JPH0497521A - 細溝加工方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は２次元および３次元の超格子構造（量子井戸細
線；量子井戸箱）およびこれらを用いたＨＥＭＴ　（高
移動度トランジスタ）、半導体レーザ、０ＥＩＣ（光−
電子集積回路）などのデバイスを製作する細溝加工方法
およびその装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来日本物理学会線ｒ半導体超格子の物理と応用」２８
６図２５、または（Ｐ、　ＭＳＰｅｔｒｏｆｆ、　ｅｔ
ａｌ　：Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ　４１　　
（１９８２）　Ｐ、６３５）ピーエムペトロフ等ニアブ
ライドフィジックスレッド４１（１９８２）　Ｐ６３５
に示すように第４図に１次元のヘラロ構造超格子の１例
を示す。

これはＧａＡｓの基板２０１　の上に分子ビームエピタ
キシ（ＭＢＥ）あるいは有機金属化合物による気相成長
法（Ｍ○ＶＰＥ）、ＭＯＭＢＥ法などニョリＧａＡｌＡ
ｓ　２０２．２０４　、’２０６　、２０８　およびＧ
ａＡｓ　２０３゜２０５　、２０７を数層ずつ交互に成
長させたものである。このような構成の超格子に対して
はＧａＡｓとＧａＡｌＡｓで電子親和力とエネルギーギ
ャップが異なることのため第５図に示すように、異なる
レベルの伝導帯および価電子帯が交互に並ぶことにより
、例えばｘ＝０．２５の場合ＡｌｘＧａ１−　ｘＡｓの
伝導帯の底はＧａＡｓの伝導帯の底よりも０．３ｅＶだ
け高＜　、ＡｌｘＧａ１−　ｘＡｓの価電子帯の頂上は
ＧａＡｓのそれよりも０．０６ｅＶだけ低くなって、第
５図のごと＜　ＧａＡｓが井戸（ｗｅｌｌ）　、ＡｌＧ
ａＡｓが障壁（ｂａｒｒｉｅｒ）となった井戸型ポテン
シャルが形成される。ここに、ＡＩの組成Ｘを変えると
き障壁の高さはＸに比例する。

以上が一次元の超格子構造（量子井戸）であり、障壁の
幅が十分に大きいとき電子はポテンシャルの井戸に閉じ
込められて局在化する。また障壁の幅が狭い場合には小
さいミニバンド（サブバンド）を伝導帯の内に形成して
超格子内を動き回ることが出来る。

このような１次元量子井戸構造では各エネルギに対する
電子の状態密度Ｄ　（Ｅ）を示す状態密度曲線はバルク
の場合の放物線の状態密度曲線第４図と異なり、第５図
のように階段状となる。

以上のように１次元超格子はきわめて人工的な構造を有
しておりそのエネルギー構造が特殊なものであるため、
これを用いた半導体レーザやＦＥＴ（電界効果型トラン
ジスタ）などで通常のバルク型の構造では得られないよ
うな秀れた特性が得られている。

例えば半導体レーザにおいてはバルクに比べて（１）注
入電流のしきい値が低下する、（２）温度安定性が向上
する、（３）利得が向上する、（４）応答速度が向上す
るなどの効果が得られている。

このような１次元の超格子に対して２次元、３次元の超
格子構造がアイデアとして考えられその特性が理論的に
計算されている。第８図に示した２次元超格子（量子井
戸ＭＩ線：　Ｑｕａｎｔｕｍ　ＷｅｌｌＬｉｎｅまたは
Ｑｕａｎｔｕｍ　Ｗｅｌｌ　Ｗｉｒｅ　）は上述した２
方向に２種の材料を積層したものに対し、Ｘ方向にも周
期的なポテンシャル障壁６０１．６０２を形成したもの
である。第１１図に示した３次元の超格子構造（量子井
戸箱：　Ｑｕａｎｔｕｍ　ＢｏｘまたはＱｕａｎｔｕｍ
　Ｄｏｔ　）はＸ方向の周期的なポテンシャル障壁７０
１．７０２の他に、Ｘ方向にも周期的なポテンシャル障
壁７１１゜７１２を形成したものである。

ここで、Ｘ方向、Ｘ方向のポテンシャル障壁６０１、６
０２．７０１．７０２．７１１．７１２・・・等は２方
向のようにＧａＡｓ、　ＧａＡｌＡｓのように交互に異
なる材料に積層する必要はなく、空間的ギャップを形成
することによりポテンシャル障壁を形成してもよい。

