JPH05135425A - 光磁気ヘツド装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、磁気ヘツド及び光ヘツドを用いて光
磁気デイスク上にデータを記録する光磁気デイスク装置
の光磁気ヘツド装置において、簡易な構成で光磁気デイ
スク及び磁気ヘツド間の間隔を精度良く位置決め制御す
る。 【構成】光磁気デイスクが装着されたとき、光ヘツドの
対物レンズをジヤストフオーカス状態に移動制御し、そ
の移動結果で得られる対物レンズの位置信号及び対物レ
ンズの基準位置の差に応じて、磁気ヘツドを位置決め制
御するようにしたことにより、光磁気デイスク及び磁気
ヘツド間の間隔を常に一定にするように磁気ヘツドを位
置決め制御し得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術（図５） 発明が解決しようとする課題（図５） 課題を解決するための手段（図１） 作用（図１） 実施例（図１〜図４） 発明の効果

【０００２】

【産業上の利用分野】本発明は光磁気ヘツド装置に関
し、特に磁気ヘツド及び光ヘツドを用いて光磁気デイス
ク上にデータを記録する光磁気デイスク装置の光磁気ヘ
ツド装置に適用して好適なものである。

【０００３】

【従来の技術】従来この種の光磁気デイスク装置におい
ては、光磁気デイスクに対して、例えばその下方から所
定のパルス状レーザ光を照射すると共に、光磁気デイス
クの上方からパルス状レーザ光と同期を取りながら記録
データによる変調磁界を印加することにより、光磁気デ
イスクに記録データを記録する、いわゆる磁界変調記録
方式を用いるものが提案されている。

【０００４】すなわち、図５に示すように、この光磁気
デイスク装置１において、記録データＳ_DTは磁界変調回
路２に入力され、クロツク発生回路３から得られるクロ
ツク信号Ｓ_CKのタイミングで記録データＳ_DTに基づいて
磁界変調され、これにより得られる記録変調信号Ｓ
_W が、続く磁気ヘツド駆動回路４に供給される。

【０００５】磁気ヘツド駆動回路４は、入力される記録
変調信号Ｓ_W に基づいて、磁気ヘツド５を駆動する駆動
電流Ｉ_DVを発生し、これを電磁石でなる磁気ヘツド５の
コイル５Ａに供給する。

【０００６】これにより、磁気ヘツド５は記録データＳ
_DTに基づいて反転する変調磁界Ｈ_W を光磁気デイスク６
に印加する。なおこの光磁気デイスク６は、例えばポリ
カーボネイト、ガラス等でなる透明保護基板６Ａに垂直
磁化膜６Ｂが披着されてなり、スピンドルモータ７によ
つて軸Ｏを中心に回転するようになされている。

【０００７】この光磁気デイスク６の変調磁界Ｈ_W の印
加された位置には、下方からクロツク発生回路３より得
られるクロツク信号Ｓ_CKに基づいて発生されたパルス状
レーザ光Ｌ_PWが照射されている。

【０００８】すなわち、クロツク発生回路３より得られ
るクロツク信号Ｓ_CKは、レーザ駆動回路８を通じて光ヘ
ツド９の半導体レーザ１０に供給される。これにより半
導体レーザ１０から射出されるパルス状レーザ光Ｌ
_PWは、光ヘツド９内のコリメータレンズ１１、偏向ビー
ムスプリツタ１２及び対物レンズ１３を介して、光磁気
デイスク６において、磁気ヘツド５によつて上方から変
調磁界Ｈ_W が印加される位置に下方から光スポツトを形
成する。

【０００９】なおこのとき光磁気デイスク６で反射され
たレーザ光は、対物レンズ１３を介して偏向ビームスプ
リツタ１２で折り曲げられて、集光レンズ１４によつて
光デイテクタ１５に集光され、これにより得られる受光
出力Ｓ_OUTがクロツク発生回路３に供給される。

