JPH0487185A - Driver circuit for inverter type microwave oven - Google Patents

Driver circuit for inverter type microwave oven

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JPH0487185A
JPH0487185A JP2200691A JP20069190A JPH0487185A JP H0487185 A JPH0487185 A JP H0487185A JP 2200691 A JP2200691 A JP 2200691A JP 20069190 A JP20069190 A JP 20069190A JP H0487185 A JPH0487185 A JP H0487185A
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JP
Japan
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circuit
power
voltage
time
switching element
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JP2200691A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsuhisa Okamoto
光央 岡本
Hiroichi Kodama
博一 小玉
Mitsuharu Minamino
光治 南野
Hiroyasu Sawai
沢井 啓安
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To accomplish a power supply circuit using a low-voltage DC power supply, with which a high output is assured at a low cost, by varying the ON time of a switching element by a control means periodically and continuously wherein the predetermined max. On time is observed as the upper limit. CONSTITUTION:A driver circuit for inverter type microwave oven is equipped with a push-pull voltage type inverter circuit 2 which converts the output power of an independent type DC power supply 1 into a high frequency electric power, a booster transformer 3 for the supply voltage, and a voltage doubler half-wave rectifying circuit 4 which rectifies the output of this booster transformer 3, and with the output from the last named circuit 4 a magnetron 5 is driven. Switching element drive circuits 9a, 9b and a control circuit 10 are provided as a control means to vary periodically and continuously the On time of switching elements 8a, 8b of the abovementioned circuit 2 in push-pull system (or bridge system), wherein the predetermined max. On time is used as the upper limit. This permits accomplishing a power supply circuit using a low- voltage DC power supply, with which a high power utilization factor and a high output are assured at a low cost.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention] 【産業上の利用分野】[Industrial application field]

本発明は、独立型低電圧直流電源(例えば蓄電池)を高
電圧の高周波電流に変換し、これを倍電圧整流回路によ
り整流してマグネトロンに電力を供給するインバータ電
子レンジの駆動回路に関するものである。
The present invention relates to an inverter microwave oven drive circuit that converts an independent low-voltage DC power source (for example, a storage battery) into a high-voltage, high-frequency current, rectifies this using a voltage doubler rectifier circuit, and supplies power to a magnetron. .

【従来の技術】[Conventional technology]

近年、通常は商用交流電源で使用される電気・電子機器
であって、屋外でも使用可能な機器が各種開発されてい
る。屋外での使用に際しては、電気・電子機器を自動車
用蓄電池等の12V、24V等の独立型低電圧直流電源
で駆動する必要がある。そして、現在広く使用されてい
るインバータ電子レンジにおいても屋外での使用か試み
られている。 従来の典型的なインバータ電子レンジの構成を第7図に
示す。インバータ電子レンジでは商用電源(100V、
50/60Hz)から得られた交流電力は整流回路で直
流電力に変換される。この直流電力は−6共振型インバ
ータ回路で高周波化され、昇圧トランスで昇圧される。 トランス出力は倍電圧整流回路で整流され、マグネトロ
ンの駆動に利用される。 上記インバータ電子レンジを低電圧直流電源て使用する
場合には、第8図に示すように、低電圧直流電源とイン
バータ電子レンジの間にD C/ACインバータを設は
低電圧直流電源の出力をDC/ACインバータによって
商用交流電源と同じ100v、50/60Hzの交流電
力に変換し、この交流電力でインバータ電子レンジを作
動させていた。
In recent years, various electrical and electronic devices that are normally used with commercial AC power sources and can also be used outdoors have been developed. When used outdoors, it is necessary to drive electric/electronic equipment with an independent low-voltage direct current power source such as 12V or 24V such as a storage battery for an automobile. Attempts are also being made to use inverter microwave ovens, which are currently widely used, outdoors. The configuration of a typical conventional inverter microwave oven is shown in FIG. Inverter microwave ovens use commercial power (100V,
The AC power obtained from 50/60Hz) is converted to DC power by a rectifier circuit. This DC power is increased in frequency by a -6 resonance inverter circuit and boosted by a step-up transformer. The transformer output is rectified by a voltage doubler rectifier circuit and used to drive the magnetron. When using the above inverter microwave oven with a low voltage DC power supply, as shown in Figure 8, a DC/AC inverter is installed between the low voltage DC power supply and the inverter microwave oven to control the output of the low voltage DC power supply. A DC/AC inverter was used to convert the AC power to 100V, 50/60Hz, the same as a commercial AC power supply, and this AC power was used to operate an inverter microwave oven.

【発明が解決しようとする課題】[Problem to be solved by the invention]

上述したようにインバータ電子レンジを低電圧直流電源
で使用する場合に、DC/ACインバータを使用してイ
ンバータ電子レンジに交流電力を入力する方法ではD 
C/A cインバータとインバータ電子レンジのインバ
ータ回路とで2度の電力変換が行なわれるため、電力の
利用率が極めて低くなるという問題がある。また、2個
のインバータを必要とすることから電源回路のコス)・
も高くなる。 ま1こ、従来のインバータ電子レンジの一石共振形イン
バータ電源回路に低電圧直流電源を直接に接続するよう
に仕様を変更することは理論的には可能であるが、電源
電圧を低くする分、電流容量の非常に大きなスイッチン
グ素子を必要とする。 このような電流容量を持つスイッチング素子は現状では
入手不可能、あるいは非常に高価なものとなる。 本発明はこのような現状に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、低電圧直流電源を電源として
、しかも安価でコンパクト、かつ高出力な電源回路を提
供すると共に、マグネトロン入力電力を変動させること
で負荷(食品)の加熱ムラを抑え、かつ電気容量に制限
のある独立型直流電源の電気エネルギーを効率よく活用
てきるインバータ電子レンジの駆動回路を提供すること
にある。
As mentioned above, when using an inverter microwave oven with a low voltage DC power supply, the method of inputting AC power to the inverter microwave oven using a DC/AC inverter
Since power conversion is performed twice between the C/A c inverter and the inverter circuit of the inverter microwave oven, there is a problem that the power utilization rate is extremely low. Also, since two inverters are required, the cost of the power supply circuit)
It also becomes more expensive. Although it is theoretically possible to change the specifications of a conventional inverter microwave oven by directly connecting a low-voltage DC power supply to the single-stone resonant inverter power supply circuit, Requires a switching element with very large current capacity. A switching element having such a current capacity is currently unavailable or extremely expensive. The present invention was made in view of the current situation, and
The purpose is to provide an inexpensive, compact, and high-output power supply circuit that uses a low-voltage DC power supply as a power source, and to suppress uneven heating of the load (food) by varying the magnetron input power. An object of the present invention is to provide a drive circuit for an inverter microwave oven that can efficiently utilize the electrical energy of an independent DC power supply with limited electrical capacity.