第８図、第９図の２次元、３次元超格子に対する状態密
度曲線は各々、第１０図、第１１図のようになり、それ
ぞれ電子が１次元あるいは０次元に局在化することによ
り状態密度がさらにエネルギーの狭い領域に集中する様
子が見られる。このためこれらを用いた半導体レーザで
は上述したような（１）〜（４）のような特徴がさらに
向上することが予測されている。

しかしながらこのような２次元、３次元の超格子構造に
対しては従来、適当な製作方法がなかった。これは２方
向の積層構造に対し、Ｘ方向やＸ方向に高精度で狭いポ
テンシャル井戸、障壁を交互に形成する手段が存在しな
かったことになる。

わずかに報告されている実施例の一つとしてＰｅｔｒｏ
ｆｆらの試み（発明に最も近い公知例）を第１２図に示
す。これはＧａＡｓ基板１００１の上に分子ビームエピ
タキシー法等の手段によりＧａ　Ｏ，７５ＡＩｏ、２５
Ａｓ、　ＧａＡｓ、　Ｇａ　Ｏ，７５ＡＩ　Ｏ，２５Ａ
ｓ、　ＧａＡｓ、　−・−を交互に成長させた１次元超
格子の最上層にフォトレジストを塗布し、電子線描画等
の手段で形成したマスクを用いて露光・現像を行なうこ
とにより、第１２１！Ａ（ａ）のように幅約２ｐｒｎの
ストライプ状のレジストを残す。ここでストライプの長
手方向は紙面に垂直な方向である。

その後化学エツチングを行なうとストライプ状のレジス
トの存在のため第１２図（ｂ）に示したようにレジスト
の下部にも１００９．１０１０のごとく斜めにエツチン
グが進行し、ついには第１２図（Ｃ）のように台形ある
いは三角形の断面の素材を残してエツチングを終了させ
ることができる。この後残ったレジスト１００８を剥離
し、さらに分子ビームエビタキシ法等により全面にエネ
ルギギャップが大きいＡＩ　Ｏ，３１Ｇａ　Ｏ，６９Ａ
ｓの膜を形成して保獲する。

このようにして製作した構造は断面の横方向の寸法が各
々異なる多層細線構造となるが、最上層の量子井戸細線
の断面寸法は２００人×２００人程度にすることができ
２次元超格子の量子効果が期待できる寸法となる。低温
（〜２０ｋ）におけるカソードルミネッセンスの測定に
よれば第１３図のように本来の１次元超格子からのビー
ク１１０１の他に、より短波長側に２次元量子効果によ
る新たなルミネセンスのビーク１１０２が得られている
。

また、特開平０１−１３６３２７号公報においては、高
輝度の電界電離型のイオン源（液体金属イオン源。

極低温ガス電界電離型イオン源）を静電レンズ等のイオ
ンビーム光学系により０，１μｍ以下、とくに０．０５
ｇｍ程度の微細ビームに集束し、１次元量子井戸たとえ
ばＧａＡｓとＧａＡｌＡｓの積層部に照射して、これに
溝加工を施し、多数の細い細線部に分割して２次元の量
子井戸を形成し、 また、さらに上記した方向と直交する方向に対′鮪τを
施し格子状に分割をして３次元の量子井戸を形成する手
段が示されている。

上記の場合において高輝度の電界電離型イオン源は針状
チップの先端から高い電流密度でイオン化物質のイオン
を引出すものであるため、静電レンズ等のイオンビーム
光学系により集束した場合きわめて狭いスポットに集束
できかつ十分な電流を得ることができる。

とくに静電レンズとして２段ないし３段以上のレンズ系
を用いれば、倍率を大きくとることができ、液体金属イ
オン源を用いる場合０．１〜０．０５　ｐｍないしそれ
以下の極微細なビームを得ることができる。

とくにイオン源として極低温のガスフェーズの電界電離
型イオン源を用いた場合には、液体金属イオン源と異な
り数１０層ｍのテーラ−コーンを針の先端に形成しない
こと、および集束スポット径を決める要因であるエネル
ギー幅が０．１ｅＶ程度と液体金属イオン源の場合より
も１桁以上小さいことなどから１０層ｍ以下に集束する
こともできる。さらにイオンビームは偏向電極およびそ
の制御系により高精度の偏向が行えるため量子井戸の線
幅、深さ９間隔等を任意にかつ高精度で制御することが
でき、かつまた各層の線幅を一定にすることができ、井
戸の間隔をミクロン以下の寸法に形成することができる
。

