JPH0495328A - Formation of partition wall - Google Patents

Formation of partition wall

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JPH0495328A
JPH0495328A JP20344790A JP20344790A JPH0495328A JP H0495328 A JPH0495328 A JP H0495328A JP 20344790 A JP20344790 A JP 20344790A JP 20344790 A JP20344790 A JP 20344790A JP H0495328 A JPH0495328 A JP H0495328A
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resist
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一郎 小岩
Yoshitaka Terao
芳孝 寺尾
Nobuo Higemoto
髭本 信雄
Hideo Sawai
澤井 秀夫
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Abstract

PURPOSE:To uniform the film thickness of each resist so as to enhance the yield of formation of partition walls by forming on a partition-wall forming thick film layer a leveling layer whose surface is almost flat, and laminating the resist to the surface of the leveling layer. CONSTITUTION:A leveling layer 22 is formed by thick film printing in such a manner as covering the whole outer surface of a partition-wall forming thick film layer 20 and is left for a required time and then leveled so as to flatten the surface thereof. Each time the partition-wall forming thick film layer 20 and the leveling layer 22 are printed or after the printing is completed, the layers 20,22 are dried. The leveling layer 22 is stacked on a resist 24 and an electrode base 14 is held in an oven so as to dry the resist 24. Next the resist 24 is exposed using a mask (not shown in the Figure) so that a resist pattern 28 from which the channeling area 26 of the partition-wall forming thick film layer 22 is exposed is formed. Next the leveling layer 22 and the partition-wall forming thick film layer 22 of the channeling area 26 which is exposed are removed by means of etching by blasting. The remaining leveling layer 22 and partition-wall forming thick film layer 20 are baked whereby formation of a partition wall is completed.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明はガス放電パネルの隔壁形成方法に関する。[Detailed description of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a method for forming partition walls in a gas discharge panel.

(従来の技術) ガス放電パネルを高精細化、カラー化或は小型化する場
合、像細な隔9%どのように形成するかが問題となる。
(Prior Art) When making a gas discharge panel higher in definition, color, or smaller, the problem is how to form a fine image interval of 9%.

ガス放電パネルの隔壁形成には、股にスクリーン印刷法
が用いられでいるが、厚膜材料を所定のパターン形状で
積層しで隔g1形成するのでは、1.mm当り5本を越
える隔壁を実用的に形成することはむずかしい。
A screen printing method is used to form the partition walls of a gas discharge panel, but forming the partitions g1 by laminating thick film materials in a predetermined pattern has the following problems: 1. It is difficult to practically form more than 5 partition walls per mm.

(発明か解決しようとする課題) そこで、この出願の発明者はこの出願とは別の出願でブ
ラストによるエツチングを用いてガス放電パネルの隔壁
を形成する方法を提案している。
(Problem to be Solved by the Invention) Therefore, in a separate application, the inventor of this application has proposed a method of forming partition walls of a gas discharge panel using etching by blasting.

この方法では電極を備える基板の電極上に隔壁形成用厚
膜層を積層し、この厚膜層の溝形成領Ktを露出させる
ように厚膜層上にレジストを形成し、露出する溝形成領
域の部分に研磨材を当ててこの部分を削り取りエツチン
グ除去する。この結果、隔壁形成用厚膜層の残存部分か
ら成る隔壁が得られ、この隔壁形成方法によれば、1m
m当り8本以上の隔壁の形成が可能である。
In this method, a thick film layer for forming a partition wall is laminated on an electrode of a substrate provided with an electrode, a resist is formed on the thick film layer so as to expose a groove forming region Kt of this thick film layer, and the exposed groove forming region Apply an abrasive to this area and remove the etching. As a result, a partition wall consisting of the remaining portion of the thick film layer for partition formation is obtained, and according to this partition wall forming method, a partition wall of 1 m
It is possible to form eight or more partition walls per m.

しかしながら、隔壁形成用厚膜層を厚膜印刷法により積
層すると、厚膜層のレジスト形成面の凹凸がはげしいの
で、レジストが厚膜層からはがれ易くなるという問題点
がある。
However, when the thick film layer for forming partition walls is laminated by the thick film printing method, there is a problem that the resist is easily peeled off from the thick film layer because the resist forming surface of the thick film layer is extremely uneven.

