JPH05107265A - 半導体加速度センサ及びその製造方法 - Google Patents

半導体加速度センサ及びその製造方法

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JPH05107265A
JPH05107265A JP29843491A JP29843491A JPH05107265A JP H05107265 A JPH05107265 A JP H05107265A JP 29843491 A JP29843491 A JP 29843491A JP 29843491 A JP29843491 A JP 29843491A JP H05107265 A JPH05107265 A JP H05107265A
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JP
Japan
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weight
pedestal
wafer
acceleration sensor
stem
Prior art date
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Pending
Application number
JP29843491A
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English (en)
Inventor
Michihiro Mizuno
倫博 水野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 落下等の衝撃による内部のセンサチップ折れ
を防ぐ。 【構成】 シリコンウエハWの下面Tbの外周側を台座
7bで支持し、その中央側に重り7aを取付けて成る圧
力センサチップTより構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体加速度センサ
の構造及び製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4は従来の半導体加速度センサの断面
図であり、同図において、21はパッケージキャップ、
22は台座29を固定し、外部リード23を有するステ
ム、24は外部リード23と半導体加速度センサチップ
31を電気的に接続するワイヤ、26はゲージ抵抗、2
8はダイヤフラム、30は感度を増すための重り、31
はダイヤフラム28とゲージ抵抗26を有する半導体加
速度センサチップである。
【0003】この場合、加速度センサチップ31はシリ
コンウエハにゲージ抵抗26を形成し、エッチングによ
りダイヤフラム28を形成される。そして、加速度セン
サチップ31に台座29を接着し、外部リード23を具
備するステム22に接着する。次に、加速度センサチッ
プ31と外部リード23にワイヤ24をワイヤボンドす
る。そして、加速度センサチップ31に重り30を接着
する。最後に、パッケージキャップ21をステム22に
溶接する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体加速度セ
ンサは以上のように加速度センサチップ31の片側のみ
を支持する片持ち構造であるので、落下等の衝撃に対し
てダイヤフラム8の部分が折れるという不具合が発生し
やすい。また、台座29と重り30とを個別に取付けな
ければならないのでアセンブリが複雑である。また、感
度を重り30で調整する際、重り30の種類がいくつも
必要になる。
【0005】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、チップ折れがなくなり、アセン
ブリが容易になり、しかも重りの調整が容易になるよう
にする。
【0006】
【課題を解決するための手段】第1の発明は、ウエハの
外周側を支持するようにした半導体圧力センサチップよ
り構成する。第2の発明は上記ウエハに溝8aを設けて
ダイヤフラム8を形成する。第3の発明は半導体圧力セ
ンサチップTの下面Tbに、上面7mの中央と外周とを
残して所定深さまで切除して深溝10を形成して成る基
材7の上面7mを固着し、この基材7の下面n側を所定
の厚さAの位置で切除することにより基材7の中央と外
周に上記基材7と同一素材の重り7a及び台座7bを形
成する。第4の発明は、第3の発明において、重り7a
と台座7bとを形成後に、この重り7aと台座7bとを
マスクとして用いて半導体圧力センサチップTの下面T
bをエッチングすることにより溝8aを形成してダイヤ
フラム8を形成するようにした。
【0007】
【作用】第1の発明では、半導体圧力センサチップTの
外周側が支持されるので、半導体圧力センサチップTに
加わる応力が一部に集中せずチップ折れが生じない。第
2の発明では、ダイヤフラム8のたわみにより加速度を
確実に検知できる。第3の発明では重り7aと台座7b
とを同時に形成できるのでアセンブリを簡略化でき、し
かも重り7aと台座7bとを構成する基材7の下面7n
側の切除量Aを調整することにより重り7aの重さを加
減できるので、調整が容易で、しかも多種類の重りを用
意する必要がなくなる。第4の発明では溝8aを形成す
るのに、別途エッチング用マスクを用意する必要がな
く、製造が容易となる。
【0008】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1はこの発明の一実施例の半導体加速度センサ
の断面図、図2(a),(b)はガラス台座の平面図及
び断面図、図3(a)〜(d)は製造フロー図である。
各図において、1はパッケージキャップ、2は台座7b
を固定し、外部リード3を有するステム、4は外部リー
ド3と半導体圧力センサチップTを電気的に接続するワ
イヤ、6は四個所等配されたゲージ抵抗、8はダイヤフ
ラム、7aは感度を増すための重り、Tはダイヤフラム
8とゲージ抵抗6を有する半導体圧力センサチップであ
り、シリコンウエハWより成る。
【0009】すなわち、本実施例の半導体加速度センサ
は、正方形の平板状のシリコンウエハWより成り、この
ウエハWの下面中央に重り7aを有し、かつこのウエハ
Wの上記重り7aより外側の上面にリング状のゲージ抵
抗6を有し、さらにこのゲージ抵抗6よりも外側をリン
グ状のガラス台座7bを介してステム2に取付けるよう
にした半導体圧力センサチップTより成る。この場合、
重り7a及び台座7bはウエハWに陽極接合される。ゲ
ージ抵抗6は、ウエハWの上面に一体化され、このゲー
ジ抵抗6に対応するウエハWの下面に溝8aを形成する
ことによりダイヤフラム8を形成したものである。
【0010】製造方法はつぎのとおりである。まず、図
3(a)に示すように正方形でかつ平板状に成形されか
つ中央部位より外側の部位の上面Taにリング状のゲー
ジ抵抗6を有するウエハWより成る半導体圧力センサチ
ップTを製造する。つぎに図3(b)に示すようにガラ
スより成る正方形状で一定の厚みを有する基材7の上面
7mの中央と外周とを残して所定深さまで切除して深溝
10を形成する。ついで、ガラス基材7の上面7mを上
記半導体圧力センサチップTの下面Tbに陽極接合で固
着する。つぎにこの基材7の下面7n側を所定の厚さA
の位置で切除する。これにより、図3(c)に示すよう
に基材7の中央と外周に上記基材7と同一素材のガラス
重り7a及びガラス台座7bを形成できる。つぎに図3
(d)に示すように上記重り7a及び台座7bをマスク
として圧力センサチップTの内面Tbの露出部分をエッ
チングして溝8aを形成することにより、ダイヤフラム
8を設ける。さらに上記重り7aが平板状の外部リード
3を有するステム2の上面2aに対し非接触となるよう
に上記台座7bをステム2に取付ける。
【0011】そして圧力センサチップTと外部リード3
にワイヤ4をワイヤボンドする。最後にパッケージキャ
ップ1をステム2に溶接する。
【0012】上記半導体加速度センサにおいて、製造
時、切除厚さAを調整してガラス台座7bの高さを変え
ることにより、重り7aの重さが変わる。よって、ガラ
ス台座7bの高さにより重りを調整できるので、多種類
の重りを用意する必要がない。
【0013】
【発明の効果】以上のように第1の発明によればウエハ
の外周側を支持するようにした半導体圧力センサチップ
より構成したので、容易にチップ折れせず、また第2の
発明によれば、上記ウエハに溝を設けてダイヤフラムを
形成したので、ダイヤフラムのたわみで加速度を正確に
検知できる。また、第3の発明によれば、半導体圧力セ
ンサチップの下面に、上面の中央と外周とを残して所定
深さまで切除して深溝を形成して成る基材の上面を固着
し、この基材の下面側を所定の厚さの位置で切除するこ
とにより基材の中央と外周に上記基材と同一素材の重り
及び台座を形成したので、重りと台座とを同時に取付け
ることができるので、アセンブリが簡単になり、作業工
数を少なくできる。また、重りと台座とをマスクとして
用いて半導体圧力センサチップの下面をエッチングする
ようにしたので、エッチング用マスクを不用とでき、作
業工数をより少なくできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による半導体加速度センサ
の断面図である。
【図2】この発明の一実施例によるガラス台座の平面図
及び断面図である。
【図3】この発明の一実施例による半導体加速度センサ
の製造工程を示す断面図である。
【図4】従来の半導体加速度センサの断面図である。
【符号の説明】
1 パッケージキャップ 2 ステム 3 外部リード 4 ワイヤ T 半導体圧力センサチップ 6 ゲージ抵抗 8 ダイヤフラム 7 基材 7a 重り 7b 台座

