JPH05136006A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH05136006A JPH05136006A JP31971391A JP31971391A JPH05136006A JP H05136006 A JPH05136006 A JP H05136006A JP 31971391 A JP31971391 A JP 31971391A JP 31971391 A JP31971391 A JP 31971391A JP H05136006 A JPH05136006 A JP H05136006A
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- precoat layer
- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
- forming
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体電解コンデンサの陰極の一部を電解重合
によって形成する方法であって、Ｌ．Ｃ．特性および周
波数特性の優れた固体電解コンデンサを低コストで実現
する。 【構成】 前駆体が溶媒に可溶な導電性高分子よりなる
プレコ―ト層３を弁金属１上の誘電体酸化皮膜２上に形
成し、さらに電解重合により導電性高分子層４を形成す
る。
によって形成する方法であって、Ｌ．Ｃ．特性および周
波数特性の優れた固体電解コンデンサを低コストで実現
する。 【構成】 前駆体が溶媒に可溶な導電性高分子よりなる
プレコ―ト層３を弁金属１上の誘電体酸化皮膜２上に形
成し、さらに電解重合により導電性高分子層４を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導電性高分子を電極の一
部とする固体電解コンデンサの製造方法に関し、特に導
電性高分子前駆体皮膜を形成し、導電性高分子に変換し
てさらに電解重合してなる高容量で高周波数特性に優れ
た固体電解コンデンサの製造方法に関する。
部とする固体電解コンデンサの製造方法に関し、特に導
電性高分子前駆体皮膜を形成し、導電性高分子に変換し
てさらに電解重合してなる高容量で高周波数特性に優れ
た固体電解コンデンサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】科学技術の進歩に伴って電子機器の小型
化および信頼性の向上が求められており、コンデンサに
関しても高周波数域まで良好な特性を有し、しかも信頼
性、作業性に優れたチップ型固体電解コンデンサへの要
求が高まっている。通常固体電解コンデンサは、タンタ
ルあるいはアルミニウムの多孔質成形体を第１の電極
（陽極）とし、その表面酸化皮膜を誘電体、二酸化マン
ガン（ＭｎＯ2）や７，７´，８，８´−テトラシアノ
キノジメタン（ＴＣＮＱ）錯塩等を第２電極（陰極）の
一部とする構造を有している。しかしながら、二酸化マ
ンガンを電極の一部とするものでは、その導電率が小さ
いので高周波数域でのインピ―ダンスが大きく、ＴＣＮ
Ｑ錯塩を電極の一部とするものでは高温でＴＣＮＱ錯塩
が絶縁化するために耐熱性に劣っている。
化および信頼性の向上が求められており、コンデンサに
関しても高周波数域まで良好な特性を有し、しかも信頼
性、作業性に優れたチップ型固体電解コンデンサへの要
求が高まっている。通常固体電解コンデンサは、タンタ
ルあるいはアルミニウムの多孔質成形体を第１の電極
（陽極）とし、その表面酸化皮膜を誘電体、二酸化マン
ガン（ＭｎＯ2）や７，７´，８，８´−テトラシアノ
キノジメタン（ＴＣＮＱ）錯塩等を第２電極（陰極）の
一部とする構造を有している。しかしながら、二酸化マ
ンガンを電極の一部とするものでは、その導電率が小さ
いので高周波数域でのインピ―ダンスが大きく、ＴＣＮ
Ｑ錯塩を電極の一部とするものでは高温でＴＣＮＱ錯塩
が絶縁化するために耐熱性に劣っている。
