JPH05102737A - Multiplier circuit - Google Patents

Multiplier circuit

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JPH05102737A
JPH05102737A JP2807792A JP2807792A JPH05102737A JP H05102737 A JPH05102737 A JP H05102737A JP 2807792 A JP2807792 A JP 2807792A JP 2807792 A JP2807792 A JP 2807792A JP H05102737 A JPH05102737 A JP H05102737A
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Takafumi Yamaji
隆文 山路
Chikau Takahashi
誓 高橋
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洋 谷本
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Abstract

PURPOSE:To reduce a bypass between input terminals by inserting a base ground transistor(TR) between amplifier sections of 1st and 2nd input signals to prevent the deterioration in the common mode rejection ratio at a high frequency side due to a parasitic capacitance of the TR. CONSTITUTION:First and 2nd common base TRs 13, 14 are inserted between a common emitter terminal of 1st and 2nd differential amplifier circuits TRs 1, 2 and TRs 3, 4 and the output terminal pair of plural 3rd differential amplifier circuit TRs 5-8. The emitter area of the TRs 13, 14 is set smaller than the maximum emitter area of the TR used for the TRs 5-8. Thus, the impedance when viewing the output terminal pair of the TRs 5-8 from the common emitter terminal of the TRs 1, 2 and the TRs 3, 4 is set larger than that without the TRs 13, 14. Thus, the part of the TRs 5-8 receives a DC offset, then even when the emitter area is increased, the reduction in the common mode rejection ratio of the TRs 1, 2 and the TRs 3, 4 due to a large parasitic capacitance of the TRs is prevented, and a bypass signal from terminal pairs L01, L02 to the input terminals M01, M02 is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は差動増幅回路を用いて構
成され、周波数変換器、同期検波器、振幅位相変調器、
復調器および可変利得増幅器等に使用される掛算回路に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is constructed by using a differential amplifier circuit and includes a frequency converter, a synchronous detector, an amplitude phase modulator,
The present invention relates to a multiplication circuit used for a demodulator, a variable gain amplifier, etc.

【0002】[0002]

【従来の技術】図17に従来よく使われている掛算回路
を示す。図17において、二つの入力端子対LO1,L
O2およびMO1,MO2には掛算すべき二つの入力信
号が入力される。入力端子対LO1,LO2に入力され
る第1の入力信号は、トランジスタQ1,Q2からなる
第1の差動増幅回路とトランジスタQ3,Q4からなる
第2の差動増幅回路によって増幅される。第1および第
2の差動増幅回路のそれぞれの出力端子対は、第1の入
力信号に対する両差動増幅回路の出力が打ち消し合うよ
うに接続される。一方、入力端子対MO1,MO2に入
力される第2の入力信号は、トランジスタQ5,Q6か
らなる第3の差動増幅回路によって増幅され、トランジ
スタQ5,Q6のコレクタ電流の変化に変換される。
2. Description of the Related Art FIG. 17 shows a multiplication circuit which is conventionally well used. In FIG. 17, two input terminal pairs LO1 and L
Two input signals to be multiplied are input to O2 and MO1 and MO2. The first input signal input to the pair of input terminals LO1 and LO2 is amplified by the first differential amplifier circuit including the transistors Q1 and Q2 and the second differential amplifier circuit including the transistors Q3 and Q4. The respective output terminal pairs of the first and second differential amplifier circuits are connected so that the outputs of both differential amplifier circuits with respect to the first input signal cancel each other out. On the other hand, the second input signal input to the pair of input terminals MO1 and MO2 is amplified by the third differential amplifier circuit including the transistors Q5 and Q6 and converted into a change in the collector current of the transistors Q5 and Q6.

【0003】第1および第2の差動増幅回路の共通エミ
ッタ端子には、トランジスタQ5,Q6のコレクタが接
続されているため、第1および第2の差動増幅回路の利
得はトランジスタQ5,Q5のコレクタ電流に比例す
る。これにより、第1および第2の差動増幅回路の共通
出力端子対OP1,OP2間に、第1および第2の入力
信号の電圧の積に比例した電圧、すなわち掛算出力が得
られる。
Since the collectors of the transistors Q5 and Q6 are connected to the common emitter terminals of the first and second differential amplifier circuits, the gains of the first and second differential amplifier circuits are the transistors Q5 and Q5. Proportional to the collector current of. As a result, a voltage proportional to the product of the voltages of the first and second input signals, that is, a multiplication calculation force is obtained between the common output terminal pair OP1 and OP2 of the first and second differential amplifier circuits.

【0004】このような掛算回路では、差動増幅回路の
非線形性のために、入力信号の電圧振幅が大きくなると
出力信号波形が歪むという問題がある。この問題を解決
するため、米国特許第4,965,528号に開示され
ているように、第3の差動増幅回路として2組の差動増
幅回路を組み合わせ、それぞれに適当な直流オフセット
を与えることによって線形範囲を広げる技術が提案され
ている。差動増幅回路の直流オフセットは、差動増幅回
路を構成する差動トランジスタ対のエミッタ面積比によ
って設定できる。
In such a multiplication circuit, there is a problem that the output signal waveform is distorted when the voltage amplitude of the input signal becomes large due to the non-linearity of the differential amplifier circuit. In order to solve this problem, as disclosed in U.S. Pat. No. 4,965,528, two sets of differential amplifier circuits are combined as a third differential amplifier circuit, and an appropriate DC offset is given to each. Therefore, a technique for expanding the linear range has been proposed. The DC offset of the differential amplifier circuit can be set by the emitter area ratio of the differential transistor pair forming the differential amplifier circuit.

【0005】また、第3の差動増幅回路として、3組以
上の差動増幅回路を組み合わせることによって、さらに
線形範囲を広げることも提案されている。この場合の差
動増幅回路への直流オフセットの付与や、各差動増幅回
路の電流の重み付けの仕方については、電気学会電子回
路研究会資料番号ECT−90−20に記載されてい
る。
As a third differential amplifier circuit, it has been proposed to combine three or more sets of differential amplifier circuits to further expand the linear range. The method of assigning a DC offset to the differential amplifier circuit and weighting the current of each differential amplifier circuit in this case is described in Material Number ECT-90-20 of the Institute of Electrical Engineers of Japan, Electronic Circuit Research Group.

【0006】ところが、この方法では第3の差動増幅回
路の数を増やすほどエミッタ面積の大きなトランジスタ
が必要となるため、トランジスタの寄生容量が増大し、
高い周波数での使用が困難になる。例えば第3の差動増
幅回路を構成する差動トランジスタ対のエミッタ面積比
を1:4とすれば、差動トランジスタ対のコレクタ・グ
ラウンド間の寄生容量の和は図17の場合に比較して約
5倍となるので、第1の入力信号の周波数が高くなる
と、第1および第2の差動増幅回路のCMRR(同相除
去比)が低下する。また、コレクタ・ベース間の寄生容
量を通しての入力端子対LO1,LO2から入力端子対
MO1,MO2への信号の回り込みが大きくなる。
However, this method requires a transistor having a larger emitter area as the number of the third differential amplifier circuits increases, so that the parasitic capacitance of the transistor increases,
Difficult to use at high frequencies. For example, if the emitter area ratio of the differential transistor pair forming the third differential amplifier circuit is 1: 4, the sum of the parasitic capacitances between the collector and ground of the differential transistor pair is compared with that in the case of FIG. Since it is about 5 times, the CMRR (common mode rejection ratio) of the first and second differential amplifier circuits decreases as the frequency of the first input signal increases. Further, the sneak of the signal from the input terminal pair LO1, LO2 to the input terminal pair MO1, MO2 through the parasitic capacitance between the collector and the base becomes large.

【0007】CMRRの低下は、例えば掛算回路を送信
機の周波数変換器や変調器として用い、第1の入力信号
として局部発振信号、第2の入力信号として送信信号を
それぞれ与えた場合、送信出力側へのキャリアリークを
増大させる要因となる。入力端子対LO1,LO2から
入力端子対MO1,MO2へ回り込む信号が増大する
と、例えば掛算回路を受信機の周波数変換器に用いた場
合、LO1,LO2に入力される局部発振信号がMO
1,MO2から高周波増幅器等を通してアンテナから放
射される不要放射を増大させる結果となる。
The decrease in CMRR is caused by, for example, when a multiplying circuit is used as a frequency converter or a modulator of a transmitter and a local oscillation signal is given as a first input signal and a transmission signal is given as a second input signal. It becomes a factor to increase the carrier leak to the side. When the signal sneaking from the input terminal pair LO1, LO2 to the input terminal pair MO1, MO2 increases, for example, when a multiplication circuit is used for the frequency converter of the receiver, the local oscillation signal input to LO1, LO2 becomes MO.
As a result, the unnecessary radiation emitted from the antenna from 1, MO2 through the high frequency amplifier or the like is increased.

【0008】さらに、従来技術による線形範囲の拡大化
の手法は、第2の入力信号が入力される第3の差動増幅
回路側のみしか適用できず、第1および第2の差動増幅
回路の線形範囲の拡大は達成されないため、第1の入力
信号成分が歪み易いという問題があった。
Further, the technique of widening the linear range according to the prior art can be applied only to the side of the third differential amplifier circuit to which the second input signal is input, and the first and second differential amplifier circuits. Since the expansion of the linear range of 1 is not achieved, there is a problem that the first input signal component is easily distorted.

【0009】一方、周波数変換器や復調器のように、第
1、第2の入力信号の周波数と所望の出力信号の周波数
が比較的離れている場合、より簡単には図17の掛算回
路の半分である図18の構成の掛算回路がしばしば用い
られる。図18において、入力端子対LO1,LO2と
入力端子Rfには掛算すべき二つの入力信号が入力され
る。入力端子対LO1,LO2に入力される第1の入力
信号は、トランジスタQ11,Q12からなる差動増幅
回路によって増幅される。一方、入力端子Rfに入力さ
れる第2の入力信号は、差動増幅回路のトランジスタQ
11,Q12の共通エミッタ端子にコレクタが接続され
たエミッタ接地トランジスタQ13によって増幅され
る。差動増幅回路の負荷回路に設けられた出力端子OP
から、掛算出力が得られる。
On the other hand, when the frequencies of the first and second input signals and the frequency of the desired output signal are relatively far apart as in the frequency converter and demodulator, the multiplication circuit of FIG. A multiplication circuit having the configuration of FIG. 18, which is half, is often used. In FIG. 18, two input signals to be multiplied are input to the input terminal pair LO1 and LO2 and the input terminal Rf. The first input signal input to the pair of input terminals LO1 and LO2 is amplified by the differential amplifier circuit including the transistors Q11 and Q12. On the other hand, the second input signal input to the input terminal Rf is the transistor Q of the differential amplifier circuit.
It is amplified by the grounded-emitter transistor Q13 whose collector is connected to the common emitter terminals of 11 and Q12. Output terminal OP provided in the load circuit of the differential amplifier circuit
From this, the multiplication calculation force can be obtained.