【００１０】クロツク発生回路３は受光出力Ｓ_OUT に含
まれる、例えばサンプルフオーマツトを再生して光磁気
デイスク６の回転位置情報等を検出し、これに応じたク
ロツク信号Ｓ_CKを発生するようになされており、かくし
て光磁気デイスク６の回転むら等による記録時の悪影響
を未然に防止し得るようになされている。

【００１１】かくしてこの光磁気デイスク装置１は、光
磁気デイスク６に照射するパルス状レーザ光Ｌ_PW及び光
磁気デイスク６に印加する変調磁界Ｈ_W 間の同期を取り
ながら、光磁気デイスク６上に記録データＳ_DTに応じた
記録パターンを形成するようになされている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところでかかる構成の
光磁気デイスク装置１においては、光磁気デイスク６に
記録データＳ_DTに応じた所定の変調磁界Ｈ_W を印加する
ため、光磁気デイスク６及び磁気ヘツド５間の間隔を精
度良く位置決めする必要がある。

【００１３】このため従来、磁気ハードデイスク装置と
同様に光磁気デイスク６の回転によつて生じる空気の流
れによつて、磁気ヘツド５が光磁気デイスク６上にわず
かな空隔を有するように浮上するフライングヘツド方式
を用いた光磁気ヘツド装置が提案されている。

【００１４】ところがこのような光磁気ヘツド装置にお
いては、塵等の進入により磁気ヘツド５が破損したり、
さらに磁気ヘツド５の破損によつて光磁気デイスク６自
体が破壊されるおそれを回避し得ず、特に交換自在な光
磁気デイスク、いわゆるリムーバブルタイプの光磁気デ
イスクを用いる光磁気デイスク装置の光磁気ヘツド装置
には使用し得ないという問題があつた。

【００１５】またこれに対して、磁気ヘツド５を光ヘツ
ド９の対物レンズ１３と同様に２軸デバイスで保持し、
位置センサ等により得られる磁気ヘツド５の位置情報を
用いて、光磁気デイスク６及び磁気ヘツド５間の間隔を
精度良く位置決め制御する２軸サーボ方式を用いた光磁
気ヘツド装置が提案されている。

【００１６】ところがこのようにすると、構造が複雑に
なると共に磁気ヘツド５部分が極めて大型化し、さらに
光磁気デイスク６の傷や塵等の影響で、サーボ信号にノ
イズが重畳されることにより、上述のフライングヘツド
方式と同様に磁気ヘツド５が破損されたり、さらに磁気
ヘツド５の破損によつて光磁気デイスク６自体が破壊さ
れるという問題があつた。

【００１７】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、簡易な構成で光磁気デイスク及び磁気ヘツド間の間
隔を精度良く位置決め制御し得る光磁気ヘツド装置を提
案しようとするものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、光磁気デイスク６の表面に磁気ヘ
ツド５を用いて所定の磁界Ｈ_W を印加すると共に、その
光磁気デイスク６の裏面で磁界Ｈ_W が印加された位置
に、光ヘツド９を用いてレーザ光Ｌ_PWを照射することに
より、光磁気デイスク６上にデータを記録するようにな
れさた光磁気デイスク装置１の光磁気ヘツド装置２０に
おいて、光磁気デイスク６が装着されたとき、光ヘツド
９の対物レンズ１３をレーザ光Ｌ_PWが光磁気デイスク６
にジヤストフオーカス状態で照射するように移動制御
し、その移動結果で得られる対物レンズ１３の位置信号
及び対物レンズ１３の基準位置の差に応じて、磁気ヘツ
ド５を位置決め制御するようにした。

【００１９】

【作用】光磁気デイスク６が装着されたとき、光ヘツド
９の対物レンズ１３をジヤストフオーカス状態に移動制
御し、その移動結果で得られる対物レンズ１３の位置信
号及び対物レンズ１３の基準位置の差に応じて、磁気ヘ
ツド５を位置決め制御するようにしたことにより、光磁
気デイスク６及び磁気ヘツド５間の間隔を常に一定にす
るように磁気ヘツド５を位置決め制御し得る。