【課題を解決する1こめの手段】 本発明のインバータ電子レンツの駆動回路は複数のスイ
ッチング素子を有するプッンユブル方式あるいはブリソ
ノ方式の回路と、上記スイッチング素子のオン時間を、
あらかじめ設定した最大オン時間を上限として、周期的
かつ連続的に可変できる制御手段を備えたインバータ回
路と、上記インバータ回路から交流が1次側巻線に供給
される昇圧トランスと、上記昇圧トランスの2次側巻線
に接続され、マグネトロンに電力を供給する倍電圧整流
回路を備えたことを特徴としている。
[First Means for Solving the Problems] The inverter electronic lens drive circuit of the present invention includes a push-up type or Brisono type circuit having a plurality of switching elements, and an on-time of the switching elements.
an inverter circuit equipped with a control means that can periodically and continuously vary the maximum ON time set in advance, a step-up transformer whose primary winding is supplied with alternating current from the inverter circuit; It features a voltage doubler rectifier circuit that is connected to the secondary winding and supplies power to the magnetron.

【作用】[Effect]

ここではインバータ電子レンジの駆動回路のインバータ
回路として、プッシュプル方式の回路を備えた場合につ
いて説明する。 プッシュプル方式の回路を備えたインバータ回路は2つ
のスイッチング素子で構成され、この2つのスイッチン
グ素子を交互にオン・オフさせて直流電力を高周波電力
に変換し、昇圧トランス、倍電圧回路でマグネトロン駆
動電圧まで昇圧して、電力をマグネトロンに供給する。 尚、ブリソノ方式の回路を備えたインバータ回路の場合
であっても基本的な考え方は同様である。 ここで2つのスイッチング素子を同時にオフしfコ状態
(休止期間)から、一方のスイッチング素子をオンする
と、倍電圧コンデンサは昇圧トランスのリーケージイン
ダクタンス、倍電圧整流回路の倍電圧コンデンサのキャ
パシタンス、回路抵抗(但しマグネトロンの抵抗は除く
)で定まる振動の弧を描く電流で充電される。倍電圧コ
ンデンサの充電電圧の大きさは倍電圧コンデンサの初期
電圧とスイッチング素子のオン時間の長さで決まる。次
に、前記と同じスイッチング素子をオフすると、昇圧ト
ランスに蓄えられた電磁エネルギーが倍電圧コンデンサ
に供給されながら電源に回生され、休止期間となる。 次に、休止期間の後、他方のスイッチング素子をオンす
ると、昇圧トランスのリーケージインダクタンスと倍電
圧コンデンサのキャバンティ、マクネトロンの抵抗を含
む回路抵抗で定まる振動の弧を描く電流でマグネトロン
に電気エネルギーが供給される。ここでマグネトロンに
供給される電力は、倍電圧コンデンサの電圧とスイッチ
ング素子のオン時間の長さて決まる。そしてスイッチン
グ素子かオフすると、昇圧トランスに蓄えられた電磁エ
ネルギーがマグネトロンに供給されながら電源に回生さ
れる。 以上のスイッチング動作が繰り返されてマクネトロンは
マイクロ波を発振する。 なお、マグネトロンの出力はスイッチング素子オン時間
の長さに比例して増加する。そこで、予め設定したスイ
ッチング素子の最大オン時間を上限として、スイッチン
グ素子のオン時間を連続的、周期的に可変すると、マグ
ネトロンに供給される電気エネルギーは上記最大オン時
間における出力をピークとして変化する。ここで便宜上
、スイッチング素子の最大オン時間におけるマクネトロ
ン出力をピーク出力値と呼ぶこととする。 マグネトロンによる負荷(食品)の加熱は、マクネトロ
ンから出るマイクロ波を食品にあてて吸収させ、そのエ
ネルギーが食品の内部で熱に変わるのを利用している。 ここで食品が発熱するのはマイクロ波を吸収して熱に変
える性質(誘電率)のきわめて高い水が食品に含まれる
ためであり、そのためマグネトロンをピーク出力値で連
続的に加熱すると食品は内部より急激に発熱し、100
度まで上昇した後は食品中の水分は蒸発してしまう。 そして、この水分蒸発がエネルギーロスとなる。 上述の通りマグネトロンの出力を周期的に上記ピーク出
力値を上限として、強弱をもたせて食品を加熱すれば、
ピーク出力による連続加熱の場合と同程度の加熱時間で
、食品の発熱を中心から周辺へと徐々に効率よく進めら
れ、水分の蒸発によるエネルギーロスあるいは加熱ムラ
を抑えることが可能になる。 また、本発明の電子レンジは、容量に制限のある独立型
直流電源を想定しており、ピーク出力値で連続してマグ
ネトロンを駆動させずに、マグネトロンをピーク出力値
を上限として変動させることて、平均放電電流の低減か
図れ、上記電源からより多くの電力が取り出せるメリッ
トが生しる。
Here, a case will be described in which a push-pull type circuit is provided as an inverter circuit of a drive circuit of an inverter microwave oven. An inverter circuit with a push-pull type circuit is composed of two switching elements. These two switching elements are turned on and off alternately to convert DC power into high-frequency power, and a step-up transformer and voltage doubler circuit are used to drive the magnetron. The voltage is increased to supply power to the magnetron. Note that the basic idea is the same even in the case of an inverter circuit equipped with a Brisono type circuit. Here, when the two switching elements are turned off at the same time and one switching element is turned on from the fco state (rest period), the voltage doubler capacitor is the leakage inductance of the step-up transformer, the capacitance of the voltage doubler capacitor of the voltage doubler rectifier circuit, and the circuit resistance. (However, the magnetron's resistance is excluded) It is charged with a current that draws an oscillating arc determined by the magnetron's resistance. The magnitude of the charging voltage of the voltage doubler capacitor is determined by the initial voltage of the voltage doubler capacitor and the length of the ON time of the switching element. Next, when the same switching element as above is turned off, the electromagnetic energy stored in the step-up transformer is supplied to the voltage doubler capacitor and regenerated into the power supply, resulting in a rest period. Next, after a rest period, when the other switching element is turned on, electrical energy is supplied to the magnetron with a current that draws an oscillating arc determined by the circuit resistance including the leakage inductance of the step-up transformer, the cavanti of the voltage doubler capacitor, and the resistance of the McNetron. be done. Here, the power supplied to the magnetron is determined by the voltage of the voltage doubler capacitor and the length of the ON time of the switching element. When the switching element is turned off, the electromagnetic energy stored in the step-up transformer is supplied to the magnetron and regenerated into a power source. The above switching operation is repeated and the Macnetron oscillates microwaves. Note that the output of the magnetron increases in proportion to the length of the switching element on time. Therefore, if the on-time of the switching element is continuously and periodically varied with the preset maximum on-time of the switching element as the upper limit, the electrical energy supplied to the magnetron changes with the output at the maximum on-time as the peak. Here, for convenience, the Macnetron output at the maximum on-time of the switching element will be referred to as the peak output value. Heating a load (food) with a magnetron utilizes the fact that the microwaves emitted by the magnetron are applied to the food, absorbed, and the energy is converted into heat inside the food. The food generates heat here because it contains water, which has an extremely high dielectric constant that absorbs microwaves and converts them into heat. Therefore, when the magnetron is continuously heated at its peak output value, the food is heated internally. More rapid fever, 100
Once the temperature rises to a certain temperature, the water in the food evaporates. This water evaporation results in energy loss. As mentioned above, if you heat food by periodically varying the output of the magnetron with the above peak output value as the upper limit,
With the same heating time as continuous heating at peak output, the heat generation of the food is gradually and efficiently progressed from the center to the periphery, making it possible to suppress energy loss or uneven heating due to water evaporation. Furthermore, the microwave oven of the present invention assumes an independent DC power supply with a limited capacity, and does not continuously drive the magnetron at the peak output value, but instead fluctuates the magnetron with the peak output value as the upper limit. This has the advantage of reducing the average discharge current and allowing more power to be extracted from the power source.

