JPH05144317A - Conductive paste and chip type ceramic electronic parts having it used to form electrode - Google Patents
Conductive paste and chip type ceramic electronic parts having it used to form electrodeInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本願発明は、導電性ペースト及び
該導電性ペーストを用いて電極を形成したチップ型セラ
ミック電子部品に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive paste and a chip type ceramic electronic component in which electrodes are formed by using the conductive paste.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】チップ
型セラミック電子部品は、例えば、図３に示すように、
セラミック電子部品素体（この従来例ではセラミックコ
ンデンサ素体）２１の両端側に電極２２を配設すること
により形成されている。そして、このようなチップ型セ
ラミック電子部品（チップ型積層セラミックコンデン
サ）においては、電極２２の半田濡れ性を向上させるた
めに、セラミックコンデンサ素体２１上に形成された厚
膜電極（下層側電極）２３上に、異なる組成を有する上
層側電極２４を形成する場合がある。2. Description of the Related Art A chip-type ceramic electronic component is, for example, as shown in FIG.
It is formed by disposing electrodes 22 on both ends of a ceramic electronic component body (ceramic capacitor body in this conventional example) 21. In such a chip type ceramic electronic component (chip type laminated ceramic capacitor), a thick film electrode (lower layer side electrode) formed on the ceramic capacitor body 21 in order to improve the solder wettability of the electrode 22. The upper electrode 24 having a different composition may be formed on the upper surface 23.
【０００３】例えば、チップ型積層セラミックコンデン
サの場合、下層側電極として半田耐熱性を向上させるた
めにパラジウム（Ｐｄ）１０〜３０重量％を含む銀（Ａ
ｇ）ペースト（ガラスフリットを含有する）を塗布焼付
けし、上層側電極として、Ａｇペーストを焼付けするこ
とにより電極を形成する技術が、特開昭５７−１４８３
３１号公報、特開昭５７−１４８３３３号公報に開示さ
れている。For example, in the case of a chip type monolithic ceramic capacitor, silver (A) containing 10 to 30% by weight of palladium (Pd) is used as a lower layer side electrode for improving solder heat resistance.
g) A technique in which a paste (containing a glass frit) is applied and baked to form an electrode by baking an Ag paste as an upper layer side electrode is disclosed in JP-A-57-1483.
No. 31, and Japanese Patent Laid-Open No. 57-148333.
【０００４】しかし、上記従来の技術により形成された
電極においては、焼成中に下層側電極と上層側電極との
間で、ガラス、Ａｇ、Ｐｄの拡散が生じ、下層側電極に
おいては、上層側電極から拡散したＡｇにより焼結が促
進され、下層側電極中に含まれていたガラスフリットが
軟化して上層側電極表面にまで移動する。However, in the electrode formed by the above-mentioned conventional technique, diffusion of glass, Ag, and Pd occurs between the lower layer side electrode and the upper layer side electrode during firing, and the lower layer side electrode has the upper layer side. Sintering is promoted by Ag diffused from the electrode, and the glass frit contained in the lower layer side electrode softens and moves to the surface of the upper layer side electrode.
【０００５】その結果、上層側電極を形成することによ
り、下層側電極中のガラス成分が溶出し、上層側電極表
面のガラス成分量が増加して半田濡れ性が低下し、実装
工程における半田付けの信頼性が低下するという問題点
がある。As a result, by forming the upper layer side electrode, the glass component in the lower layer side electrode is eluted, the amount of the glass component on the surface of the upper layer side electrode is increased and the solder wettability is lowered, and soldering in the mounting process is performed. However, there is a problem in that the reliability of
【０００６】また、実開平２−２０３１９号公報には、
下層側電極が１〜１０重量％のガラスフリットを含有
し、上層側電極が５重量％以下のガラスフリットを含む
電極を形成してなるチップ型電子部品が開示されてい
る。Further, Japanese Utility Model Laid-Open No. 20319/1990 discloses that
A chip-type electronic component is disclosed in which the lower layer side electrode contains 1 to 10% by weight of glass frit and the upper layer side electrode forms an electrode containing 5% by weight or less of glass frit.
