JPH05109955A - 集積回路チツプ冷却装置 - Google Patents

集積回路チツプ冷却装置

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JPH05109955A
JPH05109955A JP4084175A JP8417592A JPH05109955A JP H05109955 A JPH05109955 A JP H05109955A JP 4084175 A JP4084175 A JP 4084175A JP 8417592 A JP8417592 A JP 8417592A JP H05109955 A JPH05109955 A JP H05109955A
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アルバート・ジヨセフ・フアフエイ
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シヤオ・ソン
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 集積回路チップのための高性能冷却装置を提
供する。 【構成】 集積回路熱伝導モジュール５はチップ搭載面
及び基板上の少なくとも１個の集積回路チップ１０を有
する基板１４を含む。変形可能であり、液体不浸透性で
ある熱伝導膜或いは箔４０が、チップの上面上に広が
る。ピストン２０はこの膜を押し当てチップの上面と均
一化させる下面を有し、この下面は冷却液を通過させる
少なくとも１本の開放チャネルを含み、これが膜と接触
して冷却液とチップとの直接的な接触を伴わずに、チッ
プからの熱を伝導する。好適には、ピストンは冷却液を
ピストンを通じて流すための縦軸に沿って延びる中央孔
と、冷却液をピストン下に導くための下面に沿い中央孔
２８から外側に放射上に広がる複数のチャネルとを有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路チップの冷却装
置に関し、更に詳しくは、液体冷却膜を使用し、チップ
の上面より熱を放出する回路モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路チップの利用はここ数年著しく
増加傾向にある。チップ・サイズは短小化し、電力利用
は過去に比較して効率的であるにも関わらず、実際に複
数の密接したチップをモジュール内に実装するために
は、チップにより消散される比較的高密度の電力を除去
するための冷却装置に重点を置く必要がある。液体冷却
液は一般に高密度のアプリケーションに使用される。基
板上に搭載される集積回路チップの冷却に関連する１つ
の問題として、チップ間においてその高さが異なるため
に、あるチップは傾けられたり曲げられたりする。従っ
て、多少方向が異なるチップにも順応でき、各チップの
配置場所に対し、ほぼ均等に冷却効果を提供する冷却装
置が望まれることになる。
【０００３】従来技術により、大電力集積回路チップの
ための様々な冷却装置が提案されてきた。これらには複
数のチップがモジュール内に配列されるものなどが含ま
れる。以前の熱伝導モジュール（ＴＣＭ）では、チップ
と接触する水冷ハウジング内に含まれるピストンを使用
した。ある装置ではチップの冷却のために、水冷式ビロ
ー（ｂｅｌｌｏｗ）を組み込んだ。こうした装置はIBM
Technical DisclosureBulletin、Vol.28、No.11、pp.47
59-4761（April 1986）により示されている。別のチッ
プ冷却構成がIBM Technical Disclosure Bulletin、Vo
l.27、No.1B、pp.494-495 （June 1984）で提案されて
おり、ここでは内部放射状水冷パターンを有する銅構造
が、金属合金層を使用して単一の半導体チップとのイン
タフェースに使用される。