【実施例】【Example】

以下、本発明のインバータ電子レンジの駆動回路につい
て添付図面を参照して詳細に説明する。 第1図は、プッンユブル方式回路を備えた場合の本発明
の一実施例を示す回路図である。第1図に示すように、
このインバータ電子レンジは、独立型直流電源(例えば
自動車用蓄電池)lの直流電力を高周波電力に変換する
プッシュプル電圧型インバータ回路(以下、インバータ
回路)2と、電源電圧を昇圧する昇圧トランス3と、こ
の昇圧トランス3の出力を整流する倍電圧半波整流回路
4を備えており、この倍電圧半波整流回路4の出力によ
ってマグネトロン5が駆動される。昇圧トランス3の2
次側からは、マグネトロン5のフィラメント加熱用電源
も供給される。 上記倍電圧半波整流回路4は公知の構成を有しており、
2個の高圧ダイオード6a、6bおよび倍電圧コンデン
サ7を備えている。 上記インバータ回路2は、2個のパワーMO5FET8
a、8bと、このパワーMOSFET8a8bを駆動す
るスイッチング素子ドライブ回路9a9bと、制御回路
10を備えている。 上記パワーM OS F E T 8 aおよび8bの
ドレインは昇圧トランス3の1次巻線の一端3aおよび
他端3bにそれぞれ接続され、またパワーMOSFET
8gおよび8bのソース同士が接続されており、パワー
MOSFET8a、8bのゲートが、スイッチング素子
ドライブ回路9 a、 9 bを介して制御回路IOに
よって駆動されることにより、昇圧トランス3の1次側
を流れる電流が高速にスイッチングされる。パワーMO
SFET8a、8bに代えて、パワートランジスタ、I
 GBT等のスイッチング素子を用いてもよい。 直流電源Iは、その一端がパワーMOSFET8aのソ
ースとパワーMOSFET8bのソースとの接続点に接
続され、他端は昇圧トランス3の1次巻線のセンタータ
ップ3Cに接続されている。 第2図は制御回路IOの回路図である。同図に示すよう
に、発振回路11はトグルフリップフロップI2と鋸歯
状波発生回路13に接続され、トグルフリップフロップ
12は2つのANDゲート15a15bに、また鋸歯状
波発生回路13は比較回路14を介して上記ANDゲー
ト15a、15bに接続されている。上記トグルフリッ
プフロップ12は発振回路11の出力信号をトリガとし
て、2相分割信号を出力する。上記2相分割信号は2つ
のANDゲート15a、15bにそれぞれ入力される。 一方、鋸歯状波発生回路13に与えられf二発振出力は
、発振回路11の発振周波数に同期した鋸歯状波に変換
された後に、比較回路】4に入力される。また、比較回
路14にはスイッチング素子オン時間設定値VTが与え
られる。このスイッチング素子オン時間設定値VTは、
マイクロコンピュータ16よりD/A変換器17を介し
て与えられる電圧値であり、第1図に示すパワーMO9
FET8a、8bをオン状態にする期間を設定して、マ
グネトロンの出力を決定する電圧値である。このスイッ
チング素子オン時間設定値VTの設定方法の詳細につい
ては後述する。 なお、上述の通り比較回路14には鋸歯状波発生回路1
3からの鋸歯状波とスイッチング素子オン時間設定値V
Tとが入力されており、比較回路14の出力は鋸歯状波
の電圧レベルがスイッチ。 グ素子オン時間設定値VTより大きい期間にハイレベル
になる。こうして、上記比較回路14で、予め設定され
1ニオン時間となるように変調され7こ信号は、上記A
NDゲート15a、+5bに入力され、トグルフリップ
フロップ12で2相に分割された信号とANDをとるこ
とで、2つのパワーMO5FETを同時にオフする期間
を持ちながら、パワーMO9FE78a、8bを交互に
駆動する。 上記ANDゲート15aおよび15bの出力は、それぞ
れスイッチング素子ドライブ回路9a、9bを経て、パ
ワーM OS F E T 8 aおよび8bのゲート
に与えられる。ANDゲート15aの出力がハイレベル
の時、パワーMOSFET8aはオン状態になる。また
ANDゲーh15bの出力がハイレベルの時、パワーM
O9FET8bはオン状態になる。 第3図は制御回路10の動作タイミンクを示す図である
。同図に示すようにいANDゲート15a及び15bの
出力は交互にハイレベルになるので、パワーM OS 
F E T 8 aおよび8bも交互にオン状態にされ
る。ここでANDケート15a及び15bの出力は同時
にローレベルになる期間、つまりデッドタイムが存在す
るように、スイッチング素子オン時間設定値VTが設定
されている。なおデッドタイムは2つのスイッチング素
子が同時にオンして短絡状態になるのを保護するために
設けるものである。 ここでスイッチング素子オン時間設定値VTの設定方法
を説明する。スイッチング素子オン時間設定値VTは、
スイッチング素子オン時間を決定する値で制御回路10
により設定される。第4図(a)に示すように、スイッ
チング素子オン時間設定値VTが大きくなると、スイッ
チング素子のオン時間が小さくなり、したがって、マグ
ネトロン出力も低くなる。スイッチング素子オン時間設
定値VTの下限値V T minは予め設定したスイッ
チング素子最大オン時間T maxに対応する。そして
、スイッチング素子オン時間設定値VTの上限値■T 
maxを、鋸歯状波発生回路13の電圧レベルの最大値
を超えない範囲で予め設定し、このときのスイッチング
素子オン時間をTm1nとする。そして、第4図(a)
に示すスイッチング素子オン時間とスイッチング素子オ
ン時間設定値VTとの関係の演算が可能であり、かつ第
4図(b)で示すようなスイッチング素子オン時間設定
値VTを連続的、周期的に設定できるプログラムを予め
制御回路lOのマイクロコンピュータ16に内蔵してい
る。 上記マイクロコンピュータI6に内蔵したプログラムを
第5図のフローチャートに基づいて説明する。 まず、ステップSlでマグネトロン発振時間Tと、上記
スイッチング素子最大オン時間Tmaxにおける運転期
間Taと、上記スイソヂング素子最小オン時間T mi
nにおける運転期間Tbを初期設定する。 次に、ステップS2でマクネトロン5の発振か開始して
いるか否かを判断し、発振が開錨していると判断したと
きにはステップS3へ進む。発振が開始していないと判
断したときには、ステップS2に戻る。ステップS3で
は、タイマーがマグネトロン発振時間Tのカウントダウ
ンを開始する。 次に、ステップS4に進んで、マグネトロン発振時間T
が零になったか否かを判断し、マグネトロン発振時間T
が零になったと判断した場合には、ステップS5に進み
マグネトロン5の発振を停止させる。マグネトロン発振
時間Tが零になっていないと判断した場合には、ステッ
プS6に進む。 ステップS6では、時刻tを零に設定する。次に、ステ
ップS7に進み、スイッチング素子最大オン時間Tma
xに対応するスイッチング素子オン時間設定値VTの下
限値VTminを演算する。次に、ステップS8に進ん
で、スイッチング素子オン時間設定値VTの下限値VT
minをD/A変換器17に出力して、時刻tのカウン
トアツプを開始する。次に、ステップS9に進んで、時
刻tか、ステップS1て設定したスイッチング素子最大
オン時間T maxにお(する運転期間Taたけ、経過
していると判断したときにはステップ10に進む。時刻
tが、上記運転期間Taたけ、経過していないと判断し
た場合には、ステップS8に戻る。ステ、ツブS10て
は、時刻tを零に設定する。次に、ステップSllに進
んでスイッチング素子最小オン時間Tm1nに対応する
スイッチング素子オン時間設定値VTの上限値V T 
maxを演算する。次に、ステップS12に進んで、上
記上限値VTmaxをD/A変換器17に出力し、時刻
tのカウントアツプを開始する。次に、ステップSI3
に進んで、時刻tが、ステップStで設定したスイッチ
ング素子最小オン時間T minにおける運転期間Tb
