JPH05129804A - Microwave switching circuit and high frequency amplifier - Google Patents
Microwave switching circuit and high frequency amplifierInfo
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- JPH05129804A JPH05129804A JP3313382A JP31338291A JPH05129804A JP H05129804 A JPH05129804 A JP H05129804A JP 3313382 A JP3313382 A JP 3313382A JP 31338291 A JP31338291 A JP 31338291A JP H05129804 A JPH05129804 A JP H05129804A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明はマイクロ波切換回路及
びこれを用いた高周波増幅装置に関するものであり、特
にダイオード又は電界効果トランジスタをスイッチ素子
として組み合わせたマイクロ波の切換及び合成を行う回
路に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave switching circuit and a high frequency amplifying apparatus using the same, and more particularly to a circuit for switching and synthesizing microwaves in which a diode or a field effect transistor is combined as a switch element. Is.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図４は従来のマイクロ波切換回路であ
り、図において、１は第１の入力端子、２は第２の入力
端子、３は第１の出力端子、４は第２の出力端子、２１
ａ〜２１ｃは同軸スイッチ、２２は分配器、２３ａ，２
３ｂは無反射終端器である。2. Description of the Related Art FIG. 4 shows a conventional microwave switching circuit, in which 1 is a first input terminal, 2 is a second input terminal, 3 is a first output terminal, and 4 is a second output. Terminal, 21
a to 21c are coaxial switches, 22 is a distributor, and 23a, 2
3b is a non-reflective terminator.
【０００３】次に動作について説明する。図４に示す回
路の動作の態様は以下の３つである。 (a) 入力端子１からの信号を２分配し、出力端子３及び
４へ出力する。入力端子２からの信号は出力端子３へも
４へも出力しない。 (b) 入力端子２からの信号を２分配し、出力端子３及び
４へ出力する。入力端子１からの信号は出力端子３へも
４へも出力しない。 (c) 入力端子１からの信号を出力端子３へ、入力端子２
からの信号を出力端子４へ出力する。Next, the operation will be described. The operation modes of the circuit shown in FIG. 4 are the following three modes. (a) The signal from the input terminal 1 is divided into two and output to the output terminals 3 and 4. The signal from the input terminal 2 is not output to the output terminals 3 and 4. (b) The signal from the input terminal 2 is divided into two and output to the output terminals 3 and 4. The signal from the input terminal 1 is not output to the output terminals 3 and 4. (c) Signal from input terminal 1 to output terminal 3 and input terminal 2
The signal from is output to the output terminal 4.
【０００４】(a) の動作モードは、同軸スイッチ２１ａ
〜２１ｃによる接続を図４(a) に示す状態に設定するこ
とにより得られる。同様に、(b) の動作モードは同軸ス
イッチ２１ａ〜２１ｃを図４(b) に示す状態、(c) の動
作モードは同軸スイッチ２１ａ〜２１ｃを図４(c) に示
す状態に各々設定することにより得られる。The operation mode (a) is the coaxial switch 21a.
It is obtained by setting the connection by ~ 21c to the state shown in Fig. 4 (a). Similarly, the operation mode of (b) sets the coaxial switches 21a to 21c to the state shown in FIG. 4 (b), and the operation mode of (c) sets the coaxial switches 21a to 21c to the state shown in FIG. 4 (c). It is obtained by
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波切換
回路は以上のように機械的動作で動作回数に寿命のある
同軸スイッチ２１ａ〜２１ｃを用いているため、信頼性
が劣り、また同軸形の個別マイクロ波部品を接続して回
路を構成しているため、回路が大型化し、また価格も高
いなどの問題点があった。As described above, the conventional microwave switching circuit uses the coaxial switches 21a to 21c, which are mechanically operated and have a long operating frequency. Therefore, the reliability is inferior, and the coaxial switching circuit is of the coaxial type. Since individual microwave parts are connected to form a circuit, there are problems that the circuit becomes large and the price is high.
