JPH049748A - ニオブ酸リチウム薄膜の評価方法およびその製造装置 - Google Patents
ニオブ酸リチウム薄膜の評価方法およびその製造装置Info
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- JPH049748A JPH049748A JP2114434A JP11443490A JPH049748A JP H049748 A JPH049748 A JP H049748A JP 2114434 A JP2114434 A JP 2114434A JP 11443490 A JP11443490 A JP 11443490A JP H049748 A JPH049748 A JP H049748A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は強誘電体として知られた結晶構成のニオブ酸リ
チウム（ＬｉＮｂＯａ）薄膜の組成比を、光吸収端波長
の測定で評価する方法、及び、成膜中のＬ ｉ Ｎ ｂ
０３薄膜を上記評価方法でモニターし、そのＬｉＮｂ
Ｏ３薄膜の成膜条件を制御できる製造装置に関するもの
である。
チウム（ＬｉＮｂＯａ）薄膜の組成比を、光吸収端波長
の測定で評価する方法、及び、成膜中のＬ ｉ Ｎ ｂ
０３薄膜を上記評価方法でモニターし、そのＬｉＮｂ
Ｏ３薄膜の成膜条件を制御できる製造装置に関するもの
である。
〈従来の技術〉
多くの強誘電性酸化物のなかでも、ＬｉＮｂＯ３は融点
が特に高く、かつ、キューリー温度も高く、化学的にも
安定しているという特徴がある。従って、このＬｉＮｂ
ｏ３は、電気光学効果、非線形光学効果又は圧電効果等
を利用する光ＩＣや表面弾性波デバイス等の材料として
広く多くの分野で用いられている。又、以上のようなこ
の材料のもつ機能を充分に活用すること、及び、開発し
たデバイスのコスト低減を図る等を目的として薄膜にし
たｔ−１Ｎｂｏ３でのデバイス開発が進められ、これの
薄膜製造技術の確立が急がれている。
が特に高く、かつ、キューリー温度も高く、化学的にも
安定しているという特徴がある。従って、このＬｉＮｂ
ｏ３は、電気光学効果、非線形光学効果又は圧電効果等
を利用する光ＩＣや表面弾性波デバイス等の材料として
広く多くの分野で用いられている。又、以上のようなこ
の材料のもつ機能を充分に活用すること、及び、開発し
たデバイスのコスト低減を図る等を目的として薄膜にし
たｔ−１Ｎｂｏ３でのデバイス開発が進められ、これの
薄膜製造技術の確立が急がれている。
ＬｉＮｂＯ３の薄膜作製には、スパッタリング法、イオ
ンプレーテング法、又はＣＶＤ法等が用いられ、Ａｔ２
ｏ３、ＭｇＯ又はＺｎＯ等の単結晶基板上へのヘテロエ
ピタキシャル単結晶薄膜や、ガラスや多結晶セラミック
基板上への多結晶薄膜の作製が行なわれている。
ンプレーテング法、又はＣＶＤ法等が用いられ、Ａｔ２
ｏ３、ＭｇＯ又はＺｎＯ等の単結晶基板上へのヘテロエ
ピタキシャル単結晶薄膜や、ガラスや多結晶セラミック
基板上への多結晶薄膜の作製が行なわれている。
しかし、以上の薄膜作製では、ＬｉＮｂ０ａ の化学量
論比、すなわちＬｉとＮｂ元元素組成比を１にした（
Ｌ ｉ／Ｎｂ ＝ １ ）薄膜であることを効率よく評
価する方法の開発と、以上のような化学量論比の薄膜を
再現性よく作製する方法を確立することが課題になって
いる。
論比、すなわちＬｉとＮｂ元元素組成比を１にした（
Ｌ ｉ／Ｎｂ ＝ １ ）薄膜であることを効率よく評
価する方法の開発と、以上のような化学量論比の薄膜を
再現性よく作製する方法を確立することが課題になって
いる。
〈発明が解決しようとする課題〉
ＬｉＮｂｏｇを、スパッタリング法やイオンブレーティ
ング法により薄膜を形成するときは、その構成元素のＬ
ｉがＮｂ［比べ極めて蒸気圧が高いため均一な化学量論
比（Ｌ Ｉ／Ｎｂ＝Ｉ）の薄膜を形成させる成膜条件の
確立が難しく、長い時間をかけた成膜テストを繰り返す
必要があった。
ング法により薄膜を形成するときは、その構成元素のＬ
ｉがＮｂ［比べ極めて蒸気圧が高いため均一な化学量論
比（Ｌ Ｉ／Ｎｂ＝Ｉ）の薄膜を形成させる成膜条件の
確立が難しく、長い時間をかけた成膜テストを繰り返す
必要があった。
以上の成膜条件のテストは、薄膜製造装置や成膜条件を
変更する度に行なわれ、例えばスパッタリング法のとき
はターゲットの組成比を変え、イオンブレーティング法
