JPH051390A - Etching device - Google Patents
Etching deviceInfo
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- JPH051390A JPH051390A JP17735191A JP17735191A JPH051390A JP H051390 A JPH051390 A JP H051390A JP 17735191 A JP17735191 A JP 17735191A JP 17735191 A JP17735191 A JP 17735191A JP H051390 A JPH051390 A JP H051390A
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- etched
- etching
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- Pending
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ等の半導
体製造工程におけるエッチング作業で使用するエッチン
グ装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an etching apparatus used in an etching operation in a semiconductor manufacturing process for semiconductor wafers and the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、半導体ウェハのエッチング作業
は、エッチャントを充填したエッチング槽内にウェハを
一枚ずつ水平姿勢で入れ、回転台上にウェハを載せ、一
方向に回転させながらエッチング処理を行っている。2. Description of the Related Art Conventionally, semiconductor wafers have been etched by horizontally placing each wafer in an etching tank filled with an etchant, placing the wafers on a turntable, and rotating the wafer in one direction to perform the etching process. ing.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】従来のエッチング作業
では、エッチング槽内で1枚ずつウェハのエッチング処
理を行っており、作業効率が大変悪かった。そこで、エ
ッチング槽内に複数のウェハを入れて同時にエッチング
することが考えられる。しかし、単にエッチング槽内に
入れるウェハの枚数を増やしただけで、単枚処理と同じ
ように一方向に回転させながらエッチングを行っていた
のでは、エッチャントが充分に攪拌されず、エッチャン
トが各ウェハ表面に均一に作用せず、エッチングにばら
つきが生じるという問題があった。In the conventional etching work, the wafers were etched one by one in the etching tank, and the work efficiency was very poor. Therefore, it is conceivable to put a plurality of wafers in the etching tank and etch them simultaneously. However, simply by increasing the number of wafers to be put in the etching bath and performing etching while rotating in one direction as in the case of single wafer processing, the etchant is not sufficiently agitated, and the etchant is removed from each wafer. There is a problem that the surface does not act uniformly and the etching varies.
【0004】したがって、この発明の目的は、同時に複
数の被エッチング材のエッチングが行え、しかも各被エ
ッチング材を均一にエッチングできるエッチング装置を
提供することである。Therefore, an object of the present invention is to provide an etching apparatus capable of simultaneously etching a plurality of materials to be etched and capable of uniformly etching each material to be etched.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】この発明のエッチング装
置は、エッチング槽内に複数の被エッチング材を支持可
能な支持部を有したホルダーを設け、ホルダーをエッチ
ング槽内で駆動手段によって反復回転および上下動させ
るものである。According to the etching apparatus of the present invention, a holder having a supporting portion capable of supporting a plurality of materials to be etched is provided in an etching tank, and the holder is repeatedly rotated and driven by driving means in the etching tank. It moves up and down.
【0006】[0006]
【作用】このように構成されたエッチング装置による
と、複数の被エッチング材をホルダーで支持してエッチ
ング槽内に入れるので、同時に複数の被エッチング材の
エッチングが行え、しかも駆動手段でホルダーを反復回
転および上下動させるので、エッチング槽内のエッチャ
ントが充分に攪拌される。According to the etching apparatus configured as described above, a plurality of materials to be etched are supported by the holder and placed in the etching tank, so that the plurality of materials to be etched can be etched at the same time, and the holder is repeatedly used by the driving means. Since it is rotated and moved up and down, the etchant in the etching tank is sufficiently stirred.
【0007】[0007]
【実施例】この発明の一実施例を図1および図2に示
す。図1において、10は、テフロン,ポリプロピレ
ン,ポリエチレン,ABS樹脂等の材料にて形成された
蓋付きのエッチング槽であり、エッチング槽10内には
エッチャント11が充填されている。また、12はエッ
チング槽10内に設けたホルダーであり、図2に示すよ
うに形成されている。すなわち、基台13上に複数の立
片からなる支持部14を放射状に配設してなり、中央に
角形の挿通孔15を有し、さらに隣接する支持部14間
には受片16が形成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment of the present invention is shown in FIGS. In FIG. 1, reference numeral 10 denotes an etching tank with a lid made of a material such as Teflon, polypropylene, polyethylene, ABS resin, etc. The etching tank 10 is filled with an etchant 11. Further, 12 is a holder provided in the etching bath 10 and is formed as shown in FIG. That is, the support portions 14 composed of a plurality of standing pieces are radially arranged on the base 13, the square insertion hole 15 is provided in the center, and the receiving pieces 16 are formed between the adjacent support portions 14. Has been done.