だけ経過していると判断したときには、ステップS4に
戻る。 時刻tが上記運転期間Tbだけ経過していないと判断し
た場合にはステップSI2に戻る。 上記プログラムを実行することで所望のスイッチング素
子オン時間に相当するスイッチング素子オン時間設定値
を求めることができ、その結果マクネトロンの出力の可
変制御か可能となる。したかって、食品の発熱を中心か
ら周辺へと徐々に効率よく進められ、水分の蒸発あるい
は加熱ムラを抑えることが可能になる。 次に、本実施例の動作を説明する。パワーMO9PET
8aおよび8bがともにオフしている状態からパワーM
OSFET8bかオンされると、昇圧トランス3の2次
側回路は高圧コンデンサ7、高圧ダイオード6a、昇圧
トランス3の2次巻線の一端3e、2次巻線の他端3d
の閉ループに電流が流れ倍電圧コンデンサ7が充電され
る。なお、倍電圧コンデンサ7の充電電圧の大きさは、
倍電圧コンデンサ7の初期電圧とパワーMO’5FET
8a、8bのオン時間の長さで決まる。 次に、再び上記と同じパワーMO6FET8bをオフす
ると、昇圧トランス3に蓄えられた電磁エネルギーが倍
電圧コンデンサ7に供給されながら電源lに回生され、
2つのパワーMO8PET8a、8bが同時にオフする
期間に移る。 次に、パワーMO6FET8aかオンされると、昇圧ト
ランス3の2次側回路は高圧ダイオード6b、倍電圧コ
ンデンサ7、昇圧トランス3の2次巻線の一端3d、2
次巻線の他端3e、マグネトロン5の閉ループに電流が
流れ、マグネトロン5に電気エネルギーが供給される。 ここてマグネトロン5に供給される電力は倍電圧コンデ
ンサ7の電圧とパワーMO8FET8a、8bのオン時
間の長さで決まる。そしてパワーM OS F E T
 8 aをオフすると、昇圧トランス3に蓄えられた電
磁エネルギーはマグネトロン5に供給されながら電源l
に回生される。以上の動作が繰り返されてマグネトロン
5は高周波電力の発振を続ける。 上記倍電圧コンデンサ7には昇圧トランス3のリーケー
ジインダクタンス、倍電圧コンデンサ7のキャパシタン
ス、回路抵抗(但しマグネトロン5の抵抗分は除く)で
定まる振動の弧を描くパワーMOSFET8bのドレイ
ン電流波形と同様の電流波形で充電され、またマグネト
ロン5には昇圧トランス3のリーケージインダクタンス
と倍電圧コンデンサ7のキャパシタンス、回路抵抗(但
しマグネトロン5の抵抗分を含む)で定まる振動の弧を
描くパワーMOSPET8aのトレイン電流波形と電流
波形で電気エネルギーか供給される。 なお、本実施例ではスイッチング素子オフ時間設定値V
Tをマイクロコンピュータ16によって求めているが、
このスイッチング素子オン時間設定値VTをタイマー回
路等を組み合わせて周期的に変動させることによって同
じ効果を得ることも可能である。 また、ブリッジ方式の回路を用いたインバータ電子レン
ジの駆動回路の実施例については第6図に示す。第6図
に示すように、このインバータ電子レンジは、低電圧直
流電源(例えば自動車用蓄電池)51の直流電力を高周
波電力に変換するブリッジ方式インバータ回路(以下、
インバータ回路)52と、電源電圧を昇圧するトランス
53と、この昇圧トランス53の出力を整流する倍電圧
半波整流回路54を備えており、この倍電圧半波整流回
路54の出力によってマグネトロン55が駆動される。 昇圧トランス53の2次側からは、マグネトロン55の
フィラメント加熱用電源も供給される。 上記倍電圧半波整流回路54は公知の構成を有しており
、2個の高圧ダイオード56a、56bおよび倍電圧コ
ンデンサ57を備えている。 上記インバータ回路52は、4個のパワーMOSFET
(メタル・オキサイド セミコンダクター・フィールド
・エフェクト・トランジスタ)588〜58dと、上記
4個のパワーMO8FETの保護用の4個の高速ダイオ
ード59a〜59dと、上記パワーMOSFET58a
〜58dを駆動するスイッチング素子ドライブ回路60
a、60bと、制御回路61を備えている。 上記パワーMOSFET58aおよび58cのドレイン
は直流電源51の正極に接続され、パワーMO9FET
58bおよび58dのソースは直流電源lの負極に接続
されている。上記パワーMO9FET58aおよび58
cのソースはそれぞれパワーMO9FET58b、58
dのドレインに接続されている。また、昇圧トランス5
3の1次巻線の一端53aはパワーMO8FET58c
のソースとパワーMO3FET58bのドレインとの接
続点に接続され、昇圧トランス53の1次巻線の他端5
3bはパワーMO5FE’T58aのソースとパワーM
OSFET58dのトレインの接続点に接続されている
。また、高速ダイオード59a=dはパワーMOSFE
T58a−dにそれぞ21.並列に接続している。スイ
ッチング素子であるパワーMOSFET58a〜58d
のゲートがスイッチング素子ドライブ回路60a、60
bを介して制御回路61によって駆動されることにより
、昇圧トランス53の1次側を流れる電流が高速にスイ
ッチングされる。なお、スイッチング素子としてはパワ
ーMO8FET58a 〜58dに代えて、i GBT
(インシュレーティド・ゲート・バイポーラ・トランジ
スタ)等のスイッチング素子を用いてもよい。 この場合の制御回路61およびスイッチング素子ドライ
ブ回路60a、60bは、前述のプッシュプル方式の回
路を用いた実施例の制御回路11およびスイッチング素
子ドライブ回路10a、10bと同じ構成である。ま−
た、スイッチング素子オン時間設定値VTの設定方法も
、上述のブッンユプル方式の回路を用いたインバータ電
子レンジの駆動回路と同様であるので説明を省略する。 次に、本実施例の動作を説明する。インバータ回路52
のパワーMOSFET58a〜58dがすべてオフして
いる状態からバ’7−MOSFET58cと58dがオ
ンすると、昇圧トランス53の2次側回路は高圧コンデ
ンサ57、高圧ダイオード56a1昇圧トランス53の
2次巻線の一端53d、2次巻線の他端53cの閉ルー
プに電流が流れ、倍電圧コンデンサ57が充電される。 なお、倍電圧コンデンサ57の充電電圧の大きさは、倍
電圧コンデンサ57の初期電圧とスイッチング素子とし
てのパワーMOSFET58a〜58dのオン時間の長
さで決まる。 次に、再び上記と同じパワーMOSPET58cと58
dをオフすると、昇圧トランス53に蓄えられた電磁エ
ネルギーは倍電圧コンデンサ57に供給されると共に、
昇圧トランス53の1次巻線の一端53b、高速ダイオ
ード59a、直流電源51、高速ダイオード59b、昇
圧トランス53の1次巻線の他端53aの経路て電源5
1に回生され、すべてのパワーMOSPET58a〜5
8dが同時にオフする期間に移る。 次に、パワーMOSFET5.8aと58bをオンさせ
ると、昇圧トランス53の2次側回路は高圧ダイオード
56b1倍電圧コンデンサ57、昇圧トランス53の2
次巻線の一端53c、2次巻線の他端53d1マグネト
ロン55の閉ループに電流が流れ、マグネトロン55に
電気エネルギーが供給される。ここでマグネトロン55
に供給される電力は倍電圧コンデンサ57の電圧とパワ
ーMOSFET58a〜58dのオン時間の長さで決ま
る。そして、パワーMO8FET58aと58bをオフ
させると、昇圧トランス53に蓄えられた電磁エネルギ
ーはマグネトロン55に供給されると共に、昇圧トラン
ス53の1次巻線の一端53a1高速ダイオーF’59
c、直流電源51、高速ダイオード59d1昇圧トラン
ス53の1次巻線の他端53bの経路で電源lに回生さ
れ、すへてのパワーMO9FET58a〜58dか同時
にオフする期間に移る。以上の動作か繰り返されてマク
ネ1、ロン5は高周波電力の発振を続ける。 上記倍電圧コンデンサ57には昇圧トランス53のリー
ケージインダクタンス、倍電圧コンデンサ57のキャパ
