JPH05100061A - ハードデイスクドライブにおけるスイングアームの防振構造 - Google Patents
ハードデイスクドライブにおけるスイングアームの防振構造Info
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- JPH05100061A JPH05100061A JP28560991A JP28560991A JPH05100061A JP H05100061 A JPH05100061 A JP H05100061A JP 28560991 A JP28560991 A JP 28560991A JP 28560991 A JP28560991 A JP 28560991A JP H05100061 A JPH05100061 A JP H05100061A
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- JP
- Japan
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- vibration
- swing arm
- spindle
- hard disk
- arm
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- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
- Fluid-Damping Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スイングアーム方式のハードディスクドライ
ブにおいて、スイングアームの回動軸部に防振構造を適
用する。 【構成】 スイングアーム11の回動軸部に位置するホ
ルダ部15と回動軸となるスピンドル13との間に空隙
部20を形成し、この空隙部20にシリコーンゲルから
成る防振材21を充填して成ることを特徴としている。
ブにおいて、スイングアームの回動軸部に防振構造を適
用する。 【構成】 スイングアーム11の回動軸部に位置するホ
ルダ部15と回動軸となるスピンドル13との間に空隙
部20を形成し、この空隙部20にシリコーンゲルから
成る防振材21を充填して成ることを特徴としている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はハードディスクドライブ
におけるスイングアームに関するものであって、特にス
イングアームの回動軸部に適用される防振構造に係るも
のである。
におけるスイングアームに関するものであって、特にス
イングアームの回動軸部に適用される防振構造に係るも
のである。
【0002】
【発明の背景】パーソナルコンピュータやワードプロセ
ッサの外部記憶装置として広く使用されているものにハ
ードディスクドライブがある。ハードディスクドライブ
はハードディスクと呼ばれる磁気ディスクを媒体とし
て、ハードディスクに磁界をかけてデータを記録し、ま
た記録されたデータを再生する装置である。そしてデー
タの記録、再生に際しては回転するハードディスクに対
しわずかの隙間を隔てて設けられる磁気ヘッドがハード
ディスク外周から内周へ、また内周から外周へ移動する
ことにより、磁気ディスク上面及び下面の記録エリア全
体に作用し、データの記録、再生を可能としている。
ッサの外部記憶装置として広く使用されているものにハ
ードディスクドライブがある。ハードディスクドライブ
はハードディスクと呼ばれる磁気ディスクを媒体とし
て、ハードディスクに磁界をかけてデータを記録し、ま
た記録されたデータを再生する装置である。そしてデー
タの記録、再生に際しては回転するハードディスクに対
しわずかの隙間を隔てて設けられる磁気ヘッドがハード
ディスク外周から内周へ、また内周から外周へ移動する
ことにより、磁気ディスク上面及び下面の記録エリア全
体に作用し、データの記録、再生を可能としている。
【0003】そしてこのような磁気ヘッドを移動させる
機構としては、図7(a)に示すようにハードディスク
9の半径方向に直線的に磁気ヘッド17´を移動させる
リニアモータ式のものと、図7(b)に示すようにスピ
ンドル13´を回動軸としてアーム11´が弧を描き、
その先端に取付けられる磁気ヘッド17´をほぼハード
ディスク9の半径方向に一致するように移動させるロー
タリーアクチュエータ式のものとがある。特に後者の機
構では、スイングアーム11´が用いられ、3.5イン
チ程度の小型のハードディスク9ではこの方式が多く使
われている。
機構としては、図7(a)に示すようにハードディスク
9の半径方向に直線的に磁気ヘッド17´を移動させる
リニアモータ式のものと、図7(b)に示すようにスピ
ンドル13´を回動軸としてアーム11´が弧を描き、
その先端に取付けられる磁気ヘッド17´をほぼハード
ディスク9の半径方向に一致するように移動させるロー
タリーアクチュエータ式のものとがある。特に後者の機
構では、スイングアーム11´が用いられ、3.5イン
チ程度の小型のハードディスク9ではこの方式が多く使
われている。
【0004】そしてこのような磁気ヘッドをハードディ
