JPH0480923A - Wafer cleaning device - Google Patents

Wafer cleaning device

Info

Publication number
JPH0480923A
JPH0480923A JP2194005A JP19400590A JPH0480923A JP H0480923 A JPH0480923 A JP H0480923A JP 2194005 A JP2194005 A JP 2194005A JP 19400590 A JP19400590 A JP 19400590A JP H0480923 A JPH0480923 A JP H0480923A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
dust
vacuum
support means
wafer cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2194005A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yutaka Ashida
裕 芦田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2194005A priority Critical patent/JPH0480923A/en
Publication of JPH0480923A publication Critical patent/JPH0480923A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning In General (AREA)
  • Electrostatic Separation (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To avoid the pollution of a wafer by the water content, oxygen gas, carbon dioxide gas, etc., contained in the atmosphere for augmenting the throughput by removing the dust in vacuum. CONSTITUTION:A wafer 4 with its surface to be cleaned up turning downward is held by a holding means 3 using the catches 31. Next, when a vacuum vessel 1 is pressure-reduced by an exhaust system 2, an electric dust collector 7 is impressed with power from a DC power supply 8 to oscillate an ultrasonic oscillator 5 by a high-frequency transmitter 6 for transmitting the oscillation to the wafer 4 to be oscillated so that the dust adhering to the wafer 4 may be released and removed, the dust drops due to the gravity to be arrested by the electric dust collector 7 provided on the lower part of the vacuum vessel 1. In such a constitution, the dust to be arrested by the static electricity shall not be blown up to adhere to the wafer 4 again.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体ウェーハに付着するダストを除去するウェーハ清
浄化装置、特に、真空中においてダストを除去するウェ
ーハ清浄化装置に関し、大気中に含まれる水分、酸素ガ
ス、炭酸ガス等によって汚染されることがなく、スルー
プットを向上することができるウェーハ清浄化装置を提
供することを目的とし、 排気手段を有する真空容器と、この真空容器の内部上面
に固着され、下面にウェーハを拘止する拘止具を有する
ウェーハ支持手段と、このウェーハ支持手段に固着され
、このウェーハ支持手段を振動する超音波振動子と、こ
の超音波振動子に高周波電力を供給する高周波発信回路
と、前記の真空容器の下部に前記のウェーハ支持手段に
対向して設けられ、正・負いずれかの電位に荷電される
電気集塵手段と、この電気集塵手段を正・負いずれかの
電位に荷電する直流電源とを有するウェーハ清浄化装置
をもって構成される。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] A wafer cleaning device that removes dust adhering to semiconductor wafers, particularly a wafer cleaning device that removes dust in a vacuum, cleans water, oxygen gas, and carbon dioxide contained in the atmosphere. The purpose of this device is to provide a wafer cleaning device that is not contaminated by gas, etc. and can improve throughput. a wafer support means having a restraint for restraining the wafer support means, an ultrasonic vibrator fixed to the wafer support means and vibrating the wafer support means, and a high frequency transmitting circuit supplying high frequency power to the ultrasonic vibrator. , an electrostatic precipitator provided at the bottom of the vacuum container facing the wafer support means and charged to either a positive or negative potential; The wafer cleaning device includes a DC power source that charges the wafer.

〔産業上の利用分野] 本発明は、半導体ウェーハに付着するダストを除去する
ウェーハ清浄化装置、特に、真空中においてダストを除
去するウェーハ清浄化装置に関する。
[Industrial Field of Application] The present invention relates to a wafer cleaning device that removes dust adhering to semiconductor wafers, and particularly to a wafer cleaning device that removes dust in a vacuum.

〔従来の技術] 半導体デバイスの高性能化に伴い、半導体製造プロセス
の微細化が益々進んでいる。そのため、製造工程におい
てウェーハ上にダストが付着していると、パターン欠陥
等の重大な欠陥を引き起こすことになるため、ダストを
除去するウェーハ洗浄技術が益々重要になっている。
[Background Art] As the performance of semiconductor devices increases, semiconductor manufacturing processes are becoming increasingly finer. Therefore, if dust adheres to the wafer during the manufacturing process, it will cause serious defects such as pattern defects, so wafer cleaning techniques for removing dust are becoming increasingly important.