シタンス、回路抵抗(但し、1マグネトロン55の抵抗
分は除く)で定まる振動の弧を描くパワーMOS FE
T 58c 58dのドレイン電流波形と同様の電流波
形で充電され、またマグネトロン55には昇圧トランス
53のリーケージインダクタンスと倍電圧コンデンサ5
7のキャパシタンス、回路抵抗(但しマグネトロン55
の抵抗分を含む)で定まる振動の弧を描くパワーMO8
FET8a、8bのドレイン電流波形と同様の電流波形
で電気エネルギーが供給される。 尚、上記2つの実施例のインバータ電子レンジの駆動回
路の直流電源は独立型直流電源を想定したが、自動車等
乗り物の直流電源であっても構わない。
Hereinafter, a driving circuit for an inverter microwave oven according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention in which a push-pull type circuit is provided. As shown in Figure 1,
This inverter microwave oven includes a push-pull voltage inverter circuit (hereinafter referred to as an inverter circuit) 2 that converts DC power from an independent DC power source (for example, an automobile storage battery) into high-frequency power, and a step-up transformer 3 that steps up the power supply voltage. A voltage doubler half-wave rectifier circuit 4 is provided to rectify the output of the step-up transformer 3, and a magnetron 5 is driven by the output of the voltage doubler half-wave rectifier circuit 4. Step-up transformer 3-2
Power for heating the filament of the magnetron 5 is also supplied from the next side. The voltage doubler half-wave rectifier circuit 4 has a known configuration,
It includes two high voltage diodes 6a, 6b and a voltage doubler capacitor 7. The inverter circuit 2 includes two power MO5FET8
a, 8b, a switching element drive circuit 9a9b for driving the power MOSFETs 8a and 8b, and a control circuit 10. The drains of the power MOSFETs 8a and 8b are connected to one end 3a and the other end 3b of the primary winding of the step-up transformer 3, respectively, and the power MOSFETs
The sources of MOSFETs 8g and 8b are connected to each other, and the gates of power MOSFETs 8a and 8b are driven by the control circuit IO via the switching element drive circuits 9a and 9b, thereby controlling the primary side of the step-up transformer 3. The flowing current is switched at high speed. power MO
In place of SFETs 8a and 8b, a power transistor, I
A switching element such as a GBT may also be used. One end of the DC power supply I is connected to a connection point between the source of the power MOSFET 8a and the source of the power MOSFET 8b, and the other end is connected to the center tap 3C of the primary winding of the step-up transformer 3. FIG. 2 is a circuit diagram of the control circuit IO. As shown in the figure, the oscillation circuit 11 is connected to a toggle flip-flop I2 and a sawtooth wave generation circuit 13, the toggle flip-flop 12 is connected to two AND gates 15a15b, and the sawtooth wave generation circuit 13 is connected to a comparison circuit 14. It is connected to the AND gates 15a and 15b through the gate. The toggle flip-flop 12 outputs a two-phase divided signal using the output signal of the oscillation circuit 11 as a trigger. The two-phase divided signals are input to two AND gates 15a and 15b, respectively. On the other hand, the f2 oscillation output given to the sawtooth wave generation circuit 13 is converted into a sawtooth wave synchronized with the oscillation frequency of the oscillation circuit 11, and then input to the comparison circuit 4. Further, the comparison circuit 14 is given a switching element on-time setting value VT. This switching element on time setting value VT is
This is the voltage value given from the microcomputer 16 via the D/A converter 17, and is the power MO9 shown in FIG.
