JPH0510877A - ガス検知装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 検知雰囲気通過後のレーザ光を位相敏感検波
して得られる１次および２次の位相敏感検波信号に基づ
いて検知雰囲気の濃度を求めるガス検知装置における２
次の位相敏感検波信号のオフセット分に起因する濃度測
定誤差をなくすこと。 【構成】 温度に応じて波長が変化するレーザ光を発生
する半導体レーザ素子１がファンクションシンセサイザ
１００により発生される正弦波電圧Ａｓｉｎωｔ、Ｂｓ
ｉｎ（２ωｔ＋φ）を電流変換し、混合したものにより
変調されることで半導体レーザ素子１の出力特性におけ
る湾曲に起因する２次の位相敏感検波信号のオフセット
分を相殺する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ素子を用い
たガス検知装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】特定波長のレーザ光がある種の気体に吸
収されやすいことを利用してガスの有無を検出できるこ
とが知られており、この原理を応用したセンシング技術
が工業計測、公害監視などに広く用いられている。一例
として、Ｈｅ−Ｎｅレーザにより発生されるレーザ光の
３．３９２２μｍの発振線はメタンに強く吸収されるこ
とを利用してメタンの有無を感度よく検出することが可
能である。メタンは都市ガスの主成分であるのでメタン
ガスの検出によって都市ガスの漏洩が検知できる。しか
し、半導体レーザを用いてガス検知を行う場合にはレー
ザ素子が温度により発振波長を大きく変えるので、レー
ザ光の発振波長をガスの吸収線の中心波長に合わせて安
定化する必要がある。

【０００３】ところでガスの定量分析などに用いられる
ガス検知装置の一例として図５に示すような装置が考え
られている。このガス検知装置は、主に温度に応じて波
長が変化する半導体レーザ素子１と、半導体レーザ素子
１のレーザ光を変調する変調系２と、半導体レーザ素子
１の温度が一定になるように制御する制御系３と、ガス
の濃度を検知する検知系４とで構成されている。

【０００４】変調系２は、定電流源５と、任意の関数信
号を発生するファンクションシンセサイザ６と、コンデ
ンサ７と、抵抗器８、９と、コイル１０とからなり、制
御系３は、セル１１と、フォトダイオード１２と、電流
電圧変換器１３と、位相敏感検波器１４と、引き算器１
５と、オフセット電圧発生器１６と、ＰＩＤ（Ｐｒｏｐ
ｏｒｔｉｏｎａｌ，Ｉｎｔｅｇｒａｌ ａｎｄ Ｄｉｆ
ｆｅｒｅｎｔｉａｌ比例、積分および微分）コントロー
ラ１７と、ペルチェ素子１８とからなり、検知系４は、
セル１９と、フォトダイオード２０と、電流電圧変換器
２１と、位相敏感検波器２２、２３と、除算器２４とか
らなる。

【０００５】半導体レーザ素子１は、定電流源５から供
給される一定の直流電流で励起され、ファンクションシ
ンセサイザ６で発生される正弦波電圧Ｖ₁（Ａｓｉｎω
ｔで表わされる。ここでＡは振幅、ωは角周波数、ｔは
時間である）により抵抗８を介して変換された正弦波電
流Ｉ₁ によって変調される。

【０００６】制御系３では、この交流電流Ｉ₁ で変調さ
れた半導体レーザ素子１から後方（図の左方向）に発生
されるレーザ光Ｌ₂ が、参照用ガスが封入されたセル１
１を通過し、このセル１１を通過したレーザ光がフォト
ダイオード１２で受光され、この出力電流が、電流電圧
変換器１３によって図２の信号（ａ）に示すような電圧
に変換される。この信号（ａ）が位相敏感検波器１４に
入力されると、図２の（ｂ）に示す１次の位相敏感検波
信号が出力される。

【０００７】図２は位相敏感検波器の出力特性の一例を
表わす。横軸は半導体レーザ素子の温度（波長に比例す
る）、縦軸は電流電圧変換器および位相敏感検波器の出
力電圧である。図２（ａ）に現れるへこみは吸収線を表
し、図２（ｂ）は吸収線の１次微分信号に対応する。こ
こで図２（ｂ）には、オフセット電圧ｄが生じているこ
とに注目する。このオフセット電圧は半導体レーザ素子
の入力電流を増加するとき単に波長が変化するほかに出
力が増加することに起因する。図３は半導体レーザ素子
の入力電流と発振出力との関係を表わし、横軸が入力電
流、縦軸が発振出力である。

