JPH0491088A - ピラノン化合物 - Google Patents
ピラノン化合物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規なピラノン化合物に関する。
更に詳しくは、本発明は抗菌剤として有用なセファロス
ポリン誘導体の製造に用いられる新規な中間体化合物に
関する。
ポリン誘導体の製造に用いられる新規な中間体化合物に
関する。
従来より合成抗菌剤は数多く知られているが、最近にな
ってピリジン−N−オキシド構造を有するセファロスポ
リン誘導体が開発されてきている。
ってピリジン−N−オキシド構造を有するセファロスポ
リン誘導体が開発されてきている。
本発明者らは、セフェム環の7位側鎖に新規な置換基を
導入することによって、ダラム陽性菌及びダラム陰性菌
に対してなかんずく緑膿菌に対して顕著な抗菌活性を示
すセファロスポリン化合物を創製している(特開昭63
−152386号公報)。
導入することによって、ダラム陽性菌及びダラム陰性菌
に対してなかんずく緑膿菌に対して顕著な抗菌活性を示
すセファロスポリン化合物を創製している(特開昭63
−152386号公報)。
今般、それらのセファロスポリン化合物の製造に用いる
新規な中間体化合物として有用なピラノン化合物を見出
し本発明を完成した。
新規な中間体化合物として有用なピラノン化合物を見出
し本発明を完成した。
本発明に従えば、式
(式中、R1は水素原子またはアミノ基の保護基を、R
2は水素原子または水酸基の保護基を意味する。)で表
わされるピラノン化合物もしくはその反応性誘導体が提
供される。
2は水素原子または水酸基の保護基を意味する。)で表
わされるピラノン化合物もしくはその反応性誘導体が提
供される。
Rユにおけるアミノ基の保護基としては、例えばトリメ
チルシリル基などのトリ低級アルキルシリル基、ホルミ
ル基、クロロアセチル基などのアシル基、t−ブトキシ
カルボニル基、を−アミルオキシカルボニル基、P−メ
トキシベンジルオキシカルボニル基、2,2.2−トリ
クロロエトキシカルボニル基、P−ニトロベンジルオキ
シカルボニル基などのアルコキシカルボニル基、ベンジ
ル基、p−メトキシベンジル基、p−ニトロベンジル基
、ベンズヒドリル基(ジフェニルメチル基)、トリチル
基(トリフェニルメチル基)などのアラルキル基があげ
られる。R2における水酸基の保護基としては、例えば
トリメチルシリル基などのトリ低級アルキルシリル基、
ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、メトキシア
セチル基、メトキシプロピオニル基などのアシル基、ベ
ンジル基、P−メトキシベンジル基、P−ニトロベンジ
ル基、ベンズヒドリル基、トリチル基などのアラルキル
基、メトキシメチル基、アリル基、ピラニル基などがあ
げられる。一般式CI)のピラノン化合物の反応性誘導
体としては、例えば酸ノ10ゲン化物(例えば、l!2
クロリド、酸プロミドなど)、活性エステル(例えば、
ベンゾトリアゾールエステル、ベンゾチアゾリルチオエ
ステル、シアノメチルエステル、ニトロフェニルエステ
ル、N−ヒドロキシスクシンイミドとのエステルなど)
、混合酸無水物(例えば、エトキシカルボン酸、イソブ
トキシカルボン酸、トリメチル酢酸などとの混合酸無水
物)、活性アミド、活性アジドなどがあげられる。
チルシリル基などのトリ低級アルキルシリル基、ホルミ
ル基、クロロアセチル基などのアシル基、t−ブトキシ
カルボニル基、を−アミルオキシカルボニル基、P−メ
トキシベンジルオキシカルボニル基、2,2.2−トリ
クロロエトキシカルボニル基、P−ニトロベンジルオキ
シカルボニル基などのアルコキシカルボニル基、ベンジ
ル基、p−メトキシベンジル基、p−ニトロベンジル基
、ベンズヒドリル基(ジフェニルメチル基)、トリチル
基(トリフェニルメチル基)などのアラルキル基があげ
られる。R2における水酸基の保護基としては、例えば
トリメチルシリル基などのトリ低級アルキルシリル基、
ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、メトキシア
セチル基、メトキシプロピオニル基などのアシル基、ベ
ンジル基、P−メトキシベンジル基、P−ニトロベンジ
ル基、ベンズヒドリル基、トリチル基などのアラルキル