スク上のトラックに追従させるのに必要となるのが磁気
ヘッドの位置決め技術である。特にスイングアームを用
いたロータリーアクチュエータ式の機構では磁気ヘッド
をトラック上の所定のポイントに移動させるにあたり、
応答性を高めるためスイングアームを高速で回動させる
ため、磁気ヘッドが所定のポイントに至り、これを停止
させるにあたって衝撃に伴う振動が生じ、位置決め精度
上問題があった。そしてこのような問題を解決する手法
としては電気的にスイングアームの回動速度を回動始点
と終点で可変する等、処理回路を工夫することにより対
処しているに過ぎず、積極的にこの振動を減衰するとい
う試みは、何らなされていないのが現状である。
スク上のトラックに追従させるのに必要となるのが磁気
ヘッドの位置決め技術である。特にスイングアームを用
いたロータリーアクチュエータ式の機構では磁気ヘッド
をトラック上の所定のポイントに移動させるにあたり、
応答性を高めるためスイングアームを高速で回動させる
ため、磁気ヘッドが所定のポイントに至り、これを停止
させるにあたって衝撃に伴う振動が生じ、位置決め精度
上問題があった。そしてこのような問題を解決する手法
としては電気的にスイングアームの回動速度を回動始点
と終点で可変する等、処理回路を工夫することにより対
処しているに過ぎず、積極的にこの振動を減衰するとい
う試みは、何らなされていないのが現状である。
【0005】
【開発を試みた技術的事項】本発明はこのような背景に
鑑みなされたものであって、スイングアームの回動軸部
に防振機構をとり入れることにより、スイングアームの
回動に伴う振動を短時間で減衰できるようにした新規な
ハードディスクドライブにおけるスイングアームの防振
構造を提案するものである。
鑑みなされたものであって、スイングアームの回動軸部
に防振機構をとり入れることにより、スイングアームの
回動に伴う振動を短時間で減衰できるようにした新規な
ハードディスクドライブにおけるスイングアームの防振
構造を提案するものである。
【0006】
【目的達成の手段】本出願に係る第一の発明たるハード
ディスクドライブにおけるスイングアームの防振構造
は、スピンドルに対して回動自在に取り付けられ、この
スピンドルを回動軸として一定角度の範囲で回動し、ア
ーム先端に取り付けられる磁気ヘッドをハードディスク
の記録エリアの最内周から最外周までの範囲で移動させ
るスイングアームにおいて、このスイングアームはホル
ダ部、アーム本体及び磁気ヘッドにより構成され、この
うちホルダ部は前記スピンドルに対して外嵌め状に嵌合
し、尚且つホルダ部とスピンドルとの間には空隙部が設
けられ、この空隙部にはシリコーンゲルから成る防振材
が充填されることを特徴として成るものである。
ディスクドライブにおけるスイングアームの防振構造
は、スピンドルに対して回動自在に取り付けられ、この
スピンドルを回動軸として一定角度の範囲で回動し、ア
ーム先端に取り付けられる磁気ヘッドをハードディスク
の記録エリアの最内周から最外周までの範囲で移動させ
るスイングアームにおいて、このスイングアームはホル
ダ部、アーム本体及び磁気ヘッドにより構成され、この
うちホルダ部は前記スピンドルに対して外嵌め状に嵌合
し、尚且つホルダ部とスピンドルとの間には空隙部が設
けられ、この空隙部にはシリコーンゲルから成る防振材
が充填されることを特徴として成るものである。
【0007】また本出願に係る第二の発明たるハードデ
ィスクドライブにおけるスイングアームの防振構造は、
前記要件に加え、前記防振材はホルダ部とスピンドルと
の間に設けられるベアリングからホルダ部及びスピンド
ルの端部に至る空隙部に対して設けられることを特徴と
して成るものである。
ィスクドライブにおけるスイングアームの防振構造は、
前記要件に加え、前記防振材はホルダ部とスピンドルと
の間に設けられるベアリングからホルダ部及びスピンド
ルの端部に至る空隙部に対して設けられることを特徴と
して成るものである。
【0008】更にまた本出願に係る第三の発明たるハー
ドディスクドライブにおけるスイングアームの防振構造
は、前記要件に加え、前記防振材はホルダ部とスピンド
ルとの間に設けられる複数個のベアリングの相互間に形
成される空隙部に対して設けられることを特徴として成
るものである。これら各手段をもって前記目的を達成し
ようとするものである。
ドディスクドライブにおけるスイングアームの防振構造
は、前記要件に加え、前記防振材はホルダ部とスピンド
ルとの間に設けられる複数個のベアリングの相互間に形
成される空隙部に対して設けられることを特徴として成
るものである。これら各手段をもって前記目的を達成し
ようとするものである。
【0009】
【発明の作用】本発明にあってはスピンドルとホルダ部
との間に空隙部を設け、この空隙部にシリコーンゲルか
ら成る防振材を充填したから、スイングアームの回動に
伴い生じた振動は防振材が捩じり変形することにより吸
収され、この振動は短時間で収束する。
との間に空隙部を設け、この空隙部にシリコーンゲルか
ら成る防振材を充填したから、スイングアームの回動に
伴い生じた振動は防振材が捩じり変形することにより吸