【０００３】そこで、これらの改善を目的として導電性
高分子を電極の一部とする固体電解コンデンサが提案さ
れている。すなわち、導電性高分子は固体であるためチ
ップ化が容易である。また、従来の電解液、あるいは有
機半導体より高い導電率を有しているため、周波数特性
の優れた固体電解コンデンサとなることが予想される。
特開昭６０−３７１１４号公報にはド―プした複素五員
環式化合物重合体からなる導電性高分子を電極の一部と
する固体電解コンデンサが開示されている。また、特開
昭６０−２４４０１７号公報には導電性高分子を利用し
電解コンデンサの電極の一部を形成する方法として、弁
金属上にまず酸化皮膜を設け、その表面に電解重合によ
り導電性高分子を形成する方法が開示されている。さら
に、金属酸化皮膜表面にまず予め導電性を有するプレコ
―ト層を形成し、さらにその上に電解重合により導電性
高分子を形成する方法も提案されている。特開昭６３−
１７３３１３号公報には化学重合法で合成した導電性高
分子をプレコ―ト層とする方法が、また特開平１−２５
３２２６号公報には金属酸化物、例えば二酸化マンガン
をプレコ―ト層とする方法が開示されている。
高分子を電極の一部とする固体電解コンデンサが提案さ
れている。すなわち、導電性高分子は固体であるためチ
ップ化が容易である。また、従来の電解液、あるいは有
機半導体より高い導電率を有しているため、周波数特性
の優れた固体電解コンデンサとなることが予想される。
特開昭６０−３７１１４号公報にはド―プした複素五員
環式化合物重合体からなる導電性高分子を電極の一部と
する固体電解コンデンサが開示されている。また、特開
昭６０−２４４０１７号公報には導電性高分子を利用し
電解コンデンサの電極の一部を形成する方法として、弁
金属上にまず酸化皮膜を設け、その表面に電解重合によ
り導電性高分子を形成する方法が開示されている。さら
に、金属酸化皮膜表面にまず予め導電性を有するプレコ
―ト層を形成し、さらにその上に電解重合により導電性
高分子を形成する方法も提案されている。特開昭６３−
１７３３１３号公報には化学重合法で合成した導電性高
分子をプレコ―ト層とする方法が、また特開平１−２５
３２２６号公報には金属酸化物、例えば二酸化マンガン
をプレコ―ト層とする方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】導電性高分子の合成法
のうち、電解重合法は芳香族化合物を電気化学的に酸化
して電極表面に重合体を析出させる方法であり、均一か
つ高導電率の導電性高分子が得られるが、絶縁体である
コンデンサの誘電体表面でこのような電極反応を実施す
るにはかなりの困難が伴う。誘電体表面で電解重合を実
施する方法として導電性のプレコ―ト層を形成し、その
上に電解重合により導電性高分子を形成する方法がある
が、化学重合により形成した導電性高分子をプレコ―ト
層とする場合にはプレコ―ト層形成時に誘電体表面が酸
化剤に接触するため誘電体が損傷する恐れがある。一
方、二酸化マンガンをプレコ―ト層とする場合は酸化皮
膜を形成した弁金属を硝酸マンガン溶液に浸漬した後、
２００℃以上の高温で分解させる操作を繰り返す。この
場合も加熱による誘電体損傷の恐れがあり、修復工程が
必要である。従って、電解重合法で合成した導電性高分
子は電解コンデンサの電極の一部として有利に使用でき
ることが期待されているが、まだ、その性能を十分活か
した、すなわち高周波領域まで良好な特性を有し、しか
も信頼性に優れた固体電解コンデンサを簡便に製造する
方法が開発されていないという課題があった。
のうち、電解重合法は芳香族化合物を電気化学的に酸化
して電極表面に重合体を析出させる方法であり、均一か
つ高導電率の導電性高分子が得られるが、絶縁体である
コンデンサの誘電体表面でこのような電極反応を実施す
るにはかなりの困難が伴う。誘電体表面で電解重合を実
施する方法として導電性のプレコ―ト層を形成し、その
上に電解重合により導電性高分子を形成する方法がある