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、高信頼性、かつ小型のマイクロ
波切換回路を得ることを目的としており、さらに、この
回路を用いた高周波増幅装置を提供することを目的とす
る。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to obtain a highly reliable and compact microwave switching circuit, and further, a high frequency amplification using this circuit. The purpose is to provide a device.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明に係るマイクロ
波切換回路は、２つの入力端子及び２つの出力端子と、
前記入力端子から入力される高周波信号を各々２分配す
る第１，第２の分配器と、前記第１の分配器出力に各々
接続される第１，第２のダイオードと、前記第２の分配
器出力に各々接続される第３，第４のダイオードと、前
記第１〜第４のダイオードのＯＮ／ＯＦＦ切換制御を行
うバイアス供給回路とを備え、前記第１及び第３のダイ
オードの出力を結合させた点を第１の出力端子とし，前
記第２及び第４のダイオードの出力を結合させた点を第
２の出力端子とし、マイクロ波ストリップ基板上に回路
を構成したものである。A microwave switching circuit according to the present invention has two input terminals and two output terminals,
First and second distributors for distributing each of the high-frequency signals input from the input terminal into two, first and second diodes each connected to the output of the first distributor, and the second distributor And a bias supply circuit that controls ON / OFF switching of the first to fourth diodes, and outputs the outputs of the first and third diodes. A circuit is formed on the microwave strip substrate by using the coupled point as a first output terminal and the coupled point of the outputs of the second and fourth diodes as a second output terminal.
【０００８】また、ダイオードの代わりに電界効果トラ
ンジスタを用い、上記構成としたものである。In addition, a field effect transistor is used in place of the diode to have the above structure.
【０００９】[0009]
【作用】この発明に係るマイクロ波切換回路において
は、ダイオード又は電界効果トランジスタにより、マイ
クロ波の経路切換を行う。In the microwave switching circuit according to the present invention, the microwave path is switched by the diode or the field effect transistor.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１において、１，２は入力端子、３，４は出力
端子、５ａ，５ｂは分配器、６ａ〜６ｄはダイオード、
７ａはダイオード６ａ及び６ｃの出力を結合する結合
点、７ｂはダイオード６ｂ及び６ｄの出力を結合する結
合点、８はダイオード６ａ〜６ｄにバイアス電流を供給
するバイアス供給回路である。このマイクロ波切換回路
は、マイクロ波ストリップ基板上に構成する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, 1 and 2 are input terminals, 3 and 4 are output terminals, 5a and 5b are distributors, 6a to 6d are diodes,
Reference numeral 7a is a coupling point for coupling the outputs of the diodes 6a and 6c, 7b is a coupling point for coupling the outputs of the diodes 6b and 6d, and 8 is a bias supply circuit for supplying a bias current to the diodes 6a to 6d. This microwave switching circuit is constructed on a microwave strip substrate.
【００１１】図４(a),(b),(c) に示すマイクロ波経路切
換及び合成機能は、本発明においては各々図３(a),(b),
(c) に示すダイオード６ａ〜６ｄのＯＮ／ＯＦＦ設定に
より実現される。ダイオード６ａ〜６ｄのＯＮ／ＯＦＦ
設定はバイアス供給回路８よりダイオードＯＮ／ＯＦＦ
に相当するバイアス電流を供給することにより行う。The microwave path switching and synthesizing functions shown in FIGS. 4 (a), (b) and (c) are shown in FIGS. 3 (a), 3 (b) and 3 (b) respectively in the present invention.
It is realized by the ON / OFF setting of the diodes 6a to 6d shown in (c). ON / OFF of diodes 6a-6d
The setting is the diode ON / OFF from the bias supply circuit 8.