収され、この振動は短時間で収束する。
【0010】
【実施例】以下本発明のハードディスクドライブにおけ
るスイングアームの防振構造について図面に基づいて具
体的に説明する。尚、説明にあたっては本発明の防振構
造が適用されるハードディスクドライブについてその概
要を説明し、次いでスイングアームの構造について本発
明の防振構造を中心にして説明し、最後にその作動態様
に触れる。
るスイングアームの防振構造について図面に基づいて具
体的に説明する。尚、説明にあたっては本発明の防振構
造が適用されるハードディスクドライブについてその概
要を説明し、次いでスイングアームの構造について本発
明の防振構造を中心にして説明し、最後にその作動態様
に触れる。
【0011】図中符号1に示すものがハードディスクド
ライブであって、このものはパーソナルコンピュータや
ワードプロセッサ等に組み込まれ、または外付けされ、
この装置の外部記憶装置として使用される。そしてその
構造の概略を示せば外部筐体たるケーシング2の内部に
骨格部材としてフレーム3を有し、このフレーム3に対
して、ドライバー本体5及び電子基板6等を適宜スペー
サ7を介して設けて成る。
ライブであって、このものはパーソナルコンピュータや
ワードプロセッサ等に組み込まれ、または外付けされ、
この装置の外部記憶装置として使用される。そしてその
構造の概略を示せば外部筐体たるケーシング2の内部に
骨格部材としてフレーム3を有し、このフレーム3に対
して、ドライバー本体5及び電子基板6等を適宜スペー
サ7を介して設けて成る。
【0012】ドライバー本体5はベース部材である駆動
部ハウジング8に対し記録媒体であるハードディスク9
及びこれを回転させるディスクモータ10、更には本発
明の防振構造を具えるスイングアーム11及びこのスイ
ングアーム11を回動させるアーム駆動部12等を設け
て成る。
部ハウジング8に対し記録媒体であるハードディスク9
及びこれを回転させるディスクモータ10、更には本発
明の防振構造を具えるスイングアーム11及びこのスイ
ングアーム11を回動させるアーム駆動部12等を設け
て成る。
【0013】そしてスイングアーム11は駆動部ハウジ
ング8より上方に立ち上げられるスピンドル13に嵌合
するホルダ部15と、このホルダ部15から水平に延び
ハードディスク9の数に応じて設けられる複数本のアー
ム本体16と、このアーム本体16の先端に設けられる
複数個の磁気ヘッド17とにより構成される。そしてこ
れらアーム本体16は、スペーサ18を介在させること
により一定間隔隔てて平行に支持され、アーム駆動部1
2により駆動を受けて一体として回動する。またアーム
本体16は先端側に連結部16aを二個ずつ有し、この
連結部16a先端に取り付けられる磁気ヘッド17をハ
ードディスク9の上面及び下面に臨ませている。
ング8より上方に立ち上げられるスピンドル13に嵌合
するホルダ部15と、このホルダ部15から水平に延び
ハードディスク9の数に応じて設けられる複数本のアー
ム本体16と、このアーム本体16の先端に設けられる
複数個の磁気ヘッド17とにより構成される。そしてこ
れらアーム本体16は、スペーサ18を介在させること
により一定間隔隔てて平行に支持され、アーム駆動部1
2により駆動を受けて一体として回動する。またアーム
本体16は先端側に連結部16aを二個ずつ有し、この
連結部16a先端に取り付けられる磁気ヘッド17をハ
ードディスク9の上面及び下面に臨ませている。
【0014】そして本発明の防振構造はこのようにして
成るスイングアーム11におけるホルダ部15に対して
設けられる。具体的にはホルダ部15をほぼ円筒状に形
成し、その中心に回動軸となるスピンドル13を配置
し、更にホルダ部15の内周面15aとスピンドル13
との間に空隙部20を形成し、この空隙部20にシリコ
ーンゲルから成る防振材21を充填することにより構成
される。
成るスイングアーム11におけるホルダ部15に対して
設けられる。具体的にはホルダ部15をほぼ円筒状に形
成し、その中心に回動軸となるスピンドル13を配置
し、更にホルダ部15の内周面15aとスピンドル13
との間に空隙部20を形成し、この空隙部20にシリコ
ーンゲルから成る防振材21を充填することにより構成
される。
【0015】本発明で使用されるシリコーンゲルとして
は、例えば次式[1]で示されるシリコーンゲルの原液
たるジオルガノポリシロキサン(以下A成分という): RR1 2SiO−(R2 2SiO)n SiR1 2R・・・[1] [ただし、Rはアルケニル基であり、R1 は脂肪族不飽
和結合を有しない一価の炭化水素基であり、R2 は一価
の脂肪族炭化水素基(R2 のうち少なくとも50モル%
はメチル基であり、アルケニル基を有する場合にはその
含有率は10モル%以下である)であり、nはこの成分
の25℃における粘度が100〜100000cSt にな
るような数である]と、25℃における粘度5000cS
t 以下であり、1分子中に少なくとも2個のSi原子に直
接結合した水素原子を有するシリコーンゲルの原液たる
オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B成分)とか