【0010】図18の掛算回路は、受信機の周波数変換
器や復調器として使用する場合、雑音指数が十分でない
う問題がある。この掛算回路で発生する雑音は、主にエ
ミッタ接地トランジスタQ13のベースの寄生抵抗の熱
雑音である。この熱雑音を小さくするには、エミッタ接
地トランジスタQ13のエミッタ面積を大きく(従って
ベース面積を大きく)すればよい。
The multiplication circuit of FIG. 18 has a problem that the noise figure is not sufficient when it is used as a frequency converter or a demodulator of a receiver. The noise generated in this multiplication circuit is mainly the thermal noise of the parasitic resistance of the base of the grounded-emitter transistor Q13. In order to reduce the thermal noise, the emitter area of the grounded-emitter transistor Q13 may be increased (thus the base area may be increased).

【0011】しかしながら、トランジスタQ13のエミ
ッタ面積を大きくすると、線形化を図った図17の掛算
回路と同様に、差動増幅回路のCMRRの低下や、入力
端子対LO1,LO2から入力端子Rfへの信号の回り
込みの増加という問題が生じる。特に、ダイレクトコン
バージョン方式の受信機では、受信周波数と局部発振周
波数がほぼ同じであるため、入力端子対LO1,LO2
に局部発振信号を入力し、入力端子Rfに受信信号を入
力した場合、局部発振信号が入力端子Rfを通して漏れ
出ることになり、大きな問題となる。
However, when the emitter area of the transistor Q13 is increased, the CMRR of the differential amplifier circuit is lowered and the input terminal pair LO1, LO2 is moved from the input terminal pair LO1 to the input terminal Rf, as in the linearized multiplication circuit of FIG. There arises a problem of increased signal wraparound. Particularly, in the direct conversion type receiver, since the reception frequency and the local oscillation frequency are almost the same, the input terminal pair LO1, LO2
When the local oscillation signal is input to the input terminal and the reception signal is input to the input terminal Rf, the local oscillation signal leaks through the input terminal Rf, which is a serious problem.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、線形
範囲を拡大させた従来の図17に示すような掛算回路で
は、トランジスタの寄生容量の増大により高い周波数領
域で差動増幅回路の同相除去比が低下するとともに、二
つの入力端子対間の信号の回り込みが増大するという問
題と、線形範囲の拡大が一方の入力信号に対してのみし
かなされず、他方の入力信号に与えられる歪が十分に抑
圧されないという問題があった。
As described above, in the conventional multiplication circuit shown in FIG. 17 in which the linear range is expanded, the common mode elimination of the differential amplifier circuit is performed in the high frequency region due to the increase of the parasitic capacitance of the transistor. As the ratio decreases, the signal wraparound between two input terminal pairs increases, and the linear range is expanded only for one input signal, and the distortion applied to the other input signal is sufficient. There was a problem that I was not suppressed.

【0013】さらに、図18に示すように簡易化した掛
算回路においても、雑音指数を良好にするためにエミッ
タ面積の大きいエミッタ接地トランジスタを用いると、
同様に差動増幅回路の高周波領域での同相除去比の低下
や、入力端子間の信号の回り込みの増大という問題があ
った。
Further, even in the simplified multiplication circuit as shown in FIG. 18, if a grounded-emitter transistor having a large emitter area is used in order to improve the noise figure,
Similarly, there are problems that the common mode rejection ratio in the high frequency region of the differential amplifier circuit is lowered and that the sneak of the signal between the input terminals is increased.

【0014】本発明の目的は、トランジスタの寄生容量
による高周波側での同相除去比の低下を防止できるとと
もに、入力端子間の回り込みを少なくできる掛算回路を
提供することにある。本発明の他の目的は、両方の入力
信号に対して差動増幅回路の線形範囲を拡大させて低歪
化を達成できる掛算回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a multiplication circuit which can prevent the common mode rejection ratio on the high frequency side from being lowered by the parasitic capacitance of the transistor and can reduce the sneak between the input terminals. Another object of the present invention is to provide a multiplication circuit that can expand the linear range of the differential amplifier circuit for both input signals and achieve low distortion.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明は第1の入力信号の増幅部と第2の入力信
号の増幅部の間に、ベース接地トランジスタを挿入する
ことを基本とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention basically comprises inserting a grounded base transistor between a first input signal amplifying section and a second input signal amplifying section. And

【0016】すなわち、例えば線形化を図った掛算回路
においては、第1の入力信号を増幅する第1および第2
の差動増幅回路の共通エミッタ端子と、第2の入力信号
を増幅する複数の第3の差動増幅回路の出力端子対との
間に、それぞれベース接地トランジスタを挿入する。よ
り具体的には、第1の入力信号を入力とし、出力端子対
と共通エミッタ端子をそれぞれ有する第1および第2の
差動増幅回路と、第1および第2の差動増幅回路の出力
端子対を第1の入力信号に対する第1および第2の差動
増幅回路の出力が互いに打ち消されるように接続すると
共に、第1および第2の差動増幅回路の出力の差を出力
信号として取り出す出力手段と、ベースが交流的に接地
され、コレクタが第1および第2の差動増幅回路のそれ
ぞれの共通エミッタ端子に接続された第1および第2の
ベース接地トランジスタと、第2の入力信号を入力と
し、それぞれの出力端子対が第1および第2のベース接
地トランジスタのエミッタに共通に接続され、所定の直
流オフセットが付与された複数の第3の差動増幅回路と
を有する。
That is, for example, in a multiplication circuit for linearization, the first and second amplification circuits amplify the first input signal.
A grounded base transistor is inserted between the common emitter terminal of the differential amplifier circuit and the output terminal pair of the plurality of third differential amplifier circuits for amplifying the second input signal. More specifically, the first and second differential amplifier circuits having the first input signal as an input and having an output terminal pair and a common emitter terminal, and output terminals of the first and second differential amplifier circuits An output that connects the pair so that the outputs of the first and second differential amplifier circuits with respect to the first input signal cancel each other and extracts the difference between the outputs of the first and second differential amplifier circuits as an output signal. Means, first and second base-grounded transistors whose bases are AC grounded and whose collectors are connected to respective common emitter terminals of the first and second differential amplifier circuits, and a second input signal. It has a plurality of third differential amplifier circuits, which are input and have their respective output terminal pairs commonly connected to the emitters of the first and second grounded-base transistors and to which a predetermined DC offset is applied.

【0017】第1および第2の差動増幅回路はそれぞれ
複数個ずつ設けられていてもよく、その場合は第1およ
び第2のベース接地トランジスタもそれぞれ複数個ずつ
設けられる。これにより第1および第2の差動増幅回路
にも直流オフセットを付与した構成をとることが可能と
なる。
A plurality of first differential amplifier circuits and a plurality of second differential amplifier circuits may be provided, in which case a plurality of first and second grounded base transistors are also provided. This makes it possible to adopt a configuration in which a DC offset is also applied to the first and second differential amplifier circuits.

【0018】さらに、本発明は第1の入力信号を差動増
幅回路で増幅し、第2の入力信号をエミッタ接地トラン
ジスタで増幅する掛算回路において、差動増幅回路の共
通エミッタ端子とエミッタ接地トランジスタのコレクタ
の間にベース接地トランジスタを挿入する。より具体的
には、第1の入力信号を入力とし、出力端子対と共通エ
ミッタ端子を有する差動増幅回路と、この差動増幅回路
の出力端子対の少なくとも一方の出力端子に接続される
負荷回路と、第2の入力信号をベースへの入力とするエ
ミッタ接地トランジスタと、ベースが交流的に接地さ
れ、コレクタが前記差動増幅回路の共通エミッタ端子に
接続され、エミッタが前記エミッタ接地トランジスタの
コレクタに接続された該エミッタ接地トランジスタより
も小さいエミッタ面積を有するベース接地トランジスタ
とを有する。
Further, according to the present invention, in the multiplication circuit for amplifying the first input signal by the differential amplifier circuit and the second input signal by the common-emitter transistor, the common emitter terminal and the common-emitter transistor of the differential amplifier circuit are provided. Insert a grounded base transistor between the collectors of. More specifically, the first input signal is an input, a differential amplifier circuit having an output terminal pair and a common emitter terminal, and a load connected to at least one output terminal of the output terminal pair of the differential amplifier circuit. A circuit, a grounded-emitter transistor having a second input signal as an input to the base, a base grounded in an alternating manner, a collector connected to a common emitter terminal of the differential amplifier circuit, and an emitter connected to the grounded-emitter transistor. A grounded base transistor having a smaller emitter area than the grounded emitter transistor connected to the collector.

【0019】[0019]

【作用】第1および第2の差動増幅回路の共通エミッタ
端子と複数の第3の差動増幅回路の出力端子対との間
に、第1および第2のベース接地トランジスタを挿入す
ると、これらのベース接地トランジスタのエミッタ面積
を第3の差動増幅回路に使用されるトランジスタの最大
のエミッタ面積より小さくすることによって、第1およ
び第2の差動増幅回路の共通エミッタ端子から第3の差
動増幅回路の出力端子対側を見たインピーダンスは、こ
れらのベース接地トランジスタがない場合より大きくな
る。
When the first and second grounded base transistors are inserted between the common emitter terminals of the first and second differential amplifier circuits and the output terminal pairs of the plurality of third differential amplifier circuits, these By making the emitter area of the base-grounded transistor of the third differential amplifier circuit smaller than the maximum emitter area of the transistor used in the third differential amplifier circuit, the third difference from the common emitter terminal of the first and second differential amplifier circuits. The impedance seen from the output terminal pair side of the dynamic amplifier circuit becomes larger than that without these base-grounded transistors.

【0020】これによって第3の差動増幅回路の一部の
トランジスタを直流オフセットを付与するためにエミッ
タ面積を大きくしても、そのトランジスタの大きな寄生
容量による第1および第2の差動増幅回路の同相除去比
の低下が防止され、また第1の入力端子対側から第2の
入力端子対側への信号の回り込みが少なくなる。
As a result, even if the emitter area of some of the transistors of the third differential amplifier circuit is increased in order to give a DC offset, the first and second differential amplifier circuits have large parasitic capacitances of the transistors. Of the common mode rejection ratio is prevented, and the sneak of the signal from the first input terminal pair side to the second input terminal pair side is reduced.

【0021】さらに、第1および第2のベース接地トラ
ンジスタをそれぞれ複数個設けるとともに、第1および
第2の差動増幅回路もそれぞれ複数個設けることで、第
1および第2の差動増幅回路にも直流オフセットを付与
するようにすれば、第1の入力信号のみでなく第2の入
力信号に対しても線形範囲が拡大され、掛算回路全体と
して更に低歪化が達成される。
Further, by providing a plurality of first and second grounded base transistors and a plurality of first and second differential amplifier circuits, respectively, the first and second differential amplifier circuits are provided. If the DC offset is also applied, the linear range is expanded not only for the first input signal but also for the second input signal, and the distortion of the entire multiplication circuit is further reduced.