基、メトキシメチル基、アリル基、ピラニル基などがあ
げられる。一般式CI)のピラノン化合物の反応性誘導
体としては、例えば酸ノ10ゲン化物(例えば、l!2
クロリド、酸プロミドなど)、活性エステル(例えば、
ベンゾトリアゾールエステル、ベンゾチアゾリルチオエ
ステル、シアノメチルエステル、ニトロフェニルエステ
ル、N−ヒドロキシスクシンイミドとのエステルなど)
、混合酸無水物(例えば、エトキシカルボン酸、イソブ
トキシカルボン酸、トリメチル酢酸などとの混合酸無水
物)、活性アミド、活性アジドなどがあげられる。
一般式〔工〕で示される本発明化合物は1例えば次のよ
うな方法で製造することができる。
うな方法で製造することができる。
製造例1
CI+)
Cm)
[IV)
RユおよびR2は前記と同し。)
すなわち、ハロメチルピラノン化合物(TI)にN−ヒ
ドロキシフタルイミドを反応させて、フタルイミドオキ
シメチルピラノン化合物(III)を?lる。ついで、
フタルイミドオキシメチルピラノン化合物[111)に
ヒドラジンヒトラードを反応させ、得られたアミノキシ
メチルピラノン化合物〔■〕とアミノチアゾール−4−
イルグリオキシル酸化合物〔■〕とを反応させることに
より、一般式[1)で表されるピラノン化合物が得られ
る。
ドロキシフタルイミドを反応させて、フタルイミドオキ
シメチルピラノン化合物(III)を?lる。ついで、
フタルイミドオキシメチルピラノン化合物[111)に
ヒドラジンヒトラードを反応させ、得られたアミノキシ
メチルピラノン化合物〔■〕とアミノチアゾール−4−
イルグリオキシル酸化合物〔■〕とを反応させることに
より、一般式[1)で表されるピラノン化合物が得られ
る。
製造例2
(n)
C1)
(式中、Yはハロゲン原子またはメシルオキシ基、トシ
ルオキシ基などのスルホネート基を、(式中、R1は水
素原子またはカルボキシル基の保護基を低級アルキル基
を、Y、R工およびR2は前記と同じ) すなわち、ハロメチルピラノン化合物(n)と2−(ア
ミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノ酢
酸化合物(VI)を反応させ、必要に応じて、ついでカ
ルボキシル基の保護基R1を保護基の特性に基づいて常
法により除去することにより、一般式(I)で表される
ピラノン化合物が得られる。
ルオキシ基などのスルホネート基を、(式中、R1は水
素原子またはカルボキシル基の保護基を低級アルキル基
を、Y、R工およびR2は前記と同じ) すなわち、ハロメチルピラノン化合物(n)と2−(ア
ミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノ酢
酸化合物(VI)を反応させ、必要に応じて、ついでカ
ルボキシル基の保護基R1を保護基の特性に基づいて常
法により除去することにより、一般式(I)で表される
ピラノン化合物が得られる。
なお、一般式CI)で表されるピラノン化合物のうちR
o及び/またはR2が水素原子である化合物は、対応す
るアミノ基の保護基R1及び/または水酸基の保護基R
2を除去することにより製造することができる。具体的
には保護基の特性に基づいて、常法により一般式(1)
中のアミノ基の保護基R1を例えば酸、塩基またはヒド
ラジンを用いる加水分解、あるいは還元等の方法によっ
て、水酸基の保護基R2を例えばギ酸、トリフルオロ酢
酸などの有機酸、ヨウ化水素酸、臭化水素酸、塩化水素
酸などのハロゲン化水素酸、p−トルエンスルホン酸、
メタンスルホン酸などのスルホン酸、アニソール或はチ
オアニソール等の存在下或は非存在下での塩化アルミニ
ウム、臭化アルミニウム、三フッ化ホウ素などのルイス
酸など酸を使用した方法、水酸化ナトリウム、炭酸ナト
リウム、炭酸水素ナトリウム、アンモニア水などのアル
カリを使用した方法、ヨウ化トリメチルシランなどのハ
ロゲン化シランを使用した方法、パラジウム、白金など
の触媒を使用した方法によって行われる。
o及び/またはR2が水素原子である化合物は、対応す
るアミノ基の保護基R1及び/または水酸基の保護基R
2を除去することにより製造することができる。具体的
には保護基の特性に基づいて、常法により一般式(1)
中のアミノ基の保護基R1を例えば酸、塩基またはヒド
ラジンを用いる加水分解、あるいは還元等の方法によっ
て、水酸基の保護基R2を例えばギ酸、トリフルオロ酢