らなり、且つこのB成分中のSi原子に直接結合してい
る水素原子の合計量に対するA成分中に含まれるアルケ
ニル基の合計量の比(モル比)が0.1〜0.2になる
ように調整された混合物を硬化させることにより得られ
る付加反応型シリコーンコポリマーであって、JIS K(K-
2207-1980 50g 荷重)で測定した針入度が5〜250で
あり、且つ剪断周波数0.01〜10ヘルツにおける損
失係数(tan δ)が0.1〜2の範囲内にある硬化物で
ある。
は、例えば次式[1]で示されるシリコーンゲルの原液
たるジオルガノポリシロキサン(以下A成分という): RR1 2SiO−(R2 2SiO)n SiR1 2R・・・[1] [ただし、Rはアルケニル基であり、R1 は脂肪族不飽
和結合を有しない一価の炭化水素基であり、R2 は一価
の脂肪族炭化水素基(R2 のうち少なくとも50モル%
はメチル基であり、アルケニル基を有する場合にはその
含有率は10モル%以下である)であり、nはこの成分
の25℃における粘度が100〜100000cSt にな
るような数である]と、25℃における粘度5000cS
t 以下であり、1分子中に少なくとも2個のSi原子に直
接結合した水素原子を有するシリコーンゲルの原液たる
オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B成分)とか
らなり、且つこのB成分中のSi原子に直接結合してい
る水素原子の合計量に対するA成分中に含まれるアルケ
ニル基の合計量の比(モル比)が0.1〜0.2になる
ように調整された混合物を硬化させることにより得られ
る付加反応型シリコーンコポリマーであって、JIS K(K-
2207-1980 50g 荷重)で測定した針入度が5〜250で
あり、且つ剪断周波数0.01〜10ヘルツにおける損
失係数(tan δ)が0.1〜2の範囲内にある硬化物で
ある。
【0016】このシリコーンゲルについてさらに詳しく
説明すると、上記A成分は直鎖状の分子構造を有し、分
子の両末端にあるアルケニル基RがB成分中のSi原子に
直接結合した水素原子と付加して架橋構造を形成するこ
とができる化合物である。この分子末端に存在するアル
ケニル基は、低級アルケニル基であることが好ましく、
反応性を考慮するとビニル基が特に好ましい。
説明すると、上記A成分は直鎖状の分子構造を有し、分
子の両末端にあるアルケニル基RがB成分中のSi原子に
直接結合した水素原子と付加して架橋構造を形成するこ
とができる化合物である。この分子末端に存在するアル
ケニル基は、低級アルケニル基であることが好ましく、
反応性を考慮するとビニル基が特に好ましい。
【0017】また分子末端に存在するR1 は、脂肪族不
飽和結合を有しない一価の炭化水素基であり、このよう
な基の具体例としてはメチル基、プロピル基及びヘキシ
ル基等のようなアルキル基、フェニル基並びにフロロア
ルキル基を挙げることができる。
飽和結合を有しない一価の炭化水素基であり、このよう
な基の具体例としてはメチル基、プロピル基及びヘキシ
ル基等のようなアルキル基、フェニル基並びにフロロア
ルキル基を挙げることができる。
【0018】上記[1]式においてR2 は一価の脂肪族
炭化水素であり、このような基の具体的な例としては、
メチル基、プロピル基及びヘキシル基等のようなアルキ
ル基並びにビニル基のような低級アルケニル基を挙げる
ことができる。ただしR2 のうち少なくとも50モル%
はメチル基であり、R2 がアルケニル基である場合に
は、アルケニル基は10モル%以下の量であることが好
ましい。アルケニル基の量が10モル%を越えると架橋
密度が高くなり過ぎて高粘度になりやすい。またnは、
このA成分の25℃における粘度が通常は100〜10
0000cSt 、好ましくは200〜20000cSt の範
囲内になるように設定される。
炭化水素であり、このような基の具体的な例としては、
メチル基、プロピル基及びヘキシル基等のようなアルキ
ル基並びにビニル基のような低級アルケニル基を挙げる
ことができる。ただしR2 のうち少なくとも50モル%
はメチル基であり、R2 がアルケニル基である場合に
は、アルケニル基は10モル%以下の量であることが好
ましい。アルケニル基の量が10モル%を越えると架橋
密度が高くなり過ぎて高粘度になりやすい。またnは、
このA成分の25℃における粘度が通常は100〜10
0000cSt 、好ましくは200〜20000cSt の範
囲内になるように設定される。
【0019】上記のB成分は、A成分の架橋剤でありSi
原子に直接結合した水素原子がA成分中のアルケニル基
と付加してA成分を硬化させる。B成分は上記のような
作用を有していればよく、B成分としては直鎖状、分岐
した鎖状、環状あるいは網目状などの種々の分子構造の
ものが使用できる。
原子に直接結合した水素原子がA成分中のアルケニル基
と付加してA成分を硬化させる。B成分は上記のような
作用を有していればよく、B成分としては直鎖状、分岐
した鎖状、環状あるいは網目状などの種々の分子構造の
ものが使用できる。
【0020】また、B成分中のSi原子には水素原子の