この点につき図面を参照し説明する。菓5図(A)〜(
C)は隔壁形成用厚膜層にレジストを形成する場合の説
明に供する要部断面図であり、この場合のレジスト形成
工程を段階的1こ示す。
This point will be explained with reference to the drawings. Figure 5 (A) - (
C) is a sectional view of a main part for explaining the case where a resist is formed on the thick film layer for forming a partition wall, and shows one step of the resist forming process in this case.

レジストの形成に当っては、まず第5図(A)にも示す
ように、積層した隔壁形成用厚膜層10にレジスト12
をスビシコートにより塗布する。
In forming the resist, first, as shown in FIG.
Apply with SUBISI COAT.

l@壁形成用厚膜層10のレジスト形成面]○aは大き
な凹凸を有し、この凹凸のためにレジスト10の膜厚の
不均一ざは大となる。
1@Resist forming surface of wall forming thick film layer 10] ○a has large unevenness, and due to this unevenness, the unevenness of the film thickness of the resist 10 becomes large.

次いで第5図(B)にも示すように、レジスト12を露
光し隔壁形成部分に対応するレジスト部分を硬化させる
。図中、レジスト]2の硬化部分及び未硬化部分を符号
12a及び12bを付して示した。膜厚の不均一さが大
なので膜厚の厚い部分ではレジスト形成面10日に近い
深い部分に未硬化部分12bが形成され易い。
Next, as shown in FIG. 5(B), the resist 12 is exposed to light to harden the resist portions corresponding to the partition forming portions. In the figure, the cured portions and uncured portions of the resist] 2 are indicated by reference numerals 12a and 12b. Since the non-uniformity of the film thickness is large, uncured portions 12b are likely to be formed in a deep part close to the resist forming surface 10 days in the thick part.

次に第5図(C)にも示すように、レジスト128現像
して未硬化部分12aを除去する。隔壁形成部分の残存
させるべき硬化部分12bてあっても、例えば第5図(
B)(こ符号へ及びB%付して示すように、硬化部分へ
或はBとレジスト形成面10aとの間に未硬化部分12
bか介在すると、硬化部分Aが未硬化部分12aととも
に除去されたつまた硬化部分Bがレジスト形成面10a
との密着力か弱いためレジスト面10aから剥離しゃす
くなったりする。硬化部分AやBか残存しないと隔壁と
しで残存させるべき隔壁形成用厚膜層をエツチング除去
しでしまい、所望の隔壁を形成できない。
Next, as shown in FIG. 5(C), the resist 128 is developed to remove the uncured portion 12a. Even if there is a hardened portion 12b of the partition forming portion that should remain, for example, as shown in FIG.
B) (As shown by this symbol and % B, the uncured portion 12 is attached to the cured portion or between B and the resist forming surface 10a.
b, the cured portion A is removed together with the uncured portion 12a, and the cured portion B is removed from the resist forming surface 10a.
Because of the weak adhesion to the resist surface 10a, it may easily peel off from the resist surface 10a. If the hardened portions A and B do not remain, the thick film layer for forming partition walls that should remain as partition walls will be etched away, making it impossible to form the desired partition walls.

この発明の目的は上述した問題点を解決するため、レジ
ストの膜厚を均一化してl@壁を形成するようにした隔
壁形成方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, it is an object of the present invention to provide a method for forming partition walls in which the thickness of the resist is made uniform to form l@ walls.

(課題を解決するための手段) この目的の達成を図るため、この発明の隔壁形成方法は
、ガス放電パネルの隔Wt形成するに当り、@壁形成用
厚膜層上に表面平坦なレベリング層を形成する工程と、
このレベリング層上にレジストを積層し隔壁形成用厚膜
層の溝形成領域を露出するレジストパターンを形成する
工程と、溝形成領域の隔壁形成用厚膜層をブラストによ
るエッチジグにより除去する工程とを含んで成ることを
特徴とする。
(Means for Solving the Problems) In order to achieve this object, the barrier rib forming method of the present invention provides a leveling layer with a flat surface on a thick film layer for wall formation when forming the barrier Wt of a gas discharge panel. a step of forming;
A step of laminating a resist on this leveling layer to form a resist pattern exposing the groove forming region of the thick film layer for forming a partition, and a step of removing the thick film layer for forming a partition in the groove forming region using an etching jig using blasting. It is characterized by comprising.