【0022】また、第1の入力信号を増幅する差動増幅
回路の共通エミッタ端子と、第2の入力信号を増幅する
エミッタ接地トランジスタのコレクタの間にベース接地
トランジスタを挿入すると、エミッタ接地トランジスタ
としてベースの寄生抵抗を小さくするなどの目的で面積
の大きいトランジスタを使用しても、上記と同様の原理
により差動増幅回路の同相除去比の低下が防止され、か
つ第1の入力端子対側から第2の入力端子側への信号の
回り込みが減少する。ベース接地トランジスタのベース
の寄生抵抗は大きいが、この寄生抵抗による熱雑音はエ
ミッタ接地トランジスタの出力インピーダンスによる負
帰還効果によって出力にはほとんど現れないので、エミ
ッタ接地トランジスタの面積を大きくできることと相ま
って、掛算回路の雑音指数が改善される。
If a grounded base transistor is inserted between the common emitter terminal of the differential amplifier circuit for amplifying the first input signal and the collector of the grounded emitter transistor for amplifying the second input signal, the grounded emitter transistor becomes a grounded emitter transistor. Even if a transistor having a large area is used for the purpose of reducing the parasitic resistance of the base, a reduction in the common mode rejection ratio of the differential amplifier circuit is prevented by the same principle as described above, and the first input terminal pair side is used. The sneak of the signal to the second input terminal side is reduced. Although the parasitic resistance of the base of the grounded-base transistor is large, the thermal noise due to this parasitic resistance hardly appears in the output due to the negative feedback effect due to the output impedance of the grounded-emitter transistor, so it is possible to increase the area of the grounded-emitter transistor. The noise figure of the circuit is improved.

【0023】[0023]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図1は、本発明の第1の実施例に係る掛算回路の
回路である。図1において、二つの入力端子対LO1,
LO2およびMO1,MO2には掛算すべき二つの入力
信号が入力される。入力端子対LO1,LO2に入力さ
れる第1の入力信号は、トランジスタ1,2からなる第
1の差動増幅回路とトランジスタ3,4からなる第2の
差動増幅回路によって増幅される。第1の差動増幅回路
の出力端子対(トランジスタ1,2のコレクタ)と第2
の差動増幅回路の出力端子対(トランジスタ3,4のコ
レクタ)とは、第1の入力信号に対する両差動増幅回路
の出力が打ち消し合うように負荷抵抗9,10の一端に
接続されると共に、掛算回路の出力端子対OP1,OP
2に接続されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is a circuit of a multiplication circuit according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, two input terminal pairs LO1,
Two input signals to be multiplied are input to LO2 and MO1 and MO2. The first input signal input to the input terminal pair LO1, LO2 is amplified by the first differential amplifier circuit including the transistors 1 and 2 and the second differential amplifier circuit including the transistors 3 and 4. The output terminal pair of the first differential amplifier circuit (collectors of the transistors 1 and 2) and the second
The output terminal pair of the differential amplifier circuit (collector of the transistors 3 and 4) is connected to one end of the load resistors 9 and 10 so that the outputs of both differential amplifier circuits with respect to the first input signal cancel each other. , Output terminal pair OP1, OP of the multiplication circuit
Connected to 2.

【0024】すなわち、第1の差動増幅回路において
は、入力端子LO1にベースが接続されているトランジ
スタ1のコレクタが負荷抵抗9および出力端子OP1に
接続され、入力端子LO2に接続されたベースが接続さ
れているトランジスタ2のコレクタが負荷抵抗10およ
び出力端子OP2に接続されているのに対して、第2の
差動増幅回路においては逆に、入力端子LO1にベース
が接続されているトランジスタ3のコレクタが負荷抵抗
10および出力端子OP2に接続され、入力端子LO2
にベースが接続されているトランジスタ4のコレクタが
負荷抵抗9および出力端子OP1に接続されている。な
お、負荷抵抗9,10の他端は電源Vccに接続されて
いる。
That is, in the first differential amplifier circuit, the collector of the transistor 1 whose base is connected to the input terminal LO1 is connected to the load resistor 9 and the output terminal OP1, and the base connected to the input terminal LO2 is While the collector of the connected transistor 2 is connected to the load resistor 10 and the output terminal OP2, in the second differential amplifier circuit, conversely, the transistor 3 whose base is connected to the input terminal LO1 is used. Is connected to the load resistor 10 and the output terminal OP2, and the input terminal LO2
The collector of the transistor 4 whose base is connected to is connected to the load resistor 9 and the output terminal OP1. The other ends of the load resistors 9 and 10 are connected to the power supply Vcc.

【0025】第1の差動増幅回路におけるトランジスタ
1,2の共通エミッタ端子および第2の差動増幅回路に
おけるトランジスタ3,4の共通エミッタ端子には、そ
れぞれベースが交流的に接地された第1および第2のベ
ース接地トランジスタ13,14のコレクタが接続され
ている。
The bases of the common emitter terminals of the transistors 1 and 2 in the first differential amplifier circuit and the common emitter terminals of the transistors 3 and 4 in the second differential amplifier circuit are AC-grounded. And the collectors of the second grounded-base transistors 13 and 14 are connected.

【0026】一方、入力端子対MO1,MO2に入力さ
れる第2の入力信号は、トランジスタ5,7およびトラ
ンジスタ6,8からなる二つの第3の差動増幅回路によ
り増幅される。これら第3の差動増幅回路のそれぞれの
共通エミッタ端子は、定電流源11,12に接続されて
いる。
On the other hand, the second input signal input to the pair of input terminals MO1 and MO2 is amplified by the two third differential amplifier circuits composed of the transistors 5, 7 and the transistors 6, 8. The common emitter terminal of each of the third differential amplifier circuits is connected to the constant current sources 11 and 12.

【0027】第3の差動増幅回路の出力端子対は、ベー
ス接地トランジスタ13,14のエミッタに共通に接続
されている。すなわち、トランジスタ5,6のコレクタ
は第1のベース接地トランジスタ13のエミッタに共通
接続され、トランジスタ7,8のコレクタは、第2のベ
ース接地トランジスタ14に共通接続されている。
The output terminal pair of the third differential amplifier circuit is commonly connected to the emitters of the base-grounded transistors 13 and 14. That is, the collectors of the transistors 5 and 6 are commonly connected to the emitter of the first grounded base transistor 13, and the collectors of the transistors 7 and 8 are commonly connected to the second grounded base transistor 14.

【0028】第3の差動増幅回路をそれぞれ構成する二
つのトランジスタは、所定のエミッタ面積比を有し、こ
の例ではトランジスタ5,8に対してトランジスタ6,
7は約4倍のエミッタ面積を有する。このようなエミッ
タ面積比の設定によって、二つの第3の差動増幅回路は
入力端子対MO1,MO2からの第2の入力信号に対し
てそれぞれ直流オフセットが付与されることになるの
で、これらの差動増幅回路の出力を合成することによ
り、第3の差動増幅回路の線形範囲が拡大される。この
直流オフセットによる線形範囲の拡大の原理については
公知であり、ここでは詳細な説明を省略する。
The two transistors respectively constituting the third differential amplifier circuit have a predetermined emitter area ratio, and in this example, the transistors 6, 8 are opposed to the transistors 6, 8.
7 has an emitter area of about 4 times. By setting the emitter area ratio as described above, the two third differential amplifier circuits are given DC offsets to the second input signals from the input terminal pairs MO1 and MO2, respectively. By combining the outputs of the differential amplifier circuit, the linear range of the third differential amplifier circuit is expanded. The principle of expanding the linear range by the DC offset is well known, and a detailed description thereof will be omitted here.

【0029】第1の入力信号を増幅する第1および第2
の差動増幅回路は、共通エミッタ端子がベース接地トラ
ンジスタ13,14を介して第3の差動増幅回路の出力
端子対に結合されているので、その利得は第2の入力信
号を増幅する第3の差動増幅回路のコレクタ電流に比例
する。従って、出力端子対OP1,OP2間から第1お
よび第2の入力信号の積に比例した電圧振幅の出力信号
が得られるので、図1の回路は掛算回路として動作す
る。
First and second amplifying first input signals
Of the differential amplifier circuit, the common emitter terminal is coupled to the output terminal pair of the third differential amplifier circuit through the base-grounded transistors 13 and 14, so that the gain of the differential amplifier circuit amplifies the second input signal. 3 is proportional to the collector current of the differential amplifier circuit. Therefore, since an output signal having a voltage amplitude proportional to the product of the first and second input signals is obtained from between the output terminal pair OP1 and OP2, the circuit of FIG. 1 operates as a multiplication circuit.

【0030】ここで、ベース接地トランジスタ13,1
4のエミッタ面積は、第3の差動増幅回路におけるトラ
ンジスタの最大のエミッタ面積(トランジスタ6,7の
エミッタ面積)より小さく、その寄生容量も小さい。ベ
ース接地トランジスタ13,14のエミッタ面積が第3
の差動増幅回路のトランジスタ5,8と等しく、トラン
ジスタ6,7のエミッタ面積がトランジスタ5,8のエ
ミッタ面積の約5倍とすれば、寄生容量は約1/5とな
る。このため高い周波数領域では、ベース接地トランジ
スタ13,14がなく第1および第2の差動増幅回路の
共通エミッタ端子と第3の差動増幅回路のコレクタが直
結されている従来の線形範囲が拡大されたものと比較し
て、第1および第2の差動増幅回路の共通エミッタ端子
より第3の差動増幅回路側を見たインピーダンスは高く
なる。従って、高い周波数での第1および第2の差動増
幅回路のCMRR(同相除去比)が高くなる。
Here, grounded base transistors 13 and 1
The emitter area of No. 4 is smaller than the maximum emitter area of the transistor in the third differential amplifier circuit (emitter area of the transistors 6 and 7), and its parasitic capacitance is also small. The grounded base transistors 13 and 14 have the third emitter area
If the emitter areas of the transistors 6 and 7 are about 5 times the emitter areas of the transistors 5 and 8, the parasitic capacitance is about 1/5. Therefore, in the high frequency region, the conventional linear range in which the common-emitter terminals of the first and second differential amplifier circuits and the collector of the third differential amplifier circuit are directly connected without the grounded base transistors 13 and 14 is expanded. Compared with the above, the impedance seen from the common emitter terminal of the first and second differential amplifier circuits to the third differential amplifier circuit side is higher. Therefore, the CMRR (common mode rejection ratio) of the first and second differential amplifier circuits at high frequencies becomes high.