他、有機基が結合しており、この有機基は通常メチル基
のような低級アルキル基である。さらに、B成分の25
℃における粘度は通常は5000cSt 以下、好ましくは
500cSt 以下である。このようなB成分の例として
は、分子両末端がトリオルガノシロキシ基で封鎖された
オルガノハイドロジェンポリシロキサン、ジオルガノシ
ロキサンとオルガノハイドロジェンシロキサンとの共重
合体、テトラオルガノテトラハイドロジェンシクロテト
ラシロキサン、HR1 2SiO 1/2単位とSiO 4/2単位とか
らなる共重合シロキサン、及びHR1 2SiO 1/2単位とR
1 3SiO 1/2単位とSiO 4/2単位とからなる共重合体ポリ
シロキサンを挙げることができる。ただし上記式におい
てはR1 は前記と同じ意味である。
他、有機基が結合しており、この有機基は通常メチル基
のような低級アルキル基である。さらに、B成分の25
℃における粘度は通常は5000cSt 以下、好ましくは
500cSt 以下である。このようなB成分の例として
は、分子両末端がトリオルガノシロキシ基で封鎖された
オルガノハイドロジェンポリシロキサン、ジオルガノシ
ロキサンとオルガノハイドロジェンシロキサンとの共重
合体、テトラオルガノテトラハイドロジェンシクロテト
ラシロキサン、HR1 2SiO 1/2単位とSiO 4/2単位とか
らなる共重合シロキサン、及びHR1 2SiO 1/2単位とR
1 3SiO 1/2単位とSiO 4/2単位とからなる共重合体ポリ
シロキサンを挙げることができる。ただし上記式におい
てはR1 は前記と同じ意味である。
【0021】そして上記のB成分中のSiに直接結合して
いる水素原子の合計モル量に対するA成分中のアルケニ
ル基の合計モル量との比率が通常は0.1〜2.0、好
ましくは0.1〜1.0の範囲内になるようにA成分と
B成分とを混合して硬化させることにより製造される。
いる水素原子の合計モル量に対するA成分中のアルケニ
ル基の合計モル量との比率が通常は0.1〜2.0、好
ましくは0.1〜1.0の範囲内になるようにA成分と
B成分とを混合して硬化させることにより製造される。
【0022】この場合の硬化反応は、通常は触媒を用い
て行われる。ここで使用される触媒としては、白金系触
媒が好適であり、この例としては微粉砕元素状白金、塩
化白金酸、酸化白金、白金とオレフィンとの錯塩、白金
アルコラート及び塩化白金酸とビニルシロキ酸との錯塩
を挙げることができる。このような錯塩はA成分とB成
分との合計重量に対して通常は0.1ppm ( 白金換算
量、以下同様 )以上、好ましくは0.5ppm 以上の量で
使用される。このような触媒の量の上限については特に
制限はないが、例えば触媒が液状である場合、あるいは
溶液として使用することができる場合には200ppm 以
下の量で十分である。
て行われる。ここで使用される触媒としては、白金系触
媒が好適であり、この例としては微粉砕元素状白金、塩
化白金酸、酸化白金、白金とオレフィンとの錯塩、白金
アルコラート及び塩化白金酸とビニルシロキ酸との錯塩
を挙げることができる。このような錯塩はA成分とB成
分との合計重量に対して通常は0.1ppm ( 白金換算
量、以下同様 )以上、好ましくは0.5ppm 以上の量で
使用される。このような触媒の量の上限については特に
制限はないが、例えば触媒が液状である場合、あるいは
溶液として使用することができる場合には200ppm 以
下の量で十分である。
【0023】上記のようなA成分、B成分及び触媒を混
合し、室温に放置するか、あるいは加熱することにより
硬化して本発明で使用されるシリコーンゲルが生成す
る。このようにして得られたシリコーンゲルは、JIS K
(K-2207-1980 50g 荷重)で測定した針入度が通常5〜
250を有する。尚このようなシリコーンゲルの硬度
は、上記A成分とB成分とにより形成された架橋構造に
よって変動する。
合し、室温に放置するか、あるいは加熱することにより
硬化して本発明で使用されるシリコーンゲルが生成す
る。このようにして得られたシリコーンゲルは、JIS K
(K-2207-1980 50g 荷重)で測定した針入度が通常5〜
250を有する。尚このようなシリコーンゲルの硬度
は、上記A成分とB成分とにより形成された架橋構造に
よって変動する。
【0024】またシリコーンゲルの硬化前の粘度及び硬
化後の針入度は両末端がメチル基であるシリコーンオイ
ルを、得られるシリコーンゲルに対して5〜75重量%
の範囲内の量であらかじめ添加することにより調整する
ことができる。このようにシリコーンゲルは上記のよう
にして調整することもできるし、また市販されているも
のを使用することもできる。
化後の針入度は両末端がメチル基であるシリコーンオイ
ルを、得られるシリコーンゲルに対して5〜75重量%
の範囲内の量であらかじめ添加することにより調整する
ことができる。このようにシリコーンゲルは上記のよう
にして調整することもできるし、また市販されているも
のを使用することもできる。
【0025】本発明で使用することができる市販品の例
としては、CF5027、TOUGH−3、TOUGH
