JPH05113469A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JPH05113469A
JPH05113469A JP3274223A JP27422391A JPH05113469A JP H05113469 A JPH05113469 A JP H05113469A JP 3274223 A JP3274223 A JP 3274223A JP 27422391 A JP27422391 A JP 27422391A JP H05113469 A JPH05113469 A JP H05113469A
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JP
Japan
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terminal
bus
input
internal
state
Prior art date
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Application number
JP3274223A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Endo
高志 遠藤
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Publication of JPH05113469A publication Critical patent/JPH05113469A/en
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Abstract

PURPOSE:To make the functional test of a circuit block further than an internal bus easy by providing a control means and by carrying out the state setting of the bus directly from the outside. CONSTITUTION:Switches 15, 16 are provided to be controlled so that output signals of circuit blocks 20, 21 do not compete each other in an internal bus 7. Usually, switches 15, 16 are controlled by the signals of terminals 2, 4, the state of the bus is set by the result of operations of the circuit blocks 20, 21 by signals inputted by terminals 22, and a circuit block 24 is operated. Further, a switch 17 operated in inputting a signal direct from an external terminal to the bus is set up and controlled by a control terminal 6. In inputting the signal direct from the input terminal 5 to the bus 7, the switch 17 becomes on, and switches 15, 16 compulsorily become of then. Namely, the state of the bus is set by the signal inputted from the terminal 5, and the block 24 is operated.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置のバス回路に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bus circuit of a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の技術をMOSトランジスタを用い
たバス回路の例を用いて説明する。従来のバス回路を図
4に示す。回路ブロック320の複数の出力信号は内部
バス307に接続され、内部バス307は回路ブロック
330の入力端子に接続されバス回路を構成している。
322は半導体装置に外部から信号を入力し、323は
半導体装置から外部へ信号を取り出すための端子であ
る。
2. Description of the Related Art A conventional technique will be described with reference to an example of a bus circuit using MOS transistors. A conventional bus circuit is shown in FIG. The plurality of output signals of the circuit block 320 are connected to the internal bus 307, and the internal bus 307 is connected to the input terminal of the circuit block 330 to form a bus circuit.
Reference numeral 322 is a terminal for inputting a signal to the semiconductor device from the outside, and reference numeral 323 is a terminal for taking a signal from the semiconductor device to the outside.

【0003】バス接続される回路ブロックの出力端子は
通常トライステートゲートが使用される。図4において
310、311がトライステートゲートである。回路ブ
ロック320内のトライステートゲート310、311
の端子301,302、303、304は半導体装置内
の内部ノードであって、これらの端子の状態は端子32
2へ入力された信号が複数段の論理ゲートを介した結果
決定されるものである。端子301に入力された信号
は、端子302に入力された信号によって制御され内部
バス307に出力される。端子302にLOWレベル
(以降単にLレベルとする)が入力された場合、端子3
01に入力された信号の正転信号が内部バス307に出
力される。逆に端子302にHIGHレベル(以降単に
Hレベルとする)が入力された場合、トライステートゲ
ート310はハイ・インピーダンス状態(以降単にHZ
状態とする)となり、内部バス307に端子301に入
力された信号は伝達されない。
A tri-state gate is usually used as an output terminal of a circuit block connected to a bus. In FIG. 4, 310 and 311 are tristate gates. Tri-state gates 310 and 311 in the circuit block 320
The terminals 301, 302, 303, 304 of are internal nodes in the semiconductor device, and the state of these terminals is the terminal 32.
The signal input to 2 is determined as a result of passing through a plurality of stages of logic gates. The signal input to the terminal 301 is controlled by the signal input to the terminal 302 and output to the internal bus 307. When a LOW level (hereinafter simply referred to as an L level) is input to the terminal 302, the terminal 3
The normal signal of the signal input to 01 is output to the internal bus 307. Conversely, when a HIGH level (hereinafter simply referred to as H level) is input to the terminal 302, the tristate gate 310 is in a high impedance state (hereinafter simply referred to as HZ).
The signal input to the terminal 301 is not transmitted to the internal bus 307.

