JPH05120997A - 陰極線管の処理方法 - Google Patents
陰極線管の処理方法Info
- Publication number
- JPH05120997A JPH05120997A JP28271391A JP28271391A JPH05120997A JP H05120997 A JPH05120997 A JP H05120997A JP 28271391 A JP28271391 A JP 28271391A JP 28271391 A JP28271391 A JP 28271391A JP H05120997 A JPH05120997 A JP H05120997A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- ray tube
- cathode ray
- gas
- crt
- Prior art date
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- Pending
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 陰極線管の枯化工程、ヒートラン工程等の処
理工程において、脱ガス処理を行うことにより、動作中
のガス放出を防止する。 【構成】 上記処理工程において、偏向ヨーク５により
電子ビーム７を内装黒鉛４にまで照射することにより、
内装黒鉛４に吸着されていたガスを放出させ、ゲッタ材
に吸着させる。 【効果】 処理工程で内装黒鉛４の脱ガス処理を行った
ことにより、動作中の温度上昇によるガス放出がなくな
り、カソードの損傷を抑制できて長期にわたって良好な
電子ビームを得ることができる。
理工程において、脱ガス処理を行うことにより、動作中
のガス放出を防止する。 【構成】 上記処理工程において、偏向ヨーク５により
電子ビーム７を内装黒鉛４にまで照射することにより、
内装黒鉛４に吸着されていたガスを放出させ、ゲッタ材
に吸着させる。 【効果】 処理工程で内装黒鉛４の脱ガス処理を行った
ことにより、動作中の温度上昇によるガス放出がなくな
り、カソードの損傷を抑制できて長期にわたって良好な
電子ビームを得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、陰極線管の脱ガス処
理方法に関し、特に管内の内装黒鉛等に吸着されたガス
の脱ガス処理方法に関する。
理方法に関し、特に管内の内装黒鉛等に吸着されたガス
の脱ガス処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管（以下ＣＲＴと称する。）の管
内残留ガス防止・処理方法として従来より、図２に示す
ＣＲＴにおいて、真空排気時に、加熱処理をしてガスバ
ルブ１，蛍光膜２，メタルバック膜３，内装黒鉛４等の
脱ガス処理をしていた。真空封止後のラスター枯化，ヒ
ートラン等により蛍光膜２やメタルバック膜３等をさら
に脱ガスし、放出ガスをゲッター膜（図示せず）に吸着
処理していた。
内残留ガス防止・処理方法として従来より、図２に示す
ＣＲＴにおいて、真空排気時に、加熱処理をしてガスバ
ルブ１，蛍光膜２，メタルバック膜３，内装黒鉛４等の
脱ガス処理をしていた。真空封止後のラスター枯化，ヒ
ートラン等により蛍光膜２やメタルバック膜３等をさら
に脱ガスし、放出ガスをゲッター膜（図示せず）に吸着
処理していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年ＣＲＴ
は輝度向上の要求が強く、その対応の一つとしてアノー
ド電圧（Ｅｂ）を上げる傾向にある。そのためにＣＲＴ
の動作時の温度が上昇する傾向にある。ＣＲＴは上記の
ように真空排気時に加熱処理をしてガラスバルブ１や内
装黒鉛４等の脱ガス処理をしている。しかし、真空封止
後も微量の残留ガスが存在し、冷却において残留ガスは
ガラスバルブ１，蛍光膜２，メタルバック膜３，内装黒
鉛４等に吸着される。この内、内装黒鉛４はポーラスで
あるため、最も残留ガスが吸着されやすい。この吸着さ
れたガスがＣＲＴの動作時の温度上昇により再放出さ
れ、電子銃６から射出された電子ビーム７と衝突してイ
オン化され、生成した陽イオンがカソード表面に衝突
し、カソードにダメージを与え、エミッション放出能力
を低下させ、ＣＲＴの寿命低下の原因になるという問題
があった。
は輝度向上の要求が強く、その対応の一つとしてアノー
ド電圧（Ｅｂ）を上げる傾向にある。そのためにＣＲＴ
の動作時の温度が上昇する傾向にある。ＣＲＴは上記の
ように真空排気時に加熱処理をしてガラスバルブ１や内
装黒鉛４等の脱ガス処理をしている。しかし、真空封止
後も微量の残留ガスが存在し、冷却において残留ガスは
ガラスバルブ１，蛍光膜２，メタルバック膜３，内装黒
鉛４等に吸着される。この内、内装黒鉛４はポーラスで
あるため、最も残留ガスが吸着されやすい。この吸着さ
れたガスがＣＲＴの動作時の温度上昇により再放出さ
れ、電子銃６から射出された電子ビーム７と衝突してイ
オン化され、生成した陽イオンがカソード表面に衝突
し、カソードにダメージを与え、エミッション放出能力
を低下させ、ＣＲＴの寿命低下の原因になるという問題
があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するために、ＣＲＴの枯化工程、ヒートラン工程等
の処理工程において、電子ビームを最もガスが吸着され
ている内装黒鉛部にまで照射することによって脱ガスを
徹底し、ＣＲＴの動作時の温度上昇による内装黒鉛部か
らのガスの再放出を防止するようにしたことを特徴とす
る。
解決するために、ＣＲＴの枯化工程、ヒートラン工程等
の処理工程において、電子ビームを最もガスが吸着され
ている内装黒鉛部にまで照射することによって脱ガスを
徹底し、ＣＲＴの動作時の温度上昇による内装黒鉛部か
らのガスの再放出を防止するようにしたことを特徴とす
る。
【０００５】
【作用】ＣＲＴの処理工程において内装黒鉛部にまで電
子ビームを照射することにより、電子ビームが照射され
た内装黒鉛部は温度が上昇し、吸着していたガスを放出
する。放出されたガスはイオン化し、ゲッタ材にすみや
かに吸着される。
子ビームを照射することにより、電子ビームが照射され
た内装黒鉛部は温度が上昇し、吸着していたガスを放出
する。放出されたガスはイオン化し、ゲッタ材にすみや