(作用) このような隔壁形成方法によれば、隔壁形成用厚膜層上
に表面がほぼ平坦なレベリング層を形成し、このレベリ
ング層の表面にレジストを積層する。従って隔壁形成用
厚膜層の表面に凹凸があってもレジストをほぼ均一な膜
厚で積層することができる。
(Function) According to such a method for forming partition walls, a leveling layer having a substantially flat surface is formed on the thick film layer for forming partition walls, and a resist is laminated on the surface of this leveling layer. Therefore, even if the surface of the thick film layer for forming partition walls is uneven, the resist can be laminated with a substantially uniform thickness.

(実施例) 以下、図面を参照しこの発明の実施例につき説明する。(Example) Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

尚、図面はこの発明か理解できる程度に概略的に示しで
あるにすぎない。
It should be noted that the drawings are only schematic representations to the extent that the invention can be understood.

第1図はこの発明の詳細な説明に供する製造工程図であ
り、第1図(A)〜(C)は工程途上の様子を、ガス放
電表示パネルの表示用電極に直交する方向に取った要部
断面で示し、及び第1図(D)〜(H)は工程途上の様
子を、ガス放電表示パネルの表示用電極に治う方向に取
った要部断面で示す。
Fig. 1 is a manufacturing process diagram to provide a detailed explanation of the present invention, and Figs. 1 (A) to (C) show the process in progress, taken in a direction perpendicular to the display electrodes of the gas discharge display panel. The main parts are shown in cross-section, and FIGS. 1(D) to (H) show the state in the middle of the process as cross-sections of the main parts taken in the direction of the display electrodes of the gas discharge display panel.

第1図(A)にも示すように、この実施例ではます、電
極基板14の一方の基板面14aに、複数の並列配Mさ
れたストライブ状の陰極パターンを厚膜印刷法により印
刷しこのパターンを乾燥させたのち焼成して陰極16を
形成する。
As shown in FIG. 1(A), in this embodiment, a plurality of stripe-shaped cathode patterns arranged in parallel are printed on one substrate surface 14a of the electrode substrate 14 using a thick film printing method. This pattern is dried and then fired to form the cathode 16.

次に第1図(B)にも示すように、陰極16の上面にス
クリーシ印刷法により保護層18を積層し、印刷した保
護層18を硬化させる。保護層]8はブラストの研磨材
により削り取られないような性質を有し、陰極16を研
磨材による損傷から守るためのものである。
Next, as shown in FIG. 1B, a protective layer 18 is laminated on the upper surface of the cathode 16 by a screen printing method, and the printed protective layer 18 is cured. The protective layer] 8 has a property that it will not be scraped off by the abrasive material of blasting, and is intended to protect the cathode 16 from damage caused by the abrasive material.

次に第1図(C)にも示すように、保護層18上及び基
板面14a上に、隔壁形成用厚膜層20を厚膜印刷する
Next, as shown in FIG. 1C, a thick film layer 20 for forming partition walls is printed on the protective layer 18 and the substrate surface 14a.

次に第1図(D)にも示すように、隔壁形成用厚膜層2
0の上面全部を被覆するようにレベリング層22を厚膜
印刷し、所要の時間放置してレベリング層22のレベリ
ングを行ないその表面を平担化させる。
Next, as shown in FIG. 1(D), the thick film layer 2 for forming partition walls is
The leveling layer 22 is printed as a thick film so as to cover the entire upper surface of the layer 0, and is left for a required period of time to level the leveling layer 22 and flatten its surface.

これら隔壁形成用厚膜層20及びレベリング層22の印
刷毎或はこれらの印刷終了後にこれら層20.22を乾
燥させる。
These layers 20 and 22 are dried each time or after printing of the partition wall forming thick film layer 20 and the leveling layer 22 is completed.

第2図は隔壁形成用厚膜層にレベリング層を積層した状
態を示す要部拡大断面図である。
FIG. 2 is an enlarged sectional view of essential parts showing a state in which a leveling layer is laminated on a thick film layer for forming partition walls.