【００２０】

【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。

【００２１】図５との対応部分に同一符号を付して示す
図１において、２０は全体として本発明による光磁気ヘ
ツド装置を示し、光磁気デイスク６はリムーバブルタイ
プでカートリツジケース２１に封入されている。

【００２２】このカートリツジケース２１の開口部２１
Ａに露出した光磁気デイスク６の所定の部分は、光磁気
ヘツド装置２０の磁気ヘツド５及び光ヘツド９に挟ま
れ、これにより磁気ヘツド５によつて上方から変調磁界
Ｈ_W が印加されると共に、光ヘツド９によつて変調磁界
Ｈ_W が印加される光磁気デイスク６上の位置に下方から
光スポツトを形成するように所定のパルス状レーザ光Ｌ
_PWが照射されている。

【００２３】この実施例の場合、光ヘツド９を含む光ヘ
ツドブロツク２２及び磁気ヘツド５を含む磁気ヘツドブ
ロツク２３は、所定の厚さを有する長方形状の光磁気ヘ
ツド基台２４上に配置されている。

【００２４】この光磁気ヘツド基台２４の左右の側面に
は、それぞれ２個の突出形状でスライド軸受け部２４
Ａ、２４Ｂが形成されており、一方の側面側のスライド
軸受け部２４Ａには棒状のガイド軸２５が挿通されると
共に、他方の側面側のスライド軸受け部２４Ｂには、例
えばステツピングモータでなるスライドモータ２６に接
続された棒状のリードスクリユ２７が挿通されている。

【００２５】これにより、スライドモータ２６が回転制
御されることによつて光磁気ヘツド装置２０は、光磁気
デイスク６の半径方向（矢印ａで示す）にスライドする
ようになされており、かくして光磁気ヘツド装置２０
は、スライドモータ２６の駆動制御に応じて光磁気デイ
スク６に対するパルス状レーザ光Ｌ_PWの照射位置及び変
調磁界Ｈ_W の印加位置をスライド制御し得るようになさ
れている。

【００２６】磁気ヘツドブロツク２３は内部にステツピ
ングモータでなる位置制御モータ２３Ａを有し、上部に
その位置制御モータ２３Ａに接続された棒状のリードス
クリユ２８が垂直に突出すると共に、そのリードスクリ
ユ２８の回りは棒状でなる３本のガイド軸２９Ａ、２９
Ｂ及び２９Ｃがそれぞれ垂直に植立されている。

【００２７】また磁気ヘツドブロツク２３の上部には、
長方形状の平板でなり先端に磁気ヘツド５が設けられた
磁気ヘツド取付け部材３０が配設されている。この磁気
ヘツド取付け部材３０は、後端の中心部に穿設されたね
じ穴３１にリードスクリユ２８が嵌通され、さらにその
ねじ穴３１の周囲に穿設された３個の小穴３２Ａ、３２
Ｂ及び３２Ｃに３本のガイド軸２９Ａ、２９Ｂ及び２９
Ｃが挿通されて、磁気ヘツドブロツク２３に取り付けら
れている。

【００２８】これにより位置制御モータ２３Ａを回転制
御することによつて、磁気ヘツド取付け部材３０全体を
垂直方向（矢印ｂで示す）に移動制御することができ、
かくして位置制御モータ２３Ａの駆動制御に応じて、光
磁気デイスク６に対する磁気ヘツド５の位置を位置決め
制御し得るようになされている。

【００２９】ここで光ヘツドブロツク２２の内部には、
図２に示すように、光ヘツド９が配設されており、これ
により射出されるパルス状レーザ光Ｌ_PWが、光ヘツドブ
ロツク２２の上部に配された２軸デバイス３３に取り付
けられた対物レンズ１３を介して、光磁気デイスク６上
に集光するようになされている。

