JPH05113380A - Sensor device - Google Patents

Sensor device

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Publication number
JPH05113380A
JPH05113380A JP27248591A JP27248591A JPH05113380A JP H05113380 A JPH05113380 A JP H05113380A JP 27248591 A JP27248591 A JP 27248591A JP 27248591 A JP27248591 A JP 27248591A JP H05113380 A JPH05113380 A JP H05113380A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
sensor chip
sensor device
pedestal
pressure sensor
Prior art date
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Pending
Application number
JP27248591A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazumi Inoue
和美 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP27248591A priority Critical patent/JPH05113380A/en
Publication of JPH05113380A publication Critical patent/JPH05113380A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To prevent the malfunction of a sensor device due to applied charge by rapidly discharging the applied charge at a charging position to the outside of the sensor device. CONSTITUTION:A pedestal 6 is provided in a package 1 by die bonding through a die pad 4 and a semiconductor pressure sensor chip 7 is mounted on the pedestal 6. The inner wall of the package and the die pad 4 are connected to a ground lead terminal 11 by a conductive member 13.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体拡散抵抗形圧力
センサ装置などのセンサ装置に係り、詳しくは、それに
搭載してあるセンサチップが帯電で誤動作することを防
止することに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sensor device such as a semiconductor diffusion resistance type pressure sensor device, and more particularly to preventing a sensor chip mounted therein from malfunctioning due to charging.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は従来の半導体拡散抵抗形圧力セン
サ装置の概略化した断面図であり、プラスチック製のパ
ッケージ1の内部底面2上にはダイボンディング材3を
介してダイパッド4が設けられ、このダイパッド4上に
さらにダイボンディング材5を介してパイレックスガラ
ス製の台座6が固定されている。この台座6は、このよ
うにダイパッド4上に設けられることで、取り付け位置
が安定化される。そして、その台座6上には半導体圧力
センサチップ(その一例としてシリコン単結晶基板に半
導体製造技術で抵抗を拡散し歪みゲージを構成した感圧
ダイヤフラム構造のもの)7が搭載されている。半導体
圧力センサチップ7下面と台座6との間には該下面に測
定圧力が加わる真空室8が形成されている。半導体圧力
センサチップ7は外部圧力とこの真空室8内の圧力との
差圧に応じて歪み、その歪みに対応した圧力センサ信号
を出力するもので、金属細線9を介して圧力センサ信号
導出用のリード端子10と、その中の1つであるグラン
ド用リード端子11それぞれの一端が接続されている。
各リード端子10,11それぞれの他端はパッケージ1
から外部に導出され、かつ、パッケージ1内には、内部
保護用で半導体圧力センサチップ7の歪みを阻害するこ
とのないシリコンなどのゲル12が充填されている。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a schematic sectional view of a conventional semiconductor diffusion resistance type pressure sensor device, in which a die pad 4 is provided on a bottom surface 2 of a plastic package 1 with a die bonding material 3 interposed therebetween. A pedestal 6 made of Pyrex glass is further fixed on the die pad 4 via a die bonding material 5. By mounting the pedestal 6 on the die pad 4 in this manner, the mounting position is stabilized. On the pedestal 6, a semiconductor pressure sensor chip (one example of which is a pressure-sensitive diaphragm structure in which a resistance is diffused on a silicon single crystal substrate by a semiconductor manufacturing technique to form a strain gauge) 7 is mounted. A vacuum chamber 8 is formed between the lower surface of the semiconductor pressure sensor chip 7 and the pedestal 6 to apply a measurement pressure to the lower surface. The semiconductor pressure sensor chip 7 is distorted according to the pressure difference between the external pressure and the pressure in the vacuum chamber 8, and outputs a pressure sensor signal corresponding to the strain. For derivation of the pressure sensor signal via the thin metal wire 9. One end of each of the lead terminal 10 and the ground lead terminal 11, which is one of them, is connected.
The other end of each lead terminal 10 and 11 is the package 1
The package 12 is filled with a gel 12 made of silicon or the like, which is guided to the outside from the outside and protects the inside and does not hinder the distortion of the semiconductor pressure sensor chip 7.

【0003】上記構成の圧力センサ装置による圧力検知
については周知であるから、その詳細は省略する。
Since the pressure detection by the pressure sensor device having the above structure is well known, its details are omitted.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記装置のパッケージ
1とか台座6はプラスチックとかパイレックスガラスと
いった絶縁体で構成されてきわめて帯電しやすい箇所で
あるが、半導体圧力センサチップ7は、半導体で構成さ
れているために、このような帯電があるとその電荷によ
って該半導体固有の現象である、いわゆるラッチアップ
現象といった誤動作を起こし易いことはよく知られてい
る。
The package 1 and the pedestal 6 of the above-mentioned device are made of an insulating material such as plastic or Pyrex glass and are places that are extremely easily charged. However, the semiconductor pressure sensor chip 7 is made of a semiconductor. Therefore, it is well known that such an electric charge easily causes a malfunction such as a so-called latch-up phenomenon, which is a phenomenon unique to the semiconductor, due to the electric charge.