−4、TOUGH−5、TOUGH−6、TOUGH−
7、(トーレ・ダウコーニングシリコーン社製)やX3
2−902/cat 1300(信越化学工業株式会社
製)、F250−121(日本ユニカ株式会社製)等を
挙げることができる。
としては、CF5027、TOUGH−3、TOUGH
−4、TOUGH−5、TOUGH−6、TOUGH−
7、(トーレ・ダウコーニングシリコーン社製)やX3
2−902/cat 1300(信越化学工業株式会社
製)、F250−121(日本ユニカ株式会社製)等を
挙げることができる。
【0026】尚、上記A成分、B成分及び触媒の他に、
チクソトロピー性付与剤、顔料、硬化遅延剤、難燃剤、
充填剤等をシリコーンゲルの特性を損なわない範囲内で
配合することもでき、また微小中空球体のフィラーを混
入してなるシリコーンゲルを用いてもよく、このような
材料としては日本フィライト株式会社製造のフィライト
(登録商標)や同社販売のエクスパンセル(登録商標)
等が例示できる。
チクソトロピー性付与剤、顔料、硬化遅延剤、難燃剤、
充填剤等をシリコーンゲルの特性を損なわない範囲内で
配合することもでき、また微小中空球体のフィラーを混
入してなるシリコーンゲルを用いてもよく、このような
材料としては日本フィライト株式会社製造のフィライト
(登録商標)や同社販売のエクスパンセル(登録商標)
等が例示できる。
【0027】そして更に好適なシリコーンゲルとして
は、シリコーンゲルの原液たるジオルガノポリシロキサ
ンとして低分子量物を低減したものを使用して製造され
たシリコーンゲルがある。即ち、前記A成分として1分
子中に2個以上のケイ素原子結合アルケニル基を含有
し、25℃における粘度が50〜100000センチポ
アズであり、且つ4重量体から20重量体までの環状ジ
オルガノポリシロキサンの含有量が、0.5重量%以下
であるジオルガノポリシロキサンを適用したものがそれ
である。因みにかかる特性のシリコーンゲルを使用すれ
ば、本発明の防振構造が周辺の電子回路に与えるオルガ
ノポリシロキサンガスに起因する電気開閉接点の導電障
害を防止できる。またこれに加えて、更にこれらの組成
物にチクソトロピー付与剤を配合した方が好ましく、か
かる付与剤としては比表面積50m2 /g以上のシリカ
微粉が挙げられる。尚このようなシリコーンゲルの市販
品の例としては、EMX−008(トーレ・ダウコーニ
ングシリコーン社製),VP7612(ワッカーケミカ
ルズイーストアジア社製)等がある。
は、シリコーンゲルの原液たるジオルガノポリシロキサ
ンとして低分子量物を低減したものを使用して製造され
たシリコーンゲルがある。即ち、前記A成分として1分
子中に2個以上のケイ素原子結合アルケニル基を含有
し、25℃における粘度が50〜100000センチポ
アズであり、且つ4重量体から20重量体までの環状ジ
オルガノポリシロキサンの含有量が、0.5重量%以下
であるジオルガノポリシロキサンを適用したものがそれ
である。因みにかかる特性のシリコーンゲルを使用すれ
ば、本発明の防振構造が周辺の電子回路に与えるオルガ
ノポリシロキサンガスに起因する電気開閉接点の導電障
害を防止できる。またこれに加えて、更にこれらの組成
物にチクソトロピー付与剤を配合した方が好ましく、か
かる付与剤としては比表面積50m2 /g以上のシリカ
微粉が挙げられる。尚このようなシリコーンゲルの市販
品の例としては、EMX−008(トーレ・ダウコーニ
ングシリコーン社製),VP7612(ワッカーケミカ
ルズイーストアジア社製)等がある。
【0028】本発明の防振構造は以上のようにして成る
ものであるが、次に前記実施例と思想を同じくする他の
実施例について説明する。図3(a)に示す実施例はホ
ルダ部15の内周面15aとスピンドル13との間に一
例として二カ所、上方及び下方にベアリング23を設
け、このベアリング23の外方、即ちベアリング23か
らホルダ部15及びスピンドル13の端部に至る範囲に
空隙部20を形成し、この空隙部20に防振材21を充
填したものである。また図3(b)に示す実施例はホル
ダ部15の内周面15aとスピンドル13との間に設け
られる複数のベアリング23の相互間に空隙部20を形
成し、ここに防振材21を充填したものである。このほ
か図3(a)(b)の各々の空隙部20に同時に防振材
21を充填することも勿論可能である。
ものであるが、次に前記実施例と思想を同じくする他の
実施例について説明する。図3(a)に示す実施例はホ
ルダ部15の内周面15aとスピンドル13との間に一
例として二カ所、上方及び下方にベアリング23を設
け、このベアリング23の外方、即ちベアリング23か
らホルダ部15及びスピンドル13の端部に至る範囲に
空隙部20を形成し、この空隙部20に防振材21を充
填したものである。また図3(b)に示す実施例はホル
ダ部15の内周面15aとスピンドル13との間に設け
られる複数のベアリング23の相互間に空隙部20を形
成し、ここに防振材21を充填したものである。このほ
か図3(a)(b)の各々の空隙部20に同時に防振材
21を充填することも勿論可能である。
【0029】また防振材21は空隙部20の全範囲に設
