JPH05121034A - 荷電粒子数積算器 - Google Patents

荷電粒子数積算器

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JPH05121034A
JPH05121034A JP3303872A JP30387291A JPH05121034A JP H05121034 A JPH05121034 A JP H05121034A JP 3303872 A JP3303872 A JP 3303872A JP 30387291 A JP30387291 A JP 30387291A JP H05121034 A JPH05121034 A JP H05121034A
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beam current
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Yasunori Ando
靖典 安東
Mitsuhiro Kaneshiro
充広 金城
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Nissin Electric Co Ltd
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Nissin Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 パルス状異常イオンビ−ム電流の発生回数を
積算、表示すること。 【構成】 ファラディカップ10はイオン注入装置のイ
オンビ−ム電流を測定する。ファラディカップの出力電
流Ibを積算器(積分器)12に導入し、表示器13は
注入イオン数を表示する。イオン源の引出し電極系の局
部的放電により、パルス状の異常イオンビ−ム電流が発
生する。比較器17で出力電流Ibは設定値Irと比較
される。設定値Irを超える異常ビ−ム電流発生時にお
ける比較器出力Saをカウンタ18で計数し、表示器1
9は異常ビ−ム電流の発生回数を表示する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン注入装置におけ
るイオンビ−ム電流に応動し、注入イオン数を計測する
荷電粒子数積算器に関し、特に、異常なイオンビ−ム電
流発生の監視機能を有する積算器に関する。
【0002】
【従来の技術】イオン注入装置にあっては、被注入物の
品質管理、向上のために、イオンビ−ム電流の測定によ
り、注入イオン数を計測することが行われている。図2
は、大面積イオンビ−ムを被注入基板にシャワー状に注
入するイオン注入装置、例えば大型の液晶装置の駆動回
路となる薄膜トランジスタ(TFT)アレイを形成する
イオン注入装置において、注入イオン数を計測すること
ができる装置の概略構成図を示す。イオン源1から引出
し電極系2によって引出されたイオンビ−ム3は、イオ
ン源1と処理室4とを結合する中間フランジ部5を通
り、処理室4内の被注入基板6に注入される。被注入基
板6はターゲット台7に載置されており、均一注入のた
めにターゲット台7を回転させており、イオン源1、処
理室4内はターボ分子ポンプ8及びロータリーポンプ9
によって所定の真空状態に保たれている。ビ−ム電流測
定用のファラディカップ10がイオン注入時におけるビ
−ム電流を測定するためにターゲット台7の周辺部下方
の位置に設置されている。
【0003】ビ−ム進行方向から見た、ファラディカッ
プ10のイオンビ−ム3及びターゲット台7に対する配
置例を図3に示す。ファラディカップ10が位置Aで示
すように、イオンビ−ム3の内部であって、ターゲット
台7の隅部の回転軌跡の外側にある場合には、ファラデ
ィカップ10は連続してイオンビ−ム電流を測定し、位
置Bのように前記回転軌跡の内側に配置する場合には、
ファラディカップ10は間歇的にイオンビ−ム電流を測
定する。ファラディカップ10からの出力電流は荷電粒
子数積算器11の積算器ないし積分器12に導入され、
その出力は表示器13で表示される。積算器ないし積分
器12の積算、積分定数を選定することにより、被注入
基板6への注入イオン数を計測することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、イオン源1
のビ−ム引出し部に設けられた引出し電極系2は、通
常、2枚ないし4枚の電極からなる。図4は3枚電極系
の構成図であり、イオン源1のビ−ム引出し部には引出
し電極14、抑制電極15、接地電極16が設けられて
いる。上述の大型の液晶装置に係る大面積ビ−ムを発生
するものにあっては、各電極には多数のビ−ム引出し孔
が形成されており、電極間隔及び電極印加電圧について
例示すると、引出し電極14と抑制電極15との間隔は
10数mm、抑制電極と接地電極16との間隔は数mm
以下であり、接地電極16に対し、引出し電極14には
およそ100kV、抑制電極15には1kV程度の電圧
を印加する。
【0005】上述の引出し電極系における電極間隔と印
加電圧によれば、引出し電極11と抑制電極12間に
は、高電圧が印加され、かなりの電界が形成されている
関係上、イオン源1の運転中に、引出し電極11と抑制
電極12との間で過渡的な放電が発生することがある。
この放電は微小時間後に消滅するものではあるが、この
放電に伴い電極間にイオン源ガスによるプラズマあるい
は電極がスパッタされたことによるプラズマが発生し、
イオンビ−ム電流はパルス状に増加し、イオンビ−ム電
流を測定するファラディカップ8の出力電流Ibは図5
において、符号Cで示すようにパルス状に増加する。図
5(a)はファラディカップ8がビ−ム電流を連続的に
測定している場合、同(b)は間歇的に測定している場
合の時間tに対する出力電流Ibの変化例を示す。
【0006】従来のビ−ム径も小さく質量分析を行うイ
オン注入装置の場合には、イオン源の高電圧印加に起因
し、放電による異常ビ−ム電流が発生しても、イオン源
から引出されたイオンのエネルギが大きく変化するた