が、化学重合により形成した導電性高分子をプレコ―ト
層とする場合にはプレコ―ト層形成時に誘電体表面が酸
化剤に接触するため誘電体が損傷する恐れがある。一
方、二酸化マンガンをプレコ―ト層とする場合は酸化皮
膜を形成した弁金属を硝酸マンガン溶液に浸漬した後、
２００℃以上の高温で分解させる操作を繰り返す。この
場合も加熱による誘電体損傷の恐れがあり、修復工程が
必要である。従って、電解重合法で合成した導電性高分
子は電解コンデンサの電極の一部として有利に使用でき
ることが期待されているが、まだ、その性能を十分活か
した、すなわち高周波領域まで良好な特性を有し、しか
も信頼性に優れた固体電解コンデンサを簡便に製造する
方法が開発されていないという課題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決するために、種々検討を行った。その結果、コンデ
ンサの電極の一部として優れた性能を有する導電性高分
子化合物を簡便なる手段で形成する固体電解コンデンサ
の製造方法を見い出し、本発明に至った。すなわち本発
明は、可溶性の導電性高分子前駆体を含有する溶液を皮
膜形成金属の酸化物よりなる誘電体上に付着させた後、
熱処理を施すことにより導電性高分子からなるプレコ―
ト層を形成する工程と、該プレコ―ト層上に電解重合に
より導電性高分子層を形成する工程とを備えることを特
徴とする固体電解コンデンサの製造方法である。ここ
で、プレコ―ト層を形成する導電性高分子は、ポリ（チ
エニレンビニレン）あるいはその誘導体であることを好
適とし、電解重合により形成される導電性高分子は、ピ
ロ―ル、チオフェン、ベンゼンあるいはそれらの誘導体
を繰り返し単位とするものであることを好適とする。
解決するために、種々検討を行った。その結果、コンデ
ンサの電極の一部として優れた性能を有する導電性高分
子化合物を簡便なる手段で形成する固体電解コンデンサ
の製造方法を見い出し、本発明に至った。すなわち本発
明は、可溶性の導電性高分子前駆体を含有する溶液を皮
膜形成金属の酸化物よりなる誘電体上に付着させた後、
熱処理を施すことにより導電性高分子からなるプレコ―
ト層を形成する工程と、該プレコ―ト層上に電解重合に
より導電性高分子層を形成する工程とを備えることを特
徴とする固体電解コンデンサの製造方法である。ここ
で、プレコ―ト層を形成する導電性高分子は、ポリ（チ
エニレンビニレン）あるいはその誘導体であることを好
適とし、電解重合により形成される導電性高分子は、ピ
ロ―ル、チオフェン、ベンゼンあるいはそれらの誘導体
を繰り返し単位とするものであることを好適とする。
【０００６】本発明において、皮膜形成金属とは、タン
タル、アルミニウム、ニオブ、チタン、ジルコニウム、
マグネシウム、ケイ素などであり、圧延箔、微粉焼結物
および圧延箔のエッチング物などの形態で用いることが
できる。本発明において、導電性高分子前駆体は、溶媒
に可溶で、かつ熱処理だけで反応して目的物たる導電性
高分子に移行するものである。構造的には、例えば高分
子鎖を有し、かつ一部に脱離反応性の基を含むポリマ―
が挙げられる。前駆体が溶媒に可溶な導電性高分子とし
てはポリ（チエニレンビニレン）あるいはその誘導体が
挙げられ、その時の前駆体としては、例えばポリ（２，
５−チオフェンジイル−（１−メトキシエチレン））が
挙げられる。
タル、アルミニウム、ニオブ、チタン、ジルコニウム、
マグネシウム、ケイ素などであり、圧延箔、微粉焼結物
および圧延箔のエッチング物などの形態で用いることが
できる。本発明において、導電性高分子前駆体は、溶媒
に可溶で、かつ熱処理だけで反応して目的物たる導電性
高分子に移行するものである。構造的には、例えば高分
子鎖を有し、かつ一部に脱離反応性の基を含むポリマ―
が挙げられる。前駆体が溶媒に可溶な導電性高分子とし
てはポリ（チエニレンビニレン）あるいはその誘導体が
挙げられ、その時の前駆体としては、例えばポリ（２，
５−チオフェンジイル−（１−メトキシエチレン））が
挙げられる。