かに吸着される。
【０００６】なお、当工程においては通常の動作時より
カソード温度の高い状態で処理を行うのでイオン化され
たガスがカソード表面に衝突したとしてもカソード面は
ダメージを受けることはない。
カソード温度の高い状態で処理を行うのでイオン化され
たガスがカソード表面に衝突したとしてもカソード面は
ダメージを受けることはない。
【０００７】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。
する。
【０００８】図１はこの発明の一実施例の断面図であ
る。図において、１はガラスバルブ、２はガラスバルブ
１のフェースぶに被着形成された蛍光膜、３はメタルバ
ック膜、４は内装黒鉛、５は偏向ヨーク、６は電子銃、
７は電子ビームまたは電子ビームの軌跡であるま。
る。図において、１はガラスバルブ、２はガラスバルブ
１のフェースぶに被着形成された蛍光膜、３はメタルバ
ック膜、４は内装黒鉛、５は偏向ヨーク、６は電子銃、
７は電子ビームまたは電子ビームの軌跡であるま。
【０００９】次に上記ＣＲＴの動作について説明する。
電子銃より射出された電子ビーム７は偏向ヨーク５によ
り偏向される。アノード電圧や偏向ヨーク５等の電気的
入力を変えることにより電子ビーム７の軌跡を変え、内
装黒鉛４、ガラスバルブ１、メタルバック膜３、蛍光膜
２等に選択的に照射することができる。
電子銃より射出された電子ビーム７は偏向ヨーク５によ
り偏向される。アノード電圧や偏向ヨーク５等の電気的
入力を変えることにより電子ビーム７の軌跡を変え、内
装黒鉛４、ガラスバルブ１、メタルバック膜３、蛍光膜
２等に選択的に照射することができる。
【００１０】枯化工程やヒートラン工程では、電子ビー
ム７は例えば７ｅ，７ｄで示すような軌跡をとり、蛍光
膜２やメタルバック膜３の一部などに照射され、これら
の脱ガスができる。
ム７は例えば７ｅ，７ｄで示すような軌跡をとり、蛍光
膜２やメタルバック膜３の一部などに照射され、これら
の脱ガスができる。
【００１１】本発明では、アノード電圧を低下したり、
偏向ヨークへの電気的入力等を増加したりして、電子ビ
ーム７の軌跡を例えば７ｓ，７ｂ，７ｃのように急激に
曲げることによって内装黒鉛４の各部を脱ガスすること
を特徴としている。
偏向ヨークへの電気的入力等を増加したりして、電子ビ
ーム７の軌跡を例えば７ｓ，７ｂ，７ｃのように急激に
曲げることによって内装黒鉛４の各部を脱ガスすること
を特徴としている。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明はＣＲＴ
の処理工程において、内装黒鉛部にまで電子ビームを当
てて吸着ガスを再放出させ、ゲッタ膜に吸着させること
により、ＣＲＴの動作時に温度上昇してもガスの再放出
がなく、カソードがダメージを受けることがなく、長期
間にわたって良好なエミッションを得ることができる。
の処理工程において、内装黒鉛部にまで電子ビームを当
てて吸着ガスを再放出させ、ゲッタ膜に吸着させること
により、ＣＲＴの動作時に温度上昇してもガスの再放出
がなく、カソードがダメージを受けることがなく、長期
間にわたって良好なエミッションを得ることができる。
【図１】 この発明の一実施例のＣＲＴの縦断面図
【図２】 従来の脱ガス方法を説明するためのＣＲＴの
縦断面図
縦断面図
７ 電子ビーム ７ａ，７ｂ，７ｃ 内装黒鉛に照射される電子ビームの
軌跡
軌跡
Claims (3)
- 【請求項１】陰極線管の枯化工程もしくはヒートラン工
程において、電子ビームを内装黒鉛部分にまで照射する
ことを特徴とする陰極線管の処理方法。 - 【請求項２】アノード電圧を定常電圧より高くして、電
子ビームを内装黒鉛部分まで照射する請求項１に記載の
陰極線管の処理方法。 - 【請求項３】偏向ヨーク入力を定常入力より大きくし
て、電子ビームを内装黒鉛部分まで照射する請求項１に
記載の陰極線管の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28271391A JPH05120997A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 陰極線管の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28271391A JPH05120997A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 陰極線管の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05120997A true JPH05120997A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17656079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28271391A Pending JPH05120997A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 陰極線管の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05120997A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4840676A (en) * | 1985-06-24 | 1989-06-20 | The Dow Chemical Company | Insoluble pigments and preparation thereof |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP28271391A patent/JPH05120997A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4840676A (en) * | 1985-06-24 | 1989-06-20 | The Dow Chemical Company | Insoluble pigments and preparation thereof |
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