Is supplied by supplying a bias current corresponding to
【００１２】このような本実施例では、マイクロ波切換
回路をマイクロ波ストリップ基板上に構成し、同軸スイ
ッチの代わりにダイオードを用いたので回路の大型化を
防ぐことができ、また、信頼性が高くなる。In this embodiment, since the microwave switching circuit is constructed on the microwave strip substrate and the diode is used instead of the coaxial switch, it is possible to prevent the circuit from becoming large and to improve the reliability. Get higher
【００１３】なお、上記実施例では、マイクロ波経路切
換にダイオードを用いたものを示したが、スイッチ素子
として電界効果トランジスタを用いてもよく、同様の効
果が得られる。In the above embodiment, the diode is used for switching the microwave path. However, a field effect transistor may be used as the switch element, and the same effect can be obtained.
【００１４】また、上記実施例は、マイクロ波の経路切
換／合成を行うマイクロ波回路について説明したが、こ
の回路を位相合成を行う高周波増幅装置の入力に用いる
こともできる。In the above embodiment, the microwave circuit for switching / combining microwave paths has been described, but this circuit can also be used as an input of a high frequency amplifying device for phase combining.
【００１５】図２は、上記実施例におけるマイクロ波切
換回路を用いた高周波増幅装置である。図において、１
０は図１に示すマイクロ波切換回路、１１は電力合成器
（ＶＲＣ；Variable Ratio Combiner ）、１２は無反射
終端器、１３ａ，１３ｂは高周波増幅器（ＨＰＡ；High
Power Amplifier）、１４は出力端子である。FIG. 2 shows a high frequency amplifier using the microwave switching circuit in the above embodiment. In the figure, 1
0 is the microwave switching circuit shown in FIG. 1, 11 is a power combiner (VRC; Variable Ratio Combiner), 12 is a non-reflective terminator, and 13a and 13b are high frequency amplifiers (HPA; High).
Power amplifiers) and 14 are output terminals.
【００１６】本装置は、２台の高周波増幅器１３ａ，１
３ｂを位相合成し、出力を２倍として使用するものであ
るが、図１に示すマイクロ波切換回路１０とＶＲＣ１１
とを組み合わせて用いることにより、以下の少なくとも
３つの基本モードで動作させることができる。This apparatus comprises two high frequency amplifiers 13a and 1a.
3b is phase-combined and the output is doubled. The microwave switching circuit 10 and the VRC 11 shown in FIG.
By using in combination with, it is possible to operate in at least the following three basic modes.
【００１７】(a) 入力端子１より周波数ｆ1 の搬送波を
入力し、マイクロ波切換回路１０にて２分配し、高周波
増幅器１３ａ、１３ｂにて増幅後、ＶＲＣ１１にて位相
合成し、出力端子１４より出力する。マイクロ波切換回
路１０は図３(a) の状態に設定する。(A) A carrier wave of frequency f 1 is input from the input terminal 1, divided into two by the microwave switching circuit 10, amplified by the high frequency amplifiers 13a and 13b, phase-combined by the VRC 11, and output terminal 14 Output more. The microwave switching circuit 10 is set to the state shown in FIG.
【００１８】(b) 入力端子２より周波数ｆ2 の搬送波を
入力し、マイクロ波切換回路１０にて２分配し、高周波
増幅器１３ａ、１３ｂにて増幅後、ＶＲＣ１１にて位相
合成し、出力端子１４より出力する。マイクロ波回路１
０は図３(b) の状態に設定する。(B) A carrier wave of frequency f 2 is input from the input terminal 2, divided into two by the microwave switching circuit 10, amplified by the high frequency amplifiers 13a and 13b, and then phase-synthesized by the VRC 11, and the output terminal 14 Output more. Microwave circuit 1
0 is set to the state shown in FIG. 3 (b).