【０００８】位相敏感検波器１４から１次の位相敏感検
波信号（ｆ信号）が引き算器１５の反転入力端子に入力
される。引き算器１５の非反転入力端子にはオフセット
電圧発生器１６によりｄに対応する電圧が印加される。

【０００９】位相敏感検波器１４の出力信号からオフセ
ット分を取り除いた信号が、引き算器１５から誤差信号
としてＰＩＤコントローラ１７に送出され、このＰＩＤ
コントローラ１７の出力電圧または電流によってペルチ
ェ素子１８の両面の表面温度がそれぞれ所定の温度に調
整される。近赤外半導体レーザ素子１は、半導体レーザ
素子１自体の温度が高くなるとレーザ光の波長が長くな
り、レーザ素子自体の温度が低くなると波長が短くなる
特性を有しているので、この半導体レーザ素子１に取り
付けられたペルチェ素子１８の温度を制御することによ
ってレーザ光の波長が制御される。なおＰＩＤコントロ
ーラ１７は、入力信号を比例、積分および微分したもの
を所定の割合で加え合わせて、制御対象としてのペルチ
ェ素子１８の温度を制御するのに必要な電圧または電流
を出力する。ペルチェ素子１８の温度が制御されること
で半導体レーザ素子１の発振波長が安定化される。

【００１０】一方、検知系４は、半導体レーザ素子１の
前方（図では右方向）に出力するレーザ光Ｌ₁ を検知雰
囲気としてのガスが封入されたセル１９を通過し、この
セル１９を通過したレーザ光がフォトダイオード２０で
受光され、フォトダイオード２０の出力電流が、電流電
圧変換器２１によって図２の信号（ａ）に示すような電
圧に変換される。電圧に変換された信号は位相敏感検波
器２２、２３にそれぞれ入力され、位相敏感検波器２２
からは図２の信号（ｂ）に示すような１次の位相敏感検
波信号（ｆ信号）が、また位相敏感検波器２３からは図
２の信号（ｃ）に示すような２次の位相敏感検波信号
（２ｆ信号）が出力され、これらの信号が除算器２４に
入力される。除算器２４ではガスの濃度とセル１９の通
過光量とに比例する２ｆ信号を、光量のみに比例するｆ
信号で除算することによりガスの濃度が求められ端子２
５に出力される。

【００１１】一般に、位相敏感検波器は、検知すべき信
号の中から特定の周波数且つ特定の位相をもつ成分だけ
を抽出し、復調する。図２の信号（ｃ）は２次の位相敏
感検波信号（２ｆ）信号であり、信号（ａ）を周波数に
関して２階微分したものに相当する。メタンの吸収線の
中心に安定化されたレ−ザ光をフォトダイオード２０で
受光した場合、温度、圧力等他の条件が変化しなければ
２ｆ信号はメタン濃度に比例するため、この２ｆ信号は
ガスの濃度の測定に用いられる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら図３に示
すように、実際には半導体レーザ素子の発振出力は入力
電流に対し破線で示すような直線的に増加せず、実線で
示すように湾曲的に増加する。この湾曲は図２（ｃ）で
示されるように、位相敏感検波器の２次の位相敏感検波
信号のオフセット分ｅとなって表われる。検知雰囲気の
濃度は位相敏感検波器の２次微分信号を１次微分信号に
基づいて求めるのでオフセット分ｅが残っているとと検
知した濃度に誤差が生じてしまう。

