JPH0511654B2 - - Google Patents
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- JPH0511654B2 JPH0511654B2 JP21423887A JP21423887A JPH0511654B2 JP H0511654 B2 JPH0511654 B2 JP H0511654B2 JP 21423887 A JP21423887 A JP 21423887A JP 21423887 A JP21423887 A JP 21423887A JP H0511654 B2 JPH0511654 B2 JP H0511654B2
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- predetermined shape
- ultraviolet rays
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパターン形成方法に関し、特にフオト
レジストパターン形成方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a pattern forming method, and more particularly to a photoresist pattern forming method.
従来、フオトレジストの耐熱性及び耐ドライエ
ツチング性を向上させる方法としては、例えば刊
行物ジヤーナル・オブ・ザ・エレクトロケミカ
ル・ソサエテイ（J.Electrochem.Soc）129巻６
号1379ページ（1982年）に示されているように、
所定形状のレジストパターンに遠紫外線を照射す
ることによつてフオトレジストに架橋反応を生じ
させ、レジストパターンを硬化させる方法があ
る。又は、エスピーアイイー・コンフアレンス・
オン・マイクロリソグラフイ（SPIE
Conference On Microlithographr）（1986年）
に示されているように、所定形状のレジストパタ
ーン上に薬液を塗布し、熱処理することによつて
レジストパターンの表面近傍と薬液を反応させて
反応層を形成させることにより、耐熱性及び耐ド
ライエツチング性を向上させていた。
Conventionally, methods for improving the heat resistance and dry etching resistance of photoresists have been described, for example, in the publication Journal of the Electrochemical Society (J.Electrochem.Soc) Vol. 129, 6.
As shown on page 1379 of issue (1982),
There is a method of irradiating a resist pattern with a predetermined shape with deep ultraviolet rays to cause a crosslinking reaction in the photoresist, thereby curing the resist pattern. Or SPI Conference
On Microlithography (SPIE)
Conference On Microlithography (1986)
As shown in Figure 2, by applying a chemical solution onto a resist pattern of a predetermined shape and heat-treating it, the chemical solution reacts with the vicinity of the surface of the resist pattern to form a reaction layer, which improves heat resistance and dry resistance. Improved etching properties.
上述した従来のフオトレジストの耐熱性及び耐
ドライエツチング性を向上させる方法に於いてレ
ジストパターンに遠紫外線を照射する方法では、
フオトレジストに架橋反応のみによつて耐熱性及
び耐ドライエツチング性を向上させる方法となつ
ているので、その耐熱性及び耐ドライエツチング
性はフオトレジスト固有の範囲を超えることがで
きないという欠点を有している。
In the above-mentioned conventional method for improving the heat resistance and dry etching resistance of photoresists, the method of irradiating the resist pattern with deep ultraviolet rays,
Since this method improves the heat resistance and dry etching resistance of a photoresist only by a crosslinking reaction, it has the disadvantage that the heat resistance and dry etching resistance cannot exceed the range inherent to the photoresist. ing.
また、フオトレジストと薬液を反応させる方法
では、反応させるために高温にするため、その時
点でレジストパターンが変形し、また薬液の塗布
を行なう際にはレジストパターンの高さ、形状等
によつて塗布むらが生じるという欠点を有してい
る。 In addition, in the method of reacting photoresist with a chemical solution, the temperature is raised to a high temperature for the reaction, which deforms the resist pattern at that point, and when applying the chemical solution, there may be problems due to the height, shape, etc. of the resist pattern. It has the disadvantage of causing uneven coating.
本発明のパターン形成方法は、基板上の被エツ
チング物上に所定形状のフオトレジストパターン
を形成する工程と、前記所定形状のフオトレジス
トパターンにケイ素化合物ガス雰囲気中で遠紫外
線を照射する工程とを有している。
The pattern forming method of the present invention includes the steps of forming a photoresist pattern of a predetermined shape on an object to be etched on a substrate, and irradiating the photoresist pattern of a predetermined shape with deep ultraviolet rays in a silicon compound gas atmosphere. have.
次に、本発明について図面を参照して説明す
る。第１図、第２図、第３図は本発明の第１の実
施例を工程順に示した断面図であり、第４図は本
発明の第２の実施例の断面図である。
Next, the present invention will be explained with reference to the drawings. 1, 2, and 3 are cross-sectional views showing the first embodiment of the present invention in the order of steps, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the second embodiment of the present invention.
