JPH0494155A - 半導体装置の外部導出端子 - Google Patents
半導体装置の外部導出端子Info
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- JPH0494155A JPH0494155A JP21130990A JP21130990A JPH0494155A JP H0494155 A JPH0494155 A JP H0494155A JP 21130990 A JP21130990 A JP 21130990A JP 21130990 A JP21130990 A JP 21130990A JP H0494155 A JPH0494155 A JP H0494155A
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ダイオード、サイリスタ、トランジスタなど
のパワーモジュールを対象とした半導体装置の外部導出
端子に関する。
のパワーモジュールを対象とした半導体装置の外部導出
端子に関する。
［従来の技術］
まず本発明の実施対象となる半導体装置の構成を第１図
に示す。図において、１はパンケージの側壁ケース、２
はパンケージ１の上面蓋を兼ねた端子ブロック、３は端
子ブロック２を貫通して引出した板状の外部導出端子、
４はパッケージ１の底面側に装着した放熱板であり、図
示されてないがパッケージの内部には放熱板３の上にセ
ラミックなどの絶縁物を介してダイオード、サイリスタ
。
に示す。図において、１はパンケージの側壁ケース、２
はパンケージ１の上面蓋を兼ねた端子ブロック、３は端
子ブロック２を貫通して引出した板状の外部導出端子、
４はパッケージ１の底面側に装着した放熱板であり、図
示されてないがパッケージの内部には放熱板３の上にセ
ラミックなどの絶縁物を介してダイオード、サイリスタ
。
トランジスタなどの千ノブ素子が実装され、がっチップ
素子と前記の外部導出端子３との間が半田付は接合され
ており、さらにパッケージ内には樹脂が充填されている
。
素子と前記の外部導出端子３との間が半田付は接合され
ており、さらにパッケージ内には樹脂が充填されている
。
かかる半導体装置は次記のようにして組立てられる。ま
ず、外部導出端子３の端子板を図示の鎖線で表すように
直線状に起立させた状態で端子ブロック２に開口した端
子挿入穴へ圧入するか、あるいは成形金型にインサート
して端子ブロック２と一体成形するなどして端子ブロッ
ク２に一括装着する。一方、前記と別な組立工程で放熱
板４にチップ素子をマウントしておき、端子ブロック２
に装着された外部導出端子３とチップ素子との間をはん
だ付は接合する。次に放熱板４と端子プロνり２との間
にまたがってパッケージの側壁ケース１を取付け、さら
にパッケージ内に樹脂を充填した後に、外部導出端子３
に対し端子ブロック２より上方へ起立して突出した端子
板の先端部にリード曲げ加工を施し、外部導出端子３を
図示の鎖線から実線位置へ矢印方向にほぼ９０度曲げて
端子ブロック２の上面に重ね合わせる。
ず、外部導出端子３の端子板を図示の鎖線で表すように
直線状に起立させた状態で端子ブロック２に開口した端
子挿入穴へ圧入するか、あるいは成形金型にインサート
して端子ブロック２と一体成形するなどして端子ブロッ
ク２に一括装着する。一方、前記と別な組立工程で放熱
板４にチップ素子をマウントしておき、端子ブロック２
に装着された外部導出端子３とチップ素子との間をはん
だ付は接合する。次に放熱板４と端子プロνり２との間
にまたがってパッケージの側壁ケース１を取付け、さら
にパッケージ内に樹脂を充填した後に、外部導出端子３
に対し端子ブロック２より上方へ起立して突出した端子
板の先端部にリード曲げ加工を施し、外部導出端子３を
図示の鎖線から実線位置へ矢印方向にほぼ９０度曲げて
端子ブロック２の上面に重ね合わせる。
ここで、前記した外部導出端子３の板状端子板としては
、銅材などを所定のサイズにプレス加工した後、その表
面をめっき処理して作製したものが一般に使用されてし
・る。
、銅材などを所定のサイズにプレス加工した後、その表
面をめっき処理して作製したものが一般に使用されてし
・る。
〔発明が解決しようとする諜Ｈ′Ｊ
ところで、前記のように外部導出端子３をプレス加工に
より作製した上で端子ブロック２へ圧入法などにより装
着するには、外部導出端子３の素材がプレス加工、圧入
操作に十分耐えるだけの硬度をもっていることが必要で
ある。
より作製した上で端子ブロック２へ圧入法などにより装
着するには、外部導出端子３の素材がプレス加工、圧入
操作に十分耐えるだけの硬度をもっていることが必要で
ある。
し力）しながう、外部導出端子３の素材硬度が必要以上
に硬いと、先記のように外部導出端子３の先端をリード
曲げ加工する際に、第３図に示すごとく端子板の折り曲
