JPH05117271A - 1−カルバセフアロスポリン6員環のための閉環法 - Google Patents
1−カルバセフアロスポリン6員環のための閉環法Info
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- JPH05117271A JPH05117271A JP4104359A JP10435992A JPH05117271A JP H05117271 A JPH05117271 A JP H05117271A JP 4104359 A JP4104359 A JP 4104359A JP 10435992 A JP10435992 A JP 10435992A JP H05117271 A JPH05117271 A JP H05117271A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D463/00—Heterocyclic compounds containing 1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. carbacephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
- C07D463/02—Preparation
- C07D463/04—Preparation by forming the ring or condensed ring systems
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
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- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 3−保護されたアミノ−4−(1−プロピレ
ンオキシド)−メチル(保護されたカルボキシ)−アゼチ
ジン−2−オンを強塩基と接触させて2−ヒドロキシセ
ファムを得、次いでこの2−ヒドロキシセファムを脱水
することからなる、式: 【化1】 で示される7−保護されたアミノ−4−保護されたカル
ボキシ−1−カルバセファロスポリンの製造方法が提供
される。 【効果】 本発明の方法により、所望の1−カルバセフ
ァロスポリンを製造することができる。
ンオキシド)−メチル(保護されたカルボキシ)−アゼチ
ジン−2−オンを強塩基と接触させて2−ヒドロキシセ
ファムを得、次いでこの2−ヒドロキシセファムを脱水
することからなる、式: 【化1】 で示される7−保護されたアミノ−4−保護されたカル
ボキシ−1−カルバセファロスポリンの製造方法が提供
される。 【効果】 本発明の方法により、所望の1−カルバセフ
ァロスポリンを製造することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、1−カルバ(1−デチ
ア)−3−セフェム−4−カルボン酸およびその誘導体
の製造法、さらに具体的には3−保護されたアミノ−4
−アルケニルアゼチジノンおよび中間体からの1−カル
バ(1−デチア)−3−セフェム−4−カルボン酸6員環
の閉環法に関する。
ア)−3−セフェム−4−カルボン酸およびその誘導体
の製造法、さらに具体的には3−保護されたアミノ−4
−アルケニルアゼチジノンおよび中間体からの1−カル
バ(1−デチア)−3−セフェム−4−カルボン酸6員環
の閉環法に関する。
【0002】
【従来の技術】1−カルバ(1−デチア)−3−セフェム
−4−カルボン酸(これ以降は1−カルバセファロスポ
リンもしくはカルバセフと称する)は、以下の式:
−4−カルボン酸(これ以降は1−カルバセファロスポ
リンもしくはカルバセフと称する)は、以下の式:
【化9】 で表される4,6−二環系を有する。この式において
は、セフェムの命名法に従い用いられる慣用の番号付与
系を簡便のために用いる。
は、セフェムの命名法に従い用いられる慣用の番号付与
系を簡便のために用いる。
【0003】1−カルバセファロスポリン化合物は、合
成における重要な目標を提供する。1−カルバセファロ
スポリンは、例えば微生物の代謝物などの天然源からは
これまでは得られていない。従って、これらの将来有望
な化合物の全合成法、特に大量生産に適合させ得る方法
が非常に望まれている。1−カルバセファロスポリンの
全合成のためのより注目すべきアプローチの1つは、Ev
ansら(米国特許番号4,665,171)により記載され
ている非対称経路である。
成における重要な目標を提供する。1−カルバセファロ
スポリンは、例えば微生物の代謝物などの天然源からは
これまでは得られていない。従って、これらの将来有望
な化合物の全合成法、特に大量生産に適合させ得る方法
が非常に望まれている。1−カルバセファロスポリンの
全合成のためのより注目すべきアプローチの1つは、Ev
ansら(米国特許番号4,665,171)により記載され
ている非対称経路である。
【0004】適当に誘導化された4−アリル(および置
換されたアリル)基を有するシス−キラルアゼチジノン
へのもう1つの経路は、Blaszczak(米国特許番号4,7
71,134)により提供されている。Blaszczak法で
は、出発物質として4−(置換されたセレニル)アゼチジ
ノンを使用し、これを遊離ラジカルの条件下で(2−置
換されたもしくは置換されていないアリル)スズ剤を用
いて4−アリル(および置換されたアリル)アゼチジノン
に変換する。1−カルバセファロスポラン酸およびその
C−3置換メチル誘導体の製造は、Christensenら(米国
特許番号4,226,866)により広範囲に教示されて
いる。Hirataらは、英国特許出願番号2041923に
おいて3−ハロおよび3−H 1−カルバセファロスポ
リンの製造方法を教示しており、またHatanakaらは、Te
trahedron Letters, Vol. 24, No. 44,pp. 4837-4838 (1
983)において3−ヒドロキシ−(+/−)−1−カルバセ
ファロスポリンの製造方法を教示している。
換されたアリル)基を有するシス−キラルアゼチジノン
へのもう1つの経路は、Blaszczak(米国特許番号4,7
71,134)により提供されている。Blaszczak法で
は、出発物質として4−(置換されたセレニル)アゼチジ
ノンを使用し、これを遊離ラジカルの条件下で(2−置
換されたもしくは置換されていないアリル)スズ剤を用
いて4−アリル(および置換されたアリル)アゼチジノン
に変換する。1−カルバセファロスポラン酸およびその
C−3置換メチル誘導体の製造は、Christensenら(米国
特許番号4,226,866)により広範囲に教示されて
いる。Hirataらは、英国特許出願番号2041923に
おいて3−ハロおよび3−H 1−カルバセファロスポ
リンの製造方法を教示しており、またHatanakaらは、Te
trahedron Letters, Vol. 24, No. 44,pp. 4837-4838 (1
983)において3−ヒドロキシ−(+/−)−1−カルバセ
ファロスポリンの製造方法を教示している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、3−保護さ
れたアミノ−4−(1−プロピレンオキシド)−1−メチ
ル(保護されたカルボキシ)−アゼチジン−2−オン化合
物を強塩基と接触させて、その後に得られた生成物を脱
水して7−保護されたアミノ−4−保護されたカルボキ
シ−1−カルバセファロスポリンを得る工程を含む1−
カルバセファロスポリンの製造方法に関する。