【０００７】プレコ―ト層を形成する方法としては導電
性高分子の前駆体を溶媒に溶解し、含浸あるいはディッ
プなどの方法でこれを酸化皮膜を形成した弁金属に付着
させた後、熱処理して導電性高分子に変換する。プレコ
―ト層は薄いほうがよく、また誘電体酸化皮膜の表面を
すべて覆う必要はない。導電性を発現する方法としては
例えば、ド―パントを予め導電性高分子の前駆体を含む
溶液に加える方法と、弁金属表面にプレコ―ト層を形成
した後、ド―パントを溶かした溶液に浸漬し含浸により
ド―ピングする方法と、あるいは電気化学的な方法など
があるが、本発明ではそのいずれの方法も使用できる。
本発明では上述のプレコ―ト層に電極を接触し、従来公
知の方法で電解重合を行い、導電性高分子を形成する。
本発明において、電解重合により形成される導電性高分
子は特に限定されないが、重合反応の容易さからピロ―
ル、チオフェン、ベンゼンあるいはそれらの誘導体を繰
り返し単位とするものが好ましい。
性高分子の前駆体を溶媒に溶解し、含浸あるいはディッ
プなどの方法でこれを酸化皮膜を形成した弁金属に付着
させた後、熱処理して導電性高分子に変換する。プレコ
―ト層は薄いほうがよく、また誘電体酸化皮膜の表面を
すべて覆う必要はない。導電性を発現する方法としては
例えば、ド―パントを予め導電性高分子の前駆体を含む
溶液に加える方法と、弁金属表面にプレコ―ト層を形成
した後、ド―パントを溶かした溶液に浸漬し含浸により
ド―ピングする方法と、あるいは電気化学的な方法など
があるが、本発明ではそのいずれの方法も使用できる。
本発明では上述のプレコ―ト層に電極を接触し、従来公
知の方法で電解重合を行い、導電性高分子を形成する。
本発明において、電解重合により形成される導電性高分
子は特に限定されないが、重合反応の容易さからピロ―
ル、チオフェン、ベンゼンあるいはそれらの誘導体を繰
り返し単位とするものが好ましい。
【０００８】
【作用】本発明では、皮膜形成金属の酸化物を誘電体と
し、導電性高分子化合物を電極の一部とする固体電解コ
ンデンサの製造方法において、前駆体が溶媒に可溶であ
るような導電性高分子の前駆体を誘電体表面に導入して
該導電性高分子前駆体皮膜を形成し、次いでこれを熱処
理することにより導電性高分子に変換し、しかる後に電
解重合により導電性高分子層を形成することにより、弁
金属を強い酸化剤などに直接接触することが避けられ、
コンデンサ素子のＬ．Ｃ．特性が飛躍的に向上し、信頼
性の高い素子が得られる。また、前駆体は溶媒に可溶な
ものを用いるのでプレコ―ト層をディップあるいは浸漬
の方法により容易に形成することができ、コストの面で
も有利である。
し、導電性高分子化合物を電極の一部とする固体電解コ
ンデンサの製造方法において、前駆体が溶媒に可溶であ
るような導電性高分子の前駆体を誘電体表面に導入して
該導電性高分子前駆体皮膜を形成し、次いでこれを熱処
理することにより導電性高分子に変換し、しかる後に電
解重合により導電性高分子層を形成することにより、弁
金属を強い酸化剤などに直接接触することが避けられ、
コンデンサ素子のＬ．Ｃ．特性が飛躍的に向上し、信頼
性の高い素子が得られる。また、前駆体は溶媒に可溶な
ものを用いるのでプレコ―ト層をディップあるいは浸漬
の方法により容易に形成することができ、コストの面で
も有利である。
【０００９】前駆体が可溶な導電性高分子からなるプレ
コ―ト層を薄く形成しているため、電解重合により形成
されるポリピロ―ルあるいはポリチオフェンなどの導電
性高分子がただ単にその上に被覆しているだけでなく、
モノマ―が前駆体可溶な導電性高分子の中まで浸透し、
複合膜を形成する。それによって、プレコ―ト層の導電
率の安定性の向上が図られる。電解重合に伴い、プレコ
―ト層で被覆されていない部分が電解重合膜により被覆
されるため、９０％以上の容量出現率（誘電体の表面
積、厚さ、誘電率から計算した容量を１００％とす
る。）が容易に達成される。また電解重合に伴い、プレ
コ―ト層がさらにド―ピングされ導電率がさらに高くな