げ箇所に符号５で表したクランクの発生することが実際
の製品組立工程でしばしば経験されるところであり、こ
のことが製品の良品率低下を招く原因の一つとなってい
る。
に硬いと、先記のように外部導出端子３の先端をリード
曲げ加工する際に、第３図に示すごとく端子板の折り曲
げ箇所に符号５で表したクランクの発生することが実際
の製品組立工程でしばしば経験されるところであり、こ
のことが製品の良品率低下を招く原因の一つとなってい
る。
そこで、発明者等はリード曲げ加工による端子板のクラ
ック発生を防止するために、あらかじめ硬度が十分低い
素材で外部導出端子３を作製することを試みたが、素材
が柔らか過ぎるとプレス加工での精度が出し賭＜、かつ
統くめつき処理工程で変形が生し易くなる他、端子ブロ
ックへの正大作業が困難となるなど、このままでは外部
導出端子として実用に供し得ないことが判明した。
ック発生を防止するために、あらかじめ硬度が十分低い
素材で外部導出端子３を作製することを試みたが、素材
が柔らか過ぎるとプレス加工での精度が出し賭＜、かつ
統くめつき処理工程で変形が生し易くなる他、端子ブロ
ックへの正大作業が困難となるなど、このままでは外部
導出端子として実用に供し得ないことが判明した。
本発明は上記の点にかんがみなされたものであり、リー
ト曲げ加工に伴う端子板のクラック発生と外部導出端子
の素材の硬度、めっき膜厚との関連性を調べるために行
った各種試料の実験、考察結果を基礎として、加工、め
っき処理性に優れ、かつ端子ブロックへの装着後に行う
リード曲げ加工時にもクランク発生のおそれがない半導
体装置の外部導出端子を提供することを目的とする。
ト曲げ加工に伴う端子板のクラック発生と外部導出端子
の素材の硬度、めっき膜厚との関連性を調べるために行
った各種試料の実験、考察結果を基礎として、加工、め
っき処理性に優れ、かつ端子ブロックへの装着後に行う
リード曲げ加工時にもクランク発生のおそれがない半導
体装置の外部導出端子を提供することを目的とする。
上記課題の解決は、本発明により外部導出端子を次記の
ように作製することで達成できる。
ように作製することで達成できる。
（１）ビッカース硬さ６０以下の銅材をプレス加工して
外部導出端子の端子板を作製する。
外部導出端子の端子板を作製する。
（２）プレス加工された外部導出端子の端子板表面に膜
厚１０μｍ以下のニッケルめっきを施す。
厚１０μｍ以下のニッケルめっきを施す。
（３）ピンカース硬さ６０以下のｗ４材をプレス加工し
、かつその表面ＳこめっきｙＬｌ ’Ｏｐ ｍ以下のニ
ッケルめっきを施した後に温度４５０ ’Ｃ以下の還元
雰囲気中で焼なまし処理して外部導出端子の端子板を作
製する。
、かつその表面ＳこめっきｙＬｌ ’Ｏｐ ｍ以下のニ
ッケルめっきを施した後に温度４５０ ’Ｃ以下の還元
雰囲気中で焼なまし処理して外部導出端子の端子板を作
製する。
〔作用］
上記の条件の下で作製された外部導出端子の端子板は、
プレス加工で十分な加工精度が得られるとともに、パッ
ケージの端子ブロックへの圧入にも対応でき、しかもリ
ード曲げ加工の際にその折り曲げ部で端子板２めっき膜
にクランクが発生することがない。
プレス加工で十分な加工精度が得られるとともに、パッ
ケージの端子ブロックへの圧入にも対応でき、しかもリ
ード曲げ加工の際にその折り曲げ部で端子板２めっき膜
にクランクが発生することがない。
（実施例］
次に本発明による外部導出端子の製作法を述べる。まず
、外部導出端子の素材としてビッカース硬さ（ＨＶ）が
６０以下である板状の銅材を使用して所定寸法の端子板
にプレス加工（冷間加工）した後、・ニッケルめっき処
理して端子板の表面に膜厚１０μｍ以下のニッケルめっ
き層を被着させる。次に前記工程を経て作られた端子板
を、温度４５０ ’Ｃ以下の還元雰囲気（水素）中で焼
なまし処理する。
、外部導出端子の素材としてビッカース硬さ（ＨＶ）が
６０以下である板状の銅材を使用して所定寸法の端子板
にプレス加工（冷間加工）した後、・ニッケルめっき処
理して端子板の表面に膜厚１０μｍ以下のニッケルめっ
き層を被着させる。次に前記工程を経て作られた端子板
を、温度４５０ ’Ｃ以下の還元雰囲気（水素）中で焼
なまし処理する。
このようにして作られた外部導出端子の端子板は、第１
図で述べたように圧入、ないしインサート成形法でパッ
ケージの端子ブロックに装着され、さらにその突出した
端部にリード曲げ加工を施して所定の端子形状に成形さ
れる。
図で述べたように圧入、ないしインサート成形法でパッ
ケージの端子ブロックに装着され、さらにその突出した
端部にリード曲げ加工を施して所定の端子形状に成形さ
れる。
第２図は上記の条件で作製した外部導出端子３のリード
曲げ加工後の外観図を示したものであり、その折り曲げ
部にはクランクの発生が殆ど見られない。しかも、端子
