JPH05121503A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH05121503A
JPH05121503A JP27953391A JP27953391A JPH05121503A JP H05121503 A JPH05121503 A JP H05121503A JP 27953391 A JP27953391 A JP 27953391A JP 27953391 A JP27953391 A JP 27953391A JP H05121503 A JPH05121503 A JP H05121503A
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JP
Japan
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integrated circuit
circuit
semiconductor integrated
adjustment
converter
Prior art date
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Pending
Application number
JP27953391A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Kudo
敏雄 工藤
Yoshiaki Ishizeki
芳明 石関
Masanobu Shinoda
匡暢 篠田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Priority to JP27953391A priority Critical patent/JPH05121503A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】実装前後での無調整化を実現するとともに、高
精度の補正を行ない、しかも大規模化しても占有面積を
小さく抑えることにある。 【構成】調整を要する増幅器5を備えたフィルター回路
ブロック1と、調整用データを保持するP−ROM4
と、このP−ROM4のデータをD/A変換するD/A
変換器3と、このD/A変換器3のアナログ出力を電圧
/電流変換してフィルター回路ブロック1における増幅
器5の相互コンダクタンスGmを調整するV/I変換器
2とを有する。ウェハー検査又は組立後の選別工程時に
適切なデータをPROM4に書き込むことにより、高精
度の特性を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特に選別時に調整用のデータを内蔵P−ROMに書き込
んだ無調整化集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、集積回路の性能の高精度化に対
しては、製造時にザップによるトリミング又は製造後の
外付け部品による調整などが行われている。
【0003】図3は従来の一例を示す半導体集積回路で
ある。図3に示すように、この半導体集積回路としての
トリミング用抵抗ダイオードアレイ7は入力端子INお
よび出力端子OUT間に直列接続される抵抗R1〜Rn
と、ツェナーザップ用のダイオードD1〜Dnとを備
え、ツェナーザップ用トリミング端子8を各抵抗の接続
点に設けている。このトリミング用抵抗ダイオードアレ
イ7は集積回路の製造時に発生するばらつきを抵抗R1
〜Rnに並列接続したツェナーザップ用ダイオードD1
〜Dnによりトリミング(カソード・アノード間をショ
ート)して補正している。
【0004】図4は図3に示す半導体集積回路を電流源
に用いた電圧電流変換回路図であり、図5は図3に示す
半導体集積回路を帰還抵抗に用いた帰還増幅回路図であ
る。
【0005】図4に示すように、図3の抵抗トリミング
抵抗アレイ7をトランジスタQ1〜Q4からなる電圧電
流変換回路に用いると、電流補正を行なうことができ
る。また、図5に示すように、図3の抵抗トリミング回
路7を帰還増幅器9の帰還抵抗に用いると、増幅率を補
正することが出来る。
【0006】図6は従来の他の例を説明するための外付
け可変抵抗により実装後に調整する半導体集積回路図で
ある。図6に示すように、かかる半導体集積回路10は
調整を要するフィルター回路ブロック1や増幅器11,
12あるいはトランジスタQ5等からなり、実装時に外
付け可変抵抗13により調整するものである。この例も
ツェナーザップによる抵抗トリミングと同様の考え方
で、トリミングする抵抗を外付可変抵抗13として特性
の補正を行う。特に、増幅器12,トランジスタQ5お
よびフィルター回路ブロック1からなるシステムは、フ
ィルター回路の遮断周波数fcを調整するための構成例
である。このフィルター回路ブロック1の遮断周波数f
cは、フィルター回路ブロック1の内部増幅器の相互コ
ンダクタンスGmとコンデンサCで決まり、相互コンダ
クタンスGmは増幅器12に流す電流iによって可変す
ることが出来る。この場合、集積回路製造工程時に発生
する素子特性のばらつきにより、フィルター回路の遮断
周波数fcに誤差が生じた場合、実装後に外付可変抵抗
13を用いて最適の値になるように電流iを調整し、特
性の補正を行うことが出来る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の調整手
段を用いた半導体集積回路は、ツェナーザップによる抵
抗トリミングを使用した場合、高精度の調整を行う時に
ザップのビット数を多くする必要があり、更にザップの
ための専用端子を最低でも「ビット数×調整箇所」分だ
け用意する必要がある。従って、この調整のトリミング
系のブロックの規模が大きくなり過ぎ、特に大規模集積
回路では実現性に乏しいという欠点がある。また、外付
可変抵抗を用いた調整の場合は、外付部品が増加し、実
装面積が増えるだけでなく、実装後に調整用の作業が必
要になるという欠点がある。
【0008】本発明の目的は、かかる実装前後での無調
整化を実現するとともに、高精度の補正を行ない、しか
も大規模化しても専有面積を小さく抑えることのできる
半導体集積回路を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、集積回路の拡散又は組立後に調整又は合せ込みを必
要とする回路ブロックと、前記調整又は合せ込みデータ
を保持するためのP−ROMと、前記P−ROMのデー
タをD/A変換して前記回路ブロックに供給するD/A
変換器とを有して構成される。
【0010】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【0011】図1は本発明の一実施例を示す半導体集積
回路のブロック図である。図1に示すように、本実施例
はバイポーラ部とMOS部が混在する集積回路におい
て、バイポーラ部の回路で発生するばらつきをMOS部
に作り込んだP−ROMを用いいてキャンセルさせるも
のである。すなわち、P−ROMに対して製造後書き込
んだデータを基にD/A変換した信号を用いてキャンセ