【0008】さらに、挿通孔15には駆動手段の一部と
なる棒体17が挿通してあり、エッチング槽10の蓋に
挿通してある。棒体17は、ホルダー12に固定されて
おり、かつホルダー12を反復回転および上下振動させ
る駆動手段(図示せず)に接続されている。駆動手段の
例としては、例えば反復回転運動の場合、レバーシブル
モータやステッピングモータをドライバで制御する方法
等があり、また上下振動は、例えばモータの回転運動を
直線運動に変換するリニアドモータを使用する方法等が
ある。Further, a rod 17 which is a part of the driving means is inserted through the insertion hole 15 and is inserted through the lid of the etching bath 10. The rod 17 is fixed to the holder 12 and is connected to a driving means (not shown) that repeatedly rotates and vertically vibrates the holder 12. As an example of the driving means, for example, in the case of repetitive rotary motion, there is a method of controlling a reversible motor or a stepping motor with a driver, and vertical vibration uses, for example, a linear motor that converts the rotary motion of the motor into a linear motion. There are ways.
【0009】なお、18はホルダー12で支持した半導
体ウェハからなる被エッチング材であり、各支持部14
間に被エッチング材18を起立姿勢で嵌合設置してあ
る。ホルダー12で支持する被エッチング材18として
は、半導体ウェハ(LED等の化合物半導体用等),半
導体ウェハ上に堆積された誘電体,半導体ウェハ上に堆
積された金合金等がある。被エッチング材18とエッチ
ャント11の組合せの具体例としては、被エッチング材
が半導体ウェハ(例えばGaAs)の場合、エッチャン
トは硫酸・過酸化水素混合液やアンモニア・過酸化水素
混合液等が使用され、または被エッチング材が半導体ウ
ェハ上に堆積された誘電体(例えばSiO2 )の場合、
エッチャントは緩衝フッ酸溶液等が使用され、さらに被
エッチング材が半導体ウェハ上に堆積された金合金の場
合、エッチャントはシアン化カリウム等が使用される。Reference numeral 18 denotes a material to be etched made of a semiconductor wafer supported by the holder 12, and each supporting portion 14
The material 18 to be etched is fitted and installed in a standing posture. The material to be etched 18 supported by the holder 12 includes a semiconductor wafer (for compound semiconductors such as LEDs), a dielectric material deposited on the semiconductor wafer, a gold alloy deposited on the semiconductor wafer, and the like. As a specific example of the combination of the material to be etched 18 and the etchant 11, when the material to be etched is a semiconductor wafer (for example, GaAs), a mixed solution of sulfuric acid / hydrogen peroxide or a mixed solution of ammonia / hydrogen peroxide is used as the etchant. Alternatively, when the material to be etched is a dielectric material (eg, SiO 2 ) deposited on a semiconductor wafer,
A buffered hydrofluoric acid solution or the like is used as the etchant, and when the material to be etched is a gold alloy deposited on a semiconductor wafer, potassium cyanide or the like is used as the etchant.
【0010】このように構成されたエッチング装置によ
ると、複数の被エッチング材18をホルダー12で支持
して同時に複数の被エッチング材18のエッチングを行
うことができる。しかも、駆動手段にてホルダー12を
反復回転および上下振動させることで、エッチング槽1
0内に充填したエッチャントが充分に攪拌され、被エッ
チング材18の表面におけるエッチャント流の偏りを防
ぎ、均一なエッチングが行える。According to the etching apparatus having such a configuration, the plurality of materials to be etched 18 can be supported by the holder 12 and the plurality of materials to be etched 18 can be simultaneously etched. Moreover, by repeatedly rotating and vertically vibrating the holder 12 by the driving means, the etching tank 1
The etchant filled in 0 is sufficiently agitated, uneven distribution of the etchant flow on the surface of the material to be etched 18 is prevented, and uniform etching can be performed.