【００１９】(c) 入力端子１より周波数ｆ1 の搬送波，
入力端子２より周波数ｆ2 の搬送波を入力し、マイクロ
波切換回路１０にて搬送波ｆ1 を高周波増幅器１３ａ，
搬送波ｆ2 を高周波増幅器１３ｂへ接続し、高電力増幅
器１３ａ，１３ｂにて各々増幅後、ＶＲＣ１１にて電力
合成し、出力端子１４より出力する。マイクロ波切換回
路１０は図３(c) の状態に設定する。(C) Carrier wave of frequency f 1 from input terminal 1,
The carrier wave of frequency f 2 is input from the input terminal 2, and the carrier wave f 1 is transferred to the high frequency amplifier 13a, by the microwave switching circuit 10.
The carrier wave f 2 is connected to the high frequency amplifier 13b, amplified by the high power amplifiers 13a and 13b, respectively, and then power-combined by the VRC 11 and output from the output terminal 14. The microwave switching circuit 10 is set to the state shown in FIG.
【００２０】なお、(a),(b) のモードでは、出力端子１
４における合成出力が最大となるよう、移相器１５を調
整する。In the modes (a) and (b), the output terminal 1
The phase shifter 15 is adjusted so that the combined output at 4 becomes maximum.
【００２１】このような本実施例による高周波増幅装置
においては、スイッチ素子にダイオードを用い、マイク
ロ波ストリップ基板上に構成したマイクロ波切換回路を
用いたので、装置が小型化でき、また信頼性の高いもの
が得られるIn the high frequency amplifying apparatus according to the present embodiment as described above, since the diode is used as the switching element and the microwave switching circuit formed on the microwave strip substrate is used, the apparatus can be downsized and the reliability can be improved. You can get a high price
【００２２】なお、上記実施例では、スイッチ素子とし
てダイオードを用いたマイクロ波切換回路を用いた高周
波増幅装置を示したが、スイッチ素子として電界効果ト
ランジスタを用いたマイクロ波切換回路を用いてもよ
く、同様の効果が得られる。In the above embodiment, the high frequency amplifying device using the microwave switching circuit using the diode as the switching element is shown, but the microwave switching circuit using the field effect transistor may be used as the switching element. , A similar effect is obtained.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上のように、この発明に係るマイクロ
波切換回路及びこれを用いた高周波増幅装置によれば、
マイクロ波経路切換をダイオードで行い、また回路をマ
イクロ波ストリップ基板上に構成したので、装置が小型
化でき、また信頼性の高いものが得られる効果がある。As described above, according to the microwave switching circuit and the high frequency amplifying apparatus using the same of the present invention,
Since the microwave path is switched by the diode and the circuit is formed on the microwave strip substrate, there is an effect that the device can be downsized and a highly reliable device can be obtained.
【図１】この発明の一実施例によるマイクロ波切換回路
の構成図。FIG. 1 is a configuration diagram of a microwave switching circuit according to an embodiment of the present invention.
【図２】この発明の一実施例によるマイクロ波切換回路
を用いた高周波増幅装置の構成図。FIG. 2 is a configuration diagram of a high frequency amplifier using a microwave switching circuit according to an embodiment of the present invention.
【図３】この発明の一実施例によるマイクロ波切換回路
の動作説明図。FIG. 3 is an operation explanatory diagram of the microwave switching circuit according to the embodiment of the present invention.
【図４】従来のマイクロ波切換回路の構成図。FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional microwave switching circuit.