れたアミノ−4−(1−プロピレンオキシド)−1−メチ
ル(保護されたカルボキシ)−アゼチジン−2−オン化合
物を強塩基と接触させて、その後に得られた生成物を脱
水して7−保護されたアミノ−4−保護されたカルボキ
シ−1−カルバセファロスポリンを得る工程を含む1−
カルバセファロスポリンの製造方法に関する。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下の式(IV)
で示される化合物:
で示される化合物:
【化10】 [式中、Rは保護されたアミノ基であり、R1はカルボキ
シ保護基である]を製造する方法であって、以下の式(I
I)で示される化合物:
シ保護基である]を製造する方法であって、以下の式(I
I)で示される化合物:
【化11】 を強塩基と、実質的に無水の条件下に不活性有機溶媒の
存在下で以下の式(III)で示される化合物:
存在下で以下の式(III)で示される化合物:
【化12】 を形成させるに十分な時間および温度で反応させて、そ
の後に式(III)の化合物を脱水して式(IV)の化合物を得
ることにより製造するための方法を提供する。
の後に式(III)の化合物を脱水して式(IV)の化合物を得
ることにより製造するための方法を提供する。
【0007】上記の方法において、「保護されたアミノ
基」の語は、化合物上の他の官能基を反応させる際にア
ミノ官能性をブロックまたは保護するために通常用いら
れる基で置換されているアミノ基を意味する。この様な
アミノ保護基の例には、ホルミル基、トリチル基、フタ
ルイミド基、トリクロロアセチル基、クロロアセチル、
ブロモアセチルおよびヨードアセチル、フェノキシアセ
チルおよびフェニルアセチル基、ウレタン型のブロック
基、例えばベンジルオキシカルボニル、アリルオキシカ
ルボニル、4−フェニルベンジルオキシカルボニル、2
−メチルベンジルオキシカルボニル、4−メトキシベン
ジルオキシカルボニル、4−フルオロベンジルオキシカ
ルボニル、4−クロロ−ベンジルオキシカルボニル、3
−クロロベンジルオキシカルボニル、2−クロロベンジ
ルオキシカルボニル、2,4−ジクロロベンジルオキシ
カルボニル、4−ブロモベンジルオキシカルボニル、3
−ブロモ−ベンジルオキシカルボニル、4−ニトロベン
ジルオキシカルボニル、4−シアノベンジルオキシカル
ボニル、2−(4−キセニル)イソ−プロポキシカルボニ
ル、1,1−ジフェニルエタ−1−イルオキシカルボニ
ル、1,1−ジフェニル−プロパ−1−イルオキシカル
ボニル、2−フェニルプロパ−2−イルオキシカルボニ
ル、2−(p−トルイル)プロパ−2−イルオキシカルボ
ニル、シクロペンチルオキシカルボニル、1−メチルシ
クロペンチルオキシカルボニル、1−メチルシクロヘキ
シルオキシカルボニル、2−メチルシクロヘキシルオキ
シカルボニル、2−(4−トルイルスルホニル)エトキシ
カルボニル、2−(メチルスルホニル)エトキシカルボニ
ル、2−(トリフェニルホスフィノ)エトキシカルボニ
ル、9−フルオレニルメトキシカルボニル("FMO
C")、2−(トリメチルシリル)エトキシカルボニル、ア
リルオキシカルボニル、1−(トリメチルシリルメチル)
プロパ−1−エニルオキシカルボニル、5−ベンズイソ
キサリルメトキシカルボニル、4−アセトキシベンジル
オキシカルボニル、2,2,2−トリクロロエトキシカル
ボニル、2−エチニル−2−プロポキシカルボニル、シ
クロプロピルメトキシカルボニル、4−(デシクロオキ
シ)ベンジルオキシカルボニル、イソボルニルオキシカ
ルボニル、1−ピペリジルオキシカルボニル等;ベンゾ
イルメチルスルホニル基、2−(ニトロ)フェニルスルフ
ェニル基、酸化ジフェニルホスフィン基等のアミノ保護
基が含まれる。誘導体化されたアミノ基が分子の他の部
位における以降の反応の条件に対して安定であって、分
子の残りの部分を破壊することなく適当な時点で除去す
ることができる限りは、用いられるアミノ保護基の種類
は限定されない。好ましいアミノ保護基は、t−ブトキ
シカルボニルおよびフェノキシアセチル基である。セフ
ァロスポリン、ペニシリンおよびペプチドの技術分野で
用いられる同様のアミノ保護基もまた上記の用語に包含
される。上記の用語により表される基の例はさらにJ.W.
Barton, "Protective Groups in Organic Chemistry",
J.G.W. McOmie, Ed., Plenum Press, New York, N.Y.,
1973, Chapter 2およびT.W.Greene, "Protective Group
s in OrganicSynthesis", John Wiley and Sons, New Y
ork, N.Y., 1981, Chapter 7に記載されている。
基」の語は、化合物上の他の官能基を反応させる際にア
ミノ官能性をブロックまたは保護するために通常用いら
れる基で置換されているアミノ基を意味する。この様な
アミノ保護基の例には、ホルミル基、トリチル基、フタ
ルイミド基、トリクロロアセチル基、クロロアセチル、
ブロモアセチルおよびヨードアセチル、フェノキシアセ
チルおよびフェニルアセチル基、ウレタン型のブロック
基、例えばベンジルオキシカルボニル、アリルオキシカ
ルボニル、4−フェニルベンジルオキシカルボニル、2
−メチルベンジルオキシカルボニル、4−メトキシベン
ジルオキシカルボニル、4−フルオロベンジルオキシカ
ルボニル、4−クロロ−ベンジルオキシカルボニル、3
−クロロベンジルオキシカルボニル、2−クロロベンジ
ルオキシカルボニル、2,4−ジクロロベンジルオキシ
カルボニル、4−ブロモベンジルオキシカルボニル、3
−ブロモ−ベンジルオキシカルボニル、4−ニトロベン
ジルオキシカルボニル、4−シアノベンジルオキシカル
ボニル、2−(4−キセニル)イソ−プロポキシカルボニ
ル、1,1−ジフェニルエタ−1−イルオキシカルボニ
ル、1,1−ジフェニル−プロパ−1−イルオキシカル
ボニル、2−フェニルプロパ−2−イルオキシカルボニ
ル、2−(p−トルイル)プロパ−2−イルオキシカルボ
ニル、シクロペンチルオキシカルボニル、1−メチルシ
クロペンチルオキシカルボニル、1−メチルシクロヘキ
シルオキシカルボニル、2−メチルシクロヘキシルオキ
シカルボニル、2−(4−トルイルスルホニル)エトキシ
カルボニル、2−(メチルスルホニル)エトキシカルボニ
ル、2−(トリフェニルホスフィノ)エトキシカルボニ
ル、9−フルオレニルメトキシカルボニル("FMO
C")、2−(トリメチルシリル)エトキシカルボニル、ア
リルオキシカルボニル、1−(トリメチルシリルメチル)
プロパ−1−エニルオキシカルボニル、5−ベンズイソ
キサリルメトキシカルボニル、4−アセトキシベンジル
オキシカルボニル、2,2,2−トリクロロエトキシカル
ボニル、2−エチニル−2−プロポキシカルボニル、シ
クロプロピルメトキシカルボニル、4−(デシクロオキ
シ)ベンジルオキシカルボニル、イソボルニルオキシカ
ルボニル、1−ピペリジルオキシカルボニル等;ベンゾ
イルメチルスルホニル基、2−(ニトロ)フェニルスルフ
ェニル基、酸化ジフェニルホスフィン基等のアミノ保護
基が含まれる。誘導体化されたアミノ基が分子の他の部
位における以降の反応の条件に対して安定であって、分
子の残りの部分を破壊することなく適当な時点で除去す
ることができる限りは、用いられるアミノ保護基の種類
は限定されない。好ましいアミノ保護基は、t−ブトキ
シカルボニルおよびフェノキシアセチル基である。セフ
ァロスポリン、ペニシリンおよびペプチドの技術分野で
用いられる同様のアミノ保護基もまた上記の用語に包含
される。上記の用語により表される基の例はさらにJ.W.