ルさせる。本実施例では高精度特性を実現するために調
整または合せ込みを必要とする増幅器5を備えたフィル
ター回路ブロック1と、この増幅器5を調整する電圧電
流変換回路2と、データ保持用のP−ROM4と、この
P−ROM4のデータをD/A変換してV/I変換部2
へ供給するD/A変換器3とを有している。また、IN
はフィルタ回路1の入力端子、OUTは出力端子であ
る。特に、本実施例はかかるフィルター回路ブロック1
の遮断周波数fcを調整するための構成例である。
【0012】かかるフィルター回路ブロック1の遮断周
波数fcは増幅器5の相互コンダクタンスGmとコンデ
ンサ−Cの容量で決まり、しかもこの相互コンダクタン
スGmはV/I変換部2から増幅器5に流す電流iによ
って可変することが出来る。それ故、集積回路の製造工
程時に発生する素子特性のばらつきによりフィルター回
路ブロック1の遮断周波数fcに誤差が生じても、ウェ
ハー時の検査または組立後の選別工程時に適当なデジタ
ル信号をP−ROM4に書き込んでおくことにより、そ
のデータをD/A変換器3によりD/A変換し、更にV
/I変換部2で電圧電流変換すれば、適切な電流iを得
ることができる。
【0013】図2は本発明の他の実施例を示す半導体集
積回路のブロック図である。図2に示すように、本実施
例は調整を要する回路ブロック1が複数個あった場合の
例であり、この場合は回路ブロック1にそれぞれD/A
変換器3を対応させ、しかもアドレスデコーダ6を追加
してP−ROM4のアドレスを指定することにより、各
々の回路ブロック1の補正を行うものである。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路は、集積回路の製造工程で発生するばらつきを補
正し、適切な特性となるようにウェハー検査を行った
り、組立選別する時に内蔵P−ROMに補正データを書
き込むことにより、実装時の無調整化を実現できるとい
う効果がある。また、本発明はザップをする場合のよう
に大規模集積回路になっても調整用の端子が多くなった
り、あるいは調整用のブロックが大規模になることはな
く、高精度の補正が出来るという効果があり、しかも実
装時に特殊な部品、例えば高精度の可変抵抗やマイコン
なども不要であるので、占有した面積を小さくできると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す半導体集積回路のブロ
ック図である。
【図2】本発明の他の実施例を示す半導体集積回路のブ
ロック図である。
【図3】従来の一例を示す半導体集積回路図である。
【図4】図3に示す半導体集積回路を電流源に用いた電
圧電流変換回路図である。
【図5】図3に示す半導体集積回路を帰還抵抗に用いた
帰還増幅回路図である。
【図6】従来の他の例を説明するための外付け可変抵抗
により実装後に調整する半導体集積回路図である。
【符号の説明】
1 フィルター回路ブロック 2 V/I変換部 3 D/A変換器 4 P−ROM 5 増幅器 6 アドレスデコーダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石関 芳明 神奈川県川崎市中原区小杉町一丁目403番 53日本電気アイシーマイコンシステム株式 会社内 (72)発明者 篠田 匡暢 神奈川県川崎市中原区小杉町一丁目403番 53日本電気アイシーマイコンシステム株式 会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 集積回路の拡散又は組立後に調整又は合
    せ込みを必要とする回路ブロックと、前記調整又は合せ
    込みデータを保持するためのP−ROMと、前記P−R
    OMのデータをD/A変換して前記回路ブロックに供給
    するD/A変換器とを有することを特徴とする半導体集
    積回路。
  2. 【請求項2】 前記回路ブロックが複数個あるとき、ア
    ドレスデコーダを用いて前記P−ROMのアドレス指定
    を行うことにより、前記回路ブロックの各々を補正する
    ことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
JP27953391A 1991-10-25 1991-10-25 半導体集積回路 Pending JPH05121503A (ja)

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JP27953391A JPH05121503A (ja) 1991-10-25 1991-10-25 半導体集積回路

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JP27953391A JPH05121503A (ja) 1991-10-25 1991-10-25 半導体集積回路

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JPH05121503A true JPH05121503A (ja) 1993-05-18

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ID=17612335

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JP27953391A Pending JPH05121503A (ja) 1991-10-25 1991-10-25 半導体集積回路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6388510B2 (en) 2000-07-21 2002-05-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transconductance-capacitance filter system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62171315A (ja) * 1986-01-16 1987-07-28 タンデム コンピユ−タ−ズ インコ−ポレ−テツド 遅延調整回路
JPH03101159A (ja) * 1989-09-13 1991-04-25 Fujitsu Ltd 半導体集積回路

Patent Citations (2)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6388510B2 (en) 2000-07-21 2002-05-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transconductance-capacitance filter system

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Date Code Title Description
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Effective date: 19981215