め、異常イオンビ−ムは質量分析部で除去され、被注入
物に到達することはない。この場合、被注入物へのビ−
ム電流はパルス状に減少するものの異常なイオンが注入
されることもないから、イオンビ−ム電流異常について
の管理は行っていない。
【0007】しかしながら、図2に示すもののように、
質量分析を行わずに、イオン源1からシャワー状に被注
入基板6にイオンを注入する装置では、イオン源1での
トラブルは注入品質に直接影響を与えることになり、注
入状況を管理することが被注入物の性能管理、したがっ
て、製品の管理に必要となる。特に、上述のように、イ
オン源1の引出し電極系の高電圧印加部での放電による
パルス状のイオンビ−ム電流の増加分は、正常なイオン
ビ−ムとはエネルギ、イオン種とも異なるものであり、
かかるパルス状異常電流の発生については管理を必要と
するが、従来のイオンビ−ム電流に応動する荷電粒子数
積算器は、かかる異常電流についての管理、監視機能を
備えるものではない。
【0008】本発明は、イオン注入装置における注入イ
オン数を計測する荷電粒子数積算器に関し、イオン源側
でのトラブルによるパルス状のビ−ム異常電流の発生回
数について積算する機能を具備させることを目的とする
ものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、イオン注入装
置のイオンビ−ム電流に応動する荷電粒子数積算器にお
いて、所定の設定値以上のイオンビ−ム電流の発生を検
出する手段と、この検出手段の出力を計数する手段と、
この計数手段の出力を表示する手段とを有することを特
徴とするものである。
【0010】
【作用】所定の設定値以上のイオンビ−ム電流の発生を
検出する手段によりパルス状の異常なイオンビ−ム電流
の発生を検出することができ、そして、前記検出手段の
出力を計数し、さらに、これを表示するように構成され
ているから、イオンビ−ム電流に応動する荷電粒子数積
算器により、注入イオン数の計測、管理に加えて、被注
入基板における異常なイオンビ−ムの注入状況を把握、
管理することができることになり、より高品質の被注入
基板を得ることを可能にする。
【0011】
【実施例】図1は、本発明のイオン注入装置における荷
電粒子数積算器についての一実施例の構成図である。図
2、図3と同一符号は同等部分を示す。イオンビ−ム電
流を測定するファラディカップ10の出力電流Ibは荷
電粒子数積算器11の積算器ないし積分器12に導入さ
れ、その出力を表示器13に入力し、図2における被注
入基板6に注入されたイオン数の計測が行われる。ま
た、ファラディカップ10の出力電流Ibは異常なイオ
ンビ−ム電流を検出するコンパレータ17に導入され
る。コンパレータ17は、図5(a)、(b)において
点線で示すレベルの設定値Irと出力電流Ibとを比較
し、設定値Irを超えるパルス状の異常ビ−ム電流が発
生したとき出力Saを異常ビ−ム電流の発生回数を計数
するカウンタ18に与え、このカウンタの計数値は表示
器19で表示される。
【0012】パルス状の異常なビ−ム電流を発生させる
引出し電極系の電極間の放電は局所的に生じ、ファラデ
ィカップ10はイオンビ−ムの一部を捕らえるものにす
ぎないから、ファラディカップ10は全ての異常ビ−ム
電流発生を検出し得ない。しかし、イオンビ−ムの発散
角の存在を考慮すると、ファラディカップ10はかなり
の範域のイオンビ−ムに応答するものであり、そして、
コンパレータ11の出力Saの発生回数は、経験的、統
計的に、イオン源におけるパルス状の異常ビ−ム電流の
全発生回数と相関関係にあることが認められており、し
たがって、コンパレータ11の出力Saの計数値は被注
入基板6に対するパルス状異常イオンビ−ム注入の指標
として用いることができる。このことは、ファラディカ
ップ10を図3の位置Bに配置し、ビ−ム電流を間歇的
に検出する場合に対して、同様に言える。
【0013】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、所定の設定値以上のイオンビ−ム電流の発生を検
出する手段によりパルス状の異常なイオンビ−ム電流の
発生を検出することができ、そして、前記検出手段の出
力を計数し、さらに、これを表示するように構成されて
いるから、イオンビ−ム電流に応動する荷電粒子数積算
器により、注入イオン数の計測、管理に加えて、被注入
基板における異常なイオンビ−ムの注入状況を把握、管
理することができることになり、より高品質の被注入基
板を得ることを可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の構成図である。
【図2】大面積ビ−ムによるイオン注入装置の構成図で
ある。
【図3】ファラディカップの配置説明図である。
【図4】イオン源における引出し電極系の構成図であ
る。
【図5】ファラディカップによるパルス状異常ビ−ム電
流測定の説明図である。
【符号の説明】
1 イオン源 4 処理室 6 被注入基板 10 ファラディカップ 11 荷電粒子数積算器 12 積算器ないし積分器 13 表示器 17 コンパレータ 18 カウンタ 19 表示器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 イオン注入装置のイオンビ−ム電流に応
    動する荷電粒子数積算器において、所定の設定値以上の
    イオンビ−ム電流の発生を検出する手段と、この検出手
    段の出力を計数する手段と、この計数手段の出力を表示
    する手段とを有することを特徴とする荷電粒子数積算
    器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013537688A (ja) * 2010-07-29 2013-10-03 アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド 汎用ビームグリッチ検出システム

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