Barton, "Protective Groups in Organic Chemistry",
J.G.W. McOmie, Ed., Plenum Press, New York, N.Y.,
1973, Chapter 2およびT.W.Greene, "Protective Group
s in OrganicSynthesis", John Wiley and Sons, New Y
ork, N.Y., 1981, Chapter 7に記載されている。
【0008】本明細書中で使用される「カルボキシ保護
基」の語は、化合物の他の官能基上で反応が行われてい
る際にカルボン酸基をブロックまたは保護するために通
常用いられる基のいずれかを意味する。このようなカル
ボン酸保護基の例として、4−ニトロベンジル、4−メ
トキシベンジル、3,4−ジメトキシベンジル、2,4−
ジメトキシベンジル、2,4,6−トリメトキシベンジ
ル、2,4,6−トリメチルベンジル、ペンタメチルベン
ジル、3,4−メチレンジオキシベンジル、ベンズヒド
リル、4,4'−ジメトキシベンズヒドリル、2,2',4,
4'−テトラメトキシベンズヒドリル、t−ブチル、t
−アミル、トリチル、4−メトキシトリチル、4,4'−
ジメトキシトリチル、4,4',4''−トリメトキシトリ
チル、2−フェニルプロパ−2−イル、トリメチルシリ
ル、t−ブチルジメチルシリル、フェナシル、2,2,2
−トリクロロエチル、b−(トリメチルシリル)エチル、
b−[ジ(n−ブチル)メチルシリル]エチル、p−トルエ
ンスルホニルエチル、4−ニトロベンジルスルホニルエ
チル、アリル、シナミル、1−(トリメチルシリルメチ
ル)プロパ−1−エン−3−イル等の基が挙げられる。
誘導体化されたカルボン酸が、分子の他の位置における
後の反応条件に対して安定であり、分子の残りの部分を
破壊することなく適当な時点で除去される限りは、用い
られるカルボキシ保護基の種類は限定されない。特に、
強力な求核性塩基にカルボキシ保護分子をさらさないこ
とが重要である。これらの基の例としてはさらに、E. H
aslam, "Protective Groups in Organic Chemistry",
J.G.W. McOmie, Ed., Plenum Press, New York, N.Y.,
1973, Chapter 5, およびT.W. Greene, "Protective Gr
oups in Organic Synthesis", John Wiley and Sons, N
ew York, N.Y., 1981, Chapter 5に記載されている。
基」の語は、化合物の他の官能基上で反応が行われてい
る際にカルボン酸基をブロックまたは保護するために通
常用いられる基のいずれかを意味する。このようなカル
ボン酸保護基の例として、4−ニトロベンジル、4−メ
トキシベンジル、3,4−ジメトキシベンジル、2,4−
ジメトキシベンジル、2,4,6−トリメトキシベンジ
ル、2,4,6−トリメチルベンジル、ペンタメチルベン
ジル、3,4−メチレンジオキシベンジル、ベンズヒド
リル、4,4'−ジメトキシベンズヒドリル、2,2',4,
4'−テトラメトキシベンズヒドリル、t−ブチル、t
−アミル、トリチル、4−メトキシトリチル、4,4'−
ジメトキシトリチル、4,4',4''−トリメトキシトリ
チル、2−フェニルプロパ−2−イル、トリメチルシリ
ル、t−ブチルジメチルシリル、フェナシル、2,2,2
−トリクロロエチル、b−(トリメチルシリル)エチル、
b−[ジ(n−ブチル)メチルシリル]エチル、p−トルエ
ンスルホニルエチル、4−ニトロベンジルスルホニルエ
チル、アリル、シナミル、1−(トリメチルシリルメチ
ル)プロパ−1−エン−3−イル等の基が挙げられる。
誘導体化されたカルボン酸が、分子の他の位置における
後の反応条件に対して安定であり、分子の残りの部分を
破壊することなく適当な時点で除去される限りは、用い
られるカルボキシ保護基の種類は限定されない。特に、
強力な求核性塩基にカルボキシ保護分子をさらさないこ
とが重要である。これらの基の例としてはさらに、E. H
aslam, "Protective Groups in Organic Chemistry",
J.G.W. McOmie, Ed., Plenum Press, New York, N.Y.,
1973, Chapter 5, およびT.W. Greene, "Protective Gr
oups in Organic Synthesis", John Wiley and Sons, N
ew York, N.Y., 1981, Chapter 5に記載されている。
【0009】「実質的に無水の条件下で」とは、実質的に
水が存在しない反応条件を表す。わずかな量の水は許容
されるが、好ましい条件は無水である。
水が存在しない反応条件を表す。わずかな量の水は許容
されるが、好ましい条件は無水である。
【0010】不活性な非プロトン性有機溶媒には、テト
ラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、ジメチルプロ
ピレン尿素、塩化メチレン、クロロホルム、N,N−ジ
メチルホルムアミド、メチルアルコール、トルエン、ジ
−もしくはトリクロロエテン、ヘキサメチルリン酸トリ
アミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロピラン、
ジオキサン、アセトニトリル、ジエチルエーテル、ジメ
トキシエタンおよびそれらの混合物が含まれる。
ラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、ジメチルプロ
ピレン尿素、塩化メチレン、クロロホルム、N,N−ジ
メチルホルムアミド、メチルアルコール、トルエン、ジ
−もしくはトリクロロエテン、ヘキサメチルリン酸トリ
アミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロピラン、
ジオキサン、アセトニトリル、ジエチルエーテル、ジメ
トキシエタンおよびそれらの混合物が含まれる。
【0011】強塩基の語には、pKa値(コンジュゲート
酸の)が約15以上である塩基が含まれる。このような
塩基には、リチウムビス(トリメチルシリル)アミド、リ
チウムジイソプロピルアミド、コリン、クライゼンのア
ルカリ、リチウムアミド、リチウムジエチルアミド、リ
チウムエトキシド、水素化リチウム、窒化リチウム、ナ
フタレンナトリウム、フェニルリチウム、フェニルカリ
ウム、フェニルナトリウム、カリウムアミド、カリウム
t−ブトキシド、カリウムエトキシド、水素化カリウ
ム、水酸化カリウム、カリウム−2−メチル−2−ブト
キシド、ナトリウムアミド、ナトリウムエトキシド、水
素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、ナトリウムt−ブ
トキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウム−2−メ
チル−2−ブトキシド、ナトリウムメチルスルフィニル
メチド(ジムシルナトリウム)、水酸化テトラエチルアン
モニウム、トリトンb、トリチルリチウム、トリチルカ
リウムおよびトリチルナトリウムが含まれる。これらの
塩基およびそれらの情報については、Ford, Gordon, "T
he Chemist's Companion", pp. 67-80, John Wily andS
ons, New York, NY (1972)に記載されているだろう。
酸の)が約15以上である塩基が含まれる。このような
塩基には、リチウムビス(トリメチルシリル)アミド、リ
チウムジイソプロピルアミド、コリン、クライゼンのア
ルカリ、リチウムアミド、リチウムジエチルアミド、リ
チウムエトキシド、水素化リチウム、窒化リチウム、ナ
フタレンナトリウム、フェニルリチウム、フェニルカリ
ウム、フェニルナトリウム、カリウムアミド、カリウム
t−ブトキシド、カリウムエトキシド、水素化カリウ
ム、水酸化カリウム、カリウム−2−メチル−2−ブト
キシド、ナトリウムアミド、ナトリウムエトキシド、水
素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、ナトリウムt−ブ
トキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウム−2−メ
チル−2−ブトキシド、ナトリウムメチルスルフィニル
メチド(ジムシルナトリウム)、水酸化テトラエチルアン
モニウム、トリトンb、トリチルリチウム、トリチルカ
リウムおよびトリチルナトリウムが含まれる。これらの