【0011】さらに、ホルダー12は、複数の被エッチ
ング材18を円形に並べて支持しており、複数の被エッ
チング材18をコンパクトに支持でき、エッチング槽1
0の小型化、エッチャント量の削減が図れ、コストダウ
ンが図れる。Further, the holder 12 supports a plurality of materials to be etched 18 arranged in a circle and can support the plurality of materials to be etched 18 in a compact manner.
The size can be reduced to 0, the amount of etchant can be reduced, and the cost can be reduced.
【0012】なお、前記実施例では、ホルダー12の上
下方向の運動は振動であったが、振動でなく単なる上下
運動であってもよい。また、ホルダー12は被エッチン
グ材18を起立姿勢で支持するものに限らず、水平姿勢
で支持するもの等であってもよい。In the above embodiment, the vertical movement of the holder 12 is vibration, but it may be simple vertical movement instead of vibration. Further, the holder 12 is not limited to one that supports the material to be etched 18 in a standing posture, and may be one that supports a material in a horizontal posture.
【0013】また、エッチング槽10の底壁にドレイン
弁を設け、エッチャントをエッチング槽10の外部で循
環させることにより、エッチャント温度の制御を行い、
より安定したエッチングを行うことができる。A drain valve is provided on the bottom wall of the etching bath 10 to circulate the etchant outside the etching bath 10 to control the etchant temperature.
More stable etching can be performed.
【0014】さらに、半導体のみならず他の分野での応
用もできる。例えば、液体で加工するようなメッキ,食
刻版画等である。Further, it can be applied not only to semiconductors but also to other fields. For example, it may be a liquid-processed plating, an engraving, or the like.
【0015】[0015]
【発明の効果】本発明のエッチング装置によると、複数
の被エッチング材をホルダーで支持してエッチング槽内
に入れるので、同時に複数の被エッチング材のエッチン
グが行え、しかも駆動手段でホルダーを反復回転および
上下動させるので、エッチング槽内のエッチャントが充
分に攪拌され、均一にエッチングを行うことができると
いう効果が得られる。According to the etching apparatus of the present invention, a plurality of materials to be etched are supported by the holder and placed in the etching tank, so that a plurality of materials to be etched can be etched at the same time, and the holder is repeatedly rotated by the driving means. Further, since the etchant is moved up and down, the etchant in the etching tank is sufficiently agitated, and the etching can be uniformly performed.
【図1】この発明の一実施例の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of the present invention.
【図2】この発明の一実施例のホルダーの斜視図であ
る。FIG. 2 is a perspective view of a holder according to an embodiment of the present invention.
10 エッチング槽 12 ホルダー 14 支持部 18 被エッチング材 10 Etching Tank 12 Holder 14 Supporting Part 18 Etching Material
Claims (1)
設けられ複数の被エッチング材を支持可能な支持部を有
したホルダーと、このホルダーを前記エッチング槽内で
反復回転および上下動させる駆動手段とを備えたエッチ
ング装置。Claim: What is claimed is: 1. An etching bath, a holder having a support portion provided in the etching bath and capable of supporting a plurality of materials to be etched, and the holder being repeatedly rotated in the etching bath. An etching apparatus comprising a driving means for moving up and down.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17735191A JPH051390A (en) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | Etching device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17735191A JPH051390A (en) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | Etching device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH051390A true JPH051390A (en) | 1993-01-08 |
Family
ID=16029453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17735191A Pending JPH051390A (en) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | Etching device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH051390A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009224472A (en) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Denso Corp | Etching device for semiconductor wafer |
-
1991
- 1991-06-21 JP JP17735191A patent/JPH051390A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009224472A (en) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Denso Corp | Etching device for semiconductor wafer |
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