【0004】図4の様に複数のトライステートゲートが
接続されている内部バスにおいては、その内の1個のト
ライステートゲートを能動状態とし、それ以外のトライ
ステートゲートはHZ状態となる様に制御し内部バス上
において信号が競合しない様に使用するのが一般的であ
る。
In the internal bus to which a plurality of tristate gates are connected as shown in FIG. 4, one of the tristate gates is set to the active state, and the other tristate gates are set to the HZ state. It is generally controlled and used so that signals do not conflict on the internal bus.

【0005】半導体装置の機能試験は、外部より信号を
入力し回路が正常に動作しているかどうか検証する。図
4の様に内部バスを境にして機能別に回路ブロック32
0、330の様に分割されている場合においても、それ
ぞれの回路ブロックを個別に機能試験を行うことは不可
能であり、例えば回路ブロック330の機能試験を行う
際には、内部バス307を目的とする状態に設定する必
要がある。通常、端子301から304は半導体装置内
の内部ノードであり、これらの端子に必要な状態設定を
する為には複数段の論理ゲートを端子322にまで遡っ
て状態設定をするする必要があった。この状態設定を行
うための工数は回路内容が複雑化するほど困難なものと
なり、機能試験を更らに困難なものにしていた。
In the functional test of the semiconductor device, a signal is input from the outside to verify whether the circuit is operating normally. As shown in FIG. 4, the circuit block 32 is divided by function with the internal bus as a boundary.
Even if the circuit blocks are divided into 0 and 330, it is impossible to individually perform a functional test on each circuit block. For example, when performing a functional test on the circuit block 330, the purpose is to use the internal bus 307. It is necessary to set to the state. Usually, the terminals 301 to 304 are internal nodes in the semiconductor device, and in order to set the states required for these terminals, it is necessary to trace the logic gates of a plurality of stages back to the terminal 322 and set the states. . The number of man-hours required to set this state becomes more difficult as the circuit contents become more complicated, making the function test even more difficult.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明はこの様
な課題を解決するもので、その目的とするところは内部
バスを有する半導体装置において、外部から直接内部バ
スの状態設定を可能とし、内部バス前段の回路ブロック
の状態設定を考慮することなく、内部バス以降の回路ブ
ロックの機能試験を可能とする半導体装置を供給するこ
とにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, the present invention is to solve such a problem, and an object of the present invention is to enable a state setting of an internal bus directly from the outside in a semiconductor device having an internal bus. It is an object to supply a semiconductor device that enables a functional test of circuit blocks after the internal bus without considering the state setting of the circuit blocks in the preceding stage of the bus.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】MOSトランジスタを用
いた半導体装置において、外部より内部バスの信号を制
御する手段を有することを特徴とする半導体装置。
A semiconductor device using a MOS transistor is provided with a means for controlling a signal of an internal bus from the outside.

【0008】[0008]

【実施例】本発明の半導体装置をMOSトランジスタを
用いた実施例に基づき詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The semiconductor device of the present invention will be described in detail based on an embodiment using a MOS transistor.