第３図（ａ）に上記方法による２次元超格子製作法の例
を示す。ＧａＡｓ基板１０１上に分子ビームエピタキシ
あるいはＭＯＣＶＤ法などによ・すＧａＡｌＡｓ層１０
２、　ＧａＡｓ層１０３．　ＧａＡｌＡｓ層１０４．　
ＧａＡｓ層１０５．　ＧａＡｌＡｓ層１０６．　ＧａＡ
ｓ層１０７のように交互に数層から数１００層のエピタ
キシ層を成長させた一次元超格子材料に対して、液体金
属イオン源あるいは極低温ガス電解電離型イオン源など
の高輝度イオン源がらのイオンビーム１１３を静電レン
ズにより０．１１１ｍ以下のスポット１１２に集束し偏
向走査させつつ照射することにより上記材料を表面より
スパッタ加工し溝１０８．１０９．１１０．１１１を形
成する。溝１１１は加工の途中である。ここでおよその
寸法を示すと加工により残された部分の幅ａは数１０ｎ
ｍ、溝幅すは数１０層ｍ　、ヘテロエピタキシー層の厚
さＣは約７０ｎｍ　。

溝の長さｄは数１００　ｐｍ以上である。ここでイオン
ビームを５０層ｍ程度にまで絞ることにより加工溝の精
度として１０層ｍないしそれ以下を得ることができる。

またイオンビーム加工の特徴であるスパッタリングによ
り非常に尖鋭なエツジ形状が得られる。

図においてイオンビーム１１３はｅ方向に走査しつつ、
ｆ方向に移動させて面状の短足を行い、これをくり返す
ことにより溝１１１　を加工しつつある。

しかしこの繰返し走査方法はさまざまの異なる方法が可
能である。このように横方向に数１０個以上の多数の溝
を形成することによって２次元の超格子量子井戸細線を
形成できる。すなわちこの場合、イオンビーム１１１に
よって加工された溝は、ポテンシャル障壁となる。溝幅
すを変化させることにより電子の量子細線への局在化の
度合を変化させることができる。

第３１３Ｕｂはさらに直交する方向にも集束イオンビー
ムで溝加工を行ったものである。ポテンシャル障壁をヘ
テロエピタキシ積層方向と直交する２方に有するため、
３次元の超格子（量子井戸箱）を形成することができる
。

第１４図に２次元、３次元超格子を形成するための集束
イオンビーム加工装置を示す。防振架台１２２５の上に
設置され１０　’ｔｏｒｒ以下の真空に保った真空チャ
ンバ中において高輝度のイオン源（図では液体金属イオ
ン源）が加速電源１２００によって加速電圧分だけフロ
ートされたヒータ電源１２０２により通電加熱され、フ
ィラメント１２０３の先端につけられた溶融金属から引
出し用電源１２０４に接続された引出し電極１２０６に
より形成される電界によってイオンビームが引出される
。電極１２０７．１２０８は引出し電極と合せて第１の
静電レンズを形成する。

レンズ電源１２０５はレンズ電極１２０７に印加するレ
ンズ電圧を出力する。イオンビームは第ルンズ１２０６
、１２０７．１２０８によりほぼ平行なビームとされ、
ビーム制限アパーチャ１２０９により径を制限された後
、ブランキング用電源１２１７により駆動され高速でビ
ームをＯＮ□ＯＦＦするためのブランキング電源１２１
０およびブランキング用アパーチャ１２１１、を通過し
、偏向制御電源１２１８により駆動される。

二組の偏向電極１２１２．１２１３により偏向された後
３枚の電極１２１４．１２１５．１２１６から成る第２
の静電レンズに入射する。この場合第２レンズでは、中
央のレンズのみが第２レンズ電源１２１９により電圧を
印加されている。この第２のレンズによってイオンビー
ムは集束され、試料ステージ１２２３上の試料１２２２
に照射される。

２次荷電粒子検出器１２２１はイオンビームの照射によ
り試料から放出される２次電子あるいは２次イオンをと
らえてこれを増幅し偏向信号に同期させてデイスプレィ
１２２０上に走査イオン像として表示し、これにより試
料の観察を行なうことができる。１２２４は試料交換用
のローダである。