【0031】この効果を計算機シミュレーションによっ
て確認した結果を図2に示す。この種の掛算回路では、
通常差動増幅回路の一方の入力端子を交流的に接地して
使用するので、図1において掛算回路で入力端子LO1
に正弦波入力を与え、入力端子LO2を交流的に接地し
たときの出力端子OP1におけるキャリアリークの周波
数特性を求め、図2に示した。図2において、曲線Aは
図1の掛算回路のキャリアリーク、曲線Bは図1のベー
ス接地トランジスタ13,14を除去した掛算回路のキ
ャリアリーク、曲線Cは図8に示した従来の基本的な掛
算回路のキャリアリークをそれぞれ示している。
The result of confirming this effect by computer simulation is shown in FIG. In this kind of multiplication circuit,
Since one input terminal of the differential amplifier circuit is normally grounded in an alternating current and used, the input terminal LO1 in the multiplication circuit in FIG.
A sine wave input is applied to the input terminal LO2 and the frequency characteristic of the carrier leak at the output terminal OP1 when the input terminal LO2 is grounded in an alternating current is obtained and shown in FIG. In FIG. 2, a curve A is a carrier leak of the multiplication circuit of FIG. 1, a curve B is a carrier leak of the multiplication circuit of FIG. 1 in which the grounded base transistors 13 and 14 are removed, and a curve C is the conventional basic leakage shown in FIG. Each shows the carrier leak of the multiplication circuit.

【0032】入力端子対LO1,LO2間に差動成分の
みの信号を入力すると、キャリアリークは−100dB
以下であったので、図2の曲線は同相成分によるキャリ
アリークを表わしていると考えられる。曲線Aに示され
るように、図1の掛算回路はベース接地トランジスタ1
3,14のない場合に比較して全周波数領域でキャリア
リークが少なく、特に低い周波数ではキャリアリークが
約30dB、また図3の掛算回路に比較しても約8dB
少なくなっており、本発明によるCMRRの改善効果は
明らかである。
When a signal having only a differential component is input between the pair of input terminals LO1 and LO2, the carrier leak is -100 dB.
Since it was below, it is considered that the curve in FIG. 2 represents the carrier leak due to the in-phase component. As shown by the curve A, the multiplication circuit of FIG.
Compared to the case without 3 and 14, the carrier leak is small in the entire frequency range, and the carrier leak is about 30 dB at a low frequency in particular, and about 8 dB compared to the multiplication circuit of FIG.
Since the number is small, the effect of improving the CMRR according to the present invention is clear.

【0033】従って、この掛算回路を送信機の周波数変
換器や変調器として用い、第1の入力信号として局部発
振信号、第2の入力信号として送信信号を与えた場合、
送信出力側へのキャリアリークを減少させることができ
る。
Therefore, when this multiplication circuit is used as a frequency converter or modulator of a transmitter and a local oscillation signal is given as the first input signal and a transmission signal is given as the second input signal,
Carrier leak to the transmission output side can be reduced.

【0034】また、ベース接地トランジスタ13,14
におけるコレクタ電圧変動のエミッタ側への伝達量も小
さくなるので、トランジスタ5,6のコレクタにおける
電圧変化が小さくなり、それだけ入力端子LO1から入
力端子MO1側へのキャリアリークが少なくなる。
The grounded base transistors 13 and 14 are also provided.
Since the amount of change in collector voltage transmitted to the emitter side is also small, the voltage change in the collectors of the transistors 5 and 6 is small, and the carrier leak from the input terminal LO1 to the input terminal MO1 side is correspondingly small.

【0035】従って、この掛算回路を受信機の周波数変
換器に用いて、入力端子対LO1,LO2間に局部発振
器からの局部発振信号を入力し、入力端子対MO1,M
O2間に受信信号を入力した場合、局部発振信号がMO
1,MO2より漏れ出て高周波増幅器等を通してアンテ
ナから不要放射として放射される量を低減できる。
Therefore, by using this multiplication circuit in the frequency converter of the receiver, the local oscillation signal from the local oscillator is input between the input terminal pair LO1, LO2, and the input terminal pair MO1, M2.
When the received signal is input between O2, the local oscillation signal is MO
1, the amount leaked from MO2 and radiated as unnecessary radiation from the antenna through the high frequency amplifier or the like can be reduced.

【0036】図3は、この効果を計算機シミュレーショ
ンによって確認した結果を示したもので、入力端子対L
O1,LO2間に図2の場合と同様の入力を与えたとき
の、入力端子MO1側へのキャリアリークの周波数特性
である。図2において、曲線Dは図1の掛算回路のキャ
リアリーク、曲線Eは図1のベース接地トランジスタ1
3,14を除去した掛算回路のキャリアリーク、曲線F
は図8に示した従来の基本的な掛算回路のキャリアリー
クをそれぞれ示している。曲線Dによれば、全周波数領
域で曲線E,Fよりキャリアリークが低くなっている。
特に、低い周波数では図1の掛算回路のキャリアリーク
は図3の基本的な掛算回路のそれに対して40dB少な
くなっており、本発明によるキャリアリークの低減効果
は明らかである。
FIG. 3 shows the result of confirming this effect by computer simulation. The input terminal pair L
It is a frequency characteristic of carrier leak to the input terminal MO1 side when an input similar to that of FIG. 2 is applied between O1 and LO2. In FIG. 2, a curve D is a carrier leak of the multiplication circuit of FIG. 1, and a curve E is a grounded base transistor 1 of FIG.
Carrier leak of multiplying circuit with 3 and 14 removed, curve F
Shows carrier leakage of the conventional basic multiplication circuit shown in FIG. According to the curve D, the carrier leak is lower than the curves E and F in the entire frequency range.
Particularly, at a low frequency, the carrier leak of the multiplication circuit of FIG. 1 is 40 dB less than that of the basic multiplication circuit of FIG. 3, and the effect of reducing the carrier leakage according to the present invention is clear.

【0037】次に、本発明の他の実施例を説明する。図
4は、第2の実施例に係る掛算回路であり、第3の差動
増幅回路を4個組み合わせることで、線形範囲をさらに
拡大させている。トランジスタ21と25、22と2
6、23と27、24と28の各差動トランジスタ対
と、これらの差動トランジスタ対のエミッタ共通端子に
それぞれ接続された定電流源31〜34で4個の第3の
差動増幅回路が構成されている。ここで、トランジスタ
21,28と、トランジスタ22,27と、トランジス
タ23〜26とのエミッタ面積比を例えば13:2:1
と選ぶことにより、各差動増幅回路に直流オフセットが
与えられている。また、定電流源31〜34の電流比を
図中に示すように選ぶことにより、重み付けが行われて
いる。
Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 shows a multiplication circuit according to the second embodiment, and the linear range is further expanded by combining four third differential amplifier circuits. Transistors 21 and 25, 22 and 2
Each of the differential transistor pairs 6, 23 and 27, 24 and 28 and the constant current sources 31 to 34 respectively connected to the emitter common terminals of these differential transistor pairs form four third differential amplifier circuits. It is configured. Here, the emitter area ratio of the transistors 21, 28, the transistors 22, 27, and the transistors 23 to 26 is, for example, 13: 2: 1.
By selecting, the DC offset is given to each differential amplifier circuit. Weighting is performed by selecting the current ratio of the constant current sources 31 to 34 as shown in the figure.

【0038】第3の差動増幅回路の個数は3個、あるい
は5個以上でもよく、必要とされる線形範囲に応じてそ
の個数を選べばよい。図4の例に見られるように、差動
増幅回路の数を多くするほどエミッタ面積の大きいトラ
ンジスタを必要とし、それだけ寄生容量も大きくなるの
で、ベース接地トランジスタ13,14を設けることに
よる周波数特性の改善効果はより顕著となる。
The number of the third differential amplifier circuits may be three, or five or more, and the number may be selected according to the required linear range. As seen in the example of FIG. 4, as the number of differential amplifier circuits is increased, a transistor having a larger emitter area is required, and the parasitic capacitance is also increased accordingly. The improvement effect becomes more remarkable.

【0039】図5は、第3の実施例に係る掛算回路であ
り、第1および第2の差動増幅回路をそれぞれ2個ずつ
設け、かつ第1および第2のベース接地トランジスタも
2個ずつ設けている。すなわち、差動トランジスタ対4
1,43と、差動トランジスタ対42,44が第1の差
動増幅回路を構成し、差動トランジスタ対45,47と
差動トランジスタ対46,48が第2の差動増幅回路を
構成している。トランジスタ41,44,45,48と
トランジスタ42,43,46,47のエミッタ面積比
が例えば4:1に選ばれることにより、第1および第2
の差動増幅回路に直流オフセットが付与されている。
FIG. 5 shows a multiplication circuit according to the third embodiment, in which two first and second differential amplifier circuits are provided and two first and second base common transistors are also provided. It is provided. That is, the differential transistor pair 4
1, 43 and the differential transistor pair 42, 44 constitute a first differential amplifier circuit, and the differential transistor pair 45, 47 and the differential transistor pair 46, 48 constitute a second differential amplifier circuit. ing. The emitter area ratio of the transistors 41, 44, 45, 48 and the transistors 42, 43, 46, 47 is selected to be, for example, 4: 1, so that the first and second
A DC offset is added to the differential amplifier circuit.

【0040】第1の差動増幅回路の二つのエミッタ共通
端子は第1のベース接地トランジスタ58,59のコレ
クタに接続され、第2の差動増幅回路の二つのエミッタ
共通端子は第2のベース接地トランジスタ60,61の
コレクタに接続されている。一方、トランジスタ49〜
54と定電流源55〜57とで3個の第3の差動増幅回
路が構成されている。これら第3の差動増幅回路の共通
出力端子対の一方の端子(トランジスタ49〜51の共
通コレクタ端子)に第1のベース接地トランジスタ5
8,59のエミッタが共通に接続され、また共通出力端
子対の他方の端子(トランジスタ52〜54の共通コレ
クタ端子)に、第2のベース接地トランジスタ60,6
1のエミッタが共通接続されている。
The two common emitter terminals of the first differential amplifier circuit are connected to the collectors of the first grounded common transistors 58 and 59, and the two common emitter terminals of the second differential amplifier circuit are the second base. It is connected to the collectors of the ground transistors 60 and 61. On the other hand, transistors 49-
54 and the constant current sources 55 to 57 form three third differential amplifier circuits. The first base-grounded transistor 5 is connected to one terminal (common collector terminal of the transistors 49 to 51) of the common output terminal pair of the third differential amplifier circuit.
The emitters of 8 and 59 are commonly connected, and the second base-grounded transistors 60 and 6 are connected to the other terminal (common collector terminal of the transistors 52 to 54) of the common output terminal pair.
One emitter is commonly connected.

【0041】このように本実施例では、第1および第2
のベース接地トランジスタを複数個設けることにより、
第1および第2の差動増幅回路をそれぞれ複数個設け、
直流オフセットを与えることができるので、入力端子対
LO1,LO2に与えられるの第1の入力信号に対して
も線形範囲を拡大できる。従って、本実施例の掛算回路
は例えば両方の入力信号が情報信号であって、両入力に
対して広い周波数範囲にわたり線形性が要求されるよう
な用途に適している。
As described above, in this embodiment, the first and second
By providing multiple base-grounded transistors of
A plurality of first and second differential amplifier circuits are provided,
Since a DC offset can be applied, the linear range can be expanded even for the first input signal applied to the input terminal pair LO1, LO2. Therefore, the multiplication circuit of this embodiment is suitable for applications where both input signals are information signals and linearity is required for both inputs over a wide frequency range.