【００１３】本発明は、上記の点にかんがみてなされた
ものであり、その目的は、検知雰囲気通過後のレーザ光
を位相敏感検波して得られる１次および２次の位相敏感
検波信号に基づいて検知雰囲気の濃度を求めるガス検知
装置における２次の位相敏感検波信号のオフセット分を
除去し濃度測定誤差をなくすことにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】前記目的は、本発明によ
ると、一定電流に重畳された第１の交流成分を有する電
流で変調され、温度に応じて波長が変化するレーザ光を
発振するレーザと、検知雰囲気通過後のレーザ光を電圧
に変換する電流電圧変換器と、電流電圧変換器の出力電
圧を位相敏感検波する２つの位相敏感検波器と、一方の
位相敏感検波器から得られる１次の位相敏感検波信号と
他方の位相敏感検波器から得られる２次の位相敏感検波
信号とに基づいて検知雰囲気の濃度を検知するガス検知
装置であって、第１の交流成分の２倍の周波数で変化す
る第２の交流成分を発生する交流電流発生手段と、第２
の交流成分を前記第１の交流成分に重畳することによっ
てレーザの出力特性における湾曲部に起因する前記２次
の位相敏感検波信号のオフセット分を相殺するオフセッ
ト相殺手段とを備えたガス検知装置によって達成され
る。

【００１５】

【作用】本発明のガス検知装置は、温度に応じて波長が
変化するレーザ光を発振するレーザが第１の交流成分で
変調されて、この第１の交流成分に第１の交流成分の２
倍の周波数で変化する第２の交流成分を重畳して、レー
ザの出力特性における湾曲部に起因する２次の位相敏感
検波信号のオフセット分を相殺する。

【００１６】

【実施例】以下本発明を図面を参照して説明する。

【００１７】図１は本発明のガス検知装置の概略構成を
示しており、図５と同じ構成の部分には同一の符号を用
いて示した。

【００１８】ガス検知装置は、温度に応じて変化する波
長のレーザ光を発生する半導体レーザ素子１と、半導体
レーザ素子１を変調する変調系２と、半導体レーザ素子
１の温度が一定になるように温度を制御する制御系３
と、ガスの濃度を検知する検知系４とで構成されてい
る。

【００１９】半導体レーザ素子１は、前述のように前後
両方向にレーザ光Ｌ₁ 、Ｌ₂ を出射し、前方出力光Ｌ₁
（図の右方向）はセル１９を通過させ、後方出力光Ｌ₂
はセル１１を通過させる。半導体レーザ素子１により出
射されるレーザ光Ｌ₁ 、Ｌ₂の波長は温度が高くなると
長くなり、温度が低くなると短くなる。

【００２０】図３は半導体レーザ素子１の出力特性を示
しており、横軸は入力電流（ｍＡ）、縦軸は発振出力
（ｍＷ）である。半導体レーザ素子１は、図３に示すよ
うに入力電流値がある値を超えるとレーザ光を発生し、
電流値の増加に伴いレーザ光の出力も増加する。前述し
たように発振出力は理想的には破線で示すように直線的
に増加するのが望ましいが、実際には実線で示すように
湾曲して増加する。この湾曲が後述する２次の位相敏感
検波信号のオフセット分ｅに対応する。

【００２１】再び図１にもどると、変調系２は、定電流
源５と、ファンクションシンセサイザ１００と、コンデ
ンサ７と、コイル１０と、抵抗器８、９、１０１、１０
２とで構成されている。

【００２２】定電流源５は、半導体レーザ素子１に一定
の電流を抵抗器９とコイル１０とを介して供給し、半導
体レーザ素子１を発振させる。

【００２３】ファンクションシンセサイザ１００は、正
弦波Ａｓｉｎωｔ（振幅がＡ、角周波数がω）で表わさ
れる交流電圧Ｖ₁ と、正弦波Ｂｓｉｎ（２ωｔ＋φ）
（振幅がＢ、角周波数が２ω、位相がφ）で表わされる
交流電圧Ｖ₂ とを発生する。これらの交流電圧Ｖ₁ と交
流電圧Ｖ₂ とは抵抗器１０１、１０２を介してＩ₁ 、Ｉ
₂ となり、Ｉ₁ ＋Ｉ₂ の電流として混合され、コンデン
サ７および抵抗器８を介して半導体レーザ素子１に印加
されるのでレーザ光が変調される。なお、ファンクショ
ンシンセサイザ１００により発生される交流電圧Ｖ₂ を
表わす正弦波Ｂｓｉｎ（２ωｔ＋φ）の振幅Ｂと位相φ
とは後述する２次の位相敏感検波信号のオフセット分ｅ
を相殺するように調整されている。