隔壁形成用厚膜層20の厚膜ペーストの主成分は、ガラ
ス成分、顔料及びスクリーシオイルの3つであり、カラ
ー表示パネルの作成では白色厚膜ペースト例えば421
奥野製薬工業社製を、またモノカラーパネル表示の作成
では黒色厚膜ペースト例えば9741DuPon を社
製を隔壁形成用の厚膜ペーストとしで用いる。この隔壁
形成用の厚膜ペーストの粘度は例えば1500ps程度
(25°Cの温度環境下)というように、寸法精度及び
積層性を向上する目的で高くしである。しかしながらこ
のような高粘度では、第2図にも示すように隔壁形成用
厚膜層2oの表面20aのラフネスは大きくなってしま
い、この表面20aに直接にレジストを形成したのでは
既に述べたように隔壁をうまく形成できない。
The main components of the thick film paste of the thick film layer 20 for forming partition walls are a glass component, a pigment, and a screeching oil.In the production of a color display panel, a white thick film paste such as 421
A black thick film paste such as 9741DuPon manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd. is used as a thick film paste for forming partition walls in the production of a monochrome panel display. The viscosity of this thick film paste for forming partition walls is set to be high, for example, about 1500 ps (under a temperature environment of 25° C.) for the purpose of improving dimensional accuracy and lamination properties. However, with such high viscosity, the roughness of the surface 20a of the thick film layer 2o for forming partition walls becomes large, as shown in FIG. partition walls cannot be formed properly.

そこでこの実施例では隔壁形成用の厚膜ペーストにこの
ペースト専用のうすめ液を添加して粘度を例えば5oo
ps程度(25°Cの温度環境化)まで低め、この低粘
度厚膜ペーストをレベリング層形成用の厚膜ペーストと
する。低粘度厚膜ペーストは積層性は良くないかレベリ
ング層果は高く印刷後所要の時開放置しておくことによ
って第2図にも示すように隔壁形成層20の表面20a
よりもはるかに平坦な表面22aを有するレベリング層
22を容易に形成することができる。
Therefore, in this example, a thinning liquid exclusively for this paste was added to the thick film paste for forming partition walls, and the viscosity was adjusted to, for example, 5 oo.
ps (temperature environment of 25° C.), and this low viscosity thick film paste is used as a thick film paste for forming a leveling layer. Low viscosity thick film paste does not have good lamination properties or has a high leveling effect.By leaving it open when required after printing, the surface 20a of the partition forming layer 20 can be removed as shown in FIG.
The leveling layer 22 having a much flatter surface 22a can be easily formed.

レベリング層22を形成したら、次に第1図(E)にも
示すように、レベリング層22上にレジスト24を例え
ばスピンコード法により積層し、電極基板14を乾燥温
度80°Cで約30分の間オーブン中に保持してレジス
ト24を乾燥させる。
After forming the leveling layer 22, as shown in FIG. 1(E), a resist 24 is laminated on the leveling layer 22 by, for example, a spin code method, and the electrode substrate 14 is dried at a temperature of 80° C. for about 30 minutes. The resist 24 is kept in an oven for a period of time to dry it.

次に第1図(F)にも示すように、レジスト24を図示
しないマスクを用いで露光し、隔壁形成用厚膜層22の
溝形成領域26を露出するレジストパターン28を形成
する。レジストパターン24aはストライブ状であって
、複数のパターン24aを並列1冨する。
Next, as shown in FIG. 1F, the resist 24 is exposed to light using a mask (not shown) to form a resist pattern 28 that exposes the groove forming regions 26 of the thick film layer 22 for forming partition walls. The resist pattern 24a has a stripe shape, and has a plurality of patterns 24a arranged in parallel.

第3図はレベリング層にレジストを積層した状態を示す
要部拡大断面図であって、レジストを露光した状態を示
す。
FIG. 3 is an enlarged sectional view of a main part showing a state in which a resist is laminated on a leveling layer, and shows a state in which the resist is exposed.

第3図にも示すように、レベリング層22の表面22a
はほぼ平坦でありで、従ってこの表面22aにレジスト
24を積層すればほぼ均一な膜厚のレジスト24を形成
できるのでレジスト24の露光部分24aと表面22a
との闇で良好な肥11性を得ることができる。!ll後
後レジスト24の未露光部分24bt除去しレベリング
層22上に残存する露光部分24aから成るレジストパ
ターン28を得る。レジストパターン28は表面122
aとの密着性が良いので後工程のブラストによるエツチ
ングで表面22aから容易に剥離することはない。
As shown in FIG. 3, the surface 22a of the leveling layer 22
is substantially flat, and therefore, by laminating the resist 24 on this surface 22a, it is possible to form a resist 24 with a substantially uniform thickness.
Good fertility can be obtained in the darkness. ! After 11, the unexposed portion 24b of the resist 24 is removed to obtain a resist pattern 28 consisting of the exposed portion 24a remaining on the leveling layer 22. The resist pattern 28 is on the surface 122
Since it has good adhesion to surface 22a, it will not easily peel off from surface 22a during etching by blasting in the subsequent process.