り、周波数特性の優れた電解コンデンサが実現される。
コ―ト層を薄く形成しているため、電解重合により形成
されるポリピロ―ルあるいはポリチオフェンなどの導電
性高分子がただ単にその上に被覆しているだけでなく、
モノマ―が前駆体可溶な導電性高分子の中まで浸透し、
複合膜を形成する。それによって、プレコ―ト層の導電
率の安定性の向上が図られる。電解重合に伴い、プレコ
―ト層で被覆されていない部分が電解重合膜により被覆
されるため、９０％以上の容量出現率（誘電体の表面
積、厚さ、誘電率から計算した容量を１００％とす
る。）が容易に達成される。また電解重合に伴い、プレ
コ―ト層がさらにド―ピングされ導電率がさらに高くな
り、周波数特性の優れた電解コンデンサが実現される。
【００１０】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるもので
はない。 実施例１ 図１は、本発明の製造方法により作製した固体電解コン
デンサの断面図である。同図に基づいて本実施例を説明
する。エッチングによって拡面した（２５μＦ／ｃ
ｍ2）膜厚９５μｍ、面積１ｃｍ×１ｃｍのアルミニウ
ム箔（陽極）１をホウ酸アンモニウム中、８０Ｖで陽極
酸化して誘電体酸化皮膜２を形成した後、これをポリ
（チエニレンビニレン）の前駆体であるポリ（２，５−
チオフェンジイル−（１−メトキシエチレン））を溶か
したテトラヒドロフラン溶液に浸漬することにより前駆
体を付着させた。次にこのアルミニウム箔を２００℃で
１．５時間熱処理し、前駆体を導電性高分子に変換した
後、ＦｅＣｌ3のニトロメタン飽和溶液に３０分間浸漬
し、ド―ピングを行った。このように作製したプレコ―
ト層３の定格容量に対する容量出現率を計算したとこ
ろ、６０％であった。
るが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるもので
はない。 実施例１ 図１は、本発明の製造方法により作製した固体電解コン
デンサの断面図である。同図に基づいて本実施例を説明
する。エッチングによって拡面した（２５μＦ／ｃ
ｍ2）膜厚９５μｍ、面積１ｃｍ×１ｃｍのアルミニウ
ム箔（陽極）１をホウ酸アンモニウム中、８０Ｖで陽極
酸化して誘電体酸化皮膜２を形成した後、これをポリ
（チエニレンビニレン）の前駆体であるポリ（２，５−
チオフェンジイル−（１−メトキシエチレン））を溶か
したテトラヒドロフラン溶液に浸漬することにより前駆
体を付着させた。次にこのアルミニウム箔を２００℃で
１．５時間熱処理し、前駆体を導電性高分子に変換した
後、ＦｅＣｌ3のニトロメタン飽和溶液に３０分間浸漬
し、ド―ピングを行った。このように作製したプレコ―
ト層３の定格容量に対する容量出現率を計算したとこ
ろ、６０％であった。
【００１１】次に、ピロ―ルの濃度が０．０５ｍｏｌ／
ｌ、支持電解質として０．１ｍｏｌ／ｌのテトラブチル
アンモニウムパ―クロレ―トを含むアセトニトリル溶液
中で、作用電極であるステンレス線をプレコ―ト層３に
軽く接触させ、白金を対電極とし定電圧３．５Ｖを印加
し、３０分間電解重合を行った。その結果、ポリピロ―
ルからなる導電性高分子層４がプレコ―ト層３の上に均
一に形成された。これを十分に乾燥させた後、カ―ボン
ペ―スト（日本アチソン社製、エレクトロダグ−１１
２）、銀ペ―スト（福田金属社製、ＧＬ−１１０）を順
次付けて導電性ペ―スト５を付着させ、陰極リ―ドを引
き出した。このように作製したコンデンサ素子の容量出
現率は９６％であった。また１２０Ｈｚにおけるｔａｎ
δが０．９％で、１ＭＨｚでのインピ―ダンスが０．０
３５Ωであった。電圧２５Ｖでの漏れ電流（Ｌ．Ｃ．）
が０．２μＡであり、良好な性質を有する固体電解コン
デンサが得られた。
ｌ、支持電解質として０．１ｍｏｌ／ｌのテトラブチル
アンモニウムパ―クロレ―トを含むアセトニトリル溶液
中で、作用電極であるステンレス線をプレコ―ト層３に
軽く接触させ、白金を対電極とし定電圧３．５Ｖを印加