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 平板状のウエハより成り、このウエハ下
    面中央に重りを有し、かつこのウエハの上記重りより外
    側の部位にゲージ抵抗を有し、さらにこのゲージ抵抗よ
    りも外側を台座を介してステムに取付けるようにした半
    導体圧力センサチップより成ることを特徴とする半導体
    加速度センサ。
  2. 【請求項2】 ゲージ抵抗は、ウエハの上面に一体化さ
    れ、このゲージ抵抗に対応するウエハの下面に溝を形成
    することによりダイヤフラムを形成した請求項第1項記
    載の半導体加速度センサ。
  3. 【請求項3】 平板状に成形されかつ中央部位より外側
    の部位の上面にゲージ抵抗を有するウエハより成る半導
    体圧力センサチップの下面に、上面の中央と外周とを残
    して所定深さまで切除して深溝を形成して成る基材の上
    面を固着し、この基材の下面側を所定の厚さの位置で切
    除することにより基材の中央と外周に上記基材と同一素
    材の重り及び台座を形成し、さらに上記重りが平板状の
    ステムの上面に対し非接触となるように上記台座をステ
    ムに取付けたことを特徴とする半導体加速度センサの製
    造方法。
  4. 【請求項4】 重りと台座とを形成後に、この重りと台
    座とをマスクとして用いて半導体圧力センサチップの下
    面をエッチングすることにより溝を形成してダイヤフラ
    ムを形成するようにした請求項第3項記載の半導体加速
    度センサの製造方法。
JP29843491A 1991-10-17 1991-10-17 半導体加速度センサ及びその製造方法 Pending JPH05107265A (ja)

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