【0009】本発明の半導体装置は基本的に図1に示す
構成をしている。図1において破線20、21内が内部
バス7に接続されている回路ブロックであって、該回路
ブロックの出力信号が内部バス上で競合しない様に制御
する為に各回路ブロックの出力端子にはスイッチ15,
16が用意されている。スイッチ15、16の制御は端
子2、4によって行われ、例えば端子13に端子1の信
号が伝達されているときはスイッチ16はOFF状態と
し、端子3の信号は端子14に伝達されない様に制御し
内部バス7上で信号が競合しないようになっている。
尚、端子1、2、3、4は便宜上つけている名称であっ
て、これら回路ブロック内の内部ノードの信号は本半導
体装置の外部から信号を入力する為の入力端子22に与
えられた信号が内部回路31、32を通過した結果決定
されるものである。10及び11はスイッチ15、16
を制御する信号の選択手段であって、通常はスイッチ1
5、16は2、4の信号によって制御され端子22より
入力された信号によって回路ブロック20、21が動作
した結果によって内部バスの状態が設定され回路ブロッ
ク24が動作することになる。スイッチ17は内部バス
に外部端子より直接信号を入力する際に動作するスイッ
チであってスイッチ15、16が2、4の信号によって
制御されているときはOFF状態になっている。スイッ
チ17は制御端子6によって制御されており、内部バス
7に入力端子5より直接信号を入力する際にON状態と
しその際には、スイッチ15、16は端子2,4の信号
状態に関係なく強制的にOFF状態となる。すなわち端
子5より入力された信号によって内部バス7の状態が設
定され回路ブロック24が動作することになる。
The semiconductor device of the present invention basically has the structure shown in FIG. In FIG. 1, broken lines 20 and 21 are circuit blocks connected to the internal bus 7. The output terminals of the circuit blocks are controlled so that the output signals of the circuit blocks do not conflict with each other on the internal bus. Switch 15,
16 are prepared. The switches 15 and 16 are controlled by the terminals 2 and 4. For example, when the signal of the terminal 1 is transmitted to the terminal 13, the switch 16 is turned off and the signal of the terminal 3 is controlled not to be transmitted to the terminal 14. However, signals do not compete on the internal bus 7.
Note that terminals 1, 2, 3, and 4 are names given for convenience, and signals of internal nodes in these circuit blocks are signals given to an input terminal 22 for inputting signals from outside the semiconductor device. Is determined as a result of passing through the internal circuits 31 and 32. 10 and 11 are switches 15 and 16
Which is a signal selecting means for controlling the
The signals 5 and 16 are controlled by the signals 2 and 4, and the state of the internal bus is set by the result of the operation of the circuit blocks 20 and 21 by the signal input from the terminal 22, and the circuit block 24 operates. The switch 17 is a switch that operates when a signal is directly input to the internal bus from an external terminal, and is in an OFF state when the switches 15 and 16 are controlled by the signals 2 and 4. The switch 17 is controlled by the control terminal 6, and is turned on when a signal is directly input to the internal bus 7 from the input terminal 5, and at that time, the switches 15 and 16 are irrespective of the signal states of the terminals 2 and 4. It is forcibly turned off. That is, the state of the internal bus 7 is set by the signal input from the terminal 5, and the circuit block 24 operates.

【0010】次に実際の回路を用いて、本発明の動作を
説明する。図2において破線120が内部バスに接続さ
れている回路ブロックであって、本回路ブロックの出力
端子にはトライステートゲート110、111が用意さ
れている。破線130は内部バスの信号によって動作す
る回路ブロックである。一点破線100が内部バスの信
号を制御する手段である。端子122は本半導体装置へ
外部より信号を入力する為の端子であって、回路ブロッ
ク120は通常は端子122より入力された信号によっ
て動作する。回路ブロック120内のトライステートゲ
ート110、111の端子101、102、103、1
04は半導体装置内の内部ノードであって、これらの端
子の状態は端子122へ入力された信号が複数段の論理
ゲートを介した結果として設定されるものである。
Next, the operation of the present invention will be described using an actual circuit. In FIG. 2, a broken line 120 is a circuit block connected to the internal bus, and tri-state gates 110 and 111 are prepared at the output terminals of this circuit block. A broken line 130 is a circuit block operated by a signal of the internal bus. The dashed-dotted line 100 is a means for controlling the signal of the internal bus. The terminal 122 is a terminal for inputting a signal to the semiconductor device from the outside, and the circuit block 120 normally operates according to the signal input from the terminal 122. Terminals 101, 102, 103, 1 of tristate gates 110, 111 in the circuit block 120
Reference numeral 04 is an internal node in the semiconductor device, and the states of these terminals are set as a result of the signal input to the terminal 122 passing through a plurality of stages of logic gates.