【０００７】しかし、このチップ型電子部品において
は、上層側電極に含まれているガラスフリットが高融点
のガラスフリットである場合、上層側電極の半田濡れ性
が阻害され、また、低融点のガラスフリットである場合
には、焼成工程において、下層側電極と上層側電極が相
互拡散して下層側電極のガラス成分が上層側電極に移動
し、上層側電極中のガラスと相互溶解することにより融
点が低下してガラス成分が移動しやすくなり、結果的に
上層側電極表面のガラス量が増加することになり、半田
濡れ性が低下するという問題点がある。However, in this chip-type electronic component, when the glass frit contained in the upper layer side electrode is a glass frit having a high melting point, the solder wettability of the upper layer side electrode is impaired and the glass having a low melting point is also used. In the case of a frit, in the firing step, the lower layer side electrode and the upper layer side electrode interdiffuse, the glass component of the lower layer side electrode moves to the upper layer side electrode, and the melting in the glass in the upper layer side electrode causes mutual melting. And the glass component is likely to move, resulting in an increase in the amount of glass on the surface of the upper-layer side electrode, resulting in a decrease in solder wettability.
【０００８】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、ガラスフリットを含有する下層側電極上に塗布す
ることにより、電極の半田濡れ性を向上させることが可
能な導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いて形成
した半田濡れ性に優れた電極を有するチップ型セラミッ
ク電子部品を提供することを目的とする。The present invention solves the above problems, and a conductive paste capable of improving the solder wettability of an electrode by applying it on a lower layer side electrode containing a glass frit, and the conductive paste. An object of the present invention is to provide a chip-type ceramic electronic component having an electrode excellent in solder wettability formed by using a conductive paste.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明の導電性ペーストは、Ａｇ粉末９６．０〜
９９．７重量％に対して、Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3及びＰｂ3
Ｏ4からなる群から選ばれる少なくとも１種を０．３〜
４．０重量％の割合で配合し、これに有機ビヒクルを添
加してペースト状にしたことを特徴とする。In order to achieve the above object, the conductive paste of the present invention comprises Ag powder 96.0.
With respect to 99.7% by weight, B 2 O 3 , Bi 2 O 3 and Pb 3
0.3 to at least one selected from the group consisting of O 4
It is characterized in that it is blended at a ratio of 4.0% by weight, and an organic vehicle is added thereto to form a paste.
【００１０】また、本願発明のチップ型セラミック電子
部品は、セラミック電子部品素体と、前記セラミック電
子部品素体上にガラスフリットを含有するＡｇ−Ｐｄ系
導電性ペーストを塗布焼付けすることにより形成された
下層側電極と、前記下層側電極上に、Ａｇ粉末９６．０
〜９９．７重量％に対して、Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3及びＰｂ
3Ｏ4からなる群から選ばれる少なくとも１種を０．３〜
４．０重量％の割合で配合し、これに有機ビヒクルを添
加してペースト状にした導電性ペーストを塗布焼付けす
ることにより形成された上層側電極とを具備することを
特徴とする。The chip-type ceramic electronic component of the present invention is formed by coating and baking a ceramic electronic component element body and an Ag-Pd-based conductive paste containing glass frit on the ceramic electronic component element body. On the lower layer side electrode, and Ag powder 96.0 on the lower layer side electrode.
˜99.7% by weight, B 2 O 3 , Bi 2 O 3 and Pb
0.3 to at least one selected from the group consisting of 3 O 4
It is characterized by comprising an upper layer side electrode formed by blending at a ratio of 4.0% by weight, adding an organic vehicle thereto, and applying and baking a conductive paste in a paste form.
【００１１】[0011]
【作用】Ａｇ粉末９６．０〜９９．７重量％に対して、
Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，Ｐｂ3Ｏ4の少なくとも１種を０．３
〜４．０重量％の割合で配合し、これに有機ビヒクルを
添加してペースト状にした導電性ペーストを塗布焼付け
することにより形成される電極は、半田濡れ性に優れて
おり、この半田濡れ性は、ガラスフリットを含有するＡ
ｇ−Ｐｄ系導電性ペーストを焼き付けて形成した下層側
電極上に塗布焼付けして電極を形成した場合にも低下し
ない。Function: 96.0 to 99.7% by weight of Ag powder,
0.3% of at least one of B 2 O 3 , Bi 2 O 3 and Pb 3 O 4.