【0042】図6は、第4の実施例に係る掛算回路であ
り、トランジスタ71〜82で構成されるそれぞれ3個
の第1および第2の差動増幅回路と、それぞれ3個の第
3および第4のベース接地トランジスタ91〜93およ
び94〜96が設けられている。第3の差動増幅回路
は、トランジスタ83〜88と定電流源97〜99で構
成されている。
FIG. 6 shows a multiplication circuit according to the fourth embodiment, which includes three first and second differential amplifier circuits each including transistors 71 to 82 and three third and third differential amplifier circuits, respectively. Fourth grounded base transistors 91-93 and 94-96 are provided. The third differential amplifier circuit is composed of transistors 83 to 88 and constant current sources 97 to 99.

【0043】この実施例では、例えば第1および第2の
差動増幅回路におけるトランジスタ71,76,77,
82とトランジスタ72〜75,78〜81とのエミッ
タ面積比を8:1とし、ベース接地トランジスタ91,
93,94,96とべース接地トランジスタ92,95
とのエミッタ面積比を3:2とすることにより、第1お
よび第2の差動増幅回路に直流オフセットを持たせると
共に、ベース接地トランジスタにエミッタ面積に比例し
たコレクタ電流が流れるために第1および第2の差動増
幅回路にエミッタ電流の分配比の重み付けを行うことが
できる。
In this embodiment, for example, the transistors 71, 76, 77 in the first and second differential amplifier circuits are
82 and the transistors 72 to 75, 78 to 81 have an emitter area ratio of 8: 1, and the grounded base transistor 91,
93, 94, 96 and base-grounded transistors 92, 95
By setting the emitter area ratio of the above to 3: 2, the first and second differential amplifier circuits have a DC offset, and the collector current proportional to the emitter area flows through the common-base transistor, so that The distribution ratio of the emitter current can be weighted in the second differential amplifier circuit.

【0044】なお、第3の差動増幅回路においては、ト
ランジスタ83,88とトランジスタ84〜87とのエ
ミッタ面積比が例えば8:1に選ばれ、かつ定電流源9
7〜99の電流比が図中に示すように選定されることに
より、直流オフセットの付与と重み付けが行われてい
る。
In the third differential amplifier circuit, the emitter area ratio of the transistors 83 and 88 and the transistors 84 to 87 is selected to be 8: 1, and the constant current source 9 is used.
A DC offset is given and weighted by selecting a current ratio of 7 to 99 as shown in the figure.

【0045】また、この実施例による重み付けの方式を
用いると、掛算回路全体をnpn型およびpnp型のい
ずれか一方のタイプのトランジスタのみで構成すること
が可能である。通常、集積回路ではnpnトランジスタ
の方がpnpトランジスタより周波数特性が良好である
ため、この実施例のようにnpnトランジスタのみで構
成できることは、掛算回路の周波数特性を向上させる上
で有利である。
When the weighting method according to this embodiment is used, it is possible to configure the entire multiplication circuit with only one of the npn type transistor and the pnp type transistor. In general, an npn transistor has a better frequency characteristic than an pnp transistor in an integrated circuit. Therefore, it is advantageous to improve the frequency characteristic of the multiplication circuit by being able to configure only the npn transistor as in this embodiment.

【0046】図7は、第5の実施例に係る掛算回路であ
り、図6における第1および第2の差動増幅回路の各エ
ミッタ共通端子と重み付け用ベース接地トランジスタ9
1〜96との間に、エミッタ面積が小さいベース接地ト
ランジスタ105〜110を挿入している。従って、こ
の実施例によると図6の実施例の利点に加えて、重み付
け用ベース接地トランジスタ91〜96にエミッタ面積
の大きく寄生容量の大きいトランジスタが含まれること
によるCMRRの劣化を抑制できるという効果が得られ
る。なお、この実施例では第3の差動増幅回路はトラン
ジスタ101〜104と定電流源111,112で構成
され、トランジスタ101,104とトランジスタ10
2,103とのエミッタ面積比は例えば4:1であり、
また定電流源111,112の電流比は図示のような値
に選定されている。
FIG. 7 shows a multiplication circuit according to the fifth embodiment. Common terminals of the emitters of the first and second differential amplifier circuits shown in FIG.
1-96, grounded base transistors 105-110 having a small emitter area are inserted. Therefore, according to this embodiment, in addition to the advantages of the embodiment of FIG. 6, the effect that the deterioration of CMRR due to the inclusion of the transistors having a large emitter area and a large parasitic capacitance in the weighted base ground transistors 91 to 96 can be suppressed. can get. In this embodiment, the third differential amplifier circuit is composed of transistors 101 to 104 and constant current sources 111 and 112.
The emitter area ratio with 2,103 is, for example, 4: 1,
The current ratio of the constant current sources 111 and 112 is selected to the value shown in the figure.

【0047】図8〜図12は、上述した第1〜第5の実
施例を変形した実施例に係る掛算回路であり、入力端子
対LO1,LO2、入力端子対LO3,LO4および入
力端子対MO1,MO2には入力信号と共に適当な直流
バイアス電位が与えられ、またベース接地トランジスタ
のベース端子VB1,VB2,VB3,VB4は適当な
直流バイアス電位が与えられると共に、交流的に接地さ
れる。このようにしても、先の実施例と同様の動作が得
られることはいうまでもない。
8 to 12 show a multiplication circuit according to an embodiment obtained by modifying the above-mentioned first to fifth embodiments. The input terminal pair LO1, LO2, the input terminal pair LO3, LO4 and the input terminal pair MO1 are shown. , MO2 are given an appropriate DC bias potential together with the input signal, and the base terminals VB1, VB2, VB3, VB4 of the base-grounded transistors are given an appropriate DC bias potential and are also grounded in AC. Needless to say, even in this case, the same operation as in the previous embodiment can be obtained.

【0048】以上の実施例では、第1の入力信号および
第2の入力信号をいずれも差動増幅回路に入力したが、
第1の入力信号を差動増幅回路に入力し、第2の入力信
号をエミッタ接地増幅回路に入力してもよい。その実施
例を以下に説明する。
In the above embodiment, both the first input signal and the second input signal are input to the differential amplifier circuit.
The first input signal may be input to the differential amplifier circuit and the second input signal may be input to the grounded-emitter amplifier circuit. An example will be described below.

【0049】図14は、第6の実施例に係る掛算回路で
あり、入力端子対LO1,LO2には第1の入力信号が
入力され、もう一つの入力端子Rfには第2の入力信号
が入力される。入力端子対LO1,LO2に入力される
第1の入力信号は、トランジスタ201,202からな
る差動増幅回路によって増幅される。この差動増幅回路
の出力端子対(トランジスタ201,202のコレク
タ)は、負荷回路203を介して電源Vccに接続され
ている。負荷回路203は、この例ではトランジスタ2
04,205からなるカレントミラー回路によって構成
され、トランジスタ205のコレクタが出力端子OPに
接続されている。
FIG. 14 shows a multiplication circuit according to the sixth embodiment. A first input signal is input to the input terminal pair LO1, LO2, and a second input signal is input to the other input terminal Rf. Is entered. The first input signal input to the input terminal pair LO1 and LO2 is amplified by the differential amplifier circuit including the transistors 201 and 202. The output terminal pair (collectors of the transistors 201 and 202) of this differential amplifier circuit is connected to the power supply Vcc via the load circuit 203. The load circuit 203 is a transistor 2 in this example.
The current mirror circuit is composed of 04 and 205, and the collector of the transistor 205 is connected to the output terminal OP.

【0050】一方、入力端子Rfに入力される第2の入
力信号は、エミッタ接地トランジスタ207によって増
幅される。このトランジスタ207のベースは入力端子
Rfに接続され、エミッタは接地されている。
On the other hand, the second input signal input to the input terminal Rf is amplified by the grounded-emitter transistor 207. The base of the transistor 207 is connected to the input terminal Rf, and the emitter is grounded.

【0051】差動増幅回路におけるトランジスタ20
1,202の共通エミッタ端子には、ベース接地トラン
ジスタ206のコレクタが接続され、このトランジスタ
206のエミッタはエミッタ接地トランジスタ207の
コレクタに接続されている。また、このベース接地トラ
ンジスタ206のベース端子VBは、適当な直流バイア
ス電位が与えられると共に、交流的に接地されている。
Transistor 20 in the differential amplifier circuit
The collector of the grounded-base transistor 206 is connected to the common emitter terminals of 1, 202, and the emitter of the transistor 206 is connected to the collector of the grounded-emitter transistor 207. Further, the base terminal VB of the grounded base transistor 206 is given an appropriate DC bias potential and is grounded in an AC manner.

【0052】第1の入力信号を増幅する差動増幅回路の
共通エミッタ端子は、ベース接地トランジスタ206を
介して、第2の入力信号を増幅するエミッタ接地トラン
ジスタ207のコレクタに結合されているので、差動増
幅回路の利得はトランジスタ207のコレクタ電流に比
例する。従って、出力端子OPから第1および第2の入
力信号の積に比例した出力信号が得られるので、図13
の回路は掛算回路として動作する。
Since the common emitter terminal of the differential amplifier circuit for amplifying the first input signal is coupled to the collector of the common-emitter transistor 207 for amplifying the second input signal via the common-base transistor 206, The gain of the differential amplifier circuit is proportional to the collector current of the transistor 207. Therefore, since an output signal proportional to the product of the first and second input signals is obtained from the output terminal OP,
Circuit operates as a multiplication circuit.

【0053】この掛算回路を微弱な信号を受信復調する
ような受信機の周波数変換器や復調器として使用する場
合、雑音指数を極力小さくするために、エミッタ接地ト
ランジスタ207のベース寄生抵抗が発生する熱雑音を
小さくする必要がある。このために、エミッタ接地トラ
ンジスタ207にはベース寄生抵抗の小さい、すなわち
エミッタ面積の比較的大きなトランジスタが使用され
る。一方、ベース接地トランジスタ206はエミッタ接
地トランジスタ207よりもエミッタ面積の小さいトラ
ンジスタが使用される。例えばトランジスタ206と2
07とのエミッタ面積比は、1:4に選ばれる。
When this multiplication circuit is used as a frequency converter or a demodulator of a receiver for receiving and demodulating a weak signal, a base parasitic resistance of the grounded-emitter transistor 207 is generated in order to minimize the noise figure. It is necessary to reduce thermal noise. Therefore, as the grounded-emitter transistor 207, a transistor having a small base parasitic resistance, that is, a relatively large emitter area is used. On the other hand, as the grounded base transistor 206, a transistor whose emitter area is smaller than that of the grounded emitter transistor 207 is used. For example, transistors 206 and 2
The emitter area ratio with 07 is chosen to be 1: 4.