１，２ 入力端子 ３，４ 出力端子 ５ａ，５ｂ 分配器 ６ａ〜６ｄ ダイオード ７ａ，７ｂ 結合点 ８ バイアス供給回路 １０ 図１に示すマイクロ波切換回路 １１ 電力合成器 １２ 無反射終端器 １３ａ，１３ｂ 高周波増幅器 １４ 出力端子 １５ 移相器 1, 2 input terminals 3, 4 output terminals 5a, 5b distributors 6a to 6d diodes 7a, 7b coupling points 8 bias supply circuit 10 microwave switching circuit 11 shown in FIG. 1 power combiner 12 non-reflective terminator 13a, 13b high frequency Amplifier 14 Output terminal 15 Phase shifter
Claims (4)
る第１，第２の分配器と、 前記第１の分配器出力に各々接続される第１，第２のダ
イオードと、 前記第２の分配器出力に各々接続される第３，第４のダ
イオードと、 前記第１〜第４のダイオードのＯＮ／ＯＦＦ切換制御を
行うバイアス供給回路とを備え、 前記第１及び第３のダイオードの出力を結合させた点を
第１の出力端子とし、 前記第２及び第４のダイオードの出力を結合させた点を
第２の出力端子とし、 マイクロ波ストリップ基板上に回路を構成したことを特
徴とするマイクロ波切換回路。1. Two input terminals and two output terminals, first and second distributors that respectively divide a high-frequency signal input from the input terminals into two, and are respectively connected to outputs of the first distributor. A first and a second diode, a third and a fourth diode respectively connected to the output of the second distributor, and a bias supply for controlling ON / OFF switching of the first to the fourth diode. A circuit, and a point where the outputs of the first and third diodes are combined is a first output terminal, and a point where the outputs of the second and fourth diodes are combined is a second output terminal. A microwave switching circuit having a circuit formed on a microwave strip substrate.
を用いたことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波切
換回路。2. The microwave switching circuit according to claim 1, wherein a field effect transistor is used for the diode.
と、 前記マイクロ波切換回路の第１の出力端子に接続された
第１の高周波増幅器と、 前記マイクロ波切換回路の第２の出力端子に接続された
移相器と、 前記移相器を介して接続される第２の高周波増幅器と、 前記第１，第２の高周波増幅器の出力に接続された、合
成比固定もしくは可変の電力合成器とを備えたことを特
徴とする高周波増幅装置。3. The microwave switching circuit according to claim 1, a first high-frequency amplifier connected to a first output terminal of the microwave switching circuit, and a second output terminal of the microwave switching circuit. , A second high frequency amplifier connected via the phase shifter, and a fixed or variable combination ratio power combination connected to the outputs of the first and second high frequency amplifiers. High-frequency amplification device comprising:
と、 前記マイクロ波切換回路の第１の出力端子に接続された
第１の高周波増幅器と、 前記マイクロ波切換回路の第２の出力端子に接続された
移相器と、 前記移相器を介して接続された第２の高周波増幅器と、 前記第１，第２の高周波増幅器の出力に接続された、合
成比固定もしくは可変の電力合成器とを備えたことを特
徴とする高周波増幅装置。4. The microwave switching circuit according to claim 2, a first high-frequency amplifier connected to a first output terminal of the microwave switching circuit, and a second output terminal of the microwave switching circuit. , A second high frequency amplifier connected via the phase shifter, and a fixed or variable combination ratio power combination connected to the outputs of the first and second high frequency amplifiers. High-frequency amplification device comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3313382A JP2863659B2 (en) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | High frequency amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3313382A JP2863659B2 (en) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | High frequency amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129804A true JPH05129804A (en) | 1993-05-25 |
| JP2863659B2 JP2863659B2 (en) | 1999-03-03 |
Family
ID=18040594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3313382A Expired - Fee Related JP2863659B2 (en) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | High frequency amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2863659B2 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940803A (en) * | 1972-08-25 | 1974-04-17 | ||
| JPS5111549A (en) * | 1974-06-14 | 1976-01-29 | Marconi Co Ltd | |
| JPH03227129A (en) * | 1990-01-31 | 1991-10-08 | Nec Corp | Transmission output automatic control circuit |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP3313382A patent/JP2863659B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940803A (en) * | 1972-08-25 | 1974-04-17 | ||
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| JPH03227129A (en) * | 1990-01-31 | 1991-10-08 | Nec Corp | Transmission output automatic control circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2863659B2 (en) | 1999-03-03 |
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