The electrode formed by blending in a proportion of up to 4.0% by weight and adding and baking an organic vehicle to form a conductive paste has excellent solder wettability. As for the property, A containing glass frit
Even when the electrode is formed by coating and baking on the lower layer side electrode formed by baking the g-Pd-based conductive paste, there is no decrease.
【００１２】したがって、本願発明の導電性ペーストを
用いて上層側電極を形成したチップ型セラミック電子部
品は、下層側電極が優れた半田耐熱性を有するととも
に、上層側電極が優れた半田濡れ性を有するため、実装
工程における半田付け不良を低減して、実装の信頼性を
向上させることができる。Therefore, in the chip type ceramic electronic component in which the upper layer side electrode is formed by using the conductive paste of the present invention, the lower layer side electrode has excellent solder heat resistance and the upper layer side electrode has excellent solder wettability. Therefore, the soldering failure in the mounting process can be reduced and the mounting reliability can be improved.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本願発明の実施例を比較例とともに示
してその特徴をさらに詳しく説明する。EXAMPLES The features of the present invention will be described in more detail below by showing examples of the present invention together with comparative examples.
【００１４】ＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系セラミック板
上に、Ａｇに対して５〜１０重量％のＰｄと３重量％の
ガラスフリットを含むＡｇ−Ｐｄペーストをスクリーン
印刷法により直径１０mmの円形状に塗布し、これを８５
０℃で焼成して下層側電極を形成した。なお、ガラスフ
リットは、ＰｂＯ（４０重量％），Ｂｉ2Ｏ3（２０重量
％），ＳｉＯ2（２０重量％），Ｂ2Ｏ3（２０重量％）
からなるガラスを平均粒径５μmに粉砕したものであ
る。On a MgTiO 3 —CaTiO 3 system ceramic plate, an Ag—Pd paste containing 5 to 10% by weight of Pd and 3% by weight of glass frit with respect to Ag was applied in a circular shape with a diameter of 10 mm by a screen printing method. And this is 85
The lower electrode was formed by firing at 0 ° C. The glass frit is composed of PbO (40% by weight), Bi 2 O 3 (20% by weight), SiO 2 (20% by weight), B 2 O 3 (20% by weight).
It is a glass obtained by crushing glass having an average particle diameter of 5 μm.
【００１５】そして、上記のように形成した下層側電極
上にＡｇペーストを塗布し、８００℃で焼成することに
より上層側電極を形成した。Then, an Ag paste was applied on the lower layer side electrode formed as described above and baked at 800 ° C. to form an upper layer side electrode.
【００１６】なお、Ａｇペーストは、表１に示すような
割合で、酸化物（Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，Ｐｂ3Ｏ4）をＡｇ
粉末に配合し、これに、例えば、エチルセルロースをα
−テレピネオールで溶解した有機ビヒクルを適量（例え
ば、Ａｇペースト全量に対して１０〜３０重量％）添加
してペースト状にしたものを用いた。The Ag paste contains the oxides (B 2 O 3 , Bi 2 O 3 , Pb 3 O 4 ) in the proportions shown in Table 1.
It is added to the powder and, for example, ethyl cellulose is mixed with α
An appropriate amount (for example, 10 to 30% by weight based on the total amount of Ag paste) of an organic vehicle dissolved in terpineol was added to form a paste.
【００１７】[0017]
【表１】 [Table 1]
【００１８】なお、実験番号に＊印を付したものは、こ
の発明の範囲外の比較例についてのデータを示してい
る。The test numbers marked with * indicate data for comparative examples outside the scope of the present invention.
【００１９】また、比較のため、Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ−Ｓｉ
Ｏ2系のガラスフリット２重量％を添加したＡｇペース
トを下層側電極上に塗布焼付けして上層側電極を形成し
た（実験番号２）。For comparison, B 2 O 3 --PbO--Si
An Ag paste added with 2% by weight of O 2 type glass frit was applied and baked on the lower layer side electrode to form an upper layer side electrode (Experiment No. 2).