塩基およびそれらの情報については、Ford, Gordon, "T
he Chemist's Companion", pp. 67-80, John Wily andS
ons, New York, NY (1972)に記載されているだろう。
【0012】本発明の方法の1つの態様は以下の反応式
で示される:
で示される:
【化13】
【0013】式(I)で示される出発物質は、本明細書の
一部を構成するHallら(米国特許出願番号07/410,
173、米国特許4,992,545)により開示された
方法、または実施例に示す方法に従って製造することが
できる。
一部を構成するHallら(米国特許出願番号07/410,
173、米国特許4,992,545)により開示された
方法、または実施例に示す方法に従って製造することが
できる。
【0014】アゼチジノン(I)をアルキル化して式(IA)
の化合物を得る。アゼチジノンを水酸化ベンジルトリメ
チルアンモニウム等の塩基およびt−ブチルブロモアセ
テート等のアルキル化剤と反応させることによりアルキ
ル化を行い得る。混合物を約0℃で撹拌し、次いで約1
2時間室温まで暖める。アルキル化の他の方法には、Ma
rch, Advanced Organic Chemistry, 3rd Ed., pages 42
2-424 (1985)に記載の方法が含まれる。
の化合物を得る。アゼチジノンを水酸化ベンジルトリメ
チルアンモニウム等の塩基およびt−ブチルブロモアセ
テート等のアルキル化剤と反応させることによりアルキ
ル化を行い得る。混合物を約0℃で撹拌し、次いで約1
2時間室温まで暖める。アルキル化の他の方法には、Ma
rch, Advanced Organic Chemistry, 3rd Ed., pages 42
2-424 (1985)に記載の方法が含まれる。
【0015】次いで、アルキル化されたアゼチジノン(I
A)をエポキシド化して式(II)の化合物を得る。ベンゼン
溶液中のアルキル化されたアゼチジノンをM−クロロペ
ルオキシ安息香酸と反応させることによりエポキシド化
を行い得る。アルキル化されたアゼチジノンのアルケン
部分のエポキシド化の他の方法、例えばMarch referenc
e, pages 733および735-736に記載されている方法を用
いてもよい。
A)をエポキシド化して式(II)の化合物を得る。ベンゼン
溶液中のアルキル化されたアゼチジノンをM−クロロペ
ルオキシ安息香酸と反応させることによりエポキシド化
を行い得る。アルキル化されたアゼチジノンのアルケン
部分のエポキシド化の他の方法、例えばMarch referenc
e, pages 733および735-736に記載されている方法を用
いてもよい。
【0016】次いで、エポキシド化されたアゼチジノン
を上記に掲げたような強塩基と混合する。混合は、約−
78℃から0℃までのような低温で、好ましくは約0℃
で行い、混合物を撹拌し、暖めて、式(III)の化合物を
得る。塩基は、約2.0から2.5モル当量の間の量とす
べきである。好ましい塩基はリチウムジイソプロピルア
ミドであり、約2.1モル当量が好ましい。
を上記に掲げたような強塩基と混合する。混合は、約−
78℃から0℃までのような低温で、好ましくは約0℃
で行い、混合物を撹拌し、暖めて、式(III)の化合物を
得る。塩基は、約2.0から2.5モル当量の間の量とす
べきである。好ましい塩基はリチウムジイソプロピルア
ミドであり、約2.1モル当量が好ましい。
【0017】次いで、式(III)の化合物を脱水して式(I
V)の3−セフェム化合物を得る。この脱水は、好ましく
は化合物を約1から2モル当量のハロゲン化剤と反応さ
せて2−ヒドロキシセファム(III)を2位でハロゲン化
することにより始める。
V)の3−セフェム化合物を得る。この脱水は、好ましく
は化合物を約1から2モル当量のハロゲン化剤と反応さ
せて2−ヒドロキシセファム(III)を2位でハロゲン化
することにより始める。
【0018】ハロゲン化剤という語は、利用可能なハロ
ゲンを有する化合物、または言い換えればハロゲンを提
供する化合物と定義される。このような化合物の例とし
ては、SbF5、F2、IF5、BrF3、SF4、Cl2、HO
Cl、(CH2CO)2NCl、N−クロロスクシンアミド、
Me3COCl、NO2Cl、SO2Cl2、Br2、1,3−ジ
ブロモヒダントイン、N,N−ジブロモベンゼン−スル
ホンアミド、HOBr、N−ブロモスクシンアミド、C4
H8O2Br2、ICI、IBR、I2、N−ヨードスクシンア
ミドおよび1,3−ジヨード−5,5−ジメチルヒダント
インが挙げられる。
ゲンを有する化合物、または言い換えればハロゲンを提
供する化合物と定義される。このような化合物の例とし
ては、SbF5、F2、IF5、BrF3、SF4、Cl2、HO
Cl、(CH2CO)2NCl、N−クロロスクシンアミド、
Me3COCl、NO2Cl、SO2Cl2、Br2、1,3−ジ
ブロモヒダントイン、N,N−ジブロモベンゼン−スル
ホンアミド、HOBr、N−ブロモスクシンアミド、C4
H8O2Br2、ICI、IBR、I2、N−ヨードスクシンア
ミドおよび1,3−ジヨード−5,5−ジメチルヒダント
インが挙げられる。
【0019】ハロゲン化の好ましい方法は、2−ヒドロ
キシセファムを約1から2モル当量のトリフェニルホス
フィンおよび約1から2モル当量のヨウ素と不活性有機
溶媒中で反応させ、混合物を撹拌しながら出発物質が存
在しなくなるまで約80℃で加熱して、2−ヨードセフ
ァム(IIIA)を得ることからなる。
キシセファムを約1から2モル当量のトリフェニルホス
フィンおよび約1から2モル当量のヨウ素と不活性有機
溶媒中で反応させ、混合物を撹拌しながら出発物質が存
在しなくなるまで約80℃で加熱して、2−ヨードセフ
ァム(IIIA)を得ることからなる。
【0020】次いで、2−ヨードセファム(IIIA)を第
一、第二もしくは第三アミン塩基等の塩基と混合する。
この塩基には、トリエチルアミン、ピリジン、ジイソプ
ロピルエチルアミンおよびDBU(1,8−ジアジドビシ
クロ[5.4.0]−ウンデカ−7−エン)が含まれるであ
ろう。好ましいものは、約1モル当量のDBUである。
DBUをさらに加え、撹拌を続けて式(IV)の化合物の生
成を容易にすることもできる。
一、第二もしくは第三アミン塩基等の塩基と混合する。
この塩基には、トリエチルアミン、ピリジン、ジイソプ
ロピルエチルアミンおよびDBU(1,8−ジアジドビシ
クロ[5.4.0]−ウンデカ−7−エン)が含まれるであ
ろう。好ましいものは、約1モル当量のDBUである。
DBUをさらに加え、撹拌を続けて式(IV)の化合物の生
成を容易にすることもできる。
【0021】さらに式(II)で示される中間体が本発明に
より提供される。以下の実施例は本発明をさらに例示す
るために挙げるものであり、いかなる意味においても本
発明の範囲を限定しようとするものではない。本明細書
中で以下の省略形を用いる: NMR=核磁気共鳴スペクトル; IR=赤外スペクトル; UV=紫外スペクトル; MS=質量スペクトル; OR=旋光度。
より提供される。以下の実施例は本発明をさらに例示す
るために挙げるものであり、いかなる意味においても本
発明の範囲を限定しようとするものではない。本明細書
中で以下の省略形を用いる: NMR=核磁気共鳴スペクトル; IR=赤外スペクトル; UV=紫外スペクトル; MS=質量スペクトル; OR=旋光度。
【0022】
【実施例】製造例1 (3S,4S)−3−フェノキシアセトアミド
−4−(プロパ−2−エン)−4−フェニルスルホニル−
1−t−ブチルジメチルシリル−2−アゼチジノン
−4−(プロパ−2−エン)−4−フェニルスルホニル−
1−t−ブチルジメチルシリル−2−アゼチジノン
【化14】 n−ブチルリチウム(ヘキサン中1.6M、49ml、7
9.1ミリモル)をテトラヒドロフラン(100ml)中の化
合物1(15.0g、31.6ミリモル)の溶液に−78℃
で加えた。塩基を加えている間に反応物は暗赤色に変化
した。25分後、臭化アリル(4.21g、34.8ミリモ
ル、3.01ml、塩基性Al2O3で濾過)を加え、温度を
−45℃まで上昇させ、1.5時間撹拌し続けた。反応
物をEtOAc中に注ぎ、1N HClおよび食塩水で各々
1回ずつ洗浄し、Na2SO4で乾燥して濃縮した。粗生
成物をシリカゲルのフラッシュ・クロマトグラフィー
(10%EtOAc/トルエンから15%EtOAc)により
精製して、化合物2(9.67g、59%)を得た。 融点:94〜96.5℃。1 H NMR(300MHz,CDCl3):δ8.60(d,J=
6Hz,2H)、7.78−7.58(m,3H)、7.26−
6.94(m,3H)、7.10(d,J=12Hz,1H)、6.
