JPH0499014A - 露光、描画装置 - Google Patents
露光、描画装置Info
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- JPH0499014A JPH0499014A JP2207754A JP20775490A JPH0499014A JP H0499014 A JPH0499014 A JP H0499014A JP 2207754 A JP2207754 A JP 2207754A JP 20775490 A JP20775490 A JP 20775490A JP H0499014 A JPH0499014 A JP H0499014A
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- film thickness
- lithography
- exposure
- blanks
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置などの製造工程において用いられる
露光、描画装置の露光方式に関し、その目的とするとこ
ろは基板上のレジスト膜厚の変動、バラツキに応じて露
光量の修正を行うことによって描画パターンの寸法精度
を向上させ品質、歩留まりを向上させることにある。
露光、描画装置の露光方式に関し、その目的とするとこ
ろは基板上のレジスト膜厚の変動、バラツキに応じて露
光量の修正を行うことによって描画パターンの寸法精度
を向上させ品質、歩留まりを向上させることにある。
〔従来の技術］
従来の露光、描画装置に於いては光、電子ビーム等の照
射量はあらかじめ確認された一定量の値を設定し、基板
全面及び同一ロットの基板全数を露光、描画することが
多く、基板内及び基板間のレジスト膜厚のバラツキにつ
いては露光、描画装置サイドでは何ら考慮されず、もっ
ばら塗布装置の能力に負うのみであった。
射量はあらかじめ確認された一定量の値を設定し、基板
全面及び同一ロットの基板全数を露光、描画することが
多く、基板内及び基板間のレジスト膜厚のバラツキにつ
いては露光、描画装置サイドでは何ら考慮されず、もっ
ばら塗布装置の能力に負うのみであった。
しかし塗布装置のレジスト膜厚制御能力についてはレジ
スト品質及び周辺環境の影響を受けることが多く基板内
及び基板間のレジスト膜厚のバラツキを避けることが不
可能であった。
スト品質及び周辺環境の影響を受けることが多く基板内
及び基板間のレジスト膜厚のバラツキを避けることが不
可能であった。
［発明が解決しようとする課題］
従来の露光、描画装置ではすでに述べたように基板上の
レジスト膜厚の変動がそのまま基板上のパターン線幅の
変動となって表われ、パターン精度低下の大きな要素と
なっていた。
レジスト膜厚の変動がそのまま基板上のパターン線幅の
変動となって表われ、パターン精度低下の大きな要素と
なっていた。
また基板間でレジスト膜厚の違いが生じた場合でも従来
の方法では何ら補正が行われず複数の基板間における寸
法精度の偏差が顕著であった。
の方法では何ら補正が行われず複数の基板間における寸
法精度の偏差が顕著であった。
本発明は上記問題点を解決するために為されたものであ
り、その目的とするところは基板内及び基板間のレジス
ト膜厚のバラツキによる精度低下を押さえ、描画パター
ンの品質向上を図ることにある。
り、その目的とするところは基板内及び基板間のレジス
ト膜厚のバラツキによる精度低下を押さえ、描画パター
ンの品質向上を図ることにある。
［課題を解決するための手段］
上記問題点を解決するために露光、描画装置にレジスト
膜厚の測定機能を具備させ、露光、描画前に基板上のレ
ジスト膜厚を測定し基板全面のレジスト膜厚分布を推定
し各描画個所の想定される膜厚に応じてあらかじめ求め
られている補正係数により露光量を補正する機能を持た
せ、所定の寸法精度を得る様にした。
膜厚の測定機能を具備させ、露光、描画前に基板上のレ
ジスト膜厚を測定し基板全面のレジスト膜厚分布を推定
し各描画個所の想定される膜厚に応じてあらかじめ求め
られている補正係数により露光量を補正する機能を持た
せ、所定の寸法精度を得る様にした。
［実施例］
第１ｖ？Ｉに本発明の方式による露光量補正機能を持た
せたレーザー描画装置の構造模式図を示す。
せたレーザー描画装置の構造模式図を示す。
図中（１）はＣｒ膜及び感光性レジストを塗布した石英
ブランクス、（２）はレーザービーム及び膜厚測定光分
岐ビームスプリッタ−（３）は描画用レーザーチューブ
、（４）はレーザー光制御コントローラー、（５）はビ
ームシャッター、（６）は描画光学系レンズ、（７）は
光学式膜厚測定ユニット、（８）はレーザースキャン用
ポリゴンミラーを示す。
ブランクス、（２）はレーザービーム及び膜厚測定光分
岐ビームスプリッタ−（３）は描画用レーザーチューブ
、（４）はレーザー光制御コントローラー、（５）はビ
ームシャッター、（６）は描画光学系レンズ、（７）は
光学式膜厚測定ユニット、（８）はレーザースキャン用
ポリゴンミラーを示す。
レーザー測長システムを備えたＸＹステージ上にブラン
クス（１）を設置し、まずブランクスのレベリングを行
うためにブランクス全面を描画ヘッド下を通過させる。
クス（１）を設置し、まずブランクスのレベリングを行
うためにブランクス全面を描画ヘッド下を通過させる。
描画ヘッドにはフォーカシング用センサーと描画光学系
レンズヘッドが一体化されている。
レンズヘッドが一体化されている。