次に第1図(F)〜(G)にも示すように、露出する溝
形成領域26のレベリング層22及び隔壁形成用厚膜層
20をブラストによるエツチングにより除去する。隔壁
形成用厚膜層20を基板面14或は保護層18まで除去
した際に残存する隔壁形成用厚膜層20が隔壁ヲ構成す
る。このエツチングに用いるブラストマシンには、任意
好適な構成のものを用いることかできる。
Next, as shown in FIGS. 1F to 1G, the leveling layer 22 and the partition wall forming thick film layer 20 in the exposed groove forming region 26 are removed by etching using blasting. When the partition wall forming thick film layer 20 is removed to the substrate surface 14 or the protective layer 18, the partition wall forming thick film layer 20 remaining constitutes the partition wall. The blast machine used for this etching may have any suitable configuration.

次にレベリング層22及び隔壁形成用厚膜層20を焼成
し、隔壁の形成を完了する。第1図(H)にも示すよう
に、この焼成によりレジストパターン28及び保護層1
8は焼失する。
Next, the leveling layer 22 and the partition wall forming thick film layer 20 are fired to complete the formation of the partition walls. As shown in FIG. 1(H), this baking creates the resist pattern 28 and the protective layer 1.
8 will be destroyed by fire.

上述した実施例では隔壁形成用厚膜層26の厚膜ペース
トから形成した低粘度厚膜ペーストを用いてレベリング
層22を形成するようにしたか、これに限定するもので
はなく、この他例えば5102系被膜形成液OCD  
type7−20001東京応化工業社製(尚、このt
ype7−2000はヒドロキシシランのアルコール溶
液である)を用いてレベリング層を形成するようにして
もよい、この場合には、この被膜形成液を隔壁形成用厚
膜層20の表面20aに塗布後に、電極基板14をスヒ
゛ナー(こより例えば500rpm以下の低回転で回転
させ塗布した被膜形成液の層の表面を平坦化する。平坦
化した被膜形成液層を乾燥させたのち、ブラストによる
エツチングを行ない、そののち被膜形成液層及び隔壁形
成用厚膜層20を焼成し隔壁の形成を完了する。
In the above embodiment, the leveling layer 22 is formed using a low viscosity thick film paste formed from the thick film paste of the partition wall forming thick film layer 26, but the leveling layer 22 is not limited to this. System film forming liquid OCD
type7-20001 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. (in addition, this t
ype7-2000 is an alcohol solution of hydroxysilane). In this case, after applying this film forming liquid to the surface 20a of the thick film layer 20 for forming partition walls, The electrode substrate 14 is rotated with a spinner (for example, at a low rotation speed of 500 rpm or less) to flatten the surface of the coated film forming liquid layer. After drying the flattened film forming liquid layer, etching is performed by blasting. Thereafter, the film forming liquid layer and the partition wall forming thick film layer 20 are fired to complete the formation of the partition walls.

また上述した実施例ではレベリング層22を1層構造と
したが、これに限定されず多層構造とするようにしても
よい。
Further, in the above embodiment, the leveling layer 22 has a single layer structure, but is not limited to this, and may have a multilayer structure.

第4図は2層構造のレベリング層を形成した状態を示す
要部拡大断面図であり、レベリング層上に積層したレジ
ストを露光した状態を示す。尚、上述した実施例の構成
成分(こ対応する構成成分については同一の符号を付し
て示す。
FIG. 4 is an enlarged sectional view of a main part showing a state in which a two-layered leveling layer is formed, and shows a state in which a resist layered on the leveling layer is exposed. Note that the constituent components (corresponding constituent components) of the above-mentioned embodiments are indicated with the same reference numerals.