板のプレス加工、めっき処理は焼まなし以前の適正な硬
度をもった状態で行うので、加工精度も出し易く、かつ
めっき処理で変形することもない。
曲げ加工後の外観図を示したものであり、その折り曲げ
部にはクランクの発生が殆ど見られない。しかも、端子
板のプレス加工、めっき処理は焼まなし以前の適正な硬
度をもった状態で行うので、加工精度も出し易く、かつ
めっき処理で変形することもない。
なお、前記した銅材の硬度、ニッケルめっき膜厚、焼な
まし温度については、次記の上限、下限の範囲に定める
のが好ましい。すなわち、（１）銅材の硬度については
、上限をＨＶ６０、下限をＨＶ２０とする。銅材の硬度
がＨＶ６０を超えると、外部導出端子をリード曲げ加工
した際に、その折り曲げ部にクラックが生しる。また、
硬度がＨＶ２０以下であると、材料が柔らか過ぎてプレ
ス加工の精度が出し難い、めっき処理工程で変形し易い
、端子ブロックへの圧入が困難となるなどの不具合が生
しる。
まし温度については、次記の上限、下限の範囲に定める
のが好ましい。すなわち、（１）銅材の硬度については
、上限をＨＶ６０、下限をＨＶ２０とする。銅材の硬度
がＨＶ６０を超えると、外部導出端子をリード曲げ加工
した際に、その折り曲げ部にクラックが生しる。また、
硬度がＨＶ２０以下であると、材料が柔らか過ぎてプレ
ス加工の精度が出し難い、めっき処理工程で変形し易い
、端子ブロックへの圧入が困難となるなどの不具合が生
しる。
（２）ニッケルめっき膜厚については、上限を１０μｍ
、下限を３μｍとし、好ましくは膜厚を３〜６μｍの範
囲に定めるのがよい。膜厚が１０μｍを超えると、外部
導出端子をリード曲げ加工した際にめっき層にクランク
が生し易くなる。また、膜厚３μｍ以下であるとめっき
処理の仕上がりが不均一となり、半田付は接合する際に
半田の濡れ性が悪化する。
、下限を３μｍとし、好ましくは膜厚を３〜６μｍの範
囲に定めるのがよい。膜厚が１０μｍを超えると、外部
導出端子をリード曲げ加工した際にめっき層にクランク
が生し易くなる。また、膜厚３μｍ以下であるとめっき
処理の仕上がりが不均一となり、半田付は接合する際に
半田の濡れ性が悪化する。
（３）焼なまし処理温度については、上限４５０℃。
下限３００°Ｃとする。すなわち、焼なまし処理温度が
５００°Ｃを超えると還元雰囲気の水素が銅材に影響し
合って端子板を脆性化することが知られており、若干の
余裕をみて上限温度を４５０°Ｃとする。また、下限温
度が３００℃以下では銅材で作みれた外部導出端子の焼
なまし処理ができない。
５００°Ｃを超えると還元雰囲気の水素が銅材に影響し
合って端子板を脆性化することが知られており、若干の
余裕をみて上限温度を４５０°Ｃとする。また、下限温
度が３００℃以下では銅材で作みれた外部導出端子の焼
なまし処理ができない。
なお、リード曲げ加工に伴うクランクの発生有無は次記
のようにして判定した。すなわち、銅材の硬度、ニッケ
ルめっき膜厚を様々に変えて作製した外部導出端子の供
試試料について、端子板の途中箇所を９０度に曲げ加工
し、その折り曲げ部分を目視してクランクの発生状況を
確認した。ここで折り曲げ部にクランクが生じていると
、端子板の表面に赤味がかった銅の地金色が見え、クラ
ックの発生がない状態では端子板の表面はメツキ被膜で
覆われて銅の地金が見えない。
のようにして判定した。すなわち、銅材の硬度、ニッケ
ルめっき膜厚を様々に変えて作製した外部導出端子の供
試試料について、端子板の途中箇所を９０度に曲げ加工
し、その折り曲げ部分を目視してクランクの発生状況を
確認した。ここで折り曲げ部にクランクが生じていると
、端子板の表面に赤味がかった銅の地金色が見え、クラ
ックの発生がない状態では端子板の表面はメツキ被膜で
覆われて銅の地金が見えない。
以上述べたように本発明の外部導出端子によれば、端子
板のプレス加工時に十分な加工精度が得られるとともに
、パンケージの端子フ゛ロックへの圧入にも対応でき、
しかもリード曲げ加工の際にその折り曲げ部で端子板、
めっき膜にクランクが発生することがないなどの実用的
効果が得られる。
板のプレス加工時に十分な加工精度が得られるとともに
、パンケージの端子フ゛ロックへの圧入にも対応でき、
しかもリード曲げ加工の際にその折り曲げ部で端子板、
めっき膜にクランクが発生することがないなどの実用的
効果が得られる。
第１図は本発明の実施対象となる半導体装！の外観斜視
図、第２図、第３図はそれぞれ本発明実施例、および従
来の外部導出端子に対するリード曲げ加工後の外観状態
図である。図において、ｌ：パッケージの側壁ケース、
２：端子ブロック、３：外部導出端子。 ｆ−１人弁Ｊｘ士 山 口 ム
図、第２図、第３図はそれぞれ本発明実施例、および従
来の外部導出端子に対するリード曲げ加工後の外観状態
図である。図において、ｌ：パッケージの側壁ケース、