酸などの有機酸、ヨウ化水素酸、臭化水素酸、塩化水素
酸などのハロゲン化水素酸、p−トルエンスルホン酸、
メタンスルホン酸などのスルホン酸、アニソール或はチ
オアニソール等の存在下或は非存在下での塩化アルミニ
ウム、臭化アルミニウム、三フッ化ホウ素などのルイス
酸など酸を使用した方法、水酸化ナトリウム、炭酸ナト
リウム、炭酸水素ナトリウム、アンモニア水などのアル
カリを使用した方法、ヨウ化トリメチルシランなどのハ
ロゲン化シランを使用した方法、パラジウム、白金など
の触媒を使用した方法によって行われる。
本発明の化合物[I)は、ピリジン−N−オキシド構造
を有するセファロスポリン誘導体の製造の中間体化合物
として有用である。
を有するセファロスポリン誘導体の製造の中間体化合物
として有用である。
例えば、次式ような製造工程でピリジン−N−オキシド
構造を有する抗菌剤として有用なセファロスポリン化合
物(X)を製造することができる。
構造を有する抗菌剤として有用なセファロスポリン化合
物(X)を製造することができる。
〔■〕
H
(式中、R4はカルボキシル基の保護基を、R□および
R2は前記と同じ) すなわち、本発明化合物CI)と7−アミツセフアロス
ボリン化合物〔■〕を用いて、βラクタム剤の分野で一
般的に使用されている縮合反応に付し7位置換セファロ
スポリン化合物〔■〕を得、ついで該セファロスポリン
化合物〔■〕を脱保護基反応に付すことにより、ピラノ
ン置換セファロスポリン化合物(IX)を得る。
R2は前記と同じ) すなわち、本発明化合物CI)と7−アミツセフアロス
ボリン化合物〔■〕を用いて、βラクタム剤の分野で一
般的に使用されている縮合反応に付し7位置換セファロ
スポリン化合物〔■〕を得、ついで該セファロスポリン
化合物〔■〕を脱保護基反応に付すことにより、ピラノ
ン置換セファロスポリン化合物(IX)を得る。
ついで、ピラノン置換セファロスポリン化合物(IX)
を含水アルコール中、室温から60℃でヒドロキシアミ
ン塩酸塩と酢酸ナトリウムとで処理すると、ピリジン−
N−オキシド構造を有するセファロスポリン誘導体〔X
)を製造することができる 以下、実施例及び参考例により本発明を更に詳細に説明
する。
を含水アルコール中、室温から60℃でヒドロキシアミ
ン塩酸塩と酢酸ナトリウムとで処理すると、ピリジン−
N−オキシド構造を有するセファロスポリン誘導体〔X
)を製造することができる 以下、実施例及び参考例により本発明を更に詳細に説明
する。
実施例
(1)2−クロロメチル−5−ベンジルオキシ−4,H
−ピラン−4−オン23.22g、N−ヒドロキシフタ
ルイミド16.3g、トリエチルアミン10.1gとを
ジメチルホルムアミド150mQに加え室温で2時間撹
拌しながら反応させる。これに酢酸エチル500m12
を加え、5%重曹水で3回、水で2回洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥後濃縮すると、2−フタルイミドイ
ルオキシメチル−5−ベンジルオキシ−4H−ピラン−
4−オン35gを得る。
−ピラン−4−オン23.22g、N−ヒドロキシフタ
ルイミド16.3g、トリエチルアミン10.1gとを
ジメチルホルムアミド150mQに加え室温で2時間撹
拌しながら反応させる。これに酢酸エチル500m12
を加え、5%重曹水で3回、水で2回洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥後濃縮すると、2−フタルイミドイ
ルオキシメチル−5−ベンジルオキシ−4H−ピラン−
4−オン35gを得る。
工R(KBr)υ(]−)
1795.1750,1660,1640.1600”
H−NMR(CD(13,δ): 4.96 (2H,s)、5.08 (2H,s)。
H−NMR(CD(13,δ): 4.96 (2H,s)、5.08 (2H,s)。
6.52 (LH,s)、7.38 (5H,s)。
7.66 (LH,s)、7.81 (4H,5)(2
)上記で得られた2−フタルイミドイルオキシメチル−
5−ベンジルオキシ−4H−ピラン−4−オン7.55
gをメタノール75mQに懸濁させ、水冷撹拌しながら
ヒドラジンヒトラード0.57mUを加え同温度で1時
間さらに室温で1夜撹拌しながら反応させる。反応液よ
り生成した結晶を濾過により取り除き、濾液に2−t−