第4図に示す例では、レベリング層22を上述した低粘
度厚膜ペースト層30及び被膜形成液層32がら構成す
る。以下、主として2層構造のレベリング層の形成工程
及びそれ以降の工程につき説明するか、上述した実施例
と同様の点についてはその詳細な説明を省帖する。
In the example shown in FIG. 4, the leveling layer 22 is composed of the above-described low viscosity thick film paste layer 30 and film forming liquid layer 32. Hereinafter, the process of forming a leveling layer with a two-layer structure and the subsequent steps will be mainly explained, or the detailed explanation will be omitted for the same points as those of the above-mentioned embodiments.

この場合には、隔壁形成用厚膜層20上にます低粘度厚
膜ペーストを印刷し、このペーストを所要時間の間放曹
して表面を平坦化させそのの5乾煉させて、表面平坦な
低粘度厚膜ペースト層30を得る。
In this case, a low viscosity thick film paste is printed on the partition wall forming thick film layer 20, and this paste is left to dry for a required period of time to flatten the surface. A low viscosity thick film paste layer 30 is obtained.

次に低粘度厚膜ペースト層30上に被膜形成液例えば上
述の○CD  type7−2000をスどナーにより
塗布し表面平坦な被膜形成液の層32を得、そののちこ
の層32を乾燥させる。
Next, a film-forming liquid, such as the above-mentioned CD type 7-2000, is applied onto the low-viscosity thick-film paste layer 30 using a stainer to obtain a layer 32 of the film-forming liquid with a flat surface, and then this layer 32 is dried.

次に被膜形成液層32上にレジスト24を積層し露光し
て、レジストパターン28を形成する。
Next, a resist 24 is laminated on the film forming liquid layer 32 and exposed to light to form a resist pattern 28.

次にブラストによるエツチングを行ない、そののち隔壁
形成用厚膜#20、低粘度厚膜ペースト層30及び被膜
形成液層32を焼成しく焼成温度580°C)、隔壁の
形成を完了する。
Next, etching is performed by blasting, and then the barrier rib forming thick film #20, the low viscosity thick film paste layer 30, and the film forming liquid layer 32 are fired (baking temperature: 580° C.) to complete the barrier rib formation.

この例では平坦化された低粘度厚膜ペースト層30上に
被膜形成液層32を形成するので、隔壁形成用厚膜層2
0の表面20aに被膜形成液層32そ形成する場合より
も、被膜形成液層32の層厚ヲ薄くてき、従って平坦化
に用いるスピナ(スピンコーター)の回転数を1500
rpm程度とすることかできる。
In this example, since the film forming liquid layer 32 is formed on the flattened low viscosity thick film paste layer 30, the thick film layer 32 for partition wall formation
The thickness of the film-forming liquid layer 32 is thinner than that in the case where the film-forming liquid layer 32 is formed on the surface 20a of 0.
The speed can be set to about rpm.

この発明は上述した実施例にのみ限定されるものてはな
く、従って各構成成分の形状、寸法、形成材料、形成方
法、数値的条件およびそのほかの条件を任意好適に変更
することかできる。例えば上述した実施例では隔壁をガ
ス放電パネルの陰極形成側の電極基板上に形成するよう
にしたか、陽極形成側の電極基板上に隔壁を形成するよ
うにしてもよい。また上述した実施例では陰極上面の全
面に保護層を設は基板面上には保護層を設けないように
したか、基板面及び隔壁形成領域の陰極上面には保護層
を設けないようにすると共に溝形成領域の陰極上面には
保護層を設けるようにし、或は陰極上のみならず基板面
上にも保護層を設けるようにしてもよい。
The present invention is not limited to the embodiments described above, and therefore the shape, dimensions, forming material, forming method, numerical conditions, and other conditions of each component can be changed as desired. For example, in the embodiments described above, the partition walls are formed on the electrode substrate on the cathode forming side of the gas discharge panel, or may be formed on the electrode substrate on the anode forming side. In addition, in the above-mentioned embodiments, a protective layer is provided on the entire top surface of the cathode, but no protective layer is provided on the substrate surface, or a protective layer is not provided on the substrate surface and the top surface of the cathode in the partition forming area. At the same time, a protective layer may be provided on the upper surface of the cathode in the groove forming region, or a protective layer may be provided not only on the cathode but also on the substrate surface.