のときはＬｌとＮｂの蒸着量の割合を変えながら薄膜を
作製することになる。
変更する度に行なわれ、例えばスパッタリング法のとき
はターゲットの組成比を変え、イオンブレーティング法
のときはＬｌとＮｂの蒸着量の割合を変えながら薄膜を
作製することになる。
又、作製した薄膜の組成比の測定はＳＩＭＳ（二次イオ
ン質量分析計〕や、ＡＥＳ（オージェＷｉ、子分光装置
）等によっているので、分析には長い時間を要する他、
破壊分析で、絶縁性材料での分析はかなり難しく、更に
、これらの分析装置は高価で、操作も複雑であることか
ら簡単に測定できる装置ではない。従って、Ｌ ｉ Ｎ
ｂＯ３薄膜の成膜条件の最適化のように成膜テストを繰
り返すときは、成膜テストの薄膜の分析もネックとなっ
ていたため、短時間に薄膜の組成が評価できる方法が望
まれていた。
ン質量分析計〕や、ＡＥＳ（オージェＷｉ、子分光装置
）等によっているので、分析には長い時間を要する他、
破壊分析で、絶縁性材料での分析はかなり難しく、更に
、これらの分析装置は高価で、操作も複雑であることか
ら簡単に測定できる装置ではない。従って、Ｌ ｉ Ｎ
ｂＯ３薄膜の成膜条件の最適化のように成膜テストを繰
り返すときは、成膜テストの薄膜の分析もネックとなっ
ていたため、短時間に薄膜の組成が評価できる方法が望
まれていた。
本発明は、従来のＬｉＮｂＯ３薄膜において問題となっ
ていたＬｉＮｂＯ３薄膜を効率よく評価する方法と、そ
の均一な薄膜の製造ができる装置とを提供することを目
的としている。
ていたＬｉＮｂＯ３薄膜を効率よく評価する方法と、そ
の均一な薄膜の製造ができる装置とを提供することを目
的としている。
く課題を解決するための手段〉
本発明は、ＬｉＮｂｏ３薄膜が、その化学量論比の組成
の近辺での組成比の変化により、敏感にその光吸収端波
長が変化することを利用したもので、この光吸収端波長
の測定によりその薄膜の組成比を評価するものである。
の近辺での組成比の変化により、敏感にその光吸収端波
長が変化することを利用したもので、この光吸収端波長
の測定によりその薄膜の組成比を評価するものである。
本発明の実施に於ては、あらかじめ作製した多種の組成
のニオブ酸リチウム膜を、ＳＩＭＳ等によりＬｉとＮｂ
の組成比を測定し、そのＬｉ／Ｎｂの組成比の薄膜での
紫外線領域になる光吸収端波長を測定することで、Ｌｉ
／Ｎｂの組成比とその光吸収端波長との相関データを整
えておいて、成膜したＬｉＮｂ０Ｂ薄膜は、それで測定
した光吸収端波長を前記の相関データと照合して、迅速
にその組成比を評価するものである。
のニオブ酸リチウム膜を、ＳＩＭＳ等によりＬｉとＮｂ
の組成比を測定し、そのＬｉ／Ｎｂの組成比の薄膜での
紫外線領域になる光吸収端波長を測定することで、Ｌｉ
／Ｎｂの組成比とその光吸収端波長との相関データを整
えておいて、成膜したＬｉＮｂ０Ｂ薄膜は、それで測定
した光吸収端波長を前記の相関データと照合して、迅速
にその組成比を評価するものである。
以上で説明したＬ ｉ ／ Ｎ ｂの組成比の評価は、
非破壊で迅速に行なうことができるので成膜の途中のＬ
ｉＮｂｏ３薄膜についても組成比の測定が可能であるこ
とから、本発明の方法によりＬ １Ｎｂｏ ３薄膜の成
膜における組成比をモニターしなから成膜条件を制御す
ることで、迅速な化学量論比組成のＬｉＮｂ０ａ薄膜の
成膜条件設定が可能になった。
非破壊で迅速に行なうことができるので成膜の途中のＬ
ｉＮｂｏ３薄膜についても組成比の測定が可能であるこ
とから、本発明の方法によりＬ １Ｎｂｏ ３薄膜の成
膜における組成比をモニターしなから成膜条件を制御す
ることで、迅速な化学量論比組成のＬｉＮｂ０ａ薄膜の
成膜条件設定が可能になった。
く作 用〉
本発明は、Ｌ １Ｎｂ０３薄膜の組成比を、その紫外線
領域になる光吸収端波長で評価するので、葎く一般的で
簡単な分光光度計を用いて迅速に測定することができる
。この薄膜評価装置をＬｉＮｂＯ３薄膜製造装置に設置
することで、成膜中のＬｉＮｂＯ３薄膜の組成比を容易
に評価でき、その薄膜を化学量論比組成にする成膜条件
の設定が迅速にでき、その製造の効率化を図ることがで
きる。
領域になる光吸収端波長で評価するので、葎く一般的で
簡単な分光光度計を用いて迅速に測定することができる
。この薄膜評価装置をＬｉＮｂＯ３薄膜製造装置に設置
することで、成膜中のＬｉＮｂＯ３薄膜の組成比を容易
に評価でき、その薄膜を化学量論比組成にする成膜条件