ブトキシカルボニルアミノチアゾルー4−イルグリオキ
シルr!15゜45gを加えて室温で4時間撹拌する。
)上記で得られた2−フタルイミドイルオキシメチル−
5−ベンジルオキシ−4H−ピラン−4−オン7.55
gをメタノール75mQに懸濁させ、水冷撹拌しながら
ヒドラジンヒトラード0.57mUを加え同温度で1時
間さらに室温で1夜撹拌しながら反応させる。反応液よ
り生成した結晶を濾過により取り除き、濾液に2−t−
ブトキシカルボニルアミノチアゾルー4−イルグリオキ
シルr!15゜45gを加えて室温で4時間撹拌する。
反応液を濃縮し、イソプロピルエーテル50mfl及び
n−ヘキサン50mQを加えガム状析出物を濾取する。
n−ヘキサン50mQを加えガム状析出物を濾取する。
ついで析出物を酢酸エチル20mQから再結晶すると標
記の(z) −2−(2−t−ブトキシカルボニルアミ
ノチアゾール−4−イル)−2−(5−ベンジルオキシ
−4H−ピラン−4−オン−2−イルメトキシイミノ)
酢酸9.89gを得る。
記の(z) −2−(2−t−ブトキシカルボニルアミ
ノチアゾール−4−イル)−2−(5−ベンジルオキシ
−4H−ピラン−4−オン−2−イルメトキシイミノ)
酢酸9.89gを得る。
”H−NMR(CDC1+DMS○−d 511、53
(9H,s) 、 4.97 (2H。
(9H,s) 、 4.97 (2H。
5.00(2H,s) 、 6.50 (LH。
7、20 (LH,s) 、 7.32 (5H。
7、63 (LH,s)
参考例
δ):
s)。
L
L
(1)実施例で得られた(Z) −2−(2−tブトキ
シカルボニルアミノチアゾール−4イル)−2−(5−
ベンジルオキシ−4H−ピラン−4−オン−2−イルメ
トキシイミノ)酢酸5.02gをテトラヒドロフラン5
0mQに溶解し、水冷撹拌しながら1−ヒドロキシベン
ゾトリアゾール1.53gおよびジシクロヘキシルカル
ボジイミド2.27gを加え同温度で1時間撹拌しなが
ら反応させる。ついで7−アミノ−3−(1,2,3、
−チアジアゾール−5−イルチオメチル−3−セフェム
−4−カルボンFIIp−メトキシベンジルエステル4
.51gとクロロホルム1oOmQを加え4時間室温で
撹拌する。析出した沈殿物を濾過して除き、濾液を減圧
上濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
に付しく6R,7R)−7−[(Z)−2−(2−t−
ブトキシカルボニルオキシアミノチアゾール−4−イル
)−2−(5−ベンジルオキシ−4H−ピラン−4−オ
ン−2−イルメトキシイミノ)アセタミド]−3−(1
,2,3−チアジアゾール−5−イルチオメチル)−3
−セフェム−4−カルボン百P−メトキシベンジルエス
テル2.93gを得る。
シカルボニルアミノチアゾール−4イル)−2−(5−
ベンジルオキシ−4H−ピラン−4−オン−2−イルメ
トキシイミノ)酢酸5.02gをテトラヒドロフラン5
0mQに溶解し、水冷撹拌しながら1−ヒドロキシベン
ゾトリアゾール1.53gおよびジシクロヘキシルカル
ボジイミド2.27gを加え同温度で1時間撹拌しなが
ら反応させる。ついで7−アミノ−3−(1,2,3、
−チアジアゾール−5−イルチオメチル−3−セフェム
−4−カルボンFIIp−メトキシベンジルエステル4
.51gとクロロホルム1oOmQを加え4時間室温で
撹拌する。析出した沈殿物を濾過して除き、濾液を減圧
上濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
に付しく6R,7R)−7−[(Z)−2−(2−t−
ブトキシカルボニルオキシアミノチアゾール−4−イル
)−2−(5−ベンジルオキシ−4H−ピラン−4−オ
ン−2−イルメトキシイミノ)アセタミド]−3−(1
,2,3−チアジアゾール−5−イルチオメチル)−3
−セフェム−4−カルボン百P−メトキシベンジルエス
テル2.93gを得る。
1H−NMR(DMSO−d、、δppm) :1.5
4 (9H,s)、3.52 (3H,bs)。
4 (9H,s)、3.52 (3H,bs)。
3.78 (38,s)、4.10(2H,bs)。
4.96 (4H,bs)、5.10(2H,b s)
。
。
5.89 (IH,dd、J=5.8Hz)。
6.58 (LH,s)、7.32 (5H,s)7.