ウェーハに付着しているダストの除去方法としては、伝
統的には、大気中において純水を使用して洗浄するウェ
ット洗浄法が知られている。
As a method for removing dust adhering to a wafer, a wet cleaning method is traditionally known in which wafers are cleaned using pure water in the atmosphere.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ウェット洗浄をなす場合には、成膜装置、エツチング装
置等の真空処理装置から、ウェーハを一旦大気中に取り
出す必要がある。
When performing wet cleaning, it is necessary to take the wafer out into the atmosphere from a vacuum processing apparatus such as a film forming apparatus or an etching apparatus.

大気中において洗浄すると、大気中に含まれる水分、酸
素ガス、炭酸ガス等によってウェーハ表面が再び汚染さ
れるため、洗浄後のウェーハを次工程の真空処理装置に
送る前に、それらの汚染物質をエツチング等の手段を使
用して除去する前処理工程が付加的に必要となり、スル
ープ・ントが低下する。
If the wafer is cleaned in the atmosphere, the surface of the wafer will be contaminated again by moisture, oxygen gas, carbon dioxide gas, etc. contained in the atmosphere, so these contaminants should be removed before the cleaned wafer is sent to the vacuum processing equipment for the next process. An additional pretreatment step for removal using etching or other means is required, reducing throughput.

本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、大気
中に含まれる水分、酸素ガス、炭酸ガス等によって汚染
されることがなく、スループ、トを向上することができ
るウェーハ清浄化装置を提供することにある。
The purpose of the present invention is to eliminate this drawback, and to provide a wafer cleaning device that is not contaminated by moisture, oxygen gas, carbon dioxide gas, etc. contained in the atmosphere and can improve throughput and performance. It is about providing.

〔課脛を解決するための手段〕[Means for resolving issues]

上記の目的は、排気手段(2)を有する真空容器(1)
と、この真空容器(1)の内部上面に固着され、下面に
ウェーハ(4)を拘止する拘止具(31)を有するウェ
ーハ支持手段(3)と、このウェーハ支持手段(3)に
固着され、このウェーハ支持手段(3)を振動する超音
波振動子(5)と、この超音波振動子(5)に高周波電
力を供給する高周波発信回路(6)と、前記の真空容器
(1)の下部に前記のウェーハ支持手段(3)に対向し
て設けられ、正・負いずれかの電位に荷電される電気集
塵手段(7)と、この電気集塵手段(7)を正・負いず
れかの電位に荷電する直流型5(8)とを有するウェー
ハ清浄化装置によって達成される。
The above purpose is to provide a vacuum container (1) with evacuation means (2)
, a wafer support means (3) which is fixed to the inner upper surface of the vacuum container (1) and has a restraint tool (31) on the lower surface for restraining the wafer (4); an ultrasonic vibrator (5) that vibrates the wafer support means (3), a high frequency transmitting circuit (6) that supplies high frequency power to the ultrasonic vibrator (5), and the vacuum container (1). An electrostatic precipitator (7) is provided at the bottom of the wafer supporting means (3) and is charged to either a positive or negative potential. This is achieved by a wafer cleaning apparatus having a DC type 5 (8) that is charged to either potential.

〔作用〕[Effect]

浮遊する微細なダストは、重力とブラウン運動の両方の
作用を受けている。しかし、高真空中においてはブラウ
ン運動が発生しなくなるため、ダストは重力のみの作用
を受けるようになる。したがって、ファンデルワールス
力によってダストが付着しているウェーハ4を超音波振
動子5を使用して振動させてダストをウェーハ4から剥
離させれば、剥離されたダストは重力によって降下し、
ウェーハ4の下部に設けられた電気集塵手段7に捕集さ
れて除去される。この結果、排気手段2に吸引されるダ
ストは減少してダストによる排気手段2の性能劣化は低
減し、また、ウェー71をウェーハ清浄化装置から取り
出す時に、真空容器1内の圧力が変動しても、ダストは
電気集塵手段7に捕集されているので、舞い上って再び
ウェーハに付着することはない。
Floating fine dust is affected by both gravity and Brownian motion. However, in a high vacuum, Brownian motion no longer occurs, so dust is only affected by gravity. Therefore, if the wafer 4 to which dust is attached is vibrated by the van der Waals force using the ultrasonic vibrator 5 and the dust is peeled off from the wafer 4, the peeled dust will fall due to gravity.
The dust is collected and removed by an electrostatic precipitator 7 provided at the bottom of the wafer 4. As a result, the amount of dust sucked into the exhaust means 2 is reduced, and the performance deterioration of the exhaust means 2 due to the dust is reduced, and when the wafer 71 is taken out from the wafer cleaning device, the pressure inside the vacuum container 1 fluctuates. However, since the dust is collected by the electrostatic precipitator 7, it does not fly up and adhere to the wafer again.