【００２４】制御系３は、セル１１と、電流電圧変換器
１３と、位相敏感検波器１４と、引き算器１５と、オフ
セット電圧発生器１６と、ＰＩＤコントローラ１７と、
ペルチェ素子１８とからなっている。セル１１には参照
用のガス（たとえば５％のメタンガス）が封入されてお
り、後方に出力するレーザ光Ｌ₂ がこのセル１１を通過
する。セル１１を通過したレーザ光はフォトダイオード
１２により受光され、電流に変換されて電流電圧変換器
１３に入力する。抵抗器１０３とオペアンプ１０４とで
構成される電流電圧変換器１３によりフォトダイオード
１２の出力電流が電圧に変換されて、位相敏感検波器１
４に出力される。

【００２５】位相敏感検波器１４は、前述のように測定
すべき信号の中から特定の周波数を特定の位相をもつ成
分だけを抽出し、復調し出力する。これにより、極めて
高いＳ／Ｎ比で微小信号の検出を行うことができる。位
相敏感検波器１４は、図２に示すような入力信号（ａ）
を入力すると信号（ｂ）（１次の位相敏感検波信号ｆ）
または信号（ｃ）（２次の位相敏感検波信号２ｆ）を出
力する。

【００２６】一般に、特定の周波数で変調されたレーザ
光が、特定の波長の光を吸収するガスを通過し、センサ
で受光されると、このセンサの出力信号は直流成分のほ
かに変調周波数と同じ周波数をもつ基本波成分およびそ
の高調波成分から成る。そのうち、基本波成分、２倍波
成分を位相敏感検波器で位相敏感検波すると、後述する
ようなそれぞれ波長に関する１次微分、２次微分に対応
する信号を得ることができる。本発明では２次微分信号
を用いて、特定の吸収波長を有するガスの検知およびガ
スの濃度測定を行うものである。

【００２７】一般に、半導体レーザの発振角周波数Ωは
温度と駆動電流との関数であるが、温度を一定として駆
動電流を角周波数ω（２πｆ、ｆは周波数）で変調する
と、Ωは数１にしたがって角周波数ωで変調される。

【００２８】

【数１】Ω＝Ω₀ ＋ΔΩｃｏｓωｔ ここで、Ω₀ は半導体レーザの中心発振角周波数、ΔΩ
は発振角周波数変調振幅を、ωは変調角周波数である。

【００２９】発振角周波数変調振幅ΔΩは小さいので数
２で表わされるレーザ光の透過率ＴをΩ＝Ω₀ において
テーラ展開し、ΔΩの２次の項まで計算すると数４とな
る。

【００３０】

【数２】Ｔ＝ｅｘｐ（−αｃＬ） ここでｃはメタンの濃度（分圧）、Ｌは光路長、Ｔはレ
ーザ光の透過率（フォトダイオード２２の電流に比例す
る）、αはメタンの吸収係数である。特に、αは大気圧
中では、一つの吸収線に着目すると次の数３に示すよう
なローレンツ型の周波数依存特性を有する。

【００３１】

【数３】α＝γ² α₀ ／［（Ω−ω_m ）² ＋γ² ］ ここでω_m は吸収線の中心周波数、α₀ 、γは定数であ
る。

【００３２】

【数４】 Ｔ＝Ｔ₀ ＋（ΔΩ）² Ｔ₀ ″／４＋ΔΩＴ₀ ′ｃｏｓωｔ ＋［（ΔΩ）² Ｔ₀ ″ｃｏｓ２ωｔ］／４＋… となり、直流成分のほか、ｃｏｓωｔとｃｏｓ２ωｔと
にしたがって変化する成分をもつ。ここで、Ｔ₀ 、Ｔ
₀ ′、Ｔ₀ ″はΩ＝Ω₀ におけるそれぞれ透過率Ｔ、そ
の１次微分ｄＴ／ｄΩ、および２次微分ｄ² Ｔ／ｄΩ²
の値であり、以下、数５、数６および数７のように与え
られる。