の設定が迅速にでき、その製造の効率化を図ることがで
きる。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を、図面を参照して説明する。
第２図に示したのは、本発明の実施例におけるＬ １Ｎ
ｂ０３ 薄膜作製装置の概要を示した断面図である。こ
の成膜装置の構成とその動作については、次の実施例の
なかで説明する。
ｂ０３ 薄膜作製装置の概要を示した断面図である。こ
の成膜装置の構成とその動作については、次の実施例の
なかで説明する。
、 ￥
ンセル２及び高周波クラス発生用ワーキングコイル３等
を装備した真空チャンバー２０において、先ず、チャン
バー２０内を、その排気口９に接続した真空ポンプによ
りＩ Ｘ Ｉ Ｏ−”Ｔｏｒ、ｒ程度迄真空排気した後
、コイル３部分のみ２ＸＩＯＴｏｒｒまでパルプ８によ
って導入した酸素ガスを、コイル３によって印加したＲ
ｆパワー（周波数１３．５６ＭＨｚ。
を装備した真空チャンバー２０において、先ず、チャン
バー２０内を、その排気口９に接続した真空ポンプによ
りＩ Ｘ Ｉ Ｏ−”Ｔｏｒ、ｒ程度迄真空排気した後
、コイル３部分のみ２ＸＩＯＴｏｒｒまでパルプ８によ
って導入した酸素ガスを、コイル３によって印加したＲ
ｆパワー（周波数１３．５６ＭＨｚ。
２００Ｗ）ＶＣよって、プラズマ化した。
以上のチャンバー２０内の状態で、電子ビーム加熱蒸発
源１のＮｂ（純度４Ｎ）と、クヌードセンセル２のＬｉ
（純度４Ｎ）を独立に制御した加熱による蒸発流を、前
記酸素プラズマを通して、４００’Ｃに加熱・保持した
基板４（コーニング７０５９ガラス〕上に同時蒸着して
成膜した。この実施では、Ｎｂの蒸着速度をｒ ｏＸｙ
分に固定しておき、一方のＬｉの蒸着速度は１０〜３０
久／分の間で変化させて成膜した。各成膜後の膜厚は約
ａｏｏｏＸになるよう設定した。
源１のＮｂ（純度４Ｎ）と、クヌードセンセル２のＬｉ
（純度４Ｎ）を独立に制御した加熱による蒸発流を、前
記酸素プラズマを通して、４００’Ｃに加熱・保持した
基板４（コーニング７０５９ガラス〕上に同時蒸着して
成膜した。この実施では、Ｎｂの蒸着速度をｒ ｏＸｙ
分に固定しておき、一方のＬｉの蒸着速度は１０〜３０
久／分の間で変化させて成膜した。各成膜後の膜厚は約
ａｏｏｏＸになるよう設定した。
以上のようにして作製した薄膜について、Ｘ線回折法と
ＳＩＭＳ分析で測定した組成比と、可視・紫外分光光度
計により測定した光吸収端波長との関係をまとめて示し
たのが第１図の黒点である。
ＳＩＭＳ分析で測定した組成比と、可視・紫外分光光度
計により測定した光吸収端波長との関係をまとめて示し
たのが第１図の黒点である。
なお、この第１図中の白丸は、参考として示したＬｉＮ
ｂｏ３のバルク単結晶の測定値である。
ｂｏ３のバルク単結晶の測定値である。
以上で作成した第１図からＬｉＮｂＯ３薄膜について次
のことが分かる。
のことが分かる。
＋１） 化学量論比（ＬｉＮｂＯ３）で、光吸収端波
長が最長になる。
長が最長になる。
（２）Ｌｉが過剰になると光吸収端波長は急激に短くな
る。
る。
（３）Ｎｂが過剰になる領域でも光吸収端波長が急速に
短くなる。
短くなる。
（４）Ｘ線回折の測定ではＬｉ／Ｎｂが１に近いかなり
の膜組成の範囲でＬｉＮｂＯ３の回折パターンが得られ
る。
の膜組成の範囲でＬｉＮｂＯ３の回折パターンが得られ
る。
即ち、上記の点から、Ｘ線回折でＬｉＮｂＯ３の回折パ
ターンを得ても、膜全体として化学量論比になったこと
の確認にはならないこと。一方、光吸収端波長は、（Ｌ
ｉ／Ｎｂ）組成比で決まり、成膜条件を変更したとき、
例えばＬｉとＮｂの蒸着速度を変えたときも、作製した
薄膜の光吸収端波長が３１０〜８２０ ｎｍの範囲内か
否かで、当該成膜条件の良否が判定できる。
ターンを得ても、膜全体として化学量論比になったこと
の確認にはならないこと。一方、光吸収端波長は、（Ｌ
ｉ／Ｎｂ）組成比で決まり、成膜条件を変更したとき、
例えばＬｉとＮｂの蒸着速度を変えたときも、作製した
薄膜の光吸収端波長が３１０〜８２０ ｎｍの範囲内か
否かで、当該成膜条件の良否が判定できる。
従って、以上から、本実施例の成膜方法による成膜条件
を変えたときの膜組成の変動モニターや、他の成膜方法
における成膜の条件出しにも、本発明の実施例で得た第
１図を利用する光吸収端波長の測定により、得られた薄
膜が最適の組成比（ＬｉＮｂＯ３）か否か迅速に判定で
きる。