【0011】制御手段100の動作について説明する。
トライステートゲート112は内部バス上の信号を外部
より制御する際に使用する。端子105は内部バスの状
態を外部より設定する為に使用し、端子106は内部バ
スに端子105に入力された信号を設定するか、端子1
22から入力した信号によって動作した回路ブロック1
20の出力信号を設定するかを切り替える為の端子であ
る。端子106にLレベルが入力された場合、トライス
テートゲート112は活性状態、トライステートゲート
110、111はHZ状態となり、端子105に入力さ
れた信号が内部バス107に設定される。この場合内部
バスの信号によって動作する回路ブロック130は端子
105に入力された信号によって直接動作され、その結
果は本半導体装置より信号を取り出すための端子123
に出力される。逆に端子106にHレベルが入力された
場合、112はHZ状態となり端子105に入力された
信号は内部バスに出力されず、端子122より入力され
た信号によって回路ブロック120が動作した結果によ
って内部バスの状態が設定され、回路ブロック130が
動作する本来の機能となる。
The operation of the control means 100 will be described.
The tri-state gate 112 is used when controlling the signal on the internal bus from the outside. The terminal 105 is used to externally set the state of the internal bus, and the terminal 106 sets the signal input to the terminal 105 to the internal bus or the terminal 1
Circuit block 1 operated by the signal input from 22
It is a terminal for switching whether to set 20 output signals. When the L level is input to the terminal 106, the tristate gate 112 is in the active state, the tristate gates 110 and 111 are in the HZ state, and the signal input to the terminal 105 is set to the internal bus 107. In this case, the circuit block 130 operated by the signal of the internal bus is directly operated by the signal input to the terminal 105, and the result is the terminal 123 for extracting the signal from the semiconductor device.
Is output to. On the contrary, when the H level is input to the terminal 106, 112 enters the HZ state and the signal input to the terminal 105 is not output to the internal bus, and the internal signal is output as a result of the circuit block 120 operating according to the signal input from the terminal 122. The state of the bus is set, and the circuit block 130 has an original function of operating.

【0012】以上の実施例はあくまで一実施例であっ
て、図3の一点破線200に示すような制御手段を構成
することにより端子206にHレベルを入力した時に、
端子205の信号を内部バス207に設定することも可
能である。図5に示す様に反転出力となるトライステー
トゲートを用いても同様の効果が期待できる。又トライ
ステートゲートを制御するための論理回路の構成方法は
特に限定されるものではない。
The above embodiment is merely one embodiment, and when the H level is input to the terminal 206 by configuring the control means as shown by the one-dot chain line 200 in FIG.
It is also possible to set the signal of the terminal 205 to the internal bus 207. Similar effects can be expected by using a tri-state gate having an inverted output as shown in FIG. Further, the method of constructing the logic circuit for controlling the tri-state gate is not particularly limited.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上説明した様に発明によれば、MOS
トランジスタを用いた半導体装置において、外部より内
部バスの信号を制御する手段を有することにより、半導
体装置の外部より直接内部バスの状態を設定することが
可能となる。これにより内部バス以降の回路ブロックへ
外部より直接信号を入力することが可能となり、内部バ
スの前段の回路ブロックの状態の設定を考慮する事な
く、内部バス以降の回路ブロックの機能試験を容易に行
なうことが可能である。これは半導体装置の複雑化と共
に増加する機能試験の負荷の軽減に有効である。
As described above, according to the invention, the MOS
In the semiconductor device using the transistor, the state of the internal bus can be set directly from the outside of the semiconductor device by including the means for controlling the signal of the internal bus from the outside. This makes it possible to directly input signals from the outside to the circuit blocks after the internal bus, making it easy to test the function of the circuit blocks after the internal bus without considering the setting of the state of the circuit block at the previous stage of the internal bus. It is possible to do. This is effective in reducing the load of the functional test, which increases with the complexity of the semiconductor device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例を示す構成図。FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例を示す構成図。FIG. 2 is a configuration diagram showing an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の別の実施例を示す構成図。FIG. 3 is a configuration diagram showing another embodiment of the present invention.

【図4】従来の実施例を示す構成図。FIG. 4 is a configuration diagram showing a conventional embodiment.