し、３０分間電解重合を行った。その結果、ポリピロ―
ルからなる導電性高分子層４がプレコ―ト層３の上に均
一に形成された。これを十分に乾燥させた後、カ―ボン
ペ―スト（日本アチソン社製、エレクトロダグ−１１
２）、銀ペ―スト（福田金属社製、ＧＬ−１１０）を順
次付けて導電性ペ―スト５を付着させ、陰極リ―ドを引
き出した。このように作製したコンデンサ素子の容量出
現率は９６％であった。また１２０Ｈｚにおけるｔａｎ
δが０．９％で、１ＭＨｚでのインピ―ダンスが０．０
３５Ωであった。電圧２５Ｖでの漏れ電流（Ｌ．Ｃ．）
が０．２μＡであり、良好な性質を有する固体電解コン
デンサが得られた。
【００１２】実施例２ ポリ（チエニレンビニレン）の繰り返し単位あたりに対
する濃度が２０ｍｏｌ％となるようにパラトルエンスル
ホン酸を含んだ前駆体のクロロホルム溶液を調製した。
この溶液に実施例１で用いたアルミニウム箔を浸漬し、
前駆体高分子層を形成した。これを１５０℃で１時間熱
処理を施し導電性高分子に変換してプレコ―ト層を形成
した。プレコ―ト層の容量出現率は６０％であった。次
にピロ―ルの濃度が０．０５ｍｏｌ／ｌ、支持電解質と
して０．１ｍｏｌ／ｌのパラトルエンスルホン酸のナト
リウム塩を含む水溶液中で、実施例１と同様に、作用電
極であるステンレス線をプレコ―ト層に軽く接触させ、
白金を対電極とし定電圧３．５Ｖを印加し３０分間電解
重合を行った。作製したコンデンサ素子の容量出現率は
９７％であった。また１２０Ｈｚにおけるｔａｎδが
１．２％で、１ＭＨｚのインピ―ダンスが０．０４２Ω
であった。漏れ電流が０．１２μＡであった。
する濃度が２０ｍｏｌ％となるようにパラトルエンスル
ホン酸を含んだ前駆体のクロロホルム溶液を調製した。
この溶液に実施例１で用いたアルミニウム箔を浸漬し、
前駆体高分子層を形成した。これを１５０℃で１時間熱
処理を施し導電性高分子に変換してプレコ―ト層を形成
した。プレコ―ト層の容量出現率は６０％であった。次
にピロ―ルの濃度が０．０５ｍｏｌ／ｌ、支持電解質と
して０．１ｍｏｌ／ｌのパラトルエンスルホン酸のナト
リウム塩を含む水溶液中で、実施例１と同様に、作用電
極であるステンレス線をプレコ―ト層に軽く接触させ、
白金を対電極とし定電圧３．５Ｖを印加し３０分間電解
重合を行った。作製したコンデンサ素子の容量出現率は
９７％であった。また１２０Ｈｚにおけるｔａｎδが
１．２％で、１ＭＨｚのインピ―ダンスが０．０４２Ω
であった。漏れ電流が０．１２μＡであった。
【００１３】実施例３ 実施例２のアルミニウム箔に代えて、リン酸水溶液中，
１００Ｖで陽極酸化した平均粒径５μｍ、４．５ｍｍφ
のタンタル微粉焼結ペレット（空隙率５０％）を用いて
同様の条件でコンデンサ素子を作製した。コンデンサの
容量出現率が８６％であった。また、１２０Ｈｚにおけ
るｔａｎδが１．３％で、１ＭＨｚでのインピ―ダンス
が０．０３７Ωであった。漏れ電流が６２ｎＡであっ
た。
１００Ｖで陽極酸化した平均粒径５μｍ、４．５ｍｍφ
のタンタル微粉焼結ペレット（空隙率５０％）を用いて
同様の条件でコンデンサ素子を作製した。コンデンサの
容量出現率が８６％であった。また、１２０Ｈｚにおけ
るｔａｎδが１．３％で、１ＭＨｚでのインピ―ダンス
が０．０３７Ωであった。漏れ電流が６２ｎＡであっ
た。
【００１４】実施例４ 実施例２と同様にエッチングしたアルミニウム箔上にプ
レコ―ト層を形成した。次にニトロベンゼンを溶媒と
し、チオフェンの濃度が０．２ｍｏｌ／ｌ、支持電解質
として０．０５ｍｏｌ／ｌのテトラブチルアンモニウム
パ―クロレ―トを含む溶液を調製した。この溶液中で実
施例１のような電極配置で定電流法により電解重合を行
った。電流密度は５ｍＡ／ｃｍ2、重合時間は２０分間
であった。このように作製したコンデンサ素子の容量出
現率が９５％であった。また１２０Ｈｚにおけるｔａｎ
δが１．８％で、１ＭＨｚでのインピ―ダンスが０．０
４５Ωであった。漏れ電流が０．２３μＡであった。
レコ―ト層を形成した。次にニトロベンゼンを溶媒と