を変えたときの膜組成の変動モニターや、他の成膜方法
における成膜の条件出しにも、本発明の実施例で得た第
１図を利用する光吸収端波長の測定により、得られた薄
膜が最適の組成比（ＬｉＮｂＯ３）か否か迅速に判定で
きる。
成膜中の組成比モニター
以上の実施例から、成膜中のＬｉＮｂＯ３薄膜の組成比
が評価できる可視から紫外領域迄の分光波長特性（可視
・紫外分光特性）を測定できる測定器を備えた薄膜製造
装置を作製して、成膜した。
が評価できる可視から紫外領域迄の分光波長特性（可視
・紫外分光特性）を測定できる測定器を備えた薄膜製造
装置を作製して、成膜した。
以上の薄膜製造装置の概要断面図は第２図に示した。即
ち、電子ビーム加熱蒸発源１．クヌードセンセル２．Ｒ
ｆコイル３等を装備した真空チャンバー２０に、モニタ
ー用石英板１３と石英板の窓１０を設けた分光測定用光
路１１を設置した。
ち、電子ビーム加熱蒸発源１．クヌードセンセル２．Ｒ
ｆコイル３等を装備した真空チャンバー２０に、モニタ
ー用石英板１３と石英板の窓１０を設けた分光測定用光
路１１を設置した。
なお７は真空計である。
成膜は、前記実施例と同様に真空チャンバー２０内をｌ
Ｘｌ０−８Ｔｏｒｒに排気した後、ニードルバルブ８で
、Ｒｆコイル３の周波数１３．５６ ＭＨｚで２００Ｗ
のＲｆパワーを印加して酸素プラズマを発生させる範囲
に２ＸＩＯＴｏｒｒ の酸素ガスを導入している。
Ｘｌ０−８Ｔｏｒｒに排気した後、ニードルバルブ８で
、Ｒｆコイル３の周波数１３．５６ ＭＨｚで２００Ｗ
のＲｆパワーを印加して酸素プラズマを発生させる範囲
に２ＸＩＯＴｏｒｒ の酸素ガスを導入している。
次に、クヌードセンセル２のＬｉを５６０℃に加熱し、
電子ビーム加熱蒸発源のエミッション電流を１００ｍＡ
に設定して、一定の蒸発状態にし、両蒸発源のシャッタ
ー５を開いてモニター用石英＆＋３上にＬｌとＮｂの同
時蒸着を行った。このモニター蒸着中に、光源１２から
の光を、石英板１３を透過させ可視から紫外領域迄の測
定ができる分光光度計１４での測定で、成膜中の薄膜の
光吸収端測定を測定した。この測定には、発生させた酸
素ガスプラズマの発光が、透過光スペクトルの、バンク
グランド１７ｉ：なっていたが、薄膜の光吸収端波長は
透過光のスペクトルの形状から容易に判定でき、この条
件では２７０ ｎｍであった。次に、薄膜をＬｉＮｂＯ
３の化学量論比組成の光吸収端波長である約３１０〜３
２０ ｎｍの範囲に入れるようコンピュータ■５での制
御で蒸発源１のパワーコントローラ１６の出力を上げて
エミッション電流を増加させて行った。この結果、その
エミソシジン電流が１７０ｍＡになったときモニター用
薄膜の光吸収端波長を３１０ ｎｍにすることができた
。
電子ビーム加熱蒸発源のエミッション電流を１００ｍＡ
に設定して、一定の蒸発状態にし、両蒸発源のシャッタ
ー５を開いてモニター用石英＆＋３上にＬｌとＮｂの同
時蒸着を行った。このモニター蒸着中に、光源１２から
の光を、石英板１３を透過させ可視から紫外領域迄の測
定ができる分光光度計１４での測定で、成膜中の薄膜の
光吸収端測定を測定した。この測定には、発生させた酸
素ガスプラズマの発光が、透過光スペクトルの、バンク
グランド１７ｉ：なっていたが、薄膜の光吸収端波長は
透過光のスペクトルの形状から容易に判定でき、この条
件では２７０ ｎｍであった。次に、薄膜をＬｉＮｂＯ
３の化学量論比組成の光吸収端波長である約３１０〜３
２０ ｎｍの範囲に入れるようコンピュータ■５での制
御で蒸発源１のパワーコントローラ１６の出力を上げて
エミッション電流を増加させて行った。この結果、その
エミソシジン電流が１７０ｍＡになったときモニター用
薄膜の光吸収端波長を３１０ ｎｍにすることができた
。
以上のように蒸発源の制御をしながら組成比をモニター
できるのは、薄膜の組成がＬ ｉ ／Ｎｂ ＝ １から
ずれるに従って光吸収端波長が短かくなるからであり、
若し、ＬｉＮｂＯ３の光吸収端波長が第１図とは逆に薄
膜組成比のＬｉ／Ｎｂが１からずれるに従い光吸収端波
長が長くなれば、モニター薄膜の光吸収端波長は、はじ
めに設定した条件でできた薄膜による３ ２０ ｎｍ程
度の波長になり、その後Ｌｉ／Ｎｂが１に近くなる組成
の成膜条件にしても、モニター薄膜で測定できる光吸収
端波長は短かくならないので、この測定が成膜条件調整
の指針にはならないことになる。
できるのは、薄膜の組成がＬ ｉ ／Ｎｂ ＝ １から