【００３３】

【数５】 Ｔ₀ ＝１−γ² α₀ ｃＬ／［（Ω₀ −ω_m ）² ＋γ² ］

【００３４】

【数６】 Ｔ₀ ′＝２（Ω₀ −ω_m ）γ² α₀ ｃＬ／［（Ω₀ −ω_m ）² ＋γ² ］²

【００３５】

【数７】 Ｔ₀ ″＝ −２[ ３ (Ω₀ −ω_m)² −γ²]γ² α₀ ｃＬ／[(Ω₀ −ω_m)² ＋γ²]³ このように数４で表わされる透過率Ｔのうちｃｏｓω
ｔ、ｃｏｓ２ωｔ成分を位相敏感検波すれば、それぞれ
Ｔ₀ ′、Ｔ₀ ″に比例した信号が得られる。すなわちＴ
₀ ′は図２の信号（ｂ）すなわちｆ信号に対応し、Ｔ
₀ ″は信号（ｃ）すなわち２ｆ信号に対応する。位相敏
感検波器１４は、１次の位相敏感検波信号ｆを引き算器
１５の反転入力端子に入力する。

【００３６】抵抗器１０５、１０６とオペアンプ１０７
とからなる引き算器１５の非反転入力端子には電源電圧
でプルアップされた可変抵抗器１６の摺動子の電圧Ｖｏ
ｓが入力されており、この電圧Ｖｏｓはオフセット分ｄ
に対応している。引き算器１５は１次の位相敏感検波信
号から１次のオフセット分ｄを差し引いた信号をＰＩＤ
コントローラ１７に出力する。

【００３７】ＰＩＤコントローラ１７は、位相敏感検波
器１４の出力に基づいて、半導体レーザ素子１の発振波
長が所定の波長より短くなったときはペルチェ素子１８
の温度を上げるような電圧を出力し、所定の波長より長
くなったときはペルチェ素子１８の温度を下げるような
電圧を出力するので、半導体レーザ素子１の発振波長が
安定化される。

【００３８】一般に、ペルチェ素子はペルチェ効果を利
用した素子で、２種類の金属または半導体を接合して電
流を流すと、ジュール熱が発生する以外に、その接合部
で熱を発生するか、または熱の吸収が起こる。なお、こ
の現象は電流を流す方向を逆にすると発熱と吸熱とが逆
になる。

【００３９】図４はペルチェ効果を説明するための説明
図である。

【００４０】図のようにＰ型半導体とＮ型半導体とを導
体ａで接続し、Ｐ型半導体の電極ｂとＮ型半導体の電極
ｃとの間に電池Ｅを接続すると、電極ａが発熱するとと
もに電極ｂおよびｃが吸熱する。このような素子を複数
組み合わせることによって発熱量や吸熱量を増加させる
ことができる。ペルチェ素子１８の印加電圧を変化させ
たり、極性を反転させることにより、ペルチェ素子１８
に取り付けられた半導体レーザ素子１の温度を変化さ
せ、レーザ光の波長を変化させることができる。検知系
４は、セル１９と、フォトダイオード２０と、電流電圧
変換器２１と、２つの位相敏感検波器２２、２３と、除
算器２４とからなる。セル１９は検知用のガスが満たさ
れており、半導体レーザ素子１の前方出力光Ｌ₁が通過
する。

【００４１】フォトダイオード２０は前述と同様、セル
１９通過後のレーザ光を電流に変換し、抵抗器１０８
と、オペアンプ１０９とで構成される電流電圧変換器２
１に出力する。位相敏感検波器２２は、電流電圧変換器
２１の出力を位相敏感検波して１次の位相敏感検波信号
ｆを出力し、位相敏感検波器２３は同じく２次の位相敏
感検波信号２ｆを出力する。除算器２４は、２次の位相
敏感検波信号２ｆを１次の位相敏感検波信号ｆで除算す
る。信号ｆは光量に比例し、信号２ｆは光量とガスの濃
度とに比例するので除算器２４の端子２５からはガスの
濃度を表わす信号を取り出すことができる。