[実施例] 以下、図面を参照しつ\、本発明の一実施例に係るウェ
ーハ清浄化装置について説明する。
[Embodiment] Hereinafter, a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図参照 第1図にウェーハ清浄化装置の構成図を示す。See Figure 1 FIG. 1 shows a block diagram of the wafer cleaning apparatus.

図において、1は排気手段2を有する真空容器である。In the figure, reference numeral 1 denotes a vacuum container having exhaust means 2.

3は真空容器1の上面にスプリング等の弾性部材32を
介して固着され、下面に、リンク型ストッパ等の拘止具
31を有するウェーハ支持手段であり、ウェーハ4の周
囲を、上記の拘止具31をもって拘止することによって
ウェーハ4を支持する。5はウェーハ支持手段3を振動
させる超音波振動子であり酸化亜鉛の板の両面に電極が
形成されている。6は超音波振動子5に印加する高周波
電力を発生する高周波発信装置である。7はウェーハ支
持手段3に対向して真空容器1の下部に絶縁体71を介
して固着された電気集塵手段であり、8は電気集塵手段
7に直流電圧を印加して正または負に荷電する直流電源
である。
A wafer support means 3 is fixed to the upper surface of the vacuum chamber 1 via an elastic member 32 such as a spring, and has a restraining device 31 such as a link type stopper on the lower surface, and the wafer 4 is surrounded by the above-mentioned restraint. The wafer 4 is supported by holding it with the tool 31. Reference numeral 5 denotes an ultrasonic vibrator for vibrating the wafer support means 3, and electrodes are formed on both sides of a zinc oxide plate. Reference numeral 6 denotes a high frequency transmitting device that generates high frequency power to be applied to the ultrasonic transducer 5. Reference numeral 7 denotes an electrostatic precipitator fixed to the lower part of the vacuum chamber 1 facing the wafer support means 3 via an insulator 71. Reference numeral 8 denotes an electrostatic precipitator 7 which is applied with a DC voltage to make it positive or negative. It is a DC power source that charges electricity.

先づ、ウェーハ4を、その清浄化しようとする面が下向
きになるように拘止具31をもってウェーハ支持手段3
に支持する。次に、真空ポンプ等からなる排気手段2を
使用して真空容器l内の圧力を10−”Torr以下に
減圧し、直流電源8から、10〜100V程度の直流電
圧を電気集塵手段7に印加する。次いで、高周波発信装
置6の発生する10〜100MHz程度の高周波電力を
超音波振動子5に印加してこれを振動させ、その振動を
ウェーハ支持手段3を介してウェーハ支持手段3に支持
されているウェーハ4に伝達し、ウェーハ4を振動させ
、ウェーハ4の表面に付着していたダストを剥離除去す
る。剥離除去されたダストは、真空容器1内が高真空で
あるためブラウン運動をすることなく、重力にしたがっ
て直線的に降下し、真空容器1の下部に設けられた電気
集塵器7に静電気力によって捕集される。ダストは静電
気力によって電気集塵器7に捕集されているので、真空
容器1内の圧力が変動しても、ダストが舞い上って再び
ウェーハ4に付着することはない。
First, the wafer 4 is held on the wafer support means 3 by holding the retainer 31 so that the surface to be cleaned faces downward.
support. Next, the pressure inside the vacuum container 1 is reduced to 10-'' Torr or less using the evacuation means 2 consisting of a vacuum pump, etc., and a DC voltage of about 10 to 100 V is applied to the electrostatic precipitator 7 from the DC power supply 8. Next, high frequency power of about 10 to 100 MHz generated by the high frequency transmitter 6 is applied to the ultrasonic vibrator 5 to vibrate it, and the vibration is supported by the wafer support means 3 via the wafer support means 3. The wafer 4 is vibrated, and the dust adhering to the surface of the wafer 4 is peeled off and removed.The peeled off dust undergoes Brownian motion due to the high vacuum inside the vacuum chamber 1. The dust falls linearly according to the force of gravity and is collected by electrostatic force in the electrostatic precipitator 7 provided at the bottom of the vacuum container 1.The dust is collected in the electrostatic precipitator 7 by the electrostatic force. Therefore, even if the pressure inside the vacuum chamber 1 fluctuates, the dust will not fly up and adhere to the wafer 4 again.