ずれるに従って光吸収端波長が短かくなるからであり、
若し、ＬｉＮｂＯ３の光吸収端波長が第１図とは逆に薄
膜組成比のＬｉ／Ｎｂが１からずれるに従い光吸収端波
長が長くなれば、モニター薄膜の光吸収端波長は、はじ
めに設定した条件でできた薄膜による３ ２０ ｎｍ程
度の波長になり、その後Ｌｉ／Ｎｂが１に近くなる組成
の成膜条件にしても、モニター薄膜で測定できる光吸収
端波長は短かくならないので、この測定が成膜条件調整
の指針にはならないことになる。
本実施例では、前記のモニター用薄膜で光吸収端波長が
３１０ ｎｍになった蒸発源などの成膜条件に保ち、シ
ャッター６を開いて基板４（サファイヤＺ面、基板温度
６００℃）上への薄膜堆積を２時間行った。チャンバー
２０から取出した基板上のＬｉＮｂＯ３薄膜は膜厚が４
０００Ａであった。
３１０ ｎｍになった蒸発源などの成膜条件に保ち、シ
ャッター６を開いて基板４（サファイヤＺ面、基板温度
６００℃）上への薄膜堆積を２時間行った。チャンバー
２０から取出した基板上のＬｉＮｂＯ３薄膜は膜厚が４
０００Ａであった。
この膜中の組成分布と結晶性をＳ Ｉ Ｍ ＳとＸ線回
折法で測定した。
折法で測定した。
以上で成膜したＬｉＮｂＯ３薄膜での膜厚方向のＮｂと
Ｌｉの組成分布を示したのが、第３図である。この第３
図から分るように、膜厚方向での組成分布は均一になっ
ていて、かつ、そのＮｂとＬｉとの相対２次イオン強度
比は、バルク単結晶のＬｉＮｂＯ３で得たその強度比と
良い一致を示した。
Ｌｉの組成分布を示したのが、第３図である。この第３
図から分るように、膜厚方向での組成分布は均一になっ
ていて、かつ、そのＮｂとＬｉとの相対２次イオン強度
比は、バルク単結晶のＬｉＮｂＯ３で得たその強度比と
良い一致を示した。
更に、上記のＬｉＮｂＯ３薄膜の結晶性を調べたのが、
第４図のＸ線回折パターンである。この第４図が示すよ
うに、ＬｉＮｂ０Ｂの２面のＸ線回折のみ観測されて、
ザファイヤの２面基板上に、ＬｉＮｂ０３ｍ膜がへテロ
エピタキシャル成長していることが確認できた。
第４図のＸ線回折パターンである。この第４図が示すよ
うに、ＬｉＮｂ０Ｂの２面のＸ線回折のみ観測されて、
ザファイヤの２面基板上に、ＬｉＮｂ０３ｍ膜がへテロ
エピタキシャル成長していることが確認できた。
以上は、本発明を実施例によって説明したが、本発明は
実施例によって限定されるものでなく、本実施例では薄
膜の光吸収端波長の測定に、その薄膜の透過光で測定し
たが、薄膜での反射光によって測定することも可能であ
る。又、実施例のＬｉＮｂＯ３薄膜の堆積はＬｉの蒸発
源を一定にしておいてＮｂの蒸発源を制御して化学量論
比組成の薄膜にしたが、この逆のＮｂの方を一定にして
Ｌｉの蒸発源で制御することも可能である。更に本実施
例ではＬｉとＮｂの蒸発源にクヌードセンセルと電子ビ
ーム加熱の蒸発源を用いたが、この実施例の蒸発源に限
定されず、原料を目的の速度で蒸発させる方法であれば
、実施例以外の方法や、それとの組み合せにすることが
できる。
実施例によって限定されるものでなく、本実施例では薄
膜の光吸収端波長の測定に、その薄膜の透過光で測定し
たが、薄膜での反射光によって測定することも可能であ
る。又、実施例のＬｉＮｂＯ３薄膜の堆積はＬｉの蒸発
源を一定にしておいてＮｂの蒸発源を制御して化学量論
比組成の薄膜にしたが、この逆のＮｂの方を一定にして
Ｌｉの蒸発源で制御することも可能である。更に本実施
例ではＬｉとＮｂの蒸発源にクヌードセンセルと電子ビ
ーム加熱の蒸発源を用いたが、この実施例の蒸発源に限
定されず、原料を目的の速度で蒸発させる方法であれば
、実施例以外の方法や、それとの組み合せにすることが
できる。
〈発明の効果〉
本発明によれば、ＬｉＮｂＯ３薄膜の光吸収端波長を測
定して、迅速に非破壊で、その組成比を評価することが
できる。
定して、迅速に非破壊で、その組成比を評価することが
できる。
又、上記の評価装置をＬｉＮｂＯ３薄膜製造装置に設置
することにより、化学量論比組成の薄膜の成膜条件設定
の迅速化を図るととができ、生産性が向上できる。
することにより、化学量論比組成の薄膜の成膜条件設定
の迅速化を図るととができ、生産性が向上できる。
第１図は本発明の実施例のＬｉＮｂ０ａ薄膜のＬ ｉ
／ Ｎ ｂ組成比とその光吸収端波長との関連を示す図
、第２図は本発明の実施例の薄膜製造装置の概要を示す
断面図、第３図は実施例のＬｉＮｂＯ３薄膜のＳＩＭＳ