【０００４】大電力チップを冷却するための他の装置と
しては、複数のチップをカバーする冷却箔（ｆｏｉｌ）
を使用する。こうした装置の１つが米国特許第４３８１
０３２号で開示されており、ここでは各チップに対し箔
を保持するためにピストンを使用し、また箔を通じて伝
導する熱を除去するためにピストンの周辺を流れる冷却
液を使用する。集積回路チップ上の熱伝導箔を使用する
別の装置が、米国特許第４５３１１４６号で開示されて
いる。IBM Technical Disclosure Bulletin、Vol.29、N
o.7, p.2887 （December 1986）はまた別の装置を開示
しており、ここではスプリングにより下方に引っ張られ
る各チップに対し、可撓性のシール上に置かれる金属性
ヒートシンクを使用する。ヒート・シンクの上面はフィ
ンを備え、冷却液の噴射により冷却される。
【０００５】本出願の出願人に公布されたChrysler等ら
による最近の特許、すなわち米国特許第４９２８２０７
号では、冷却液がピストンの中央の開口を通じて各チッ
プに運ばれる。ピストンはチップからは放射上の翼板を
有するスペーサにより間隔を置かれる。しかし、この装
置ではチップに直接接触する誘電性の冷却液を使用し、
これは冷却水では適当ではない。なぜならチップの腐食
及び回路の短絡の問題が生じるからである。
【０００６】これらの装置は多くの方法により適切では
あるが、大部分はそれらの構成装置に対し高精度な機械
的公差を要求するため、結果的に比較的高価なものとな
る。これは特に、熱伝達経路の一部を形成する熱伝導モ
ジュールにおいて、ピストンを使用する装置において事
実となる。更に、複数チップ・モジュールの電力密度は
著しく増加するものと予想され、特に装置がバイポーラ
技術により大規模集積回路（ＶＬＳＩ）密度に近づくと
明らかである。こうした状況はチップ及び冷却液との間
の更に高い熱伝導率を要求し、これは従来の装置では適
応できない。水をベースにした冷却液の使用は、この点
で望ましい。更に、冷却装置の信頼性、製造コストが比
較的安価であること、また市場において容易に交換可能
であることが必要となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、従来技術の問
題点及び欠点、更に新たな集積チップ技術の要求を鑑
み、本発明は集積回路チップのための高性能冷却装置を
提供することを目的とする。
【０００８】本発明の目的には、比較的低精度の機械的
公差による構成装置を使用する集積回路チップ用冷却装
置を提供することも含まれる。
【０００９】本発明の目的には、水を基本とする冷却液
を使用する集積回路チップ用冷却装置を提供することも
含まれ、この冷却液はチップを腐食及び他の問題から保
護するためにチップそのものには触れることがない。
【００１０】更に本発明の目的には、傾けられたり、曲
げられたり、或いはチップ間で異なる高さを有する集積
回路チップのための冷却装置を提供することも含まれ、
これはチップとチップ基板との接続にストレスを与えな
い方法による。
【００１１】本発明の目的には、各チップの配置場所に
均等な冷却効果を提供する複数チップの冷却装置を提供
することも含まれる。
【００１２】本発明の目的には、チップと冷却液との間
の高い熱伝導率経路を提供する集積回路チップ用冷却装
置を提供することも含まれる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述の目的及び当業者に
より理解される他の目的が、本発明により達成される。
本発明は集積回路チップを冷却するための装置を提供
し、この装置はチップの上面と接触するための変形可能
で、液体不浸透性である熱伝導膜と、膜上で耐水エンク
ロージャを形成するハウジングとを含む。ハウジング内
には冷却液のためのインレットが提供され、これは好適
には最大の熱伝達効率を考慮し、水を基本とする冷却液