ける必要はなく、図4に示すように空隙部20の一部を
利用して設けるようにすることもできる。因みに図4
(a)では円筒状空間を有する空隙部20のアーム本体
16側の一部の範囲に防振材21を充填したものを示し
ており、図4(b)では防振材21を複数個に分断し、
このものを一定間隔ずつ配したものを示している。
ける必要はなく、図4に示すように空隙部20の一部を
利用して設けるようにすることもできる。因みに図4
(a)では円筒状空間を有する空隙部20のアーム本体
16側の一部の範囲に防振材21を充填したものを示し
ており、図4(b)では防振材21を複数個に分断し、
このものを一定間隔ずつ配したものを示している。
【0030】このほか図5(a)に示すように防振材2
1を螺旋状に設けたり、図5(b)に示すように円板状
の防振材21を一定間隔ずつ設けることもできる。また
図5(c)に示すように防振材21内部に空洞25を設
けることも可能であり、図5(d)に示すように防振材
21の縦断面形状を「たる形」あるいは図5(e)に示
すように「かさ形」とすることもできる。
1を螺旋状に設けたり、図5(b)に示すように円板状
の防振材21を一定間隔ずつ設けることもできる。また
図5(c)に示すように防振材21内部に空洞25を設
けることも可能であり、図5(d)に示すように防振材
21の縦断面形状を「たる形」あるいは図5(e)に示
すように「かさ形」とすることもできる。
【0031】そしてこのような防振構造を具えたスイン
グアーム11が回動した場合には、図6に示す作動原理
図に示すようにホルダ部15の内周面15aに貼設され
た防振材21の部分はスイングアーム11の回動に伴
い、図中点aから点bへ移動する。一方、スピンドル1
3との接合部分は移動せず、当初の点0に位置する。従
って防振材21の抗力を高めようとする場合には、防振
材21の外径を大きく設定すればよい。
グアーム11が回動した場合には、図6に示す作動原理
図に示すようにホルダ部15の内周面15aに貼設され
た防振材21の部分はスイングアーム11の回動に伴
い、図中点aから点bへ移動する。一方、スピンドル1
3との接合部分は移動せず、当初の点0に位置する。従
って防振材21の抗力を高めようとする場合には、防振
材21の外径を大きく設定すればよい。
【0032】
【発明の効果】本発明のハードディスクドライブにおけ
るスイングアームの防振構造は以上のような構成より成
るものであって、以下のような効果を発揮する。即ち本
発明にあっては、スイングアーム11の回動軸部におい
て空隙部20を設け、この空隙部20にシリコーンゲル
から成る防振材21を充填したから、スイングアーム1
1の回動に伴い生じた振動は短時間で収束する。また外
部から伝達される振動も防振材21の存在により磁気ヘ
ッド17へ伝達されることもない。更に前記実施例で述
べた組成のシリコーンゲルを防振材21に適用した場合
には一層の高ダンピング特性が得られ、磁気ヘッド17
の追従をより完全にする。
るスイングアームの防振構造は以上のような構成より成
るものであって、以下のような効果を発揮する。即ち本
発明にあっては、スイングアーム11の回動軸部におい
て空隙部20を設け、この空隙部20にシリコーンゲル
から成る防振材21を充填したから、スイングアーム1
1の回動に伴い生じた振動は短時間で収束する。また外
部から伝達される振動も防振材21の存在により磁気ヘ
ッド17へ伝達されることもない。更に前記実施例で述
べた組成のシリコーンゲルを防振材21に適用した場合
には一層の高ダンピング特性が得られ、磁気ヘッド17
の追従をより完全にする。
【図1】本発明の防振構造を適用したスイングアームを
有するハードディスクドライブを示す一部拡大斜視図で
ある。
有するハードディスクドライブを示す一部拡大斜視図で
ある。
【図2】同上一部を破断して示す側面図である。
【図3】本発明の防振構造の他の二種の実施例を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図4】同上更に他の二種の実施例を示す横断面図であ
る。
る。
【図5】同上更に他の種々の実施例を示す縦断面図であ
る。
る。
【図6】本発明の防振構造を適用したスイングアームが
回動した場合に生ずる防振材の変形量を模式的に示す作
動原理図である。
回動した場合に生ずる防振材の変形量を模式的に示す作
動原理図である。
【図7】ハードディスクドライブにおける二種のアーム
の駆動機構を対比して示す骨格的平面図である。
の駆動機構を対比して示す骨格的平面図である。
1 ハードディスクドライブ 2 ケーシング 3 フレーム 5 ドライバー本体 6 電子基板 7 スペーサ 8 駆動部ハウジング 9 ハードディスク 10 ディスクモータ 11 スイングアーム 12 アーム駆動部 13 スピンドル 15 ホルダ部 15a 内周面 16 アーム本体 16a 連結部 17 磁気ヘッド 18 スペーサ 20 空隙部 21 防振材 23 ベアリング 25 空洞
Claims (3)
- 【請求項1】 スピンドルに対して回動自在に取り付け
られ、このスピンドルを回動軸として一定角度の範囲で