Ｋよる膜厚方向組成分布図、第４図は実施例のＬｉＮｂ
Ｏ３薄膜のＸ線回折パターン図である。 １・・電子ビーム加熱蒸発源、２・・・クヌードセンセ
ル、３・・Ｒｆコイル、４・・基板、５．６山シヤツタ
ー ７・・・真空計、８・・・ニードルパルプ、９・・
・排気口、１０・・・石英窓、１１・・測定用光路、Ｉ
２・・光源、１３・・・モニター用石英板、Ｉ４・分光
光度ｇＬＩ５・・・コンピュータ、Ｉ６・・・パワーコ
ントローラー 代理人 弁理士 梅 １） 勝（他２名）０．０ （し ／ Ｎｂ ”） 旭鮫ル 第 図
／ Ｎ ｂ組成比とその光吸収端波長との関連を示す図
、第２図は本発明の実施例の薄膜製造装置の概要を示す
断面図、第３図は実施例のＬｉＮｂＯ３薄膜のＳＩＭＳ
Ｋよる膜厚方向組成分布図、第４図は実施例のＬｉＮｂ
Ｏ３薄膜のＸ線回折パターン図である。 １・・電子ビーム加熱蒸発源、２・・・クヌードセンセ
ル、３・・Ｒｆコイル、４・・基板、５．６山シヤツタ
ー ７・・・真空計、８・・・ニードルパルプ、９・・
・排気口、１０・・・石英窓、１１・・測定用光路、Ｉ
２・・光源、１３・・・モニター用石英板、Ｉ４・分光
光度ｇＬＩ５・・・コンピュータ、Ｉ６・・・パワーコ
ントローラー 代理人 弁理士 梅 １） 勝（他２名）０．０ （し ／ Ｎｂ ”） 旭鮫ル 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ニオブ酸リチウム薄膜を構成するリチウム元素とニ
オブ元素の組成比の評価に、前記ニオブ酸リチウム薄膜
で測定した光吸収端波長を用いることを特徴とするニオ
ブ酸リチウム薄膜の評価方法。 ２、組成比が制御できるニオブ酸リチウム薄膜製造装置
のなかに成膜中のニオブ酸リチウム薄膜の組成比を光吸
収端波長で評価する評価装置を設け、前記評価装置によ
り組成比を評価しつつ成膜中のニオブ酸リチウム薄膜の
成膜条件を制御できることを特徴とするニオブ酸リチウ
ム薄膜の製造装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114434A JPH049748A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | ニオブ酸リチウム薄膜の評価方法およびその製造装置 |
| US07/691,502 US5128007A (en) | 1990-04-27 | 1991-04-25 | Method for evaluating a lithium niobate thin film and apparatus for preparing the same |
| DE69123283T DE69123283T2 (de) | 1990-04-27 | 1991-04-29 | Verfahren zur Analyse einer Lithium-Niobat dünnen Schicht und Apparat zu ihrer Vorbereitung |
| EP91303850A EP0454499B1 (en) | 1990-04-27 | 1991-04-29 | Method for evaluating a lithium niobate thin film and apparatus for preparing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114434A JPH049748A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | ニオブ酸リチウム薄膜の評価方法およびその製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH049748A true JPH049748A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14637628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2114434A Pending JPH049748A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | ニオブ酸リチウム薄膜の評価方法およびその製造装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5128007A (ja) |