２：端子ブロック、３：外部導出端子。 ｆ−１人弁Ｊｘ士 山 口 ム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体装置の外部導出端子であり、板状になる端子
板をパッケージの端子ブロックに装着した後、その引出
し端部にリード曲げ加工を施して所定の形状に成形した
ものにおいて、前記端子板を、ビッカース硬さ６０以下
の銅材をプレス加工して作製したことを特徴とする半導
体装置の外部導出端子。 ２）半導体装置の外部導出端子であり、めっき処理した
端子板をパッケージの端子ブロックに装着した後、その
引出し端部にリード曲げ加工を施して所定の形状に成形
したものにおいて、前記端子板に施しためっきが膜厚１
０μｍ以下のニッケルめっきであることを特徴とする半
導体装置の外部導出端子。 ３）半導体装置の外部導出端子であり、板状になる端子
板をパッケージの端子ブロックに装着した後、さらにそ
の引出し端部に曲げ加工を施して所定の形状に成形した
ものにおいて、前記端子板を、ビッカース硬さ６０以下
の銅材をプレス加工し、かつその表面にめっき厚１０μ
ｍ以下のニッケルめっきを施した後に温度４５０℃以下
の還元雰囲気中で焼なまし処理して作製したことを特徴
とする半導体装置の外部導出端子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211309A JP2658528B2 (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 半導体装置の外部導出端子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211309A JP2658528B2 (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 半導体装置の外部導出端子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494155A true JPH0494155A (ja) | 1992-03-26 |
| JP2658528B2 JP2658528B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=16603810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2211309A Expired - Fee Related JP2658528B2 (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 半導体装置の外部導出端子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2658528B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012138531A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 半導体パワーモジュール |
| JP2012227241A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ａｌ−Ｃｕボンディングリボン及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5344174A (en) * | 1976-10-04 | 1978-04-20 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
-
1990
- 1990-08-09 JP JP2211309A patent/JP2658528B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5344174A (en) * | 1976-10-04 | 1978-04-20 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012138531A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 半導体パワーモジュール |
| JP2012227241A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ａｌ−Ｃｕボンディングリボン及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2658528B2 (ja) | 1997-09-30 |
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