である。少なくとも１個のピストンがハウジング内に配
置され、チップ上の１箇所において膜と接触する下面を
有する。ピストンは下面上に、膜に沿って冷却液を導く
ための少なくとも１チャネルを有する。ハウジング内に
は使用済みの冷却液を取り除くためのアウトレットが提
供される。
【００１４】別の観点において、本発明は基板上に搭載
される複数の集積回路チップを冷却するための装置を提
供し、この基板はチップ面に接触するための可撓性の金
属箔と耐水エンクロージャを形成する箔上のハウジング
により構成される。インレット及びアウトレットが、冷
却液のために再度ハウジング内に提供される。複数のピ
ストンがハウジング内に配置され、各ピストンはチップ
の１つに対応する位置において箔に接触する下面を有
し、インレットから下面及び下面上の複数のチャネルへ
通じる単数或いは複数の流路を含む。これらの流路を通
じて冷却液は箔に沿って流れる。各ピストンには独立の
サスペンションが提供され、好適にはスプリングであ
る。これはピストンの下面を箔に対し押し当て、チップ
面に対し箔を密着させ、冷却液による続く熱除去の間に
熱がチップから箔に伝導するようにする。
【００１５】更に別の観点において、本発明はチップ搭
載面を有する基板、及びこの基板上の少なくとも１個の
集積回路チップにより構成される熱伝導モジュールを提
供する。変形可能で、液体不浸透性である熱伝導膜がチ
ップの上面に広がる。好適には、使用される膜は、その
厚みが約０．５ｍｍ（０．０２０インチ）以下の金属箔
である。ピストンは箔をチップ上面に押し当て、これら
の面を均一化する下面を有し、この下面は少なくとも１
本の開放チャネルを含み、このチャネルが冷却液の通過
及び膜との接触を可能とし、冷却液とチップとの直接的
な接触を伴わずに、チップから熱を伝達させる。
【００１６】好適にはピストンは円筒上であり、ピスト
ンを通じ冷却液を流すための縦軸に沿って広がる中央流
路と、冷却液をピストンの下方へ導くための中央流路か
ら下面に沿って外側へ放射状に広がる複数のチャネルを
有する。構造上、本発明によれば、ピストンは全てモー
ルド化プラスティックなどの比較的低精度の機械的公差
を有する非伝導材料により構成可能である。本発明は特
に、その上面が基板の平面から傾けて取り付けられるチ
ップに対し、膜を均一化するために適応される。
【００１７】
【実施例】本発明の実施例を図１−図６に示す。図にお
いて同一番号は本発明の同一機構を表すが、これら機構
は必ずしも同じ縮尺で描かれてはいない。
【００１８】図１は本発明の第１の実施例を示し、単一
ユニットの熱伝導モジュール５からなり、これは単一の
集積回路チップ或いは素子１０を含み、典型的にはセラ
ミック基板１４上の６．５ｍｍ平方に実装される。半導
体チップ１０は平らな上面を有し、プレーナ基板１４の
上部に、はんだなどの複数の接続手段１２により接続さ
れる。基板へのこの種のチップ接続は一般に"フリップ
・チップ"パッケージングと称される。基板１４の下面
は複数のピン・コネクタ１６を含み、これが回路基板
（図示せず）にプラグ入力される。基板１４は単一層或
いは多層基板である。基板内の配線はチップに電力を供
給し、チップから別のチップへのまたチップとピンとの
間の信号の接続を形成する。
【００１９】チップ１０の電力使用のため、通常チップ
を目的の動作温度範囲に維持するために、除去しなけれ
ばならない実質的に過度の熱が生成される。チップ・コ
ネクタ１２は断面領域に限定され、従ってチップからほ
とんど熱を伝導しない。チップ１０から効果的に熱を伝
導させるために、図１に示す熱伝導モジュールは、チッ
プの上面に広がりこれと接触する変形可能で、液体不浸
透性である熱伝導膜或いは箔４０を含む。膜４０は好適
には、銅、錫、インジウムなど、及びこれらの合金など
の金属により形成される可撓性の箔である。箔或いは膜
は単一層構造或いは多層構造を取る。箔の厚みは様々で
あるが、好適には０．５ｍｍ（０．０２０インチ）以下