この装置ではレンズを二段に用いているために通常の一
段のレンズに比べて倍率を大きくすることができる。し
たがって十分な微細ビーム（０，１〜０．０５μｍ）に
おいても十分大きい電流（５０ｐＡ〜３００　ｐＡ）を
得ることができ十分な加工や検出を行なうことができる
。またこのような微細なビームで超格子のサンプルを検
出しつつビームを偏向させて第３図に示すような２次元
、３次元の超格子の加工を行なうことができる。

なお、この他に集束イオンビームを用いた打込みにより
量子細線を形成する例が知られている。

第２３図は従来技術の一つでありたとえばケーイシダ　
エトアル、アプライドフィジックスレター５１（２）、
１３　７月１９８７　（Ｋ　、　ｌ５ｉｄａ　ｅｔａｌ
　：　Ａｐｐｌ。

Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ、　５１　（２）、　１３　Ｊｕ
ｌｙ　１９８７）などにみられるものである。

すなわち、ＧａＡｓ基板２３０１上にＧａＡｌＡｓ２３
０２．　ＧａＡｓ２３０３、　ＧａＡｌＡｓ２３０４．
−・・、　ＧａＡｓ２３０８を交互にヘテロエピタキシ
ー成長させて、超格子に対し表面がら加速電圧１６０　
ｋＶでＳｉイオンビームを２Ｘ１０”ｃｍ　”の密度で
打込む。このとき生成されるカスケード領域２３１０．
２３１１．２３１２では入射してＳｉイオンとこれによ
り多重散乱されたＧａ、・Ａｓ、　Ａｌ原子が入り乱れ
て混晶状態となり、ポテンシャル＃壁を形成して量子細
線構造を形成することができる。この方法では簡便に細
線構造が形成できる反面、混晶領域の境界部分が尖鋭で
再記性のある形状に制御することが困難であること、熱
などの影響で境界が変化する恐れがあることなどの課題
を有する。

打込みによる方法では、以上の課題があるので本発明で
は前記した集束イオンビームによるスパッタ加工を用い
た方法につき、取り扱うこととする。

〔発明が解決しようとする課題〕

前記したように、従来の集束イオンビームを用いて、ス
パッタ加工を行なうことにより溝形成を行う方法では、
再付着層や照射イオンの元素が試料表面に存在するため
、良好で安定な特性の超格子構造の素子を得ることが難
しいという課題を有していた。

本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決すべく集束
イオンビーム加工によって超格子構造の素子における量
子細線などの周期溝構造を形成する場合において、細い
山部の形成上障害となり、かつ素子特性に悪影響を及ぼ
し、溝部をエピタキシー層により埋める上で障害となる
ような再付着層の形成やイオン源材料の試料への付着を
除去して良好で安定な特性の超格子構造の素子を得るよ
うにした細溝加工方法及びその装置を提供することにあ
る。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記目的を達成するために、集束イオンビー
ムにより周期溝構造を形成したあと、エツチングにより
再付着層やイオン源材料の試料への付着を除く。この場
合、ウェットエツチングおよびドライエツチングの双方
が可能である。エツチング速度はエピタキシー層と再付
着層とで異なり、再付着層の方が速やかにエツチングが
進行するため、エツチング時間をコントロールすること
により再付着層のみを除去することができる。

〔作用〕

集束イオンビームを用いてスパッタリング加工を行った
加工溝の断面は第１５図に示すように溝部表面（例えば
１３１１）が平坦ではなく凹凸がある。

ここに試料は、例えばＧａＡｓ基板１３０１上にＧａＡ
ＪＡｓ１３０２、　ＧａＡｓ１３０３．−、　ＧａＡｓ
１３０９なる超格子構造を形成したものであり、これに
集束イオンビームスパッタ加工を行って、細溝を形成し
た。（なお第１６図以下の試料断面図では、このような
超格子構造を詳細に画くことは省略する。）ここで溝の
深さは、量子細線の特性をみるためには、５０ｎｍ以上
とすることが必要である。これは集束イオンビームによ
り試料に溝加工を行なう際、スパッタされた試料の原子
が１３１０のように層状に側壁に付着して生じるもので
あることを明らかにした。更にこのような溝部の凹凸は
超格子の特性に以下のような悪影響を与えることについ
ても明らかにした。