回動し、アーム先端に取り付けられる磁気ヘッドをハー
ドディスクの記録エリアの最内周から最外周までの範囲
で移動させるスイングアームにおいて、このスイングア
ームはホルダ部、アーム本体及び磁気ヘッドにより構成
され、このうちホルダ部は前記スピンドルに対して外嵌
め状に嵌合し、尚且つホルダ部とスピンドルとの間には
空隙部が設けられ、この空隙部にはシリコーンゲルから
成る防振材が充填されることを特徴とするハードディス
クドライブにおけるスイングアームの防振構造。 - 【請求項2】 前記防振材はホルダ部とスピンドルとの
間に設けられるベアリングからホルダ部及びスピンドル
の端部に至る空隙部に対して設けられることを特徴とす
る請求項1記載のハードディスクドライブにおけるスイ
ングアームの防振構造。 - 【請求項3】 前記防振材はホルダ部とスピンドルとの
間に設けられる複数個のベアリングの相互間に形成され
る空隙部に対して設けられることを特徴とする請求項1
または2記載のハードディスクドライブにおけるスイン
グアームの防振構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28560991A JPH05100061A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | ハードデイスクドライブにおけるスイングアームの防振構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28560991A JPH05100061A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | ハードデイスクドライブにおけるスイングアームの防振構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05100061A true JPH05100061A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17693746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28560991A Pending JPH05100061A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | ハードデイスクドライブにおけるスイングアームの防振構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05100061A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6961219B2 (en) | 2001-08-31 | 2005-11-01 | 3M Innovative Properties Company | Disk drive head positioner with thin-film air-flow adjusting mechanism, thin film member and method of manufacturing |
US7072140B2 (en) | 2001-08-31 | 2006-07-04 | 3M Innovative Properties Company | Disk drive having airflow adjusting mechanism and thin-plate member incorporated therein |
CN111080892A (zh) * | 2020-01-03 | 2020-04-28 | 上海古鳌电子科技股份有限公司 | 一种清分机磁头固定方法 |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP28560991A patent/JPH05100061A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6961219B2 (en) | 2001-08-31 | 2005-11-01 | 3M Innovative Properties Company | Disk drive head positioner with thin-film air-flow adjusting mechanism, thin film member and method of manufacturing |
US7072140B2 (en) | 2001-08-31 | 2006-07-04 | 3M Innovative Properties Company | Disk drive having airflow adjusting mechanism and thin-plate member incorporated therein |
CN111080892A (zh) * | 2020-01-03 | 2020-04-28 | 上海古鳌电子科技股份有限公司 | 一种清分机磁头固定方法 |
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