(発明の効果) 上述した説明からも明らかなように、この発明の隔壁形
成方法によれば、隔壁形成用厚膜層上に表面かほぼ平坦
なしヘソング層を形成し、このレベリング層の表面にレ
ジストを積層する。従って隔壁形成用厚膜層の表面に凹
凸かあってもレジストをほぼ均一な膜厚でしかもその表
面をは(よ平坦にして積層することができる。
(Effects of the Invention) As is clear from the above description, according to the barrier rib forming method of the present invention, a hesong layer with an almost flat surface is formed on the thick film layer for barrier rib formation, and the surface of the leveling layer is Layer the resist. Therefore, even if the surface of the thick film layer for forming partition walls is uneven, the resist can be laminated with a substantially uniform thickness and with a much smoother surface.

この結果、隔壁形成のために形成するレジストパターン
を密着性良くレベリング層に形成することかできレジス
トパターンの剥離や欠けはほとんど起こらないし、また
レジストの露光形状の歪みを少なくてきる。従って隔壁
をブラストによるエツチングで形成する場合に所定形状
の隔壁を歩留つよく形成することができる。
As a result, the resist pattern formed for forming the barrier ribs can be formed on the leveling layer with good adhesion, so that peeling or chipping of the resist pattern hardly occurs, and distortion of the exposed shape of the resist can be reduced. Therefore, when the partition walls are formed by etching using blasting, the partition walls having a predetermined shape can be formed with a high yield.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図(A)〜(H)はこの発明の詳細な説明に供する
製造工程図、 第2図は隔壁形成用厚膜層にレベリング層を積層した状
態を示す要部拡大断面図、 第3図はレベリング層にレジストを形成した状態を示す
要部拡大断面図、 第4図は2層構造のレベリング層を形成した状態を示す
要部拡大断面図、 第5図(A)〜(C)はwA壁形成用厚膜に直接にレジ
ストを形成する場合の説明に供する図である。 20・・・隔壁形成用厚膜層 22・・・レベリング層、24・・・レジスト26・・
・溝形成領域、  28−・・レジストパターン。 特許出願人   沖電気工業株式会社 26・溝形成領域 実施例の説明に供する製造工程図 第1図 14a−基板面 第1 実施例の説明に供する製造工程図 第1図 レベリング層を積層した状態 笛2 図 2層構造のレベリング層 第4図 レジストを形成した状態 12トへ 厚膜層にレジストを形、友する場合の説明同第5 図
1(A) to 1(H) are manufacturing process diagrams providing a detailed explanation of the present invention; FIG. 2 is an enlarged sectional view of essential parts showing a state in which a leveling layer is laminated on a thick film layer for forming partition walls; The figure is an enlarged cross-sectional view of the main part showing a state in which a resist is formed on the leveling layer. Figure 4 is an enlarged cross-sectional view of the main part showing a state in which a two-layered leveling layer is formed. FIG. 2 is a diagram illustrating a case where a resist is directly formed on a thick film for forming a wA wall. 20...Thick film layer for forming partition walls 22...Leveling layer, 24...Resist 26...
-Groove formation area, 28-...resist pattern. Patent Applicant: Oki Electric Industry Co., Ltd. 26. Groove Formation Region Manufacturing Process Diagram for Explanation of the Embodiment FIG. 1 14a-Substrate Surface 1 Manufacturing Process Diagram for the Explanation of the Embodiment FIG. 2 Figure 2 Leveling layer of a two-layer structure Figure 4 State of forming resist 12 Description of forming and applying resist to thick film layer Figure 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ガス放電パネルの隔壁を形成するに当り、前記隔
壁形成用厚膜層上に表面平坦なレベリング層を形成する
工程と、 該レベリング層上にレジストを積層し隔壁形成用厚膜層
の溝形成領域を露出するレジストパターンを形成する工
程と、 溝形成領域の隔壁形成用厚膜層をブラストによるエッチ
ングにより除去する工程とを含んで成ることを特徴とす
る隔壁形成方法。
(1) In forming the partition walls of the gas discharge panel, a step of forming a leveling layer with a flat surface on the thick film layer for forming the partition walls, and laminating a resist on the leveling layer to form the thick film layer for forming the partition walls. A method for forming a barrier rib, comprising the steps of: forming a resist pattern that exposes a groove forming region; and removing a thick film layer for forming a barrier rib in the groove forming region by blast etching.
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