【００２０】なお、表１における「半田濡れ性」は、Ｊ
ＩＳ Ｈ６２Ａｇ２Ａ（Ｓｎ６２％，Ｐｂ３６％，Ａｇ
２％）の半田を用いた２３０℃の半田浴に、Ｒタイプ
（ロジン系，無ハロゲン）フラックスを付着させて２秒
間浸漬した後の半田付着面積を測定することにより評価
した。すなわち、図２に示すように、下層側電極１１の
全面積に対して、半田が付着した部分１２の面積が９０
％以上の場合には良好（○）、７０〜９０％の場合には
普通（△）、７０％以下の場合には不可（×）と評価し
た。The "solder wettability" in Table 1 is J
IS H62Ag2A (Sn62%, Pb36%, Ag
(2%) solder was used to deposit an R type (rosin-based, halogen-free) flux in a solder bath at 230 ° C., and the solder adhesion area after dipping for 2 seconds was measured to evaluate. That is, as shown in FIG. 2, the area of the soldered portion 12 is 90% of the total area of the lower layer side electrode 11.
When it was at least%, it was evaluated as good (◯), when it was 70 to 90%, it was evaluated as normal (Δ), and when it was 70% or less, it was evaluated as unsatisfactory (x).
【００２１】表１より、Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，Ｐｂ3Ｏ4を
添加していない上層側電極（実験番号１）及びガラスフ
リットを添加した上層側電極（実験番号２）は、半田濡
れ性が悪く、下層側電極のみの場合よりも劣っていた。From Table 1, the upper layer side electrode (Experiment No. 1) to which B 2 O 3 , Bi 2 O 3 and Pb 3 O 4 were not added and the upper layer side electrode (Experiment No. 2) to which the glass frit was added were: Solder wettability was poor and was inferior to the case of only the lower layer side electrode.
【００２２】また、酸化物（Ｂｉ2Ｏ3）の添加量が０．
２重量％以下の場合、半田濡れ性向上の効果が認められ
ず、また、酸化物（Ｂｉ2Ｏ3）を５．０重量％以上添加
した場合には、半田濡れ性が著しく劣化した。The amount of oxide (Bi 2 O 3 ) added is 0.
If it is 2% by weight or less, the effect of improving the solder wettability is not recognized, and if 5.0% by weight or more of the oxide (Bi 2 O 3 ) is added, the solder wettability is significantly deteriorated.
【００２３】一方、酸化物（すなわち、Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2
Ｏ3，Ｐｂ3Ｏ4，Ｂ2Ｏ3＋Ｂｉ2Ｏ3）の添加量が０．３
〜４．０重量％の範囲にある場合、良好な半田濡れ性を
有する上層側電極を得ることができた。On the other hand, oxides (that is, B 2 O 3 and Bi 2
O 3 , Pb 3 O 4 , B 2 O 3 + Bi 2 O 3 ) is added in an amount of 0.3
When it was in the range of up to 4.0% by weight, the upper layer side electrode having good solder wettability could be obtained.
【００２４】なお、酸化物無添加の上層側電極（実験番
号１）と、Ｂ2Ｏ3を２重量％添加した上層側電極（実験
番号３）について、焼成後の表面のＳｉ量をＸ線光電子
分光分析法（ＸＰＳ）で分析した結果、Ｂ2Ｏ3を２重量
％添加したものは、無添加のものに比べて、Ｓｉ量が少
ないことが確認された。このことから、酸化物の添加に
より、上層側電極表面のガラス量が減少し、半田濡れ性
が向上したものと考えられる。For the upper electrode (Experiment No. 1) containing no oxide and the upper electrode (Experiment No. 3) containing 2% by weight of B 2 O 3 , the amount of Si on the surface after firing was determined by X-ray. As a result of analysis by photoelectron spectroscopy (XPS), it was confirmed that the amount of Si containing 2% by weight of B 2 O 3 was smaller than the amount of Si containing no B 2 O 3 . From this, it is considered that the addition of the oxide reduced the amount of glass on the surface of the upper electrode and improved the solder wettability.
【００２５】また、図１は、本願発明にかかる導電性ペ
ーストを用いて上層側電極を形成したチップ型積層セラ
ミックコンデンサを示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a chip type multilayer ceramic capacitor in which an upper layer side electrode is formed using a conductive paste according to the present invention.