【００３０】かくして２軸デバイスサーボ回路（いわゆ
るフオーカスサーボ回路（図示せず））において、光ヘ
ツド９から得られるフオーカスエラー信号に基づいて、
２軸デバイス３３を矢印ｃで示す上下方向に移動制御す
ることにより、パルス状レーザ光Ｌ_PWをジヤストフオー
カス状態で光磁気デイスク６上に集光し得るようになさ
れている。

【００３１】また２軸デバイス３３の下面にはミラー３
４が貼着され、光磁気ヘツド基台２４上に配置されたＬ
ＥＤ等の発光手段３５から所定の入射角で入射した入射
光Ｌ₁ を所定の反射角で反射し、その反射光Ｌ₂ を光磁
気ヘツド基台２４上に配置された２分割受光素子３６に
集光する。

【００３２】このようにすれば、２軸デバイス３３の位
置に応じて反射光Ｌ₂ の２分割受光素子３６上の集光位
置が移動し、これによりその２分割受光素子３６の２つ
の受光出力ＰＤ₁ 及びＰＤ₂ の差を求めることにより、
全体として２軸デバイス３３の位置を検出する第１の位
置センサ３７を構成するようになされている。

【００３３】なおこの実施例の場合、その２分割受光素
子３６の２つの受光出力ＰＤ₁ 及びＰＤ₂ は、図３に示
す光磁気ヘツド位置決め制御回路４０に入力され、磁気
ヘツド取付け部材３０の位置決め制御に用いられてい
る。

【００３４】すなわち、２分割受光素子３６から得られ
る第１及び第２の受光出力ＰＤ₁ 及びＰＤ₂ は、それぞ
れ演算増幅器構成の第１の減算回路４１に入力されて、
その演算結果、すなわち２軸デバイス３３の位置を表す
第１の位置信号Ｓ_ZOが、ローパスフイルタ４２を介して
アナログデイジタル変換回路４３においてデイジタル値
でなる位置データＤＴ_ZOに変換され、続くマイクロコン
ピユータ構成の演算処理回路４４に入力される。

【００３５】演算処理回路４４は、メモリ回路４５に予
め記憶され２軸デバイス３３の基準位置を表す基準位置
データＤＴ_ZO0 及び入力された位置データＤＴ_ZOに基づ
いて、磁気ヘツド取付け部材３０の位置制御データＤＴ
_CNT を演算により算出し、その位置制御データＤＴ_CNT
をデイジタルアナログ変換回路４６においてアナログ値
でなる位置制御信号Ｓ_CNT に変換し、これを演算増幅器
構成の第２の減算回路４７に供給する。

【００３６】なお、この実施例においては、２軸デバイ
ス３３の位置を表す第１の基準位置データＤＴ_ZOは２分
割受光素子３６から得られる２つの受光出力ＰＤ₁ 及び
ＰＤ₂ の差が電圧値で記憶されており、このためメモリ
回路４５には、電圧値でなる第１の基準位置データＤＴ
_ZOを位置データＺ_O に変換する変換式ｆ（ＤＴ_ZO）が記
憶されている。

【００３７】またこの第２の減算回路４７には、例えば
光センサ等で構成された磁気ヘツド取付け部材３０の位
置を表す第２の位置センサ４８から得られる第２の位置
信号Ｓ_ZMが入力されており、かくして第２の減算回路４
７から得られる演算結果Ｓ_CPをモータ駆動回路４９に供
給して、位置制御モータ２３Ａを駆動することにより、
磁気ヘツド取付け部材３０を２軸デバイス３３の位置Ｚ
_O の変化量ΔＺ_O に応じて、移動量ΔＺ_Mだけ移動して
位置決め制御し得るようになされている。