【0005】もちろん、センサが半導体ではなくても、
圧力を受けて機械的に歪み、その歪みを電気的に出力す
る素材で構成されたセンサであっても上記帯電現象で誤
動作しやすくなる。
Of course, even if the sensor is not a semiconductor,
Even a sensor made of a material that is mechanically distorted under pressure and electrically outputs the distortion is likely to malfunction due to the charging phenomenon.

【0006】したがって、本発明においては、上記帯電
箇所での帯電電荷を装置外に速やかに放電させること
で、装置が該帯電電荷で誤動作することのないようにす
ることを目的としている。
Therefore, an object of the present invention is to prevent the device from malfunctioning due to the charged electric charge by promptly discharging the charged electric charge at the above-mentioned charged portion to the outside of the device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明のセンサ装置においては、請求項1に
おいて、パッケージ内の帯電箇所をセンサチップのグラ
ンド箇所に導電性部材で接続したことを特徴としてい
る。このセンサチップは請求項2のように半導体圧力セ
ンサチップであってもよく、また、グランド箇所は、請
求項3のようにその一端がセンサチップに接続され、他
端がパッケージを貫通して外部に引き出されてあるセン
サチップのグランド用リード端子であってもよい。
In order to achieve such an object, in the sensor device of the present invention, in claim 1, the charged part in the package is connected to the ground part of the sensor chip by a conductive member. It is characterized by The sensor chip may be a semiconductor pressure sensor chip as in claim 2, and the ground portion has one end connected to the sensor chip as in claim 3, and the other end penetrating the package to the outside. It may be a lead terminal for ground of the sensor chip that has been pulled out.

【0008】[0008]

【作用】パッケージ内の帯電箇所が、センサチップのグ
ランド箇所に導電性部材で接続されているから、該帯電
箇所に帯電しても、その帯電電荷は速やかに導電性部材
を介してグランドされて放電されるから、センサチップ
がその帯電電荷で誤動作することがない。
Since the charged portion in the package is connected to the ground portion of the sensor chip by the conductive member, even if the charged portion is charged, the charged charge is promptly grounded through the conductive member. Since the sensor chip is discharged, the sensor chip does not malfunction due to the charged electric charge.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0010】図1は、本発明の実施例に係る半導体圧力
センサ装置の断面図であり、従来例に係る図3と対応す
る部分には同一の符号を付し、同一の符号に係る部分に
ついての詳しい説明は省略する。
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor pressure sensor device according to an embodiment of the present invention. Parts corresponding to those of FIG. The detailed description of is omitted.

【0011】本実施例においては、パッケージ1内に導
電性部材13を設け、該導電性部材13の一端をダイパ
ッド4に固定して電気的に接続し、他端をグランド用リ
ード端子11に固定し電気的に接続するとともに、途中
部をパッケージ1の内壁に沿わせて電気的に接続した構
造としている。このような導電性部材13を設けること
によって、台座6が帯電すると、該帯電電荷はダイホン
ド材5、ダイパッド4、導電性部材13を介してグラン
ド用リード端子11に導かれてのち、パッケージ1外に
放電される。また、パッケージ1が帯電しても、同様に
該帯電電荷は、導電性部材13を介してグランド用リー
ド端子11に導かれてのちパッケージ1外に放電され
る。したがって、台座6上に搭載されてある半導体圧力
センサチップ7は、この帯電電荷によってラッチアップ
現象を引き起こされて誤動作してしまうことが防止され
る。なお、この導電性部材13については、要するに一
端側または途中部を帯電箇所に接続するとともに、他端
側をグランド用リード端子11に接続してあればよく、
したがって、図1のように一端と途中部とをそれぞれダ
イパッド4とパッケージ1内壁に接続させたり、あるい
は図2のようにダイパッド4ではなく、一端も途中部も
すべてパッケージ1内壁に沿わせた状態にして設けるよ
うにしてもよい。
In this embodiment, a conductive member 13 is provided in the package 1, one end of the conductive member 13 is fixed to the die pad 4 for electrical connection, and the other end is fixed to the ground lead terminal 11. In addition to being electrically connected, the structure is such that the middle portion is electrically connected along the inner wall of the package 1. By providing the conductive member 13 as described above, when the pedestal 6 is charged, the charged charge is guided to the ground lead terminal 11 via the die-hond material 5, the die pad 4, and the conductive member 13, and then the outside of the package 1. To be discharged. Further, even if the package 1 is charged, the charged charge is similarly guided to the ground lead terminal 11 via the conductive member 13 and then discharged to the outside of the package 1. Therefore, the semiconductor pressure sensor chip 7 mounted on the pedestal 6 is prevented from malfunctioning due to the latch-up phenomenon caused by the charge. In addition, as for the conductive member 13, it is sufficient that one end side or the middle part is connected to the charging location and the other end side is connected to the ground lead terminal 11.
Therefore, as shown in FIG. 1, one end and the middle part are connected to the die pad 4 and the inner wall of the package 1, respectively, or the state where both the one end and the middle part are not along the inner wall of the package 1 as shown in FIG. You may make it provide it.