64(d,J=9Hz,2H)、6.26(d,J=12Hz,1
H)、5.80−5.64(m,1H)、5.31−5.24(m,
1H)、4.95−4.86(m,1H)、4.36(ABq,J
=15Hz,2H)、3.22−3.10(m,1H)、2.14
−2.06(m,1H)、1.11(s,9H)、0.48(s,3
H)、0.44(s,3H)。 IR(CHCl3):2970、2940、1770、16
98、1519、1495、1310、1155cm-1。 MS(FD): m/e 515(M+1)。 UV(EtOH):274nm(ε=1650)、267nm(ε
=1930)、217nm(ε=15100)。 [α]25 365:+90.04°(c=0.01144、MeO
H)。
9.1ミリモル)をテトラヒドロフラン(100ml)中の化
合物1(15.0g、31.6ミリモル)の溶液に−78℃
で加えた。塩基を加えている間に反応物は暗赤色に変化
した。25分後、臭化アリル(4.21g、34.8ミリモ
ル、3.01ml、塩基性Al2O3で濾過)を加え、温度を
−45℃まで上昇させ、1.5時間撹拌し続けた。反応
物をEtOAc中に注ぎ、1N HClおよび食塩水で各々
1回ずつ洗浄し、Na2SO4で乾燥して濃縮した。粗生
成物をシリカゲルのフラッシュ・クロマトグラフィー
(10%EtOAc/トルエンから15%EtOAc)により
精製して、化合物2(9.67g、59%)を得た。 融点:94〜96.5℃。1 H NMR(300MHz,CDCl3):δ8.60(d,J=
6Hz,2H)、7.78−7.58(m,3H)、7.26−
6.94(m,3H)、7.10(d,J=12Hz,1H)、6.
64(d,J=9Hz,2H)、6.26(d,J=12Hz,1
H)、5.80−5.64(m,1H)、5.31−5.24(m,
1H)、4.95−4.86(m,1H)、4.36(ABq,J
=15Hz,2H)、3.22−3.10(m,1H)、2.14
−2.06(m,1H)、1.11(s,9H)、0.48(s,3
H)、0.44(s,3H)。 IR(CHCl3):2970、2940、1770、16
98、1519、1495、1310、1155cm-1。 MS(FD): m/e 515(M+1)。 UV(EtOH):274nm(ε=1650)、267nm(ε
=1930)、217nm(ε=15100)。 [α]25 365:+90.04°(c=0.01144、MeO
H)。
【0023】製造例2 (3S,4S)−3−フェノキシ
アセトアミド−4−(プロパ−2−エン)−4−フェニル
スルホニル−2−アゼチジノン
アセトアミド−4−(プロパ−2−エン)−4−フェニル
スルホニル−2−アゼチジノン
【化15】 テトラヒドロフラン(175ml)中の化合物1(6.74
g、13.1ミリモル)の溶液を1N HCl(100ml)で
処理して室温で一晩撹拌した。反応物をCH2Cl2中に
注ぎ、水および食塩水の各々で1回ずつ洗浄し、Na2S
O4で乾燥して濃縮した。Et2O中でトリチュレートす
ることにより粗生成物を精製し、化合物2(4.02g、
76%)を白色の固体として得た。 融点:165〜168℃(分解)。 H NMR(300MHz,CDCl3+3滴 DMSO−
d6):δ8.94(s,1H)、7.98−7.50(m,6H)、
7.19−6.72(m,5H)、5.87−5.71(m,1
H)、5.61(d,J=9.85Hz,1H)、5.12(d,J
=10.23Hz,1H)、4.99(d,J=17.74Hz,
1H)、4.39(s,2H)、2.70−2.63(m,1H)、
2.48−2.40(m,1H)。 IR(KBr):3306.4、3184.9、3123.
1、1776.7、1667.7、1540.4、149
6.9、1324.3、1229.8、1150.7cm-1。 MS(FAB):m/e 400(M+)、258(M+ −14
2)。 UV(EtOH):267.8nm(ε=2338.50)、2
17.4nm(ε=17934.94)、202.4nm(ε=2
0144.33)。 [α]25 365:+176.00°(c=0.00500、DM
SO)。
g、13.1ミリモル)の溶液を1N HCl(100ml)で
処理して室温で一晩撹拌した。反応物をCH2Cl2中に
注ぎ、水および食塩水の各々で1回ずつ洗浄し、Na2S
O4で乾燥して濃縮した。Et2O中でトリチュレートす
ることにより粗生成物を精製し、化合物2(4.02g、
76%)を白色の固体として得た。 融点:165〜168℃(分解)。 H NMR(300MHz,CDCl3+3滴 DMSO−
d6):δ8.94(s,1H)、7.98−7.50(m,6H)、
7.19−6.72(m,5H)、5.87−5.71(m,1
H)、5.61(d,J=9.85Hz,1H)、5.12(d,J
=10.23Hz,1H)、4.99(d,J=17.74Hz,
1H)、4.39(s,2H)、2.70−2.63(m,1H)、
2.48−2.40(m,1H)。 IR(KBr):3306.4、3184.9、3123.