【００２６】この実施例のチップ型積層セラミックコン
デンサは、ＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系のセラミックコ
ンデンサ素体（セラミック電子部品素体）１に内部電極
２としてニッケル電極を配設するとともに、セラミック
コンデンサ素体１の両端側に、Ａｇに対して５〜１０重
量％のＰｄと３重量％のガラスフリットを含むＡｇ−Ｐ
ｄペーストを塗布焼付けすることにより下層側電極３を
形成し、さらに、下層側電極３上に、９８重量％のＡｇ
粉末と２重量％のＢ2Ｏ3を配合し、これに有機ビヒクル
を添加してペースト状にしたＡｇペーストを塗布焼付け
することにより上層側電極４を形成したものである。In the chip type monolithic ceramic capacitor of this embodiment, a nickel electrode is provided as an internal electrode 2 on a MgTiO 3 —CaTiO 3 -based ceramic capacitor element body (ceramic electronic component element body) 1 and the ceramic capacitor element body is formed. Ag-P containing 5 to 10 wt% Pd and 3 wt% glass frit with respect to Ag on both end sides of 1.
The lower layer side electrode 3 is formed by applying and baking d paste, and 98 wt% Ag is further formed on the lower layer side electrode 3.
The upper electrode 4 is formed by mixing powder and 2% by weight of B 2 O 3 and adding and baking an organic vehicle to form a paste of Ag paste.
【００２７】このチップ型積層セラミックコンデンサに
おいては、下層側電極が優れた半田耐熱性を有するとと
もに、上層側電極が半田濡れ性に優れているため、実装
工程における半田付け不良を低減して、実装の信頼性を
向上させることができる。In this chip type monolithic ceramic capacitor, the lower layer side electrode has excellent solder heat resistance and the upper layer side electrode has excellent solder wettability, so that soldering defects in the mounting process can be reduced and The reliability of can be improved.
【００２８】また、上記実施例においては、チップ型積
層セラミックコンデンサについて説明したが、本願発明
はチップ型積層セラミックコンデンサに限らず、チップ
型正特性サーミスタなどの他のチップ型セラミック電子
部品にも適用することが可能である。Further, although the chip type monolithic ceramic capacitor has been described in the above embodiments, the present invention is not limited to the chip type monolithic ceramic capacitor, and is also applied to other chip type ceramic electronic parts such as a chip type positive temperature coefficient thermistor. It is possible to
【００２９】[0029]
【発明の効果】上述のように、本願発明の導電性ペース
トは、Ａｇ粉末９６．０〜９９．７重量％に対して、Ｂ
2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，Ｐｂ3Ｏ4の少なくとも１種を０．３〜
４．０重量％の割合で配合し、これに有機ビヒクルを添
加してペースト状にしており、焼成後に優れた半田濡れ
性を示すことから、良好な半田濡れ性が要求される表面
実装型のセラミック電子部品の電極形成用材料として極
めて有意義である。As described above, the conductive paste of the invention of the present application contains B in an amount of 96.0 to 99.7% by weight of Ag powder.
At least one of 2 O 3 , Bi 2 O 3 and Pb 3 O 4 is added in an amount of 0.3 to
It is blended at a ratio of 4.0% by weight, and an organic vehicle is added thereto to form a paste. Since it exhibits excellent solder wettability after firing, it is a surface mount type that requires good solder wettability. It is extremely significant as a material for forming electrodes of ceramic electronic parts.
【００３０】また、本願発明の導電性ペーストを用いて
上層側電極を形成したチップ型セラミック電子部品は、
実装工程における半田付け不良の発生が少なく、高い実
装信頼性を有している。Further, the chip type ceramic electronic component in which the upper layer side electrode is formed by using the conductive paste of the present invention is
There are few soldering defects in the mounting process, and high mounting reliability is achieved.
【図１】本願発明の一実施例にかかるチップ型積層セラ
ミックコンデンサを示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a chip type monolithic ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.
【図２】電極の半田濡れ性を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating solder wettability of electrodes.
【図３】従来のチップ型セラミック電子部品を示す断面
図である。FIG. 3 is a sectional view showing a conventional chip-type ceramic electronic component.