58 (IH,s)、8.39 (LH,5)(2)
上記で得られた(6R,7R)−7−[(Z) −2−
(2−t−ブトキシカルボニルオキシアミノチアゾール
−4−イル)−2−(5−ベンジルオキシ−4H−ピラ
ン−4−オン−2−イルメトキシイミノ)アセタミドコ
ー3− (1,2,3−チアジアゾール−5−イルチオ
メチル)−3−セフェム−4−カルボン酸P−メトキシ
ベンジルエステル2.08gをニトロメタン10mQに
溶解し、アニソール5゜8mQを加えた溶液を調製する
。一方、無水塩化アルミニウム3.06gをニトロメタ
ン1゜mflに溶かした溶液を調製し10℃に冷す。こ
の溶液に先に調製した溶液を添加し、室温で2時間撹拌
しながら反応させる。反応液をn−ブタノール4.8m
ff、飽和食塩水40mQ、濃塩酸4mQの混合液にあ
け、有機層を飽和食塩水40 m lと製塩r!a4
m Qで2回洗浄し飽和重曹水でpH3,0に調節する
。ついでイソプロピルエーテル30mffを添加し生成
した析出物を濾取し、水ついで酢酸エチルで洗浄後乾燥
すルト、 (6R,7R)−7−[(Z)−2−(2−
アミノチアゾール−4−イル)−2−(5−ヒドロキシ
−4H−ピラン−4−オン2−イルメトキシイミノ)ア
セタミトコー3(1,2,3−チアジアゾール−5−イ
ルチオメチル)−3−セフェム−4−カルボン10゜8
1gを得る。
58 (IH,s)、8.39 (LH,5)(2)
上記で得られた(6R,7R)−7−[(Z) −2−
(2−t−ブトキシカルボニルオキシアミノチアゾール
−4−イル)−2−(5−ベンジルオキシ−4H−ピラ
ン−4−オン−2−イルメトキシイミノ)アセタミドコ
ー3− (1,2,3−チアジアゾール−5−イルチオ
メチル)−3−セフェム−4−カルボン酸P−メトキシ
ベンジルエステル2.08gをニトロメタン10mQに
溶解し、アニソール5゜8mQを加えた溶液を調製する
。一方、無水塩化アルミニウム3.06gをニトロメタ
ン1゜mflに溶かした溶液を調製し10℃に冷す。こ
の溶液に先に調製した溶液を添加し、室温で2時間撹拌
しながら反応させる。反応液をn−ブタノール4.8m
ff、飽和食塩水40mQ、濃塩酸4mQの混合液にあ
け、有機層を飽和食塩水40 m lと製塩r!a4
m Qで2回洗浄し飽和重曹水でpH3,0に調節する
。ついでイソプロピルエーテル30mffを添加し生成
した析出物を濾取し、水ついで酢酸エチルで洗浄後乾燥
すルト、 (6R,7R)−7−[(Z)−2−(2−
アミノチアゾール−4−イル)−2−(5−ヒドロキシ
−4H−ピラン−4−オン2−イルメトキシイミノ)ア
セタミトコー3(1,2,3−チアジアゾール−5−イ
ルチオメチル)−3−セフェム−4−カルボン10゜8
1gを得る。
”H−NMR(DMS○−dGlδ):3、68 (2
H,bs) 、 4.31 (2H,bs)、 。
H,bs) 、 4.31 (2H,bs)、 。
5、05 (2H,b s) 、 5.23 (2H,
d、 J=511z)。
d、 J=511z)。
5、 80 (LH,d、 J=8.5Hz)
、 6. 54 (1トI、 s)6、
90 (LH,s) 、 8.07 (IH,s) 。
、 6. 54 (1トI、 s)6、
90 (LH,s) 、 8.07 (IH,s) 。
8、88 (LH,s) 、 9.86 (LH,5)
(3)上記でえられた(6R,7R)−7−[(Z)−
2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−(5−
ヒドロキシ−4H−ピラン−4−オン−2−イルメトキ
シイミノ)アセタミドコー3− (1,2,3−チアジ
アゾール5−イルチオメチル)−3−セフェム−4−力
ルボンv0.65g、ヒドロキシルアミン塩酸塩0.3
5g、無水酢酸ナトリウム410gを水10mQに加え
、60℃で3時間撹拌しながら反応させる。反応液を室
温まで冷却後、炭酸ナトリウム溶液でpH8に調節する
。これをHP−20のカラムクロマトグラフィーに付し
、20%メタノール溶液で溶出後凍結乾燥し、標題(7
)(6R,7R)−7−[(Z)−2−(2−アミノチ
アゾール−4−イル)−2−(1゜5−ジヒドロキシ−
4−ピリドン−2−イルメトキシイミノ)アセタミドコ