し、チオフェンの濃度が０．２ｍｏｌ／ｌ、支持電解質
として０．０５ｍｏｌ／ｌのテトラブチルアンモニウム
パ―クロレ―トを含む溶液を調製した。この溶液中で実
施例１のような電極配置で定電流法により電解重合を行
った。電流密度は５ｍＡ／ｃｍ2、重合時間は２０分間
であった。このように作製したコンデンサ素子の容量出
現率が９５％であった。また１２０Ｈｚにおけるｔａｎ
δが１．８％で、１ＭＨｚでのインピ―ダンスが０．０
４５Ωであった。漏れ電流が０．２３μＡであった。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、導電率の高い導電性高
分子を弁金属の誘電体層の上に容易に形成することがで
きる。それによって周波数特性の優れた固体電解コンデ
ンサが実現できる。
分子を弁金属の誘電体層の上に容易に形成することがで
きる。それによって周波数特性の優れた固体電解コンデ
ンサが実現できる。
【図１】本発明の製造方法により作製した固体電解コン
デンサの一例の断面図である。
デンサの一例の断面図である。
１ 陽極 ２ 誘電体酸化皮
膜 ３ プレコ―ト層 ４ 導電性高分子
層 ５ 導電性ペ―スト
膜 ３ プレコ―ト層 ４ 導電性高分子
層 ５ 導電性ペ―スト
Claims (3)
- 【請求項１】 可溶性の導電性高分子前駆体を含有する
溶液を皮膜形成金属の酸化物よりなる誘電体上に付着さ
せた後、熱処理を施すことにより導電性高分子からなる
プレコ―ト層を形成する工程と、該プレコ―ト層上に電
解重合により導電性高分子層を形成する工程とを備える
ことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項２】 プレコ―ト層を形成する導電性高分子
が、ポリ（チエニレンビニレン）あるいはその誘導体で
ある請求項１記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項３】 電解重合により形成される導電性高分子
が、ピロ―ル、チオフェン、ベンゼンあるいはそれらの
誘導体を繰り返し単位とするものである請求項１または
２記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31971391A JPH05136006A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31971391A JPH05136006A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136006A true JPH05136006A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=18113349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31971391A Pending JPH05136006A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136006A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11270847B1 (en) | 2019-05-17 | 2022-03-08 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP31971391A patent/JPH05136006A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11270847B1 (en) | 2019-05-17 | 2022-03-08 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
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