This is a voltage value that sets the period during which the FETs 8a and 8b are turned on and determines the output of the magnetron. The details of how to set the switching element on-time setting value VT will be described later. As mentioned above, the comparison circuit 14 includes the sawtooth wave generation circuit 1.
Sawtooth wave from 3 and switching element on time setting value V
T is input, and the output of the comparator circuit 14 is a sawtooth wave voltage level. It becomes high level during a period longer than the element on time setting value VT. In this way, the comparator circuit 14 modulates the 7 signals so as to have a preset one-onion time.
By ANDing the signal input to the ND gates 15a and +5b and divided into two phases by the toggle flip-flop 12, the power MO9FEs 78a and 8b are alternately driven while having a period in which the two power MO5FETs are turned off simultaneously. . The outputs of the AND gates 15a and 15b are applied to the gates of the power MOSFETs 8a and 8b via switching element drive circuits 9a and 9b, respectively. When the output of the AND gate 15a is at a high level, the power MOSFET 8a is turned on. Also, when the output of the AND game h15b is high level, the power M
O9FET8b is turned on. FIG. 3 is a diagram showing the operation timing of the control circuit 10. As shown in the figure, the outputs of the AND gates 15a and 15b are alternately high level, so the power MOS
FET 8a and 8b are also alternately turned on. Here, the switching element on-time setting value VT is set so that there is a period in which the outputs of the AND gates 15a and 15b are simultaneously at a low level, that is, a dead time. Note that the dead time is provided to protect two switching elements from turning on simultaneously and causing a short circuit. Here, a method of setting the switching element on-time setting value VT will be explained. The switching element on time setting value VT is
Control circuit 10 with a value that determines the switching element on time.
Set by As shown in FIG. 4(a), as the switching element on-time set value VT increases, the on-time of the switching element becomes shorter, and therefore the magnetron output also becomes lower. The lower limit value V T min of the switching element on-time setting value VT corresponds to a preset switching element maximum on-time T max. Then, the upper limit of the switching element on-time setting value VT ■T
max is set in advance within a range that does not exceed the maximum value of the voltage level of the sawtooth wave generating circuit 13, and the switching element on time at this time is set as Tm1n. And Fig. 4(a)
It is possible to calculate the relationship between the switching element on time and the switching element on time setting value VT shown in FIG. 4(b), and to continuously and periodically set the switching element on time setting value VT as shown in FIG. 4(b). A program that can be used is stored in advance in the microcomputer 16 of the control circuit IO. The program built into the microcomputer I6 will be explained based on the flowchart shown in FIG. First, in step Sl, the magnetron oscillation time T, the operation period Ta at the switching element maximum on time Tmax, and the switching element minimum on time Tmi
Initialize the operating period Tb at n. Next, in step S2, it is determined whether or not the oscillation of the Macnetron 5 has started, and when it is determined that the oscillation is anchored, the process proceeds to step S3. When it is determined that oscillation has not started, the process returns to step S2. In step S3, the timer starts counting down the magnetron oscillation time T. Next, proceeding to step S4, the magnetron oscillation time T
The magnetron oscillation time T
If it is determined that has become zero, the process proceeds to step S5 and the oscillation of the magnetron 5 is stopped. If it is determined that the magnetron oscillation time T has not become zero, the process advances to step S6. In step S6, time t is set to zero. Next, the process proceeds to step S7, where the switching element maximum on time Tma
A lower limit value VTmin of the switching element on-time setting value VT corresponding to x is calculated. Next, the process proceeds to step S8, where the lower limit value VT of the switching element on-time setting value VT is
min is output to the D/A converter 17 to start counting up at time t. Next, the process proceeds to step S9, and if it is determined that the operating period Ta has reached the switching element maximum on time T max (set in step S1) at time t, the process proceeds to step S10. If it is determined that the operating period Ta has not elapsed, the process returns to step S8. In the step S10, the time t is set to zero. Next, the process proceeds to step Sll, where the switching element is set to the minimum ON state. Upper limit value V T of switching element on time setting value VT corresponding to time Tm1n
Calculate max. Next, the process proceeds to step S12, where the upper limit value VTmax is output to the D/A converter 17, and counting up of time t is started. Next, step SI3
Proceeding to step St, time t is the operating period Tb at the switching element minimum on time T min set in step St.
If it is determined that the time has elapsed, the process returns to step S4. If it is determined that the time t has not elapsed by the driving period Tb, the process returns to step SI2. By executing the above program, a switching element on-time setting value corresponding to a desired switching element on-time can be determined, and as a result, variable control of the output of the Macnetron becomes possible. Therefore, heat generation in the food is gradually and efficiently transferred from the center to the periphery, making it possible to suppress moisture evaporation and uneven heating. Next, the operation of this embodiment will be explained. Power MO9PET
From the state where both 8a and 8b are off, the power M
When OSFET 8b is turned on, the secondary side circuit of the step-up transformer 3 includes the high-voltage capacitor 7, the high-voltage diode 6a, one end 3e of the secondary winding of the step-up transformer 3, and the other end 3d of the secondary winding.