【0012】このような導電性部材13は、素材的には
導電性の樹脂とか半田などの金属とかの導電性を有する
ものであり、また、帯電箇所への接続は、蒸着とかメッ
キなどの周知の手法で行うことができるとともに、形状
的にも膜状とか、線状などに形成してもよい。
Such a conductive member 13 has a conductive property such as a conductive resin or a metal such as solder in terms of material, and the connection to a charged portion is well known by vapor deposition or plating. In addition to the above method, the film may be formed into a film shape or a linear shape.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、パッケー
ジ内の帯電箇所をセンサチップのグランド箇所に導電性
部材で接続したことから、該帯電箇所に帯電しても、そ
の帯電は速やかに導電性部材を介してグランドされて放
電されるから、センサチップがその帯電で誤動作するこ
とがなくなる。
As described above, according to the present invention, since the electrically charged portion in the package is connected to the ground portion of the sensor chip by the conductive member, even if the electrically charged portion is charged, the electrified portion is quickly charged. Since the sensor chip is grounded and discharged via the conductive member, the sensor chip does not malfunction due to the charging.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る半導体抵抗拡散形圧力
センサ装置の断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor resistance diffusion type pressure sensor device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施例に係る半導体抵抗拡散形圧
力センサ装置の断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of a semiconductor resistance diffusion type pressure sensor device according to another embodiment of the present invention.

【図3】従来例に係る半導体抵抗拡散形圧力センサ装置
の断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a semiconductor resistance diffusion type pressure sensor device according to a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 パッケージ 2 パッケージ底面 3 ダイボンディング材 4 ダイパッド 5 ダイボンディング材 6 台座 7 半導体圧力センサチップ 11 グランド用リード端子 13 導電性部材 1 Package 2 Package Bottom Surface 3 Die Bonding Material 4 Die Pad 5 Die Bonding Material 6 Pedestal 7 Semiconductor Pressure Sensor Chip 11 Ground Lead Terminal 13 Conductive Member

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成4年2月19日[Submission date] February 19, 1992

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】符号の説明[Correction target item name] Explanation of code

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【符号の説明】 1 パッケージ 2 パッケージ底面 3 ダイボンディング材 4 ダイパッド 5 ダイボンディング材 6 台座 7 半導体圧力センサチップ8 真空室 9 金属細線 10,11 リード端子 12 ゲル 13 導電性部材[Explanation of Codes] 1 Package 2 Package Bottom 3 Die Bonding Material 4 Die Pad 5 Die Bonding Material 6 Pedestal 7 Semiconductor Pressure Sensor Chip 8 Vacuum Chamber 9 Metal Wire 10, 11 Lead Terminal 12 Gel 13 Conductive Member

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】図1[Name of item to be corrected] Figure 1

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図1】 [Figure 1]

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パッケージ内に台座をダイパッドを介し
てダイボンディングするとともに、この台座上にセンサ
チップを搭載してなるセンサ装置において、パッケージ
内の帯電箇所を前記センサチップのグランド箇所に導電
性部材で接続したことを特徴とするセンサ装置。
1. A sensor device in which a pedestal is die-bonded in a package through a die pad, and a sensor chip is mounted on the pedestal, and a charged portion in the package is a conductive member at a ground portion of the sensor chip. A sensor device characterized by being connected by.
【請求項2】 前記センサチップが半導体圧力センサチ
ップであることを特徴とする請求項1に記載のセンサ装
置。
2. The sensor device according to claim 1, wherein the sensor chip is a semiconductor pressure sensor chip.
【請求項3】 前記グランド箇所の、一端がセンサチッ
プに接続され、他端がパッケージを貫通して外部に引き
出されてあるセンサチップのグランド用リード端子であ
ることを特徴とする請求項1または2に記載のセンサ装
置。
3. The ground lead terminal of the sensor chip, wherein one end of the ground portion is connected to the sensor chip and the other end penetrates the package and is pulled out to the outside. 2. The sensor device according to item 2.
JP27248591A 1991-10-21 1991-10-21 Sensor device Pending JPH05113380A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0943084A (en) * 1995-07-28 1997-02-14 Denso Corp Sensor device and method for fixing sensor chip
US8981548B2 (en) 2007-05-25 2015-03-17 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with relief
CN106052938A (en) * 2015-04-16 2016-10-26 株式会社不二工机 Pressure sensor

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0943084A (en) * 1995-07-28 1997-02-14 Denso Corp Sensor device and method for fixing sensor chip
US8981548B2 (en) 2007-05-25 2015-03-17 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with relief
CN106052938A (en) * 2015-04-16 2016-10-26 株式会社不二工机 Pressure sensor
JP2016205871A (en) * 2015-04-16 2016-12-08 株式会社不二工機 Pressure sensor

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