であり、０．２５ｍｍ（０．０１０インチ）よりも厚く
なく、０．０５ｍｍ（０．００２インチ）よりも薄くな
いことが望ましい。箔はその片側或いは両側に耐腐食性
のコート層が設けられ、例えばチタン／ニッケル塗布箔
或いは金または他の貴金属が使用され、汚れ或いは他の
腐食による影響を阻止する。膜４０は締め具１８により
モジュール・キャップ或いはハウジング５０（"ハット"
とも称される）の下側に固定され、装置の内部構造を通
じ通過する冷却液に対する耐液性エンクロージャを提供
する。これについては後に詳しく説明する。
【００２０】膜４０をチップ上に密着させ、最大の熱伝
導度を得るためにチップの上面と均一化するために、ピ
ストン２０が提供され、これがハウジング内の室５６内
をスライドするように配置される。ピストン２０はその
下端部が開放の底部に及ぶように室５６内に独立に吊る
される。圧縮スプリング３２は内部のピストンの肩の部
分２６を支持し、ピストンを膜４０の上面に対し下方に
押しつけ、膜４０とチップ１０とを密着させる。ピスト
ン２０の壁とピストン室５６との間には多少の空間が設
けられ、ピストンが軽く移動できるようにし、従ってピ
ストンの平らな下面２４は、傾斜したり曲げられたチッ
プ１０に対し真正面から接し、適応できる。
【００２１】ピストン２０は目的の構成であればよく、
一般的な円形シリンダの形状が最も適切である。しか
し、ピストンは円形以外の断面（縦軸に垂直な断面で表
される）を有することも可能であり、例えば正方形、長
方形或いは楕円であったりする。ピストンは下に置かれ
るチップとほぼ同じ幅であることが望ましいが、ピスト
ンの幅をチップ幅よりも大きくすることも小さくするこ
とも可能である。
【００２２】膜４０の実際の冷却は、膜上のモジュール
・キャップ５０を通じて循環する水或いは水を基本とす
る他の冷却液による還流により提供される。冷却液はイ
ンレット３４及びインレット・チャネル３５を通じて矢
印方向に流れ、ピストン室に流入する。図３及び図４で
更に詳細に説明されるように、ピストン２０は開口部２
５を有し、これは中央の通路或いは孔２８につながり、
更にピストン本体を通じてピストンの縦軸と同軸上に広
がる。冷却液はピストン孔２８を通じて下方に流れ、チ
ップ１０上の膜４０に突き当たる。孔２８の下端は、ピ
ストン２０の下面或いは表面２４内に一体に成形或いは
モールドされる複数の浅いチャネル３０に通じる。チャ
ネル３０はピストンの下端に対して開放されており、冷
却液の流れを孔２８から外側に対称的且つ放射状に、膜
４０の上面に沿って導く流路を提供する。図３及び図４
で示されるように、これらのチャネルは高さ寸法"ａ"及
び幅寸法"ｃ"を有し、各チャネルは断面領域としてａ
ｘ ｃを有する。これらのチャネルは他の寸法を取るこ
とも可能であり、例えば図５及び図６に示すようにより
深くまた／或いは狭いことも可能である。これらの図で
はチャネル３０は高さ"ｂ"がより大きく、幅"ｄ"がより
狭い。好適には各チャネルの高さは、約０．０２５ｍｍ
以上、０．１３０ｍｍ以下（０．００１インチ以上、
０．００５インチ以下）の間の値を取り、幅は約１ｍｍ
以上、２ｍｍ以下（０．０４０インチ以上０．０８０イ
ンチ以下）の間の値を取る。当業者は特定の冷却装置の
要求に適合するように、容易にピストン・チャネル３０
の高さ及び幅を最適化できるであろう。
【００２３】ピストン２０がチップ１０の上面に対し、
膜４０をしっかりと保持及び安定させるように、ピスト
ンの下面２４が十分な領域を有することが重要である。
この点で、ピストン周囲に沿うピストンの下面２４の各
セグメントの幅は、隣接するチャネル３０の幅とほぼ同
じか大きい寸法を取る。ピストン面のセグメントは実質
的に、Chrysler等による米国特許第４９２８２０７号の
スペーサ２２において示される狭い翼よりも広い（隣接
するチャネルと比較して）ことが望ましい。
【００２４】ピストンの下面上に設けられるチャネル数