まず第１図〜第３図を用いて本発明の第１の実
施例について説明する。第１図に示すように基板
１５の上層にある被エツチング物１４の上に形成
された所定形状のレジストパターン１３に、ケイ
素化合物ガスの一種であるC6H5−Si（OCH3）3（以
下C6H5をPhと略す）ガス１２雰囲気中で遠紫外
線１１を照射することにより、架橋反応によつて
レジストパターン１３を硬化させると同時にレジ
ストパターン１３のフオトレジストとPh−Si
（OCH3）3を反応させることができる。 First, a first embodiment of the present invention will be described using FIGS. 1 to 3. As shown in FIG. 1, C 6 H 5 --Si(OCH 3 ) 3 (a type of silicon compound gas) is applied to a resist pattern 13 of a predetermined shape formed on the object to be etched 14 on the upper layer of the substrate 15. (Hereinafter, C 6 H 5 is abbreviated as Ph) By irradiating far ultraviolet rays 11 in a gas 12 atmosphere, the resist pattern 13 is cured by a crosslinking reaction, and at the same time the photoresist of the resist pattern 13 and Ph-Si
(OCH 3 ) 3 can be reacted.
次に第２図に示すように基板１５の上層にある
被エツチング物１４の上に形成されているレジス
トパターン２１は、表面近傍はPh−Si（OCH3）3
との反応層を形成し、内部は遠紫外線によつて架
橋した硬化層が形成されている。このレジストパ
ターン２１をエツチングマスクとしてRIE
（Reactive Ion Etching）等のドライエツチング
方法により被エツチング物１４をエツチングす
る。 Next, as shown in FIG. 2, the resist pattern 21 formed on the object to be etched 14 on the upper layer of the substrate 15 is composed of Ph-Si(OCH 3 ) 3 near the surface.
A cured layer cross-linked by deep ultraviolet rays is formed inside. RIE using this resist pattern 21 as an etching mask
The object to be etched 14 is etched by a dry etching method such as (reactive ion etching).
このようにして第３図に示すように、エツチン
グによつて基板１５の上に形成された被エツチン
グ物１４はレジストパターン２１をエツチングマ
スクとしたパターンに形成される。 In this manner, as shown in FIG. 3, the object to be etched 14 formed on the substrate 15 by etching is formed into a pattern using the resist pattern 21 as an etching mask.
次に第４図を用いて本発明の第２の実施例につ
いて説明する。第４図に示すように基板４５の上
層にある被エツチング物４４の上に形成された所
定形状のレジストパターン４３に、ケイ素化合物
ガスPh−Si（OCH3）3 ４２雰囲気中で遠紫外線
４１を照射する工程は第１の実施例と同じである
が、遠紫外線４１を照射する時同時にホツトプレ
ート４６によつて基板４５を加熱することによつ
て、レジストパターン４３の中に入り込んだPh
−Si（OCH3）3ガスをより拡散させることができ
る。また、基板４５を加熱することによつて、第
１の実施例よりもよりフオトレジストの架橋反応
を促進させることができ、処理時間を短縮化する
ことができる。 Next, a second embodiment of the present invention will be described using FIG. 4. As shown in FIG. 4, a resist pattern 43 having a predetermined shape formed on an object to be etched 44 on the upper layer of a substrate 45 is exposed to deep ultraviolet rays 41 in an atmosphere of silicon compound gas Ph-Si(OCH 3 ) 3 42. The irradiation process is the same as in the first embodiment, but the substrate 45 is heated by the hot plate 46 at the same time as the deep ultraviolet rays 41 are irradiated, thereby removing the Ph that has entered into the resist pattern 43.
-Si( OCH3 ) 3 gas can be further diffused. Furthermore, by heating the substrate 45, the crosslinking reaction of the photoresist can be promoted more than in the first embodiment, and the processing time can be shortened.
第１図乃至第４図を用いて本発明の第３の実施
例について説明する。第１あるいは第２の実施例
と工程は同じであるが、ケイ素化合物ガス１２及
び４２として（CH3）3Si−NH−Si（CH3）3を用い
ても、同様にレジストパターン１３及び４３と反
応させることができ、耐熱性及び耐ドライエツチ
ング性を向上させることができる。 A third embodiment of the present invention will be described using FIGS. 1 to 4. Although the steps are the same as in the first or second embodiment, even if (CH 3 ) 3 Si-NH-Si(CH 3 ) 3 is used as the silicon compound gases 12 and 42, the resist patterns 13 and 43 The heat resistance and dry etching resistance can be improved.