ー3− (1,2゜3−チアジアゾール−5−イルチオ
メチル)3−セフェム−4−カルボン酸をジナトリウム
塩として0.2gを得る。
(3)上記でえられた(6R,7R)−7−[(Z)−
2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−(5−
ヒドロキシ−4H−ピラン−4−オン−2−イルメトキ
シイミノ)アセタミドコー3− (1,2,3−チアジ
アゾール5−イルチオメチル)−3−セフェム−4−力
ルボンv0.65g、ヒドロキシルアミン塩酸塩0.3
5g、無水酢酸ナトリウム410gを水10mQに加え
、60℃で3時間撹拌しながら反応させる。反応液を室
温まで冷却後、炭酸ナトリウム溶液でpH8に調節する
。これをHP−20のカラムクロマトグラフィーに付し
、20%メタノール溶液で溶出後凍結乾燥し、標題(7
)(6R,7R)−7−[(Z)−2−(2−アミノチ
アゾール−4−イル)−2−(1゜5−ジヒドロキシ−
4−ピリドン−2−イルメトキシイミノ)アセタミドコ
ー3− (1,2゜3−チアジアゾール−5−イルチオ
メチル)3−セフェム−4−カルボン酸をジナトリウム
塩として0.2gを得る。
”H−NMR(DMS○−d6.δ):3、23 (2
H,ABq) 、 4.30(2H,ABq) 。
H,ABq) 、 4.30(2H,ABq) 。
4、95 (LH,d、、J=5Hz) 、 5.05
(2H,ABq) 。
(2H,ABq) 。
5゜48 (II−I、 d、 J=511z) 、
6.39 (LH,s) 。
6.39 (LH,s) 。
6.79 (IH,s)、7.36 (LH,s)。
8.93 (LH,s)
Claims (1)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 (式中、R_1は水素原子またはアミノ基の保護基を、
R_2は水素原子または水酸基の保護基を意味する。)
で表わされるピラノン化合物もしくはその反応性誘導体
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2205256A JPH0491088A (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | ピラノン化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2205256A JPH0491088A (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | ピラノン化合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0491088A true JPH0491088A (ja) | 1992-03-24 |
Family
ID=16503977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2205256A Pending JPH0491088A (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | ピラノン化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0491088A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100482668B1 (ko) * | 2002-06-22 | 2005-04-13 | 주식회사 태평양 | 히드록시 피라논 유도체 및 이의 제조방법 |
-
1990
- 1990-08-03 JP JP2205256A patent/JPH0491088A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100482668B1 (ko) * | 2002-06-22 | 2005-04-13 | 주식회사 태평양 | 히드록시 피라논 유도체 및 이의 제조방법 |
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