【図5】本発明の別の実施例を示す構成図。FIG. 5 is a configuration diagram showing another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 端子(入力用、内部ノード) 2 端子(制御用、内部ノード) 3 端子(入力用、内部ノード) 4 端子(制御用、内部ノード) 5 入力端子 6 制御端子 10 端子(制御用、内部ノード)の制御手段 11 端子(制御用、内部ノード)の制御手段 13 端子(内部ノード) 14 端子(内部ノード) 15 スイッチ 16 スイッチ 17 スイッチ 20 回路ブロック 21 回路ブロック 22 入力端子 23 出力端子 24 回路ブロック 31 内部回路 32 内部回路 100 制御手段 101 端子(入力用、内部ノード) 102 端子(制御用、内部ノード) 103 端子(入力用、内部ノード) 104 端子(制御用、内部ノード) 105 入力端子 106 制御端子 107 内部バス 108 論理ゲート 109 論理ゲート 110 トライステートゲート 111 トライステートゲート 112 トライステートゲート 120 回路ブロック 122 入力端子 123 出力端子 130 回路ブロック 200 制御手段 201 端子(入力用、内部ノード) 202 端子(制御用、内部ノード) 203 端子(入力用、内部ノード) 204 端子(制御用、内部ノード) 205 入力端子 206 制御端子 207 内部バス 208 論理ゲート 209 論理ゲート 210 トライステートゲート 211 トライステートゲート 212 トライステートゲート 213 論理ゲート 220 回路ブロック 222 入力端子 223 出力端子 230 回路ブロック 301 端子(入力用、内部ノード) 302 端子(制御用、内部ノード) 303 端子(入力用、内部ノード) 304 端子(制御用、内部ノード) 307 内部バス 310 トライステートゲート 311 トライステートゲート 320 回路ブロック 322 入力端子 323 出力端子 330 回路ブロック 400 制御手段 401 端子(入力用、内部ノード) 402 端子(制御用、内部ノード) 403 端子(入力用、内部ノード) 404 端子(制御用、内部ノード) 405 入力端子 406 制御端子 407 内部バス 408 論理ゲート 409 論理ゲート 410 トライステートゲート 411 トライステートゲート 412 トライステートゲート 420 回路ブロック 422 入力端子 423 出力端子 430 回路ブロック 1 terminal (input, internal node) 2 terminal (control, internal node) 3 terminal (input, internal node) 4 terminal (control, internal node) 5 input terminal 6 control terminal 10 terminal (control, internal node) ) Control means 11 terminal (for control, internal node) control means 13 terminal (internal node) 14 terminal (internal node) 15 switch 16 switch 17 switch 20 circuit block 21 circuit block 22 input terminal 23 output terminal 24 circuit block 31 Internal circuit 32 Internal circuit 100 Control means 101 terminal (input, internal node) 102 terminal (control, internal node) 103 terminal (input, internal node) 104 terminal (control, internal node) 105 input terminal 106 control terminal 107 Internal Bus 108 Logic Gate 109 Logic Gate 110 Tristate Gate Gate 111 tri-state gate 112 tri-state gate 120 circuit block 122 input terminal 123 output terminal 130 circuit block 200 control means 201 terminal (input, internal node) 202 terminal (control, internal node) 203 terminal (input, internal) Node) 204 terminal (for control, internal node) 205 input terminal 206 control terminal 207 internal bus 208 logic gate 209 logic gate 210 tristate gate 211 tristate gate 212 tristate gate 213 logic gate 220 circuit block 222 input terminal 223 output terminal 230 circuit block 301 terminal (input, internal node) 302 terminal (control, internal node) 303 terminal (input, internal node) 304 terminal (control, internal node) 307 Internal bus 310 Tri-state gate 311 Tri-state gate 320 Circuit block 322 Input terminal 323 Output terminal 330 Circuit block 400 Control means 401 terminal (input, internal node) 402 terminal (control, internal node) 403 terminal (input, internal) Node) 404 terminal (for control, internal node) 405 input terminal 406 control terminal 407 internal bus 408 logic gate 409 logic gate 410 tri-state gate 411 tri-state gate 412 tri-state gate 420 circuit block 422 input terminal 423 output terminal 430 circuit block

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 金属酸化膜半導体(以降単にMOSトラ
ンジスタとする)を用いた半導体装置において、外部よ
り内部バスの信号を制御する手段を有することを特徴と
する半導体装置。
1. A semiconductor device using a metal oxide semiconductor (hereinafter simply referred to as a MOS transistor), which has means for externally controlling a signal of an internal bus.
JP3274223A 1991-10-22 1991-10-22 Semiconductor device Pending JPH05113469A (en)

Priority Applications (1)

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JP3274223A JPH05113469A (en) 1991-10-22 1991-10-22 Semiconductor device

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JP (1) JPH05113469A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200089321A (en) 2017-12-28 2020-07-24 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 Low iron loss grain-oriented electrical steel sheet and its manufacturing method
KR20240006635A (en) 2021-05-28 2024-01-15 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 Manufacturing method of grain-oriented electrical steel sheet

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