A current flows through the closed loop of the voltage doubler capacitor 7, and the voltage doubler capacitor 7 is charged. Note that the magnitude of the charging voltage of the voltage doubler capacitor 7 is as follows:
Initial voltage of voltage doubler capacitor 7 and power MO'5FET
It is determined by the length of on time of 8a and 8b. Next, when the same power MO6FET 8b as above is turned off again, the electromagnetic energy stored in the step-up transformer 3 is supplied to the voltage doubler capacitor 7 and regenerated to the power supply l.
The period moves to a period in which the two power MO8PETs 8a and 8b are turned off simultaneously. Next, when the power MO6FET 8a is turned on, the secondary side circuit of the step-up transformer 3 includes the high-voltage diode 6b, the voltage doubler capacitor 7, and one end 3d of the secondary winding of the step-up transformer 3, 2
A current flows through the other end 3e of the next winding and the closed loop of the magnetron 5, and the magnetron 5 is supplied with electrical energy. Here, the power supplied to the magnetron 5 is determined by the voltage of the voltage doubler capacitor 7 and the length of on-time of the power MO8FETs 8a and 8b. And power MOSFET
When 8 a is turned off, the electromagnetic energy stored in the step-up transformer 3 is supplied to the magnetron 5 and the power source l is turned off.
will be regenerated. The above operations are repeated, and the magnetron 5 continues to oscillate high frequency power. The voltage doubler capacitor 7 has a current similar to the drain current waveform of the power MOSFET 8b, which draws an oscillating arc determined by the leakage inductance of the step-up transformer 3, the capacitance of the voltage doubler capacitor 7, and the circuit resistance (excluding the resistance of the magnetron 5). The magnetron 5 is charged with a train current waveform of the power MOSPET 8a that draws an oscillating arc determined by the leakage inductance of the step-up transformer 3, the capacitance of the voltage doubler capacitor 7, and the circuit resistance (including the resistance of the magnetron 5). Electrical energy is supplied in the form of a current waveform. Note that in this embodiment, the switching element off time setting value V
T is determined by the microcomputer 16, but
It is also possible to obtain the same effect by periodically varying the switching element on-time set value VT using a timer circuit or the like. Further, an embodiment of a drive circuit for an inverter microwave oven using a bridge type circuit is shown in FIG. As shown in FIG. 6, this inverter microwave oven uses a bridge type inverter circuit (hereinafter referred to as
Inverter circuit) 52, a transformer 53 that boosts the power supply voltage, and a voltage doubler half-wave rectifier circuit 54 that rectifies the output of the step-up transformer 53. Driven. Power for heating the filament of the magnetron 55 is also supplied from the secondary side of the step-up transformer 53 . The voltage doubler half-wave rectifier circuit 54 has a known configuration and includes two high voltage diodes 56a, 56b and a voltage doubler capacitor 57. The inverter circuit 52 includes four power MOSFETs.
(metal oxide semiconductor field effect transistors) 588 to 58d, four high-speed diodes 59a to 59d for protection of the four power MO8FETs, and the power MOSFET 58a.
~Switching element drive circuit 60 that drives 58d
a, 60b, and a control circuit 61. The drains of the power MOSFETs 58a and 58c are connected to the positive electrode of the DC power supply 51, and the drains of the power MOSFETs 58a and 58c are
The sources of 58b and 58d are connected to the negative electrode of DC power supply l. Above power MO9FETs 58a and 58
The sources of c are power MO9FETs 58b and 58, respectively.
connected to the drain of d. In addition, step-up transformer 5
One end 53a of the primary winding 3 is a power MO8FET 58c
and the other end 5 of the primary winding of the step-up transformer 53.
3b is the source of power MO5FE'T58a and power M
It is connected to the connection point of the train of OSFET 58d. In addition, the high speed diode 59a=d is a power MOSFET.
21. to T58a-d, respectively. connected in parallel. Power MOSFETs 58a to 58d as switching elements
The gates of the switching element drive circuits 60a, 60
By being driven by the control circuit 61 via the step-up transformer 53, the current flowing through the primary side of the step-up transformer 53 is switched at high speed. In addition, as switching elements, instead of the power MO8FETs 58a to 58d, iGBT
A switching element such as an insulated gate bipolar transistor (insulated gate bipolar transistor) may also be used. The control circuit 61 and the switching element drive circuits 60a and 60b in this case have the same configuration as the control circuit 11 and the switching element drive circuits 10a and 10b of the embodiment using the push-pull type circuit described above. Ma-
Furthermore, the method of setting the switching element on-time setting value VT is also the same as that of the drive circuit of the inverter microwave oven using the above-mentioned circuit of the Bunyupuru type, so the explanation thereof will be omitted. Next, the operation of this embodiment will be explained. Inverter circuit 52
When the power MOSFETs 58c and 58d are turned on from the state in which all of the power MOSFETs 58a to 58d are turned off, the secondary circuit of the step-up transformer 53 is connected to the high-voltage capacitor 57, high-voltage diode 56a1, and one end of the secondary winding of the step-up transformer 53. 53d, a current flows through the closed loop of the other end 53c of the secondary winding, and the voltage doubler capacitor 57 is charged. The magnitude of the charging voltage of the voltage doubler capacitor 57 is determined by the initial voltage of the voltage doubler capacitor 57 and the on-time length of the power MOSFETs 58a to 58d as switching elements. Next, again the same power MOSPET 58c and 58 as above
When d is turned off, the electromagnetic energy stored in the step-up transformer 53 is supplied to the voltage doubler capacitor 57, and
The path between one end 53b of the primary winding of the step-up transformer 53, the high-speed diode 59a, the DC power supply 51, the high-speed diode 59b, and the other end 53a of the primary winding of the step-up transformer 53 is the power supply 5.
1 and all power MOSPETs 58a to 5
8d is turned off at the same time. Next, when the power MOSFETs 5.8a and 58b are turned on, the secondary side circuit of the step-up transformer 53 is connected to the high-voltage diode 56b, the voltage doubler capacitor 57, and the step-up transformer 53's secondary circuit.