（１）試料表面の平坦性が低下するため、バンド構造に
乱れを生じ、多重量子井戸の電子特性に悪い影響を与え
るを明らかにした。

（２）再付着層はアモルファス状態であり、形成過程か
ら考えて、もとの試料のエピタキシ層とは区別される。

即ち再付着層は不完全な導電層であり、超格子の電子閉
込め特性やバンド構造に悪影響を及ぼすことを明らかに
した。

（３）再付着層は形成過程から考えてもとのエピタキシ
層に比べて、外部条件に対して不安定であり、温度、湿
度、外力などによって容易に変形。

変質をきたすことを明らかにした。

（４）形成された多重量子井戸構造を安定に保つために
、溝内部に基板材料をエビ成長させる必要がある。たと
えばＧａＡｓ、　ＧａＡｌＡｓの超格子の場合、溝内部
にＧａＡｓをエピタキシ成長させて溝を埋める。この場
合、表面にアモルファス状態の再付着層が形成されてい
れば、その上にエピタキシー成長させることは困難であ
ることを明らかにした。

（５）更にスパッタされた原子が側壁に付着することに
より、溝の幅が狭く、山の幅が太くなる。

量子細線などの多重量子井戸構造の特性が明確に現われ
るのに幅３０ｎｍ以上であるが、このような再付着層の
形成の為、６０ｎｍφ以下の径の集束イオンビームを用
いても、山の幅を１００　ｎｍ以下とすることは困難で
あることを明らかにした。

以上再付着層のもたらす悪影響につき述べてきたが、こ
の低照射されたＧａが第１４図に示すように二の側壁の
内部や表面、試料の上面に１４吋、　１４０２゜１４０
３、・・・　のように付着して同様に悪影響を及ぼすこ
とを明らかにした。

本発明は、集束イオンビーム加工で細溝加工を行なった
後エツチングによりイオン物質や再付着層を除去するこ
とにより、尖頭な断面構造を有し、良好で安定な特性を
有する多次元の超格子デバイスを得ることができる。

〔実施例〕

第１７図のように集束イオンビーム加工１７０３により
再付着層を大量に有するＧａＡｓ、　ｒｎＰなどの周期
加工溝１３１１に対してウェットエツチングを施す。

使用するエツチング液としては、例えばＨＣｌ　とＨ２
０□とＨ，Ｏの混合液であり、その割合は１：１：１０
０　とする。エツチングによりアモルファスの再付着層
のみが除去されて、第１８図にみられるように尖鋭なア
スペクト比の山部が得られる。その輻ａは２０ｎｍ以下
にすることが可能でありまた高さｈは２００　ｎｍ以上
とでき量子細線の形成に有効である。

ここで、エツチング速度は第１９図にみられるように再
付着層とエピタキシー層では異なり、再付着層を速くエ
ツチングが進行する。

第１図はウェットエツチングの代りにドライエツチング
を用いるもので、集束イオンビーム加工装置のチャンバ
１７０５内に高周波プラズマ・エツチング装置１７０６
〜１７０８を設けたものである。チャンバ１７０５は真
空ポンプ（ｐｕｍｐ　）により排気される。

加工時においては試料は１７０４の位置に設置され、イ
オン源１７０１より出たイオンビーム１７０２を光学系
（図示せず）により微細スポット１７０３に集束して試
料に照射しこれを加工する。次に試料ステージの移動に
より試料を１７０６の位置に移動させガスボンベ１７０
９よりＣＩ　、、　ＢＣＩ、などの反応性のガスを導入
し、試料と電極１７０８の間に高周波電源１７０７によ
り上記ガスのプラズマを生成して、試料１７０６に化学
ドライエツチングを施すことにより、第１８図のような
エツチング結果を得ることができる。

第２０図は、Ｇａなどのイオン源物質が加工部に１４０
１〜１４０３のように付着している場合においてＨＦや
Ｈ２ＳＯ，などを含むエツチング液で除去し第２０図の
ようにしその後、ＨＣＩ　とＨよＯＲとによりエツチン
グして第２２図のようなエツチング結果をうるものであ
る。