【0054】従って、トランジスタ206の寄生容量は
トランジスタ207のそれより小さいので、差動増幅回
路の共通エミッタ端子よりエミッタ接地トランジスタ2
07のコレクタ側を見たインピーダンスは、ベース接地
トランジスタ206がない従来の掛算回路(例えば図1
8)に比較して高くなる。これにより、エミッタ接地ト
ランジスタ207にエミッタ面積の大きいトランジスタ
を使用することによるCMRRの低下や、入力端子対L
O1,LO2への入力信号の入力端子Rf側への回り込
みが減少する。
Therefore, since the parasitic capacitance of the transistor 206 is smaller than that of the transistor 207, the grounded-emitter transistor 2 is connected from the common emitter terminal of the differential amplifier circuit.
The impedance viewed from the collector side of 07 is the conventional multiplication circuit without the grounded base transistor 206 (see, for example, FIG.
It is higher than 8). This reduces the CMRR due to the use of a transistor having a large emitter area as the grounded-emitter transistor 207, and reduces the input terminal pair L.
The sneak of the input signal to O1 and LO2 to the input terminal Rf side is reduced.

【0055】図14は、第7の実施例に係る掛算回路で
あり、第1の入力信号を増幅する差動増幅回路を3個設
け、かつベース接地トランジスタも3個設けている。す
なわち、第1の差動トランジスタ対301,304と、
第2の差動トランジスタ対302,305および第3の
差動トランジスタ対303,306がそれぞれ差動増幅
回路を構成している。これらの差動増幅回路の各々の出
力端子対は、共通の負荷回路307に接続される。負荷
回路307には出力端子OPが設けられる。
FIG. 14 shows a multiplication circuit according to the seventh embodiment, which is provided with three differential amplifier circuits for amplifying the first input signal and three grounded base transistors. That is, the first differential transistor pair 301, 304,
The second differential transistor pair 302, 305 and the third differential transistor pair 303, 306 respectively form a differential amplifier circuit. The output terminal pair of each of these differential amplifier circuits is connected to a common load circuit 307. The load circuit 307 is provided with an output terminal OP.

【0056】3個の差動増幅回路のそれぞれの共通エミ
ッタ端子は、それぞれベース接地トランジスタ308,
309,310のコレクタに接続され、トランジスタ3
08のエミッタはエミッタ接地トランジスタ311のコ
レクタに接続されている。また、ベース接地トランジス
タ308,309,310の共通ベース端子VBは、適
当な直流バイアス電位が与えられると共に、交流的に接
地されている。
The common emitter terminals of the three differential amplifier circuits are respectively grounded base transistors 308,
Connected to the collectors of 309 and 310, transistor 3
The emitter of 08 is connected to the collector of the grounded-emitter transistor 311. The common base terminal VB of the grounded base transistors 308, 309 and 310 is given an appropriate DC bias potential and is also grounded in AC.

【0057】この実施例では、差動増幅回路を構成する
トランジスタ301,306とトランジスタ302,3
03,304,305とのエミッタ面積比を例えば4:
1とし、トランジスタ308,309,310のエミッ
タ面積比を例えば3:2:3とすることにより、差動増
幅回路に直流オフセットを付与すると共に、差動増幅回
路の各々の共通エミッタ端子に流れる電流の分配比に重
み付けを行う。これにより、入力端子対LO1,LO2
に入力される第1の入力信号に対する線形化が達成され
る。従って、この掛算回路を例えば受信機の周波数変換
器(ミキサ)として使用し、入力端子対LO1,LO2
に局部発振信号、入力端子Rfに高周波入力信号を入力
した場合、局部発振信号の高調波を少なくできる。この
結果、高周波入力信号に含まれる妨害波や雑音と、局部
発振信号との積が所望の出力周波数に重畳されて出力さ
れる量を減少させることができる。
In this embodiment, the transistors 301 and 306 and the transistors 302 and 3 which form the differential amplifier circuit.
The emitter area ratio with 03, 304, 305 is, for example, 4:
1, and by setting the emitter area ratio of the transistors 308, 309, and 310 to, for example, 3: 2: 3, a DC offset is given to the differential amplifier circuit and a current flowing through each common emitter terminal of the differential amplifier circuit. The distribution ratio of is weighted. As a result, the input terminal pair LO1, LO2
Linearization is achieved for the first input signal input to. Therefore, this multiplication circuit is used, for example, as a frequency converter (mixer) of the receiver, and the input terminal pair LO1, LO2 is used.
When a local oscillation signal is input to the input terminal and a high frequency input signal is input to the input terminal Rf, harmonics of the local oscillation signal can be reduced. As a result, it is possible to reduce the amount of the product of the interfering wave or noise included in the high frequency input signal and the local oscillation signal, which is superimposed on the desired output frequency and output.

【0058】図15は、第8の実施例に係る掛算回路で
あり、図14における差動増幅回路の各エミッタ共通端
子と重み付け用ベース接地トランジスタ308〜310
(第2のベース接地トランジスタ)との間に、エミッタ
面積が小さいベース接地トランジスタ312〜314
(第1のベース接地トランジスタ)を挿入している。ト
ランジスタ308〜310の共通ベース端子VB1およ
びトランジスタ312〜314の共通ベース端子VB2
は、いずれも適当な直流バイアス電位が与えられると共
に、交流的に接地されている。
FIG. 15 shows a multiplication circuit according to the eighth embodiment, in which each emitter common terminal of the differential amplifier circuit shown in FIG. 14 and weighted base-grounded transistors 308-310.
(Second grounded base transistor) and a grounded base transistor 312 to 314 having a small emitter area
(First grounded base transistor) is inserted. Common base terminal VB1 of transistors 308-310 and common base terminal VB2 of transistors 312-314
Are both given an appropriate DC bias potential and are grounded AC.

【0059】従って、この実施例によると図14の実施
例の利点に加えて、重み付け用ベース接地トランジスタ
308〜310にエミッタ面積が大きく寄生容量の大き
いトランジスタが含まれることによるCMRRの劣化
を、追加したベース接地トランジスタ312〜314に
よって抑制でき、入力端子対LO1,LO2に入力され
た信号が入力端子Rf側に回り込む量を減少させること
ができるという効果が得られる。
Therefore, according to this embodiment, in addition to the advantages of the embodiment of FIG. 14, the deterioration of CMRR due to the inclusion of the transistors with large emitter areas and large parasitic capacitances in the weighted base ground transistors 308 to 310 is added. This can be suppressed by the grounded base transistors 312 to 314, and an effect that the amount of the signal input to the input terminal pair LO1, LO2 sneaking into the input terminal Rf side can be reduced can be obtained.

【0060】図16は、第9の実施例に係る掛算回路で
あり、ダイレクトコンバージョン方式の受信機における
直交復調器として用いる掛算回路に好適な例である。こ
の掛算回路は、図13に示した掛算回路を単位掛算回路
として2個組み合わせたものであり、これら2個の単位
掛算回路で一つのエミッタ接地トランジスタを共有して
いる。
FIG. 16 shows a multiplication circuit according to the ninth embodiment, which is a preferred example of the multiplication circuit used as a quadrature demodulator in a direct conversion receiver. This multiplying circuit is a combination of two multiplying circuits shown in FIG. 13 as a unit multiplying circuit, and these two unit multiplying circuits share one common-emitter transistor.

【0061】図16においては、2個の単位掛算回路に
対してそれぞれ入力端子対LO1,LO2およびLO
3,LO4が設けられている。直交復調器の場合、これ
らの入力端子対LO1,LO2に入力される信号と入力
端子対LO3,LO4に入力される信号は、互いに90
°位相をずらせた局部発振信号である。もう一つの入力
端子Rfには、復調されるべき信号、すなわち変調され
た信号が入力される。
In FIG. 16, input terminal pairs LO1, LO2 and LO are respectively provided for two unit multiplication circuits.
3, LO4 are provided. In the case of the quadrature demodulator, the signals input to the input terminal pair LO1 and LO2 and the signals input to the input terminal pair LO3 and LO4 are 90 degrees from each other.
° This is a local oscillation signal with a phase shift. A signal to be demodulated, that is, a modulated signal is input to the other input terminal Rf.

【0062】入力端子対LO1,LO2に入力される信
号は、トランジスタ401,402からなる差動増幅回
路によって増幅され、負荷回路405から出力端子OP
11へ出力される。また、入力端子対LO3,LO4に
入力される信号は、トランジスタ403,404からな
る差動増幅回路によって増幅され、負荷回路406から
出力端子OP12へ出力される。一方、入力端子Rfに
入力される第2の入力信号は、エミッタ接地トランジス
タ409によって増幅される。このトランジスタ409
のベースは入力端子Rfに接続され、エミッタは接地さ
れている。
The signal input to the pair of input terminals LO1 and LO2 is amplified by the differential amplifier circuit including the transistors 401 and 402, and is output from the load circuit 405 to the output terminal OP.
It is output to 11. The signal input to the input terminal pair LO3, LO4 is amplified by the differential amplifier circuit including the transistors 403, 404 and output from the load circuit 406 to the output terminal OP12. On the other hand, the second input signal input to the input terminal Rf is amplified by the common-emitter transistor 409. This transistor 409
Has a base connected to the input terminal Rf and an emitter grounded.

【0063】トランジスタ401,402の共通エミッ
タ端子およびトランジスタ403,404の共通エミッ
タ端子は、ベース接地トランジスタ407,408のコ
レクタにそれぞれ接続され、トランジスタ407,40
8のエミッタはエミッタ接地トランジスタ407のコレ
クタに共通に接続されている。ベース接地トランジスタ
407,408の共通ベース端子VBは、適当な直流バ
イアス電位が与えられると共に、交流的に接地されてい
る。
The common emitter terminals of the transistors 401 and 402 and the common emitter terminals of the transistors 403 and 404 are connected to the collectors of the base-grounded transistors 407 and 408, respectively, and the transistors 407 and 40 are connected.
The eight emitters are commonly connected to the collector of the grounded-emitter transistor 407. The common base terminal VB of the base-grounded transistors 407 and 408 is supplied with an appropriate DC bias potential and is grounded AC.

【0064】互いに90°位相のずれた局部発振信号を
それぞれ増幅する2つの差動増幅回路の各々共通エミッ
タ端子は、ベース接地トランジスタ407,408をそ
れぞれ介して、変調された信号を増幅するエミッタ接地
トランジスタ409のコレクタに結合されているので、
出力端子OP11,OP12から互いに90°位相が異
なる復調出力、すなわち直交復調出力が得られる。
The common emitter terminals of the two differential amplifier circuits for amplifying the local oscillation signals which are 90 ° out of phase with each other have common emitter terminals for amplifying the modulated signal via the grounded base transistors 407 and 408, respectively. Since it is coupled to the collector of transistor 409,
From the output terminals OP11 and OP12, demodulation outputs having 90 ° different phases, that is, quadrature demodulation outputs are obtained.

【0065】この実施例において、ベース接地トランジ
スタ407,408は、寄生抵抗を減らすためにエミッ
タ面積を大きくしたエミッタ接地トランジスタ409の
寄生容量の影響を低減すると共に、エミッタ接地トラン
ジスタ409の出力電流(コレクタ電流)を2個差動増
幅回路に分配する役割を果たす。
In this embodiment, the grounded-base transistors 407 and 408 reduce the influence of the parasitic capacitance of the grounded-emitter transistor 409 whose emitter area is increased to reduce the parasitic resistance, and the output current (collector) of the grounded-emitter transistor 409. Current) is distributed to two differential amplifier circuits.