1、1776.7、1667.7、1540.4、149
6.9、1324.3、1229.8、1150.7cm-1。 MS(FAB):m/e 400(M+)、258(M+ −14
2)。 UV(EtOH):267.8nm(ε=2338.50)、2
17.4nm(ε=17934.94)、202.4nm(ε=2
0144.33)。 [α]25 365:+176.00°(c=0.00500、DM
SO)。
【0024】製造例3 (3S,4R)−3−フェノキシ
アセトアミド−4−(プロパ−2−エン)−2−アゼチジ
ノン
アセトアミド−4−(プロパ−2−エン)−2−アゼチジ
ノン
【化16】 テトラヒドロフラン(50ml)中の化合物1(2.81g、
7.02ミリモル)の溶液を0℃でリチウムトリ−t−ブ
トキシアルミノヒドリド(3.97g、15.4ミリモル)
を用いて処理し、30分間撹拌した。氷浴を除去して撹
拌をさらに1.5時間続けた。反応物をEtOAcに注
ぎ、1N HClで2回、食塩水で1回洗浄し、Na2SO
4で乾燥して濃縮した。粗生成物をEt2OおよびEtOA
cの1:1混合物でトリチュレートすることにより生成
して化合物2(423mg)を得た。濾液をさらにシリカゲ
ルのフラッシュ・クロマトグラフィー(20%ヘキサン/
EtOAc)により精製して、化合物2(501mg)を白色
固体(924mg、50%)として得た。 融点:142〜144℃。1 H NMR(300MHz,CDCl3):δ7.38−6.8
9(m,6H)、6.10(s,1H)、5.79−5.64(m,1
H)、5.41−5.33(m,1H)、5.17−5.04(m,
2H)、4.54(s,2H)、4.00−3.92(m,1H)、
2.39−2.28(m,1H)、2.18−2.04(m,1
H)。 IR(CHCl3):3023、1773、1688、16
00、1524、1496、1237cm-1。 MS(FD):m/e 260(M+)。 UV(EtOH):275nm(ε=1180)、269nm(ε
=1430)。 [α]25 365 :+263.97°(c=0.01038、DM
SO)。
7.02ミリモル)の溶液を0℃でリチウムトリ−t−ブ
トキシアルミノヒドリド(3.97g、15.4ミリモル)
を用いて処理し、30分間撹拌した。氷浴を除去して撹
拌をさらに1.5時間続けた。反応物をEtOAcに注
ぎ、1N HClで2回、食塩水で1回洗浄し、Na2SO
4で乾燥して濃縮した。粗生成物をEt2OおよびEtOA
cの1:1混合物でトリチュレートすることにより生成
して化合物2(423mg)を得た。濾液をさらにシリカゲ
ルのフラッシュ・クロマトグラフィー(20%ヘキサン/
EtOAc)により精製して、化合物2(501mg)を白色
固体(924mg、50%)として得た。 融点:142〜144℃。1 H NMR(300MHz,CDCl3):δ7.38−6.8
9(m,6H)、6.10(s,1H)、5.79−5.64(m,1
H)、5.41−5.33(m,1H)、5.17−5.04(m,
2H)、4.54(s,2H)、4.00−3.92(m,1H)、
2.39−2.28(m,1H)、2.18−2.04(m,1
H)。 IR(CHCl3):3023、1773、1688、16
00、1524、1496、1237cm-1。 MS(FD):m/e 260(M+)。 UV(EtOH):275nm(ε=1180)、269nm(ε
=1430)。 [α]25 365 :+263.97°(c=0.01038、DM
SO)。
【0025】実施例1 (3S,4R)−3−フェノキシ
アセトアミド−4−(プロパ−2−エン)−1−t−ブチ
ルアセテート−2−アゼチジノン
アセトアミド−4−(プロパ−2−エン)−1−t−ブチ
ルアセテート−2−アゼチジノン
【化17】 水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム(790mg、4.
73ミリモル、MeOH中40%溶液2.15ml)を、ジ
メチルホルムアミド(30ml、特別に乾燥していないフ
ラスコ)中の化合物1(1.12g、4.30ミリモル)およ
びt−ブチルブロモアセテート(1.05g、5.38ミリ
モル、0.87ml)の溶液に0℃で加え、一晩撹拌し、浴
を室温まで暖めた。反応物をEtOAcに注ぎ、1N H
Clで1回、水で3回、食塩水で1回洗浄し、Na2SO4
で乾燥して濾過し、濃縮した。粗生成物をシリカゲルの
フラッシュ・クロマトグラフィー(50%EtOAc/ヘキ
サン)により精製して化合物2(1.45g、90%)を透
明な淡黄色の油状物として得た。1 H NMR(300MHz,CDCl3):δ7.33−6.8
9(m,5H)、7.21(d,J=9Hz,1H)、5.80−
5.65(m,1H)、5.41(dd,J=9Hz,1H,9H
z)、5.13−5.06(m,2H)、4.50(s,2H)、4.
16−4.10(m,1H)、3.90(ABq,J=18Hz,
2H)、2.30−2.26(m,2H)、1.45(s,9H)。 IR(FILM):2979.4、1763.2、174
1、1685、1532.6、1496、1368.7、
1230.7、1155.5cm-1。 MS(FAB):m/e 375(M+1)、319(M+1
−57)。 HRMS(FAB):m/e (M+1) 計算値375.19
19、実測値375.1909。 UV(EtOH):275.8nm(ε=1122.7)、26
9.0nm(ε=1356.7)、201.6nm(ε=1501
1.7)。 [α]25 365:+63.00°(c=0.0100、DMS
O)。
73ミリモル、MeOH中40%溶液2.15ml)を、ジ
メチルホルムアミド(30ml、特別に乾燥していないフ
ラスコ)中の化合物1(1.12g、4.30ミリモル)およ
びt−ブチルブロモアセテート(1.05g、5.38ミリ
モル、0.87ml)の溶液に0℃で加え、一晩撹拌し、浴
を室温まで暖めた。反応物をEtOAcに注ぎ、1N H
Clで1回、水で3回、食塩水で1回洗浄し、Na2SO4
で乾燥して濾過し、濃縮した。粗生成物をシリカゲルの
フラッシュ・クロマトグラフィー(50%EtOAc/ヘキ
サン)により精製して化合物2(1.45g、90%)を透
明な淡黄色の油状物として得た。1 H NMR(300MHz,CDCl3):δ7.33−6.8
9(m,5H)、7.21(d,J=9Hz,1H)、5.80−
5.65(m,1H)、5.41(dd,J=9Hz,1H,9H
z)、5.13−5.06(m,2H)、4.50(s,2H)、4.
16−4.10(m,1H)、3.90(ABq,J=18Hz,
2H)、2.30−2.26(m,2H)、1.45(s,9H)。 IR(FILM):2979.4、1763.2、174
1、1685、1532.6、1496、1368.7、
1230.7、1155.5cm-1。 MS(FAB):m/e 375(M+1)、319(M+1
−57)。 HRMS(FAB):m/e (M+1) 計算値375.19
19、実測値375.1909。 UV(EtOH):275.8nm(ε=1122.7)、26
9.0nm(ε=1356.7)、201.6nm(ε=1501
1.7)。 [α]25 365:+63.00°(c=0.0100、DMS
O)。
【0026】実施例2 (3S,4R)−3−フェノキシ
アセトアミド−4−(2,3−エポキシプロパン)−1−
t−ブチルアセテート−2−アゼチジノン
アセトアミド−4−(2,3−エポキシプロパン)−1−
t−ブチルアセテート−2−アゼチジノン
【化18】 ベンゼン(80ml、特別に乾燥していないフラスコ)中の
化合物1(2.35g、6.27ミリモル)の溶液をm−ク
ロロペルオキシ安息香酸(60mlベンゼン中50%試薬
を3.25g、9.41ミリモル、使用直前にNa2SO4で
乾燥)で処理して2時間還流した。反応物を冷却し、Et
OAcで希釈し、0.1Nチオ硫酸ナトリウム、飽和Na
HCO3および食塩水で1回ずつ洗浄し、Na2SO4で乾
燥し、濾過して濃縮した。粗生成物をシリカゲルのフラ
ッシュ・クロマトグラフィー(45%ヘキサン/EtOA
c)により精製して化合物2(2.10g、86%)を透明な
油状物として得た。1 H NMR(300MHz,CDCl3):δ7.70−7.5
0(m,1H)、7.38−6.90(m,5H)、5.46−5.
38(m,1H)、4.54(s,2H)、4.36−3.76(m,
3H)、2.95−2.86(m,1H)、2.80−2.71
(m,1H)、2.55−2.39(m,1H)、2.18−1.7
0(m,2H)、1.47(s,9H)。 IR(CHCl3):3419、2984、1765、17
38、1690、1236、1225cm-1。 MS(El):m/e 391(M+1)。 HRMS(FAB):m/e (M+1)計算値391.186
9、実測値391.1879。 UV(EtOH):275nm(ε=1050)、268nm(ε
=1260)。 [α]25 365:+65.30°(c=0.00536、DMS
O)。
化合物1(2.35g、6.27ミリモル)の溶液をm−ク
ロロペルオキシ安息香酸(60mlベンゼン中50%試薬
を3.25g、9.41ミリモル、使用直前にNa2SO4で
乾燥)で処理して2時間還流した。反応物を冷却し、Et
OAcで希釈し、0.1Nチオ硫酸ナトリウム、飽和Na
HCO3および食塩水で1回ずつ洗浄し、Na2SO4で乾
燥し、濾過して濃縮した。粗生成物をシリカゲルのフラ
ッシュ・クロマトグラフィー(45%ヘキサン/EtOA
c)により精製して化合物2(2.10g、86%)を透明な
油状物として得た。1 H NMR(300MHz,CDCl3):δ7.70−7.5
0(m,1H)、7.38−6.90(m,5H)、5.46−5.