| EP (1) | EP0454499B1 (ja) |
| JP (1) | JPH049748A (ja) |
| DE (1) | DE69123283T2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5253104A (en) * | 1992-09-15 | 1993-10-12 | At&T Bell Laboratories | Balanced optical amplifier |
| DE4236264C1 (ja) * | 1992-10-27 | 1993-09-02 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 80636 Muenchen, De | |
| JP3113141B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2000-11-27 | シャープ株式会社 | 強誘電体結晶薄膜被覆基板、その製造方法及び強誘電体結晶薄膜被覆基板を用いた強誘電体薄膜デバイス |
| GB9700017D0 (en) * | 1997-01-02 | 1997-02-19 | Applied Vision Ltd | Substrate coating apparatus |
| US6951120B2 (en) * | 2002-03-19 | 2005-10-04 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Machining of lithium niobate by laser ablation |
| CN100543456C (zh) * | 2007-07-19 | 2009-09-23 | 广州天赐高新材料股份有限公司 | 一种双草酸硼酸锂含量紫外分光光度测定法 |
| US20130321805A1 (en) * | 2010-07-09 | 2013-12-05 | K-Space Associates, Inc. | Real-time temperature, optical band gap, film thickness, and surface roughness measurement for thin films applied to transparent substrates |
| GB201400274D0 (en) | 2014-01-08 | 2014-02-26 | Ilika Technologies Ltd | Vapour deposition method for preparing amorphous lithium-containing compounds |
| GB201400276D0 (en) * | 2014-01-08 | 2014-02-26 | Ilika Technologies Ltd | Vapour deposition method for fabricating lithium-containing thin film layered structures |
| GB201400277D0 (en) * | 2014-01-08 | 2014-02-26 | Ilika Technologies Ltd | Vapour deposition method for preparing crystalline lithium-containing compounds |
| WO2016057990A2 (en) * | 2014-10-10 | 2016-04-14 | Orthobond, Inc. | Method for detecting and analyzing surface films |
| CN109643784B (zh) | 2016-06-15 | 2022-09-06 | 爱利卡技术有限公司 | 作为电解质和电极保护层的硼硅酸锂玻璃 |
| GB201814039D0 (en) | 2018-08-29 | 2018-10-10 | Ilika Tech Ltd | Method |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3734620A (en) * | 1971-04-01 | 1973-05-22 | Ibm | Multiple band atomic absorption apparatus for simultaneously measuring different physical parameters of a material |