【0066】直交復調器は、位相誤差と変換利得誤差を
小さくすることが重要である。従来の一般的な直交復調
器では、復調されるべき変調された信号を2分配した
後、位相が互いに90°ずれた局部発振信号が供給され
た独立した2つの掛算回路にそれぞれ入力される。これ
に対して、図16の掛算回路を用いた直交復調器では、
変調された信号は2つの掛算回路に共通のエミッタ接地
トランジスタ409のベースに入力され、分配と同時に
局部発振信号との掛算(直交復調)が行われる。従っ
て、図16の掛算回路を用いてた直交復調器は、上述し
た従来の直交復調器に比較して、変調された信号が通過
する素子の数が少ないため、それだけ誤差要因が少なく
なり、位相誤差および変換利得誤差を低減することがで
きる。
It is important for the quadrature demodulator to reduce the phase error and the conversion gain error. In a conventional general quadrature demodulator, a modulated signal to be demodulated is divided into two, and then input to two independent multiplication circuits to which local oscillation signals whose phases are shifted by 90 ° are supplied. On the other hand, in the quadrature demodulator using the multiplication circuit of FIG.
The modulated signal is input to the base of the common-emitter transistor 409 common to the two multiplying circuits, and simultaneously with distribution, multiplication with the local oscillation signal (quadrature demodulation) is performed. Therefore, the quadrature demodulator using the multiplication circuit of FIG. 16 has a smaller number of elements through which the modulated signal passes, as compared with the above-described conventional quadrature demodulator, and thus the error factors are reduced accordingly, and the phase The error and the conversion gain error can be reduced.

【0067】なお、図16の実施例では基本となる2組
の単位掛算回路として図13の掛算回路を用いたが、図
14または図15に示した掛算回路を用いてよい。ま
た、3個あるいはそれ以上の数の単位掛算回路を、エミ
ッタ接地トランジスタを共有して組み合わせることも可
能である。
In the embodiment shown in FIG. 16, the multiplication circuit shown in FIG. 13 is used as the basic two sets of unit multiplication circuits, but the multiplication circuit shown in FIG. 14 or 15 may be used. It is also possible to combine three or more unit multiplication circuits by sharing the common-emitter transistor.

【0068】[0068]

【発明の効果】本発明によれば、高い周波数での同相除
去比の低下と、掛算されるべき2つの信号が入力される
入力端子間の信号の回り込みが少なく、また線形範囲が
広く歪みの小さい掛算回路を提供することができる。
According to the present invention, the common-mode rejection ratio at a high frequency is reduced, the signal wraparound between the input terminals to which two signals to be multiplied are input is small, and the linear range is wide and the distortion is small. A small multiplying circuit can be provided.

【0069】従って、この掛算回路を例えば送信機に用
いればキャリアリークが少なく歪みの小さい送信出力が
得られる。また、この掛算回路を受信機に用いた場合は
低雑音でダイナミックレンジが広く、かつ局部発振信号
がアンテナ系に漏れ出ることによる不要放射を少なくす
ることができる。
Therefore, if this multiplication circuit is used in a transmitter, for example, a transmission output with less carrier leak and less distortion can be obtained. Further, when this multiplication circuit is used for a receiver, low noise and a wide dynamic range and unnecessary radiation due to leakage of a local oscillation signal into an antenna system can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例に係る掛算回路の回路図FIG. 1 is a circuit diagram of a multiplication circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の掛算回路の出力端子におけるキャリアリ
ークの周波数特性を示す図
FIG. 2 is a diagram showing frequency characteristics of carrier leak at an output terminal of the multiplication circuit of FIG.

【図3】図1の掛算回路の入力端子におけるキャリアリ
ークの周波数特性を示す図
3 is a diagram showing frequency characteristics of carrier leak at the input terminal of the multiplication circuit of FIG.

【図4】本発明の第2の実施例に係る掛算回路の回路図FIG. 4 is a circuit diagram of a multiplication circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施例に係る掛算回路の回路図FIG. 5 is a circuit diagram of a multiplication circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第4の実施例に係る掛算回路の回路図FIG. 6 is a circuit diagram of a multiplication circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第5の実施例に係る掛算回路の回路図FIG. 7 is a circuit diagram of a multiplication circuit according to a fifth embodiment of the present invention.

【図8】第1の実施例の変形例を示す回路図FIG. 8 is a circuit diagram showing a modification of the first embodiment.

【図9】第2の実施例の変形例を示す回路図FIG. 9 is a circuit diagram showing a modification of the second embodiment.

【図10】第3の実施例の変形例を示す回路図FIG. 10 is a circuit diagram showing a modification of the third embodiment.

【図11】第4の実施例の変形例を示す回路図FIG. 11 is a circuit diagram showing a modification of the fourth embodiment.

【図12】第5の実施例の変形例を示す回路図FIG. 12 is a circuit diagram showing a modification of the fifth embodiment.

【図13】本発明の第6の実施例に係る掛算回路の回路
FIG. 13 is a circuit diagram of a multiplication circuit according to a sixth embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第7の実施例に係る掛算回路の回路
FIG. 14 is a circuit diagram of a multiplication circuit according to a seventh embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第8の実施例に係る掛算回路の回路
FIG. 15 is a circuit diagram of a multiplication circuit according to an eighth embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第9の実施例に係る掛算回路の回路
FIG. 16 is a circuit diagram of a multiplication circuit according to a ninth embodiment of the present invention.

【図17】従来の掛算回路の回路図FIG. 17 is a circuit diagram of a conventional multiplication circuit.

【図18】従来の掛算回路の回路図FIG. 18 is a circuit diagram of a conventional multiplication circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

LO1,LO2…第1の入力端子対 MO1,MO2…第2の入力端子対 Rf…第2の入力端子 OP1,OP2…出力端子対 OP…出力端子 1,2,41〜44,71〜76…第1の差動増幅回路
のトランジスタ 3,4,45〜48,77〜82…第2の差動増幅回路
のトランジスタ 9,10…負荷抵抗 5〜8,21〜28,49〜54,83〜88,101
〜104…第3の差動増幅回路のトランジスタ 13,58,59,105〜107…第1のベース接地
トランジスタ 14,60,61,108〜110…第2のベース接地
トランジスタ 91〜93…第3のベース接地トランジスタ 94〜96…第4のベース接地トランジスタ 201〜202,301〜306,401〜404…差
動増幅回路のトランジスタ 206,308〜310,312〜314,407〜4
08…ベース接地トランジスタ 207,311,409…エミッタ接地トランジスタ 203,307,405,406…負荷回路
LO1, LO2 ... 1st input terminal pair MO1, MO2 ... 2nd input terminal pair Rf ... 2nd input terminal OP1, OP2 ... Output terminal pair OP ... Output terminal 1, 2, 41-44, 71-76 ... Transistors of first differential amplifier circuit 3, 4, 45 to 48, 77 to 82 ... Transistors of second differential amplifier circuit 9, 10 ... Load resistors 5 to 8, 21 to 28, 49 to 54, 83 to 88,101
To 104 ... Transistors of the third differential amplifier circuit 13, 58, 59, 105 to 107 ... First base ground transistor 14, 60, 61, 108 to 110 ... Second base ground transistor 91 to 93 ... Third Base-grounded transistors 94 to 96 ... Fourth base-grounded transistors 201 to 202, 301 to 306, 401 to 404 ... Transistors 206, 308 to 310, 312 to 314, 407 to 4 of the differential amplifier circuit
08 ... Common grounded transistor 207, 311, 409 ... Commonly grounded emitter transistor 203, 307, 405, 406 ... Load circuit