は、チップ１０から膜４０を通じて除去される熱量に応
じて変更可能である。しかしながら、図４及び図６で示
される放射上パターンにおける複数のチャネルは、最適
な熱伝達を考慮して使用されるべきである。冷却液がチ
ャネル３０を通じ、ピストン２０と膜４０の上面との間
を流れるとき、対流的熱伝達により、チップ１０から膜
４０を通じて伝導される熱が除去される。冷却水の潜在
的な腐食性及びチップ１０の回路短絡といった問題によ
り、膜４０及びモジュール・キャップ５０によるエンク
ロージャは、チップ及びその基板に直接触れる領域に冷
却液が漏れることがないよう、耐水性であることが必要
である。膜の下において、基板及びチップはヘリウム或
いは窒素などの不活性ガスで覆われるか、或いは鉱油な
どの誘電液により覆われる。オイルが使用される場合
は、アネロイド補正器が必要となる。
【００２５】チャネル３０を通じて、冷却液はピストン
２０のベース周辺から外側へ通過し、室３６へ流れ込
み、ここでアウトレット・チャネル３７を通じて、ピス
トン・エンクロージャとキャップとの間を上方に進み、
その後、矢印で示されるように、冷却液アウトレット３
８を介してモジュールから排出される。
【００２６】多くの従来設計とは異なり、本発明で使用
されるピストンは熱伝達経路の一部を直接的には形成し
ない。すなわち、チップから除去される熱は、実質的に
ピストンを通じては伝導されない。その代わり、ピスト
ンは次の機能を有する。すなわち、（１）膜をチップの
上面に密着させ、チップから膜への最大の熱伝導性を得
る、（２）膜上における冷却液の通路のための所定の経
路を提供し、各チップ上に間接的に押し当てることによ
り、膜から冷却液への最大対流熱伝導を得る。上記結
果、ピストンが熱伝導経路の一部を提供する従来の装置
とは異なり、本発明のピストンは熱伝導性の材料により
形成される必要はなく、また高精度の機械的公差により
形成される必要もない。本発明で使用されるピストン
は、完全な非導電材料により形成可能であり、例えばプ
ラスチックのように、注入成形タイプ或いはこれらのア
プリケーションに典型的な比較的低精度の公差により実
現できる。
【００２７】本発明の第２の実施例を図２に示す。ここ
では複数単位の熱伝導モジュール６０が複数のピストン
（図では２個）を収容し、各ピストンは別々のチップ１
０と関連してそれらの頭上に配置され、チップからは膜
４０だけで隔てられている。モジュール内には１００個
或いはそれ以上の集積回路チップが搭載される可能性が
あり、これらのチップ間には傾斜されたり、曲げられた
り或いは高さの異なるものが存在するため、単一の膜４
０が各チップの上面に密着するように、各ピストン２０
は独立に圧縮スプリング３２によりハウジング５０内の
ピストン室５６内に吊るされる。チップの横には箔ステ
ップ４２が提供され、これらは正方形ステップであった
り、各チップに近隣する他の突起であったりし、箔の大
部分を基板面上に押し上げる役割をする。マニホルド５
４はガスケット５２によりハウジング上で密閉され、膜
４０に対し冷却液に対する耐液性のエンクロージャを提
供する。
【００２８】図２の実施例では、冷却液はマニホルド５
４内のインレット流路３４に入り、インレット・チャネ
ル３５を通じて各ピストン２０に分散される。各々のピ
ストンの中央孔２８を通過後、冷却液はピストン・チャ
ネル３０からピストンのベース近傍の室３６へ入り、そ
の後アウトレット３８（図示せず）を介してモジュール
から排出される。
【００２９】複数のチップを含む熱伝導モジュールで
は、大きさ及び電力消費が種々のチップ間で異なる。こ
のような場合、各ピストンの冷却特性を個々のチップ・
ロケーションで均等化するように、冷却が同一モジュー
ル内で調整される。これは例えば、ピストン材料の選
択、ピストン及びその中央孔の直径、ピストンの下面上
のチャネルのサイズ及び構成、及び他のパラメータを適