【００４２】次に本発明のガス検知装置において２次の
位相敏感検波信号からオフセット分を除去する動作につ
いて説明する。

【００４３】定電流電源５で発生した直流電流によって
半導体レーザ素子１はレーザ光Ｌ₁、Ｌ₂ を出射し、フ
ァンクションシンセサイザ１００は交流電圧Ｖ₁ と交流
電圧Ｖ₂ とを発生し、レーザ光Ｌ₁ 、Ｌ₂ は交流電流Ｉ
₁ ＋Ｉ₂ によって変調される。これらの変調されたレー
ザ光Ｌ₁ 、Ｌ₂ のうちレーザ光Ｌ₁ はセル１９を通過し
てフォトダイオード２０で電流に変換されて電流電圧変
換器２１で電圧に変換されて、位相敏感検波器２２、２
３に入力される。位相敏感検波器２２は１次の位相敏感
検波信号ｆを除算器２３に出力する。

【００４４】一方、交流電流Ｉ₂ が交流電流Ｉ₁ に混合
されることによって図３に示す半導体レーザ素子１の出
力特性のオフセット分は相殺され、図２に示す２次の位
相敏感検波信号のオフセット分ｅが除去される。このオ
フセット分ｅが除去された２次の位相敏感検波信号が除
算器２４に出力されると、除算器２４はこのオフセット
分ｅが除去された２次の位相敏感検波信号２ｆを１次の
位相敏感検波信号ｆで除算した値、すなわちセル１９内
のガスの濃度を表わす信号を端子２５に出力する。

【００４５】このように正弦波Ａｓｉｎωｔで表わされ
る交流電圧Ｖ₁ と正弦波Ｂｓｉｎ（２ωｔ＋φ）で表わ
される交流電圧Ｖ₂ とを発生するファンクションシンセ
サイザ１００と、交流電流Ｉ₁ ＋Ｉ₂ で変調されてお
り、温度に応じて異なる波長のレーザ光を発振する半導
体レーザ素子１と、セル１９通過後のレーザ光Ｌ₁ を電
圧に変換する電流電圧変換器２１と、電流電圧変換器２
１の出力電圧を位相敏感検波する２つの位相敏感検波器
２２、２３と、各位相敏感検波器２２、２３より得られ
る２次の位相敏感検波信号２ｆを１次の位相敏感検波信
号ｆで除算した値をセル１９内のガスの濃度として検知
するガス検知装置における交流電流Ｉ₁ に周波数が交流
電流Ｉ₁ の２倍の周波数で変化する交流電流Ｉ₂ を重畳
して、２次の位相敏感検波信号２ｆのオフセット分ｅを
相殺するので、セル１９に封入されたガスの正確な濃度
が検知できる。

【００４６】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、温度に応じて波長が変化するレーザ光を発振するレ
ーザが第１の交流成分で変調されており、この第１の交
流成分に第１の交流成分の２倍の周波数で変化する第２
の交流成分を重畳して、レーザの出力特性における湾曲
部に起因する２次の位相敏感検波信号のオフセット分を
相殺するようにしたので、ガスの濃度検知を正確に行う
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のガス検知装置の一実施例の概略構成を
示すブロック線図である。

【図２】位相敏感検波器の出力特性を表わす。

【図３】半導体レーザ素子の出力特性を示す。

【図４】ペルチェ効果を説明するための説明図である。

【図５】本出願人によるガス検知装置の一例の概略構成
を示すブロック線図である。

【符号の説明】 １ 半導体レーザ素子 ２ 変調系 ３ 制御系 ４ 検知系 ５ 定電流源 １２、２０ フォトダイオード １４、２２、２３ 位相敏感検波器 １００ ファンクションシンセサイザ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 一定電流に重畳された第１の交流成分を
   有する電流で変調され、温度に応じて波長が変化するレ
   ーザ光を発振するレーザと、検知雰囲気通過後のレーザ
   光の強度を電圧に変換する電流電圧変換器と、該電流電
   圧変換器の出力電圧を位相敏感検波する２つの位相敏感
   検波器と、一方の位相敏感検波器から得られる１次の位
   相敏感検波信号と他方の位相敏感検波器から得られる２
   次の位相敏感検波信号とに基づいて検知雰囲気の濃度を
   検知するガス検知装置であって、前記第１の交流成分の
   ２倍の周波数で変化する第２の交流成分を発生する交流
   電流発生手段と、前記第２の交流成分を前記第１の交流
   成分に重畳することにより前記レーザの出力特性におけ
   る湾曲部に起因する前記２次の位相敏感検波信号のオフ
   セット分を相殺するオフセット相殺手段とを備えたこと
   を特徴とするガス検知装置。