【００３８】以上の構成において、光磁気ヘツド装置２
０は、例えば初期の基準調整時に、図４に実線で示すよ
うに基準デイスク５０を装着して、光ヘツド９をパルス
状レーザ光Ｌ_PWがジヤストフオーカス状態で基準デイス
ク５０上に集光し得るように設定する。

【００３９】またこれと共に、磁気ヘツド取付け部材３
０を磁気ヘツド５及び基準デイスク５０間の間隔が所定
の値（例えば 0.1〔mm〕）になるように調整し、このと
き第１及び第２の位置センサ３７及び４８からそれぞれ
得られる２軸デバイス３３の位置Ｚ_O0を表す第１の位置
信号Ｓ_ZO0 及び磁気ヘツド取付け部材３０の位置Ｚ_M0を
表す第２の位置信号Ｓ_ZM0 を、第１及び第２の基準位置
データＤＴ_ZO0 及びＤＴ_ZM0 として、メモリ回路４５に
記憶する。

【００４０】続いて光磁気ヘツド装置２０は、実際の使
用時において光磁気デイスク６が、例えば図４に破線で
示すように、基準デイスク５０の位置Ｚ_MO0 に対して、
ずれ量ΔＺ_MOだけ上方にずれた位置Ｚ_MO1に装着される
と、まず光ヘツド９は、パルス状レーザ光Ｌ_PWがジヤス
トフオーカス状態で光磁気デイスク６上に集光し得るよ
うに制御される。

【００４１】この結果、光ヘツドブロツク２２の２軸デ
バイス３３が、移動量ΔＺ_O だけ上方に移動して位置Ｚ
_O1に位置決めされ、これにより２分割受光素子３６から
得られる２つの受光出力ＰＤ₁ 、ＰＤ₂ の差でなる第１
の位置信号Ｓ_ZO1 が、ローパスフイルタ４２を介してア
ナログデイジタル変換回路４３においてデイジタル値で
なる第１の位置データＤＴ_ZO1 に変換され、続く演算処
理回路４４に入力される。

【００４２】これにより、演算処理回路４４は入力され
た第１の位置データＤＴ_ZO1 及び上述によりメモリ回路
４５に記憶された第１及び第２の基準位置データＤＴ
_ZO0 及びＤＴ_ZM0 と、上述の変換式ｆ（ＤＴ_ZO）を用い
て、次式

【数１】 で表される磁気ヘツド取付け部材３０の位置制御データ
ＤＴ_CNT を演算により算出する。

【００４３】これにより、光磁気ヘツド位置決め制御回
路４０は、その位置制御データＤＴ_CNT を用いて位置制
御モータ２３Ａを駆動することにより、磁気ヘツド取付
け部材３０を位置制御データＤＴ_CNT に基づいて移動量
ΔＺ_M だけ移動して位置Ｚ_M1に位置決め制御し、これに
より２軸デバイス３３の位置Ｚ_O の変化に応じて磁気ヘ
ツド取付け部材３０、すなわち磁気ヘツド５を位置決め
制御することができる。

【００４４】かくして、光ヘツド９及び磁気ヘツド５の
間で光磁気デイスク６が基準デイスク５０の基準位置Ｚ
_MO0 に対して、ずれ量ΔＺ_MOだけずれた位置Ｚ_MO1 に装
着されても、磁気ヘツド５及び光磁気デイスク６間の間
隔を所定の値（この実施例の場合 0.1〔mm〕）に制御す
ることができる。

【００４５】以上の構成によれば、光磁気デイスク６の
装着位置がずれた場合にも、光ヘツド９の２軸デバイス
３３の位置の変化に基づいてこれを検出し、このずれ量
に応じて磁気ヘツド取付け部材３０を移動して、磁気ヘ
ツド５を位置決め制御するようにしたことにより、常に
光磁気デイスク６及び磁気ヘツド５間の間隔を最適な距
離に制御し得る光磁気ヘツド装置２０を実現できる。