光学式膜厚測定ユニットの測定光はビームスプリッタ−
（２）から描画ヘッド光軸に導入されオートフォーカス
と同時に膜厚測定が行われる。
（２）から描画ヘッド光軸に導入されオートフォーカス
と同時に膜厚測定が行われる。
各測定ポイントの測定データはストアーされ描画時にレ
ーザー光量制御コントローラー（４）にフィードバック
され、ブランクスの各描画ポイントに於いて最も適した
露光値に制御される。
ーザー光量制御コントローラー（４）にフィードバック
され、ブランクスの各描画ポイントに於いて最も適した
露光値に制御される。
［発明の効果］
以上述べた実施例による描画装置によってフォトマスク
を製造した結果によれば、従来の方式による場合に比較
しブランクスコーナ一部のレジスト膜厚の不均一による
マスクコーナ一部及び外周部の寸法開度の悪化を防ぐこ
とが出来た。
を製造した結果によれば、従来の方式による場合に比較
しブランクスコーナ一部のレジスト膜厚の不均一による
マスクコーナ一部及び外周部の寸法開度の悪化を防ぐこ
とが出来た。
さらにブランクス間のレジスト膜厚のバラツキによるブ
ランクス間の寸法偏差も少なくなりマスク、レチクルの
精度、品質向上に大きな効果を上げることが出来た。
ランクス間の寸法偏差も少なくなりマスク、レチクルの
精度、品質向上に大きな効果を上げることが出来た。
本実施例はレーザー描画装置を例にとってその効果を述
べたが縮小投影露光装置などにも本発明の効用は十分発
揮できるものであり効果は非常に大きいものである。
べたが縮小投影露光装置などにも本発明の効用は十分発
揮できるものであり効果は非常に大きいものである。
第１図は本発明の方式による露光量補正機能を持たせた
レーザー描画装置の構造模式図を示す。 ｌ Ｃｒ膜及び感光性レジストを塗布した石英ブラ
ンクス ２ レーザービーム及び膜厚測定光分岐ビームスプリ
ッタ− ３描画用レーザー ４ レーザー光量制御コントローラー５ ビームシ
ャッター ６ 描画光学系レンズ 膜厚測定ユニット レーザースキャン用ポリゴンミラー 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部 他１名
レーザー描画装置の構造模式図を示す。 ｌ Ｃｒ膜及び感光性レジストを塗布した石英ブラ
ンクス ２ レーザービーム及び膜厚測定光分岐ビームスプリ
ッタ− ３描画用レーザー ４ レーザー光量制御コントローラー５ ビームシ
ャッター ６ 描画光学系レンズ 膜厚測定ユニット レーザースキャン用ポリゴンミラー 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部 他１名
Claims (1)
- 感光性レジストを塗布した基板上に光、電子ビーム等を
照射してパターン形成を行う露光、描画装置に於いて、
基板上のレジスト膜厚を測定する機能と、測定された膜
厚に応じて光、電子ビーム等の照射量を補正露光する機
能とを有することを特徴とする露光、描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2207754A JPH0499014A (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | 露光、描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2207754A JPH0499014A (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | 露光、描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499014A true JPH0499014A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16544992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2207754A Pending JPH0499014A (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | 露光、描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499014A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001290281A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-10-19 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | 感光性レジスト上に湾曲線引を構成する方法および装置 |
-
1990
- 1990-08-06 JP JP2207754A patent/JPH0499014A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001290281A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-10-19 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | 感光性レジスト上に湾曲線引を構成する方法および装置 |
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