切に変更することにより、個々のチップに要求される冷
却度合いを適合させる。
【００３０】図７は図１で表されたものと同様の６．５
ｍｍｘ６．５ｍｍの単一チップの熱伝導モジュールのテ
スト結果を表す。この結果は熱性能、すなわちチップ
と、流量率が約０．０８７から０．２４６ ｌ／ｍｉｎ
（０．０２３から０．０６５ｇａｌ．／ｍｉｎ）の冷却
水との間の６０℃の温度差を介する、約１３５から１８
０Ｗ／ｃｍ２の熱抽出を表す。１００個のチップ・モジ
ュールに対し、冷却液の流量率が８．７から２４．６
ｌ／ｍｉｎ（２．３から６．５ ｇａｌ．／ｍｉｎ）の
間で、一様の電力密度が容易に調節できる。この電力密
度は現在典型的なモジュールで放出される電力密度であ
る７１Ｗ／ｃｍ２を遥かに越えているが、新たなＶＬＳ
Ｉ技術では近づく可能性がある。
【００３１】以上述べたように、本発明は容易に製造す
ることができる集積回路チップのための冷却装置を提供
し、この装置は高い熱容量を有する水を基本とする冷却
液を使用し、これはチップを腐食から保護する。更に、
本発明は傾斜されたり、曲げられたり、或いは種々の高
さを有するチップに対しても、チップとチップ基板との
接続にストレスを加えること無く、各チップに対し均等
な冷却効果を提供する装置を提供する。
【００３２】本発明は特定の実施例を参照して述べてき
たが、当業者には本発明の精神及び範中を逸脱すること
無く様々な変更が可能であり、また本発明がその精神及
び範中から逸脱しない全ての変更及び修正をカバーする
ことが理解されよう。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
集積回路チップのための高性能冷却装置を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例による単一の集積回路チップの
ための熱伝導モジュールの部分図である。
【図２】複数の集積回路チップを含む基板に使用される
本発明の別の実施例の部分図である。
【図３】本発明で使用されるピストンの縦軸に沿う部分
図である。
【図４】図３で表されるピストンの底面のライン４−４
に沿う下面図である。
【図５】本発明で使用される別のタイプのピストンの縦
軸に沿う部分図である。
【図６】図５で表されるピストンの底面のライン６−６
に沿う下面図である。
【図７】本発明の実施例による冷却能力を表す単一チッ
プ当たりの冷却水の流量率関数を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジヨン・アコセラ アメリカ合衆国ニユーヨーク州、ホープウ エル・ジヤンクシヨン、アルパイン・ドラ イブ ５番地 (72)発明者 アルバート・ジヨセフ・フアフエイ アメリカ合衆国ニユーヨーク州、プレザン ト・ヴアレイ、ヴイレツジ・パーク・アパ ートメント 12−202番地 (72)発明者 ガエタノ・パオロ・メシナ アメリカ合衆国ニユーヨーク州、ホープウ エル・ジヤンクシヨン、ルート82 929番 地 (72)発明者 シヤオ・ソン アメリカ合衆国ニユーヨーク州、ハイラン ド、ソルク・ドライブ ４番地

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】チップ搭載面を有する基板と、 該基板上の少なくとも１個の集積回路チップと、 前記チップの上面上に広がる変形可能であり、液体不浸
    透性である熱伝導膜と、 その下面が前記膜を前記チップの上面に対し押し当てる
    ピストンとを含み、該ピストンの下面は冷却液の流路と
    なる少なくとも１本の開放チャネルを含み、前記冷却液
    は前記膜に接触し、前記冷却液と前記チップとの直接的
    な接触を要せずに前記チップから熱を伝導することを特
    徴とする熱伝導モジュール。
  2. 【請求項２】前記膜は金属箔であることを特徴とする請
    求項１記載の熱伝導モジュール。