【００４６】さらに上述の実施例によれば、光磁気デイ
スク６の装着時にのみ、磁気ヘツド５を位置決め制御す
るようにしたことにより、簡易な構成でかつ消費電力と
して効率の良い光磁気ヘツド装置２０を実現できる。

【００４７】これに加えて、光磁気デイスク６の回転中
に常時光磁気デイスク６及び磁気ヘツド５間の間隔を検
出して、磁気ヘツド５に位置制御サーボをかけるような
構成の光磁気ヘツド装置に比較して、サーボ信号の異常
等により、磁気ヘツド５や光磁気デイスク６を破損する
おそれがないことにより、必要かつ十分な精度で格段的
に信頼性を向上した光磁気ヘツド装置２０を実現でき
る。

【００４８】なお上述の実施例においては、２軸デバイ
ス３３、すなわち対物レンズ１３の光磁気デイスク６に
対する位置の変化を検出するにつき、ミラー３４、ＬＥ
Ｄ等の発光手段３５及び２分割受光素子３６でなる第１
の位置センサ３７を用いた場合について述べたが、これ
に代え、特に光磁気デイスク６を水平に載置するように
なされた光磁気デイスク装置の場合には、光ヘツドから
得られるフオーカスエラー信号に含まれる直流成分を用
いて、対物レンズ１３の光磁気デイスク６に対する位置
の変化を検出するようにしても良い。

【００４９】因みにこのようにすれば、全体として構成
を格段的に簡略化し得る。さらに上述の実施例において
は、本発明をリムーバブルタイプの光磁気デイスクに磁
界変調記録方式でデータを記録する光磁気デイスク装置
の光磁気ヘツド装置に適用した場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、固定タイプの光磁気デイスクを
用いるもの、レーザ変調記録方式でデータを記録するも
の等種々の光磁気デイスク装置の光磁気ヘツド装置に広
く適用して好適なものである。

【００５０】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、光磁気デ
イスクが装着されたとき、光ヘツドの対物レンズをジヤ
ストフオーカス状態に移動制御し、その移動結果で得ら
れる対物レンズの位置信号及び対物レンズの基準位置の
差に応じて、磁気ヘツドを位置決め制御するようにした
ことにより、簡易な構成で光磁気デイスク及び磁気ヘツ
ド間の間隔を一定に制御し得る光磁気ヘツド装置を実現
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す略線的斜視図である。

【図２】その光ヘツドブロツクを示す略線的断面図であ
る。

【図３】光磁気ヘツド位置決め制御回路を示すブロツク
図である。

【図４】その光磁気ヘツド装置の位置決め制御の説明に
供する略線図である。

【図５】光磁気デイスク装置の全体構成を示す略線的系
統図である。

【符号の説明】

１……光磁気デイスク装置、５……磁気ヘツド、６……
光磁気デイスク、９……光ヘツド、１３……対物レン
ズ、２０……光磁気ヘツド装置、Ｌ_PW……レーザ光、Ｈ
_W ……磁界。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光磁気デイスクの表面に磁気ヘツドを用い
   て所定の磁界を印加すると共に、当該光磁気デイスクの
   裏面で上記磁界が印加された位置に、光ヘツドを用いて
   レーザ光を照射することにより、上記光磁気デイスク上
   にデータを記録するようになされた光磁気デイスク装置
   の光磁気ヘツド装置において、 上記光磁気デイスクが装着されたとき、上記光ヘツドの
   対物レンズを上記レーザ光が上記光磁気デイスクにジヤ
   ストフオーカス状態で照射するように移動制御し、 当該移動結果で得られる上記対物レンズの位置信号及び
   上記対物レンズの基準位置の差に応じて、上記磁気ヘツ
   ドを位置決め制御することを特徴とし、上記光磁気デイ
   スク及び上記磁気ヘツド間の間隔を一定にするようにし
   た光磁気ヘツド装置。