| US3892490A (en) * | 1974-03-06 | 1975-07-01 | Minolta Camera Kk | Monitoring system for coating a substrate |
| US4140078A (en) * | 1974-03-16 | 1979-02-20 | Leybold Heraeus Gmbh & Co. Kg | Method and apparatus for regulating evaporating rate and layer build up in the production of thin layers |
| US3988232A (en) * | 1974-06-25 | 1976-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of making crystal films |
| US4166784A (en) * | 1978-04-28 | 1979-09-04 | Applied Films Lab, Inc. | Feedback control for vacuum deposition apparatus |
| US4172020A (en) * | 1978-05-24 | 1979-10-23 | Gould Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling sputter deposition processes |
| CH634424A5 (fr) * | 1978-08-18 | 1983-01-31 | Nat Res Dev | Procede et appareil de detection et de commande de depot d'une pellicule fine. |
| JPS57161063A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-04 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Method and device for sticking metallic oxide film on substrate |
| DD262286A1 (de) * | 1987-07-15 | 1988-11-23 | Werk Fernsehelektronik Veb | Verfahren zur bestimmung der stickstoffkonzentration in gaas tief 1-xpx/gap - epitaxiescheiben |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2114434A patent/JPH049748A/ja active Pending
-
1991
- 1991-04-25 US US07/691,502 patent/US5128007A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-29 DE DE69123283T patent/DE69123283T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-29 EP EP91303850A patent/EP0454499B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5128007A (en) | 1992-07-07 |
| DE69123283T2 (de) | 1997-03-27 |
| EP0454499A3 (en) | 1992-02-19 |
| EP0454499B1 (en) | 1996-11-27 |
| EP0454499A2 (en) | 1991-10-30 |
| DE69123283D1 (de) | 1997-01-09 |
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