  3. 【請求項３】前記ピストンの下面は複数の前記チャネル
    を含むことを特徴とする請求項１記載の熱伝導モジュー
    ル。
  4. 【請求項４】前記ピストンは該ピストン本体を貫通する
    少なくとも１本の孔を有し、該孔は前記冷却液の前記ピ
    ストンの下面上の前記チャネルへの流路を形成すること
    を特徴とする請求項１記載の熱伝導モジュール。
  5. 【請求項５】前記ピストンは該ピストン本体を貫通し前
    記下面に通じる中央孔を含み、前記冷却液は前記孔を通
    過して前記膜に突き当たり、前記ピストンの下面は前記
    中央孔から外側に放射上に広がる複数の前記チャネルを
    含むことを特徴とする請求項１記載の熱伝導モジュー
    ル。
  6. 【請求項６】プレーナ基板面上に搭載される複数のチッ
    プをカバーする単一の膜と、 各前記チップに対応して独立に吊るされるピストンとを
    含み、前記膜及び前記ピストンは、前記膜がその上面が
    基板平面から傾斜されるチップに密着するように適応さ
    れることを特徴とする請求項１記載の熱伝導モジュー
    ル。
  7. 【請求項７】基板面上において異なるサイズ或いは電力
    消費を有する複数のチップと、 複数のピストンとを含み、各ピストンは個々のチップ・
    ロケーションにおける冷却要求に適合するように、前記
    チップの各々に対応する冷却特性を有することを特徴と
    する請求項１記載の熱伝導モジュール。
  8. 【請求項８】基板上に搭載される少なくとも１個の集積
    回路チップを冷却するための装置において、 前記チップ表面に接触するための可撓性の金属箔と、 耐水エンクロージャを形成する前記箔上のハウジング
    と、 該ハウジング内に設けられている冷却液用のインレット
    と、 前記ハウジング内に配置される少なくとも１個のピスト
    ンとを含み、前記少なくとも１個のピストンは前記箔に
    前記少なくとも１個のチップに対応する位置において接
    触する下面を有し、前記ピストンは前記インレットから
    前記下面及び該下面上の複数のチャネルに通じる流路を
    含み、前記冷却液は前記箔に沿って流れ、 前記ハウジング内に設けられている、ピストン・チャネ
    ルからの使用済みの冷却液用のアウトレットと、 少なくとも１個のピストンに関連し、前記ピストンの下
    面を前記箔に押し当て、該箔と前記少なくとも１個のチ
    ップ面を均一化し、該チップから前記箔への熱の伝導を
    促し、前記冷却液により熱が除去されるようにする独立
    のサスペンション機構とを含むことを特徴とする装置。
  9. 【請求項９】少なくとも１個の集積回路チップを冷却す
    るための装置において、 前記チップの上面に接触する変形可能であり、液体不浸
    透性である熱伝導膜と、 耐水エンクロージャを形成する前記膜上のハウジング
    と、 該ハウジング内に設けられている冷却液用のインレット
    と、 前記ハウジング内に配置される少なくとも１個のピスト
    ンとを含み、前記ピストンは前記膜に前記チップ上の位
    置において接触する下面を有し、前記ピストンは前記冷
    却液を前記膜に沿って導くための前記下面上の少なくと
    も１本のチャネルを有し、 前記ハウジング内に設けられている使用済みの冷却液用
    のアウトレットとを含むことを特徴とする装置。
  10. 【請求項１０】前記ピストンの下面を前記膜に押し当
    て、該膜と前記チップ面を均一化し、ピストン下におい
    て前記チップから前記膜への熱の伝導を促し、前記冷却
    液により熱が除去されるようにする前記ピストンのため
    の独立のサスペンション機構を含むことを特徴とする請
    求項９記載の装置。
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