38(m,1H)、4.54(s,2H)、4.36−3.76(m,
3H)、2.95−2.86(m,1H)、2.80−2.71
(m,1H)、2.55−2.39(m,1H)、2.18−1.7
0(m,2H)、1.47(s,9H)。 IR(CHCl3):3419、2984、1765、17
38、1690、1236、1225cm-1。 MS(El):m/e 391(M+1)。 HRMS(FAB):m/e (M+1)計算値391.186
9、実測値391.1879。 UV(EtOH):275nm(ε=1050)、268nm(ε
=1260)。 [α]25 365:+65.30°(c=0.00536、DMS
O)。
【0027】実施例3 t−ブチル(6R,7S)−7−
(フェノキシアセトアミド)−1−カルバ−1−デチア−
2−ヒドロキシセファム−4−カルボキシレート(2)
(フェノキシアセトアミド)−1−カルバ−1−デチア−
2−ヒドロキシセファム−4−カルボキシレート(2)
【化19】 テトラヒドロフラン(30ml)中の化合物1(2.10g、
5.38ミリモル)の溶液をリチウムビス(トリメチルシ
リル)アミド(テトラヒドロフラン中の1M溶液10.8m
l、10.8ミリモル)を用いて0℃で処理し、45分間
撹拌した。氷浴を除去し、さらに2.75時間撹拌を続
けて沈殿物を生成させた。反応物をEtOAcに注ぎ、1
N HClおよび食塩水で各々1回ずつ洗浄し、Na2SO
4で乾燥し、濾過して濃縮した。粗生成物をシリカゲル
のフラッシュ・クロマトグラフィー(75%EtOAc/ヘ
キサンから85%EtOAc)により精製して化合物2(4
30mg、20%)を綿毛状の白色固体として得た。 融点:175〜177℃。1 H NMR(300MHz,CDCl3):δ7.61(d,J=
7.1Hz,1H)、7.32−6.88(m,5H)、5.24
(dd,J=6.7Hz,1H,6.1Hz)、4.50(s,2H)、
3.92−3.82(m,1H)、3.79−3.69(m,2
H)、2.10−1.99(m,3H)、1.82−1.72(m,
1H)、1.49(s,9H)、1.23−1.15(m,1H)。 IR(KBr):3372、3238、2984、175
7、1721、1676、1523、1400、127
0、1246、1159cm-1。 MS(FD):m/e 390(M+)、333(M+ −5
7)。 UV(EtOH):275nm(ε=1180)、269nm(ε
=1420)。 [α]25 365:+325.49°(c=0.00510、DM
SO)。
5.38ミリモル)の溶液をリチウムビス(トリメチルシ
リル)アミド(テトラヒドロフラン中の1M溶液10.8m
l、10.8ミリモル)を用いて0℃で処理し、45分間
撹拌した。氷浴を除去し、さらに2.75時間撹拌を続
けて沈殿物を生成させた。反応物をEtOAcに注ぎ、1
N HClおよび食塩水で各々1回ずつ洗浄し、Na2SO
4で乾燥し、濾過して濃縮した。粗生成物をシリカゲル
のフラッシュ・クロマトグラフィー(75%EtOAc/ヘ
キサンから85%EtOAc)により精製して化合物2(4
30mg、20%)を綿毛状の白色固体として得た。 融点:175〜177℃。1 H NMR(300MHz,CDCl3):δ7.61(d,J=
7.1Hz,1H)、7.32−6.88(m,5H)、5.24
(dd,J=6.7Hz,1H,6.1Hz)、4.50(s,2H)、
3.92−3.82(m,1H)、3.79−3.69(m,2
H)、2.10−1.99(m,3H)、1.82−1.72(m,
1H)、1.49(s,9H)、1.23−1.15(m,1H)。 IR(KBr):3372、3238、2984、175
7、1721、1676、1523、1400、127
0、1246、1159cm-1。 MS(FD):m/e 390(M+)、333(M+ −5
7)。 UV(EtOH):275nm(ε=1180)、269nm(ε
=1420)。 [α]25 365:+325.49°(c=0.00510、DM
SO)。
【0028】実施例4 t−ブチル(6R,7S)−7−
(フェノキシアセトアミド)−1−カルバ−(1−デチア)
−2−ヨードセファム−4−カルボキシレート
(フェノキシアセトアミド)−1−カルバ−(1−デチア)
−2−ヨードセファム−4−カルボキシレート
【化20】 丸底フラスコ(100ml)中で、出発物質の化合物1(2
60mg、0.666ミリモル)およびトリフェニルホスフ
ィン(192mg、0.732ミリモル)をトルエン(15m
l)、ピリジン(60μl、0.732ミリモル)およびヨウ
素(338mg、1.33ミリモル)と混合して80℃まで
加熱した。混合物を約2時間撹拌した。混合物をEtO
Acに注ぎ、1N HClで1回、0.1Nチオ硫酸ナトリ
ウムで2回、食塩水で1回洗浄した。混合物をNa2SO
4で乾燥し、濾過して真空下で濃縮した。生成物をシリ
カゲルのフラッシュ・クロマトグラフィー(1:1EtO
Ac/ヘキサン)により精製して標記生成物(86mg、26
%)を得た。
60mg、0.666ミリモル)およびトリフェニルホスフ
ィン(192mg、0.732ミリモル)をトルエン(15m
l)、ピリジン(60μl、0.732ミリモル)およびヨウ
素(338mg、1.33ミリモル)と混合して80℃まで
加熱した。混合物を約2時間撹拌した。混合物をEtO
Acに注ぎ、1N HClで1回、0.1Nチオ硫酸ナトリ
ウムで2回、食塩水で1回洗浄した。混合物をNa2SO
4で乾燥し、濾過して真空下で濃縮した。生成物をシリ
カゲルのフラッシュ・クロマトグラフィー(1:1EtO
Ac/ヘキサン)により精製して標記生成物(86mg、26
%)を得た。
【0029】実施例5 t−ブチル(6R,7S)−7−
(フェノキシアセトアミド)−1−カルバ−(1−デチア)
−4−カルボキシレート
(フェノキシアセトアミド)−1−カルバ−(1−デチア)
−4−カルボキシレート
【化21】 出発物質(1)(134mg、0.268ミリモル)およびC
H2Cl2(5ml)の溶液に1,8−ジアザビシクロ[5.4.
0]−ウンデカ−7−エン(DBU)の1当量(40μl、
0.268ミリモル)を加え、室温で2時間撹拌した。さ
らに2当量のDBUを加え、48時間連続的に撹拌し
た。混合物をEtOAcに注ぎ、1N HCl、そして食塩
水で1回洗浄し、Na2SO4で乾燥し、濾過して真空下
で濃縮した。生成物をシリカゲルのフラッシュ・クロマ
トグラフィー(7%EtOAc/CH2Cl2で溶離)により精
製して70/30 Δ3/Δ2混合物(60mg)を得た。
H2Cl2(5ml)の溶液に1,8−ジアザビシクロ[5.4.