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】第1の入力信号を入力とし、出力端子対と
共通エミッタ端子をそれぞれ有する第1および第2の差
動増幅回路と、 第1および第2の差動増幅回路の出力端子対を第1の入
力信号に対する第1および第2の差動増幅回路の出力が
互いに打ち消されるように接続すると共に、第1および
第2の差動増幅回路の出力の差を出力信号として取り出
す出力手段と、 ベースが交流的に接地され、コレクタが第1および第2
の差動増幅回路のそれぞれの共通エミッタ端子に接続さ
れた第1および第2のベース接地トランジスタと、 第2の入力信号を入力とし、それぞれの出力端子対が第
1および第2のベース接地トランジスタのエミッタに共
通に接続され、所定の直流オフセットが付与された複数
の第3の差動増幅回路とを具備すること特徴とする掛算
回路。
1. A first and second differential amplifier circuit, which receives a first input signal and has an output terminal pair and a common emitter terminal, respectively, and an output terminal pair of the first and second differential amplifier circuits. Is connected so that the outputs of the first and second differential amplifier circuits with respect to the first input signal cancel each other, and the output means for extracting the difference between the outputs of the first and second differential amplifier circuits as an output signal And the base is AC grounded and the collectors are the first and second
First and second common-base transistors connected to respective common emitter terminals of the differential amplifier circuit, and a second input signal as an input, and respective output terminal pairs having first and second common-base transistors And a plurality of third differential amplifier circuits to which a predetermined DC offset is applied, the third differential amplifier circuits being commonly connected to the emitters of.
【請求項2】第1の入力信号を入力とし、出力端子対と
共通エミッタ端子をそれぞれ有する所定の直流オフセッ
トが付与された複数の第1および第2の差動増幅回路
と、 第1の差動増幅回路の出力端子対と第2の差動増幅回路
の出力端子対とを第1の入力信号に対する第1の差動増
幅回路の出力と第2の差動増幅回路の出力が互いに打ち
消されるように接続すると共に、第1および第2の差動
増幅回路の出力の差を出力信号として取り出す出力手段
と、 ベースが交流的に接地され、コレクタが複数の第1の差
動増幅回路のそれぞれの共通エミッタ端子に接続され、
エミッタが共通接続された複数の第1のベース接地トラ
ンジスタと、 ベースが交流的に接地され、コレクタが複数の第2の差
動増幅回路のそれぞれの共通エミッタ端子に接続され、
エミッタが共通接続された複数の第2のベース接地トラ
ンジスタと、 第2の入力信号を入力とし、第1および第2のベース接
地トランジスタのそれぞれの共通エミッタ端子にそれぞ
れの出力端子対が共通に接続され、所定の直流オフセッ
トが付与された複数の第3の差動増幅回路とを具備する
ことを特徴とする掛算回路。
2. A plurality of first and second differential amplifier circuits, each having a first input signal as an input and having a pair of output terminals and a common emitter terminal and provided with a predetermined DC offset, and a first difference. The output terminal pair of the dynamic amplifier circuit and the output terminal pair of the second differential amplifier circuit cancel the output of the first differential amplifier circuit and the output of the second differential amplifier circuit with respect to the first input signal. And the output means for extracting the difference between the outputs of the first and second differential amplifier circuits as an output signal, and the plurality of first differential amplifier circuits whose bases are AC-grounded and whose collectors are grounded. Connected to the common emitter terminal of
A plurality of first grounded-base transistors whose emitters are commonly connected, a base which is grounded in an alternating manner, and a collector which is connected to respective common emitter terminals of a plurality of second differential amplifier circuits,
A plurality of second common-grounded transistors whose emitters are commonly connected, and a second input signal as an input, and common output terminals of the first and second common-grounded transistors are commonly connected to their respective output terminal pairs. And a plurality of third differential amplifier circuits to which a predetermined DC offset is applied.
【請求項3】第1および第2のベース接地トランジスタ
は、エミッタ面積が第3の差動増幅回路に用いられるト
ランジスタの最大のエミッタ面積より小さいことを特徴
とする請求項1または2記載の掛算回路。
3. The multiplication according to claim 1, wherein the first and second grounded base transistors have an emitter area smaller than the maximum emitter area of the transistor used in the third differential amplifier circuit. circuit.
【請求項4】第1の入力信号を入力とし、出力端子対と
共通エミッタ端子をそれぞれ有する所定の直流オフセッ
トが付与された複数の第1および第2の差動増幅回路
と、 第1の差動増幅回路の出力端子対と第2の差動増幅回路
の出力端子対とを第1の入力信号に対する第1の差動増
幅回路の出力と第2の差動増幅回路の出力が互いに打ち
消されるように接続すると共に、第1および第2の差動
増幅回路の出力の差を出力信号として取り出す出力手段
と、 ベースが交流的に接地され、コレクタが複数の第1の差
動増幅回路のそれぞれの共通エミッタ端子に接続され、
エミッタが共通接続された所定のエミッタ面積比を有す
る複数の第1のベース接地トランジスタと、 ベースが交流的に接地され、コレクタが複数の第2の差
動増幅回路のそれぞれの共通エミッタ端子に接続され、
エミッタが共通接続された所定のエミッタ面積比を有す
る複数の第2のベース接地トランジスタと、 第2の入力信号を入力とし、第1および第2のベース接
地トランジスタのそれぞれの共通エミッタ端子にそれぞ
れの出力端子対が共通に接続され、所定の直流オフセッ
トが付与された複数の第3の差動増幅回路とを具備する
ことを特徴とする掛算回路。
4. A plurality of first and second differential amplifier circuits, each having a first input signal as an input and having a pair of output terminals and a common emitter terminal and provided with a predetermined DC offset, and a first difference. The output terminal pair of the dynamic amplifier circuit and the output terminal pair of the second differential amplifier circuit cancel the output of the first differential amplifier circuit and the output of the second differential amplifier circuit with respect to the first input signal. And the output means for extracting the difference between the outputs of the first and second differential amplifier circuits as an output signal, and the plurality of first differential amplifier circuits whose bases are AC-grounded and whose collectors are grounded. Connected to the common emitter terminal of
A plurality of first grounded-base transistors having a predetermined emitter area ratio with emitters commonly connected, a base grounded in an alternating current, and a collector connected to respective common emitter terminals of a plurality of second differential amplifier circuits. Was
A plurality of second grounded-base transistors having a predetermined emitter area ratio, whose emitters are commonly connected, and a second input signal, which are input to common emitter terminals of the first and second common-grounded transistors, respectively. And a plurality of third differential amplifier circuits to which a pair of output terminals are commonly connected and to which a predetermined DC offset is applied.
【請求項5】第1の入力信号を入力とし、出力端子対と
共通エミッタ端子をそれぞれ有する所定の直流オフセッ
トが付与された複数の第1および第2の差動増幅回路
と、 第1の差動増幅回路の出力端子対と第2の差動増幅回路
の出力端子対とを第1の入力信号に対する第1の差動増
幅回路の出力と第2の差動増幅回路の出力が互いに打ち
消されるように接続すると共に、第1および第2の差動
増幅回路の出力の差を出力信号として取り出す出力手段
と、 ベースが交流的に接地され、コレクタが複数の第1の差
動増幅回路のそれぞれの共通エミッタ端子に接続された
複数の第1のベース接地トランジスタと、 ベースが交流的に接地され、コレクタが複数の第2の差
動増幅回路のそれぞれの共通エミッタ端子に接続された
複数の第2のベース接地トランジスタと、 ベースが交流的に接地され、コレクタが第1のベース接
地トランジスタのそれぞれのエミッタに接続され、エミ
ッタが共通接続された所定のエミッタ面積比を有する複
数の第3のベース接地トランジスタと、 ベースが交流的に接地され、コレクタが第2のベース接
地トランジスタのそれぞれのエミッタに接続され、エミ
ッタが共通接続された所定のエミッタ面積比を有する複
数の第4のベース接地トランジスタと、 第2の入力信号を入力とし、第1および第2のベース接
地トランジスタのそれぞれの共通エミッタ端子にそれぞ
れの出力端子対が共通に接続され、所定の直流オフセッ
トが付与された複数の第3の差動増幅回路とを具備する
ことを特徴とする掛算回路。
5. A plurality of first and second differential amplifier circuits, each having a first input signal as an input and having a pair of output terminals and a common emitter terminal and provided with a predetermined DC offset, and a first difference. The output terminal pair of the dynamic amplifier circuit and the output terminal pair of the second differential amplifier circuit cancel the output of the first differential amplifier circuit and the output of the second differential amplifier circuit with respect to the first input signal. And the output means for extracting the difference between the outputs of the first and second differential amplifier circuits as an output signal, and the plurality of first differential amplifier circuits whose bases are AC-grounded and whose collectors are grounded. A plurality of first grounded base transistors connected to the common emitter terminals of the plurality of first bases, and a plurality of first bases of which bases are AC-grounded and collectors of which are connected to respective common emitter terminals of the plurality of second differential amplifier circuits. 2 base connections A transistor, a plurality of third grounded base transistors having a predetermined emitter area ratio, a base of which is AC grounded, a collector of which is connected to respective emitters of the first grounded base transistor, and which of which emitters are commonly connected; A plurality of fourth grounded-base transistors having a predetermined emitter area ratio, the bases of which are AC grounded, the collectors of which are connected to the respective emitters of the second grounded-ground transistors, and the emitters of which are commonly connected; A plurality of third differential amplifier circuits each having an input signal as an input, having respective output terminal pairs commonly connected to respective common emitter terminals of the first and second common-base transistors, and having a predetermined DC offset And a multiplying circuit.
【請求項6】第1の入力信号を入力とし、出力端子対と
共通エミッタ端子を有する差動増幅回路と、 この差動増幅回路の出力端子対の少なくとも一方の出力
端子に接続される負荷回路と、 第2の入力信号をベースへの入力とするエミッタ接地ト
ランジスタと、 ベースが交流的に接地され、コレクタが前記差動増幅回
路の共通エミッタ端子に接続され、エミッタが前記エミ
ッタ接地トランジスタのコレクタに接続された該エミッ
タ接地トランジスタよりも小さいエミッタ面積を有する
ベース接地トランジスタとを具備することを特徴とする
掛算回路。
6. A differential amplifier circuit having a first input signal as an input and having an output terminal pair and a common emitter terminal, and a load circuit connected to at least one output terminal of the output terminal pair of the differential amplifier circuit. A grounded-emitter transistor having a second input signal as an input to the base; a base grounded in an alternating manner; a collector connected to a common emitter terminal of the differential amplifier circuit; A grounded-base transistor having a smaller emitter area than the grounded-emitter transistor connected to.
【請求項7】第1の入力信号を入力とし、出力端子対と
共通エミッタ端子を有する所定の直流オフセットが付与
された複数の差動増幅回路と、 この差動増幅回路の出力端子対の少なくとも一方の出力
端子に接続される負荷回路と、 第2の入力信号をベースへの入力とするエミッタ接地ト
ランジスタと、 ベースが交流的に接地され、コレクタが前記複数の差動
増幅回路のそれぞれの共通エミッタ端子に接続され、エ
ミッタが前記エミッタ接地トランジスタのコレクタに接
続された所定のエミッタ面積比を有する複数のベース接
地トランジスタとを具備することを特徴とする掛算回
路。
7. A plurality of differential amplifier circuits to which a first input signal is input and which are provided with a predetermined DC offset having an output terminal pair and a common emitter terminal, and at least an output terminal pair of the differential amplifier circuit. A load circuit connected to one output terminal, a grounded-emitter transistor having a second input signal as an input to the base, a base grounded in an alternating manner, and a collector common to each of the plurality of differential amplifier circuits. And a plurality of grounded base transistors having a predetermined emitter area ratio, the emitters being connected to the emitter terminals and the emitters being connected to the collectors of the grounded emitter transistors.
【請求項8】第1の入力信号を入力とし、出力端子対と
共通エミッタ端子を有する所定の直流オフセットが付与
された複数の差動増幅回路と、 この差動増幅回路の出力端子対の少なくとも一方の出力
端子に接続される負荷回路と、 第2の入力信号をベースへの入力とするエミッタ接地ト
ランジスタと、 ベースが交流的に接地され、エミッタが前記エミッタ接
地トランジスタのコレクタに共通に接続された所定のエ
ミッタ面積比を有する複数の第1のベース接地トランジ
スタと、 ベースが交流的に接地され、コレクタが前記複数の差動
増幅回路のそれぞれの共通エミッタ端子に接続され、エ
ミッタが前記複数の第1のベース接地トランジスタのそ
れぞれのコレクタに接続された、エミッタ面積が第1の
ベース接地トランジスタのうちで最小エミッタ面積のト
ランジスタのそれと等しいかそれより小さい複数の第2
のベース接地トランジスタとを具備することを特徴とす
る掛算回路。
8. A plurality of differential amplifier circuits which receive a first input signal and which are provided with a predetermined DC offset and which have an output terminal pair and a common emitter terminal, and at least an output terminal pair of the differential amplifier circuit. A load circuit connected to one output terminal, a grounded-emitter transistor having a second input signal as an input to the base, a base grounded in an alternating current, and an emitter commonly connected to the collector of the grounded-emitter transistor. A plurality of first grounded grounded transistors having a predetermined emitter area ratio, a base is grounded in an alternating manner, a collector is connected to a common emitter terminal of each of the plurality of differential amplifier circuits, and an emitter is The emitter area connected to each collector of the first common-base transistor is the smallest of the first common-base transistors. A plurality of second equal to or less than that of the transistor of the miter area
And a base-grounded transistor of 1.
【請求項9】請求項6、7または8に記載の掛算回路を
単位掛算回路として、複数個の単位掛算回路を備え、こ
れら複数の単位掛算回路で前記エミッタ接地トランジス
タを共有したことを特徴とする掛算回路。
9. The multiplying circuit according to claim 6, 7 or 8 is provided as a unit multiplying circuit, and a plurality of unit multiplying circuits are provided, and the grounded emitter transistor is shared by the plurality of unit multiplying circuits. Multiplying circuit.
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JP2010538560A (en) * 2007-09-03 2010-12-09 トーマズ・テクノロジー・リミテッド Multipliers, mixers, modulators, receivers and transmitters

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