
For example, although the PN junction diode 11 is used for the temperature sensor 10 in the above embodiment, a bipolar transistor may be used instead of the PN junction diode 11. Further, the internal circuit 30 of the semiconductor integrated circuit device is a MOS
It is not limited to only the circuit device of the system.
【００４５】[0045]
【発明の効果】本発明の半導体集積回路装置によれば、
内蔵した温度センサーにより過渡の温度上昇を検出する
ことができ、その温度センサーの出力に基づいて内部回
路への電力の供給を自動的に制御することができる。According to the semiconductor integrated circuit device of the present invention,
A built-in temperature sensor can detect a transient temperature rise, and the power supply to the internal circuit can be automatically controlled based on the output of the temperature sensor.
【００４６】従って、過渡の温度上昇による半導体集積
回路装置の破壊を自己で未然に防止することができると
ともに、半導体集積回路装置の実際の温度上昇に即した
制御を行うことができるので、例えば、使用するパッケ
ージの種類を問わずに半導体集積回路装置の温度上昇を
制御することができる。Therefore, it is possible to prevent the semiconductor integrated circuit device from being destroyed due to the transient temperature rise, and it is possible to perform control in accordance with the actual temperature rise of the semiconductor integrated circuit device. The temperature rise of the semiconductor integrated circuit device can be controlled regardless of the type of package used.
【００４７】また、本発明のインバータ及び制御手段は
いずれもＭＯＳトランジスタで構成することができるの
で、例えば、半導体集積回路装置の内部回路がＭＯＳ系
の回路装置の場合、全てをＭＯＳプロセスだけで製造す
るように構成することが可能で、その場合には、製造工
程が簡単になる。Further, since both the inverter and the control means of the present invention can be constituted by MOS transistors, for example, when the internal circuit of the semiconductor integrated circuit device is a MOS type circuit device, all are manufactured only by the MOS process. Can be configured so that the manufacturing process is simplified.
【図１】本発明の一実施例による半導体集積回路装置の
等価回路を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention.
【図２】ＰＮ接合ダイオードの電流−電圧特性を示すグ
ラフである。FIG. 2 is a graph showing a current-voltage characteristic of a PN junction diode.
【図３】図１の実施例の基板上におけるレイアウトの例
を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing an example of the layout on the substrate of the embodiment of FIG.
１０ 温度センサー １１ ＰＮ接合ダイオード １２ 抵抗 １６ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ １８ ＰチャネルＭＯＳトランジスタ ２０ インバータ ２４ ＰチャネルＭＯＳトランジスタ ３０ 内部回路 ｖ 温度センサー用電源電圧 ＶCC 内部回路用電源電圧10 Temperature Sensor 11 PN Junction Diode 12 Resistance 16 N-Channel MOS Transistor 18 P-Channel MOS Transistor 20 Inverter 24 P-Channel MOS Transistor 30 Internal Circuit v Temperature Sensor Power Supply Voltage V CC Internal Circuit Power Supply Voltage
Claims (6)
ーと、 この温度センサーの出力が供給されるインバータと、 このインバータの出力に基づいて内部回路への電力の供
給を制御する制御手段とを有することを特徴とする半導
体集積回路装置。1. A temperature sensor having an element including a PN junction, an inverter to which the output of the temperature sensor is supplied, and a control means for controlling the supply of electric power to an internal circuit based on the output of the inverter. A semiconductor integrated circuit device characterized by the above.
オードであることを特徴とする請求項１に記載の半導体
集積回路装置。2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the element including a PN junction is a PN junction diode.
オードに直列に接続した抵抗素子を有し、この抵抗素子
と前記ＰＮ接合ダイオードとの間から前記温度センサー
の前記出力が取り出されることを特徴とする請求項２に
記載の半導体集積回路装置。3. The temperature sensor has a resistance element connected in series to the PN junction diode, and the output of the temperature sensor is taken out between the resistance element and the PN junction diode. The semiconductor integrated circuit device according to claim 2.
度センサー用電源に接続されていることを特徴とする請
求項３に記載の半導体集積回路装置。4. The semiconductor integrated circuit device according to claim 3, wherein the resistance element is connected to a temperature sensor power supply at a predetermined position thereof.
スタで構成され、これら一対のＭＯＳトランジスタのゲ
ートに前記温度センサーの前記出力が夫々供給されるこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半
導体集積回路装置。5. The inverter according to claim 1, wherein the inverter is composed of a pair of MOS transistors, and the outputs of the temperature sensor are supplied to the gates of the pair of MOS transistors, respectively. The semiconductor integrated circuit device according to 1.
内部回路との間に直列に接続されたＭＯＳトランジスタ
からなり、このＭＯＳトランジスタのゲートに前記イン
バータの前記出力が供給されることを特徴とする請求項
１〜５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。6. The control means comprises a MOS transistor connected in series between an internal circuit power supply and the internal circuit, and the output of the inverter is supplied to the gate of the MOS transistor. The semiconductor integrated circuit device according to any one of claims 1 to 5.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11821692A JPH05145008A (en) | 1991-04-10 | 1992-04-10 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10487091 | 1991-04-10 | ||
| JP3-104870 | 1991-04-10 | ||
| JP11821692A JPH05145008A (en) | 1991-04-10 | 1992-04-10 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05145008A true JPH05145008A (en) | 1993-06-11 |
Family
ID=26445245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11821692A Pending JPH05145008A (en) | 1991-04-10 | 1992-04-10 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05145008A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5897850A (en) * | 1993-11-30 | 1999-04-27 | Comprimo B.V. | Process for removing elemental sulfur from a gas stream |
| JP2006047039A (en) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | Temperature detection circuit, and power semiconductor device provided with temperature detection circuit |
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| JPS56120153A (en) * | 1980-02-28 | 1981-09-21 | Seiko Epson Corp | Temperature protector for integrated circuit |
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1992
- 1992-04-10 JP JP11821692A patent/JPH05145008A/en active Pending
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