0]−ウンデカ−7−エン(DBU)の1当量(40μl、
0.268ミリモル)を加え、室温で2時間撹拌した。さ
らに2当量のDBUを加え、48時間連続的に撹拌し
た。混合物をEtOAcに注ぎ、1N HCl、そして食塩
水で1回洗浄し、Na2SO4で乾燥し、濾過して真空下
で濃縮した。生成物をシリカゲルのフラッシュ・クロマ
トグラフィー(7%EtOAc/CH2Cl2で溶離)により精
製して70/30 Δ3/Δ2混合物(60mg)を得た。
Claims (11)
- 【請求項1】 以下の式(IV)で示される化合物: 【化1】 [式中、Rは保護されたアミノ基であり、R1はカルボキ
シ保護基である]を製造するための方法であって、以下
の式(II)で示される化合物: 【化2】 を実質的に無水の条件下に不活性有機溶媒の存在下で以
下の式(III)で示される化合物: 【化3】 を形成させるに十分な時間および温度で強塩基と反応さ
せて、その後に式(III)の化合物を脱水して式(IV)の化
合物を得る工程を含む方法。 - 【請求項2】 該強塩基がリチウムビス(トリ−メチル
シリル)アミド、リチウムジイソプロピルアミド、コリ
ン、クライゼンのアルカリ、リチウムアミド、リチウム
ジエチルアミド、リチウムエトキシド、水素化リチウ
ム、窒化リチウム、ナフタレンナトリウム、フェニルリ
チウム、フェニルカリウム、フェニルナトリウム、カリ
ウムアミド、カリウムt−ブトキシド、カリウムエトキ
シド、水素化カリウム、水酸化カリウム、カリウム−2
−メチル−2−ブトキシド、ナトリウムアミド、ナトリ
ウムエトキシド、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウ
ム、ナトリウムメトキシド、ナトリウム−2−メチル−
2−ブトキシド、ナトリウムメチルスルフィニルメチド
(ジムシルナトリウム)、水酸化テトラエチルアンモニウ
ム、トリトンb、トリチルリチウム、トリチルカリウム
およびトリチルナトリウムからなる群から選択される請
求項1に記載の方法。 - 【請求項3】 該強塩基がリチウムジイソプロピルアミ
ドである請求項2に記載の方法。 - 【請求項4】 式(III)の化合物をハロゲン化剤と接触
させ、該混合物を加熱し、その後に該混合物を第一、第
二または第三アミン塩基等の塩基と接触させることによ
り脱水工程を行う請求項1に記載の方法。 - 【請求項5】 該塩基がDBUである請求項4に記載の
方法。 - 【請求項6】 以下の式で示される化合物: 【化4】 [式中、Rは保護されたアミノ基であり、R1はカルボキ
シ保護基である]を製造するための方法であって、以下
の式(II)で示される化合物: 【化5】 を以下の式(III)で示される化合物: 【化6】 を形成させるに十分な時間および温度でリチウムビス
(トリ−メチルシリル)アミド、リチウムジイソプロピル
アミド、コリン、クライゼンのアルカリ、リチウムアミ
ド、リチウムジエチルアミド、リチウムエトキシド、水
素化リチウム、窒化リチウム、ナフタレンナトリウム、
フェニルリチウム、フェニルカリウム、フェニルナトリ
ウム、カリウムアミド、カリウムt−ブトキシド、カリ
ウムエトキシド、水素化カリウム、水酸化カリウム、カ
リウム−2−メチル−2−ブトキシド、ナトリウムアミ
ド、ナトリウムエトキシド、水素化ナトリウム、水酸化
ナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウム−2−
メチル−2−ブトキシド、ナトリウムメチルスルフィニ
ルメチド(ジムシルナトリウム)、水酸化テトラエチルア
ンモニウム、トリトンb、トリチルリチウム、トリチル
カリウムおよびトリチルナトリウムからなる群から選択
される強塩基と反応させ、その後に式(III)の化合物を
脱水して式(IV)の化合物を得る工程を含み、該脱水工程
が、式(III)の化合物をハロゲン化剤と接触させて、以
下の式で示される化合物: 【化7】 [式中、Xはハロゲンである]を形成させ、その後に式(I
IIB)の化合物を第一、第二または第三アミン塩基等の
塩基と接触させることからなる方法。 - 【請求項7】 強塩基がリチウムジイソプロピルアミド
である請求項6に記載の方法。 - 【請求項8】 該ハロゲン化剤がヨウ素であってトリフ
ェニルホスフィンの存在下に存在する請求項7に記載の
方法。 - 【請求項9】 該塩基がDBUである請求項8に記載の
方法。 - 【請求項10】 以下の式(II)で示される化合物: 【化8】 [式中、Rは保護されたアミノ基であり、R1はカルボキ
シ保護基である]。 - 【請求項11】 Rがフェノキシアセトアミドであり、
R1が第三ブチルである請求項10に記載の化合物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US691257 | 1985-01-14 | ||
US07/691,257 US5089610A (en) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | Ring-closure method for 1-carbacephalosporin six-membered ring |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05117271A true JPH05117271A (ja) | 1993-05-14 |
Family
ID=24775786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4104359A Withdrawn JPH05117271A (ja) | 1991-04-25 | 1992-04-23 | 1−カルバセフアロスポリン6員環のための閉環法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5089610A (ja) |
EP (1) | EP0511001A3 (ja) |
JP (1) | JPH05117271A (ja) |
BR (1) | BR9201522A (ja) |
CA (1) | CA2066493A1 (ja) |
HU (1) | HUT61764A (ja) |
IE (1) | IE921337A1 (ja) |
IL (1) | IL101619A0 (ja) |
MX (1) | MX9201828A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5272265A (en) * | 1990-02-12 | 1993-12-21 | Eli Lilly And Company | 3-(substituted or unsubstituted) thiazolo-1-carba (1-dethia)cephems |
CN103130708B (zh) * | 2011-12-01 | 2016-08-10 | 上海药明康德新药开发有限公司 | 一种n-叔丁氧羰基-4-硝基哌啶的制备方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4665171A (en) * | 1985-07-17 | 1987-05-12 | Harvard University | Process and intermediates for β-lactam antibiotics |
US4983732A (en) * | 1987-07-31 | 1991-01-08 | Eli Lilly And Company | Method of deprotection of 3-amino azetidinones |
US4983597A (en) * | 1989-08-31 | 1991-01-08 | Merck & Co., Inc. | Beta-lactams as anticholesterolemic agents |
US4992545A (en) * | 1989-09-20 | 1991-02-12 | Eli Lilly And Company | Process for preparing 4-substituted azetidinones |
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1991
- 1991-04-25 US US07/691,257 patent/US5089610A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-04-16 IL IL101619A patent/IL101619A0/xx unknown
- 1992-04-21 HU HU9201332A patent/HUT61764A/hu unknown
- 1992-04-21 CA CA002066493A patent/CA2066493A1/en not_active Abandoned
- 1992-04-21 MX MX9201828A patent/MX9201828A/es unknown
- 1992-04-23 JP JP4104359A patent/JPH05117271A/ja not_active Withdrawn
- 1992-04-24 IE IE133792A patent/IE921337A1/en not_active Application Discontinuation
- 1992-04-24 BR BR929201522A patent/BR9201522A/pt not_active Application Discontinuation
- 1992-04-24 EP EP19920303714 patent/EP0511001A3/en not_active Withdrawn
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---|---|
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EP0511001A2 (en) | 1992-10-28 |
HUT61764A (en) | 1993-03-01 |
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EP0511001A3 (en) | 1993-03-24 |
IL101619A0 (en) | 1992-12-30 |
IE921337A1 (en) | 1992-11-04 |
MX9201828A (es) | 1992-10-01 |
US5089610A (en) | 1992-02-18 |
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