この第３の実施例で示したように、本発明に用
いるケイ素化合物ガスPh−Si（OCH3）3、
（CH3）3Si−NH−Si（CH3）3以外にもCH2＝CH−
Si（OCH3）3、NH2CH2CH2CH2Si（OCH3）3等のケ
イ素化合物ガスを用いても同様の得ることができ
る。 As shown in this third example, the silicon compound gas Ph-Si( OCH3 ) 3 used in the present invention,
(CH 3 ) 3 Si−NH−Si(CH 3 ) 3 In addition to CH 2 =CH−
Similar results can be obtained using silicon compound gases such as Si(OCH 3 ) 3 and NH 2 CH 2 CH 2 CH 2 Si(OCH 3 ) 3 .
以上説明したように本発明は、被エツチング物
上に形成された所定形状のレジストパターンに、
ケイ素化合物ガス雰囲気中で遠紫外線を照射する
ことにより、架橋反応によつてレジストパターン
を硬化させると同時にフオトレジストとケイ素化
合物ガスを反応させることができ、耐熱性及び耐
ドライエツチング性をレジスト固有の範囲を超え
て向上させることができる効果がある。
As explained above, the present invention has a resist pattern of a predetermined shape formed on an object to be etched.
By irradiating deep ultraviolet rays in a silicon compound gas atmosphere, it is possible to harden the resist pattern through a crosslinking reaction and at the same time cause the photoresist and the silicon compound gas to react, improving the heat resistance and dry etching resistance unique to the resist. There are effects that can be improved beyond the range.
第１図、第２図、第３図は本発明の第１の実施
例を工程順に示す断面図、第４図は本発明の第２
の実施例を示す断面図である。
１１，４１……遠紫外線、１２，４２……ケイ
素化合物ガス、１３，２１，４３……レジストパ
ターン、１４，４４……被エツチング物、１５，
４５……基板、４６……ホツトプレート。
1, 2, and 3 are sectional views showing the first embodiment of the present invention in the order of steps, and FIG. 4 is a sectional view of the second embodiment of the present invention.
FIG. 11,41...Deep ultraviolet rays, 12,42...Silicon compound gas, 13,21,43...Resist pattern, 14,44...Object to be etched, 15,
45...Substrate, 46...Hot plate.
Claims (1)
トレジストパターンを形成する工程と、前記所定
形状のフオトレジストパターンにケイ素化合物ガ
ス雰囲気中で遠紫外線を照射する工程とを含むこ
とを特徴とするパターン形成方法。 ２ 前記所定形状のフオトレジストパターンにケ
イ素化合物ガス雰囲気中で遠紫外線を照射する工
程は、前記所定形状のフオトレジストパターンを
ケイ素化合物ガス雰囲気中で加熱処理と同時に遠
紫外線を照射する工程である特許請求の範囲第１
項記載パターン形成方法。[Scope of Claims] 1. A process comprising: forming a photoresist pattern of a predetermined shape on an object to be etched on a substrate; and irradiating the photoresist pattern of a predetermined shape with deep ultraviolet rays in a silicon compound gas atmosphere. A pattern forming method characterized by: 2. The step of irradiating the photoresist pattern with the predetermined shape with deep ultraviolet rays in a silicon compound gas atmosphere is a step of irradiating the photoresist pattern with the predetermined shape with deep ultraviolet rays at the same time as the heat treatment in the silicon compound gas atmosphere. Claim 1
Pattern formation method described in section.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21423887A JPS6457618A (en) | 1987-08-27 | 1987-08-27 | Pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21423887A JPS6457618A (en) | 1987-08-27 | 1987-08-27 | Pattern forming method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPS6457618A JPS6457618A (en) | 1989-03-03 |
| JPH0511654B2 true JPH0511654B2 (en) | 1993-02-16 |
Family
ID=16652471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP21423887A Granted JPS6457618A (en) | 1987-08-27 | 1987-08-27 | Pattern forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPS6457618A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4675450B2 (en) * | 2000-04-13 | 2011-04-20 | 富士通株式会社 | Method for forming a thin film pattern |
-
1987
- 1987-08-27 JP JP21423887A patent/JPS6457618A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPS6457618A (en) | 1989-03-03 |
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