１ セラミック電子部品素体 ２ 内部電極 ３ 下層側電極 ４ 上層側電極 1 Ceramic electronic component element body 2 Internal electrode 3 Lower layer side electrode 4 Upper layer side electrode
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成３年１２月２８日[Submission date] December 28, 1991
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２０[Correction target item name] 0020
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２０】なお、表１における「半田濡れ性」は、Ｊ
ＩＳ Ｈ６２Ａｇ２Ａ（Ｓｎ６２％，Ｐｂ３６％，Ａｇ
２％）の半田を用いた２３０℃の半田浴に、Ｒタイプ
（ロジン系，無ハロゲン）フラックスを付着させて２秒
間浸漬した後の半田付着面積を測定することにより評価
した。すなわち、図２に示すように、上層側電極１１の
全面積に対して、半田が付着した部分１２の面積が９０
％以上の場合には良好（○）、７０〜９０％の場合には
普通（△）、７０％以下の場合には不可（×）と評価し
た。The "solder wettability" in Table 1 is J
IS H62Ag2A (Sn62%, Pb36%, Ag
(2%) solder was used to deposit an R type (rosin-based, halogen-free) flux in a solder bath at 230 ° C., and the solder adhesion area after dipping for 2 seconds was measured to evaluate. That is, as shown in FIG. 2, the area of the soldered portion 12 is 90% of the total area of the upper layer side electrode 11.
When it was at least%, it was evaluated as good (◯), when it was 70 to 90%, it was evaluated as normal (Δ), and when it was 70% or less, it was evaluated as unsatisfactory (x).
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２１[Correction target item name] 0021
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２１】表１の、Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，Ｐｂ3Ｏ4を添
加していない上層側電極（実験番号１）及びガラスフリ
ットを添加した上層側電極（実験番号２）は、半田濡れ
性が悪く、下層側電極のみの場合よりも劣っていた。In Table 1 , the upper layer side electrode (Experiment No. 1) to which B 2 O 3 , Bi 2 O 3 and Pb 3 O 4 was not added and the upper layer side electrode (Experiment No. 2) to which the glass frit was added were: Solder wettability was poor and was inferior to the case of only the lower layer side electrode.
Claims (2)
して、Ｂ2Ｏ3，Ｂｉ 2Ｏ3及びＰｂ3Ｏ4からなる群から選
ばれる少なくとも１種を０．３〜４．０重量％の割合で
配合し、これに有機ビヒクルを添加してペースト状にし
たことを特徴とする導電性ペースト。1. Ag powder 96.0 to 99.7 wt% relative to
And then B2O3, Bi 2 O3And Pb3OFourSelected from the group consisting of
At least one kind of spilled at a ratio of 0.3 to 4.0% by weight
Mix and add organic vehicle to form a paste.
A conductive paste characterized in that
ック電子部品素体上にガラスフリットを含有するＡｇ−
Ｐｄ系導電性ペーストを塗布焼付けすることにより形成
された下層側電極と、前記下層側電極上に、請求項１記
載の導電性ペーストを塗布焼付けすることにより形成さ
れた上層側電極とを具備することを特徴とするチップ型
セラミック電子部品。2. A ceramic electronic component body, and Ag-containing glass frit on the ceramic electronic component body.
A lower layer side electrode formed by coating and baking a Pd-based conductive paste, and an upper layer side electrode formed by coating and baking the conductive paste according to claim 1 on the lower layer side electrode. A chip-type ceramic electronic component characterized by the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32819691A JPH05144317A (en) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | Conductive paste and chip type ceramic electronic parts having it used to form electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32819691A JPH05144317A (en) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | Conductive paste and chip type ceramic electronic parts having it used to form electrode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144317A true JPH05144317A (en) | 1993-06-11 |
Family
ID=18207528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32819691A Withdrawn JPH05144317A (en) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | Conductive paste and chip type ceramic electronic parts having it used to form electrode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144317A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1993144A1 (en) * | 2006-03-07 | 2008-11-19 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Conductive paste and solar cell |
| WO2010002206A2 (en) * | 2008-07-04 | 2010-01-07 | (주) 아모엘이디 | Electrode material for aln substrate, method of forming electrode on aln substrate, and aln substrate |
-
1991
- 1991-11-15 JP JP32819691A patent/JPH05144317A/en not_active Withdrawn
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