A current flows through the closed loop of the magnetron 55, with one end 53c of the secondary winding and the other end 53d1 of the secondary winding, and electrical energy is supplied to the magnetron 55. Here magnetron 55
The power supplied to the MOSFETs is determined by the voltage of the voltage doubler capacitor 57 and the on-time length of the power MOSFETs 58a to 58d. Then, when the power MO8FETs 58a and 58b are turned off, the electromagnetic energy stored in the step-up transformer 53 is supplied to the magnetron 55, and one end of the primary winding 53a1 of the step-up transformer 53 is connected to the high-speed diode F'59.
c. The period moves to a period in which the DC power supply 51, the high-speed diode 59d1, the other end 53b of the primary winding of the step-up transformer 53 is regenerated into the power supply 1, and all the power MO9FETs 58a to 58d are turned off at the same time. The above operations are repeated, and Macune 1 and Ron 5 continue to oscillate high-frequency power. The voltage doubler capacitor 57 has a power MOS FE that draws an arc of vibration determined by the leakage inductance of the step-up transformer 53, the capacitance of the voltage doubler capacitor 57, and the circuit resistance (excluding the resistance of one magnetron 55).
The magnetron 55 is charged with the same current waveform as the drain current waveform of the T 58c and 58d, and the magnetron 55 has the leakage inductance of the step-up transformer 53 and the voltage doubler capacitor
7 capacitance, circuit resistance (however, magnetron 55
power MO8 that draws an arc of vibration determined by
Electrical energy is supplied with a current waveform similar to the drain current waveform of FETs 8a and 8b. Although the DC power source of the drive circuit of the inverter microwave oven in the above two embodiments is assumed to be an independent DC power source, it may be a DC power source of a vehicle such as an automobile.

【発明の効果】【Effect of the invention】

以上のように本発明によれば、従来のごとくDC/AC
インバータを使用しないので、安価で電力利用効率の高
い、かつ高出力な電源回路が提供できる。さらに、低電
圧の直流電源を直接高周波電流に変換しているので、電
源回路の中で最も大きくし、しかも重量のある昇圧用ト
ランスの小型化、軽量化が可能となり、電源回路のコン
パクト化が図れる。また、マクネトロンの出力を変動さ
せて強弱をもたせているので、食品の発熱を中心から周
辺へと徐々に効率よく進められ、水分の蒸発や加熱ムラ
を抑えることが可能になる。さらに、本発明のインバー
タ電子レンジは容量に制限のある独立型直流電源を電源
と想定しており、一定のピーク出力でマグネトロンを駆
動させる場合に比べて、上記独立型直流電源の平均放電
電流の低減が図れるので、上記独立型直流電源から多く
の電力が取り出せるメリットが生じる。
As described above, according to the present invention, DC/AC
Since no inverter is used, it is possible to provide a power supply circuit that is inexpensive, has high power utilization efficiency, and has high output. Furthermore, since low-voltage DC power is directly converted into high-frequency current, the step-up transformer, which is the largest and heaviest of all power supply circuits, can be made smaller and lighter, allowing for more compact power supply circuits. I can figure it out. In addition, since the output of the Macnetron is varied to vary its strength, heat generation from the food is gradually and efficiently progressed from the center to the periphery, making it possible to suppress moisture evaporation and uneven heating. Furthermore, the inverter microwave oven of the present invention assumes that the power source is an independent DC power supply with a limited capacity, and compared to driving a magnetron at a constant peak output, the average discharge current of the independent DC power supply is Since the power consumption can be reduced, there is an advantage that a large amount of electric power can be extracted from the above-mentioned independent DC power supply.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例に係わるプッシュプル方式の回
路を用いたインバータ電子レンジの駆動回路の回路図、
第2図は上記実施例の制御回路のブロック図、第3図は
上記制御回路の各制御信号の波形図、第4図(a) 、
 (b)は上記実施例のスイッヂング素子オン時間設定
値の設定方法の説明図、第5図は上記実施例のマイクロ
コンビコータに内蔵したプログラムのフローチャート、
第6図は本発明の実施例に係わるブリッジ方式の回路を
用いたインバータ電子レンジの回路図、第7図は従来の
インバータ電子レンジの回路ブロック図、第8図は低電
圧直流電源を用いて従来のインバータ電子レンジを駆動
する方法を示す図である。 ■、51・・直流電源、2.52・・インバータ回路、
3.53・・・昇圧トランス、 4.54・・・倍電圧半波活流回路、 8a、8b、58a、58b、58c、58d・パワー
MO9FET。 9a、9b、60a  60b ・・・スイッチング素子ドライブ回路、10.61・・
・制御回路。
FIG. 1 is a circuit diagram of an inverter microwave oven drive circuit using a push-pull type circuit according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a block diagram of the control circuit of the above embodiment, FIG. 3 is a waveform diagram of each control signal of the control circuit, and FIG. 4(a),
(b) is an explanatory diagram of the method of setting the switching element on-time setting value of the above embodiment, and FIG. 5 is a flowchart of the program built into the micro combi coater of the above embodiment.
Fig. 6 is a circuit diagram of an inverter microwave oven using a bridge type circuit according to an embodiment of the present invention, Fig. 7 is a circuit block diagram of a conventional inverter microwave oven, and Fig. 8 is a circuit diagram of an inverter microwave oven using a bridge type circuit according to an embodiment of the present invention. 1 is a diagram showing a method of driving a conventional inverter microwave oven. ■, 51... DC power supply, 2.52... Inverter circuit,
3.53...Step-up transformer, 4.54...Voltage doubler half-wave active current circuit, 8a, 8b, 58a, 58b, 58c, 58d・Power MO9FET. 9a, 9b, 60a 60b...Switching element drive circuit, 10.61...
・Control circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)複数のスイッチング素子を有するプッシュプル方
式あるいはブリッジ方式の回路と、上記スイッチング素
子のオン時間を、あらかじめ設定した最大オン時間を上
限として、周期的かつ連続的に可変できる制御手段を備
えたインバータ回路と、上記インバータ回路から交流が
1次側巻線に供給される昇圧トランスと、 上記昇圧トランスの2次側巻線に接続され、マグネトロ
ンに電力を供給する倍電圧整流回路を備えたことを特徴
とするインバータ電子レンジの駆動回路。
(1) A push-pull type or bridge type circuit having a plurality of switching elements, and a control means that can periodically and continuously vary the on-time of the switching element with a preset maximum on-time as an upper limit. An inverter circuit, a step-up transformer through which alternating current is supplied to the primary winding from the inverter circuit, and a voltage doubler rectifier circuit connected to the secondary winding of the step-up transformer to supply power to the magnetron. An inverter microwave oven drive circuit featuring:
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