第２図は同様にドライエツチングに２種類のガスを用い
る場合のイオンビーム加工装置を示すもので第１図と異
なる点はガスボンベが２２０１．２２０２の２種類存在
する点である。今、Ｓｉイオンビームで試料を加工して
Ｓｉの付着物が加工部に存在する場合、たとえば２２０
１にＣＦ、又はＳＦ、を入れ、これによりＳｉを化学プ
ラズマエツチングにより除去し、次に２２０２に入った
ＢＣｌ、により試料の再付着層を化学プラズマエツチン
グにより除去することが可能である。

〔発明の効果〕

本発明により集束イオンビーム加工で細溝加工を行う場
合、問題となるイオン源物質や再付着層を除去すること
により、尖鋭な断面構造を得る手段が提供された。これ
により量子細線や量子頭などの形成が容易に行え、これ
らを用いた半導体レーザなどの多次元超格子デバイスの
製作が行えるようになる。

また、Ｘ線マスクパターン、Ｘ線用フレネルレンズパタ
ーン、などの各種微細パターンの形成にも適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は各々本発明に係るドライエツチング
装置をチャンバ内に有する集束イオンビーム加工装置の
一実施例を示す図、第３図（ａ）、　（ｂ）は各々本発
明に係る２次元、３次元の多重量子井戸構造（Ｍｕｌｔ
ｉ　　Ｑｕａｎｔｕｍ　　Ｗｉｒｅ、　Ｍｕｌｔｉ　　
ＱｕａｎｔｕｍＤｏｔ　）の製作を示す図、第４図は１
次元多重量子井戸構造（ヘテロ超格子、　Ｍｕｌｔｉ　
　Ｑｕａｎｔｕｍ　　Ｗａｌｌ）を示す図、第５図は第
４図に示す１次元ＭＱＷのポテンシャルを示す図、第６
図はバルク素子の状態密度曲線を示す図、第７図は１次
元多重量子井戸の状態密度曲線に示す図、第８図は２次
元の多重量子井戸の構成を示した図、第９図は３次元の
多重量子井戸の構成を示す図、第１０図及び第１１図は
各々第８図及び第９図に示す構造の状態密度曲線を示す
図、第１２図は従来の２次元量子井戸構造の製作法の一
例を示す図、第１３図は第１２図によって与えられる発
光強度スペクトルを示す図、第１４図は本発明によるイ
オンビームを用いた多次元量子井戸デバイスを製作する
装置の一実施例を示した図、第１５図及び第１７図は各
々集束イオンビーム加工により形成した超格子構造の周
期溝に再付着層を有する断面を示した図、第１６図及び
第２０図は各々集束イオンビーム加工により形成した超
格子構造の周期溝にイオン源物質が付着した状態を示し
た断面図、第１８図は第１５図及び第１７図に示す超格
子構造に対してエツチングを行なった後の断面を示した
図、第１９図は再付着層とエピタキシー層のエツチング
速度を示す説明図、第２１図は第２０図の試料から化学
エツチングにより付着イオン源物質を除去した試料断面
を示す図、第２２図は第２１図の試料から化学エツチン
グにより再付着層を除去した試料の断面を示す図、第２
３図は従来のＳｉイオンビーム打込みを示す図である。 １３１０・・・再付着層　　　１３１１・・・周期加工
溝１７０３・・・集束イオンビーム（微細スポット）１
７０１・・・イオン源 １７０２・・・イオンビーム 才１ 図 １７０６・・・試料 （超格子構造体素子） １７０７・・・高周波電源 １７０９・・・ガスボンベ ２２０１゜ ２２０２・・・ガスボンベ オフ図 ７０Ｚ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、集束イオンビームを試料に照射して、該試料に細溝
   構造を形成する方法において、上記集束イオンビームに
   よるスパッタ加工の後、化学的なウェットエッチングあ
   るいはドライエッチングによって試料の加工溝部に付着
   したイオン源物質、スパッタ加工時の再付着層を除去す
   ることを特徴とする細溝加工方法。 ２、上記試料が超格子構造体からなる素子であることを
   特徴とする請求項１記載の細溝加工方法。 ３、集束イオンビームを試料に照射して該試料に細溝構
   造を形成する装置において、上記集束イオンビームによ
   るスパッタ加工によって試料の加工溝部に付着したイオ
   ン源物質及び再付着層をエッチングによつて除去するエ
   ッチング手段を備え付けたことを特徴とする細溝加工装
   置。 ４、上記試料が超格子構造体からなる素子であることを
   特徴とする請求項３記載の細溝加工装置。