半導体装置の製造に使用される成膜装置、エツチング装
置等の処理装置を本発明に係るウェーハ清浄化装置をも
って構成し、これらのウェーハ清浄化装置を、第2図に
示すように、ゲートパルプ9を介して真空搬送路90と
連結しておき、上記のウェーハ清浄化装置を相互に連結
しておき、搬送ホルダー11を使用してウェーハ4を、
各ウェーハ清浄化装置間を搬送すること\しておけば、
ウェーハ4を大気にさらすことなく、すべて真空中にお
いて連続的に各種処理を実行することができる連続真空
肉処理方式の半導体装置製造システムを構成することが
できる。そして、この場合には、ダストを発生するおそ
れのある工程を本発明に係るウェーハ清浄化装置の中で
なすように製造システムを構成することは云うまでもな
い。このようなシステムにおいては、ウェーハ清浄化を
含めてすべての工程を真空中において実行することが可
能である。
A processing device such as a film forming device or an etching device used in the manufacture of semiconductor devices is configured with the wafer cleaning device according to the present invention, and these wafer cleaning devices are connected to a gate pulp 9 as shown in FIG. The wafer cleaning devices described above are connected to the vacuum transfer path 90 via the transfer holder 11, and the wafer 4 is transferred using the transfer holder 11.
If you transport the wafers between each wafer cleaning device,
It is possible to configure a semiconductor device manufacturing system using a continuous vacuum processing method, which can continuously perform various processes entirely in a vacuum without exposing the wafer 4 to the atmosphere. In this case, it goes without saying that the manufacturing system is configured so that processes that may generate dust are performed in the wafer cleaning apparatus according to the present invention. In such a system, all steps, including wafer cleaning, can be performed in vacuum.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明せるとおり、本発明に係ろウェーハ清浄化装置
においては、真空中においてダストを除去することによ
って大気中の水分、酸素ガス、炭酸ガス等によるウェー
ハの汚染が防止されるので、ウェーハを次工程に送る前
にこれらの汚染物質を除去する前処理工程が不要になっ
て製造工程が簡略化し、スループットが向上する。
As explained above, in the wafer cleaning apparatus according to the present invention, contamination of the wafer by moisture, oxygen gas, carbon dioxide gas, etc. in the atmosphere is prevented by removing dust in a vacuum. Pretreatment steps to remove these contaminants before sending to the process are no longer necessary, simplifying the manufacturing process and increasing throughput.

また、半導体装置を製造する各種の真空処理装置を真空
搬送路をもって相互に連結して、半導体装置製造のすべ
ての製造処理工程を真空中において実行する連続真空肉
処理方式の半導体装置製造システムを構成する場合には
、ダストを発生する真空処理装置を本発明に係るウェー
ハ清浄化装置をもって構成することによって、ダストの
除去を含めてすべての半導体装置の製造処理工程を連続
的に真空中において実行することが可能になる。
In addition, various vacuum processing equipment for manufacturing semiconductor devices are interconnected through vacuum conveyance paths to form a semiconductor device manufacturing system using a continuous vacuum processing method in which all manufacturing processing steps for semiconductor device manufacturing are performed in vacuum. In this case, by configuring a vacuum processing device that generates dust with the wafer cleaning device according to the present invention, all semiconductor device manufacturing processing steps including dust removal can be continuously performed in a vacuum. becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の一実施例に係るウェーハ清浄化装置
の構成図である。 第2図は、本発明に係るウェーハ清浄化装置をもって構
成される各種の半導体装置製造用真空処理装置を真空搬
送路をもって相互に連結して構成した製造システムの概
略構成図である。 真空容器、 排気手段、 ウェーハ支持手段、 リンク型ストッパ等の拘止具、 スプリング等の弾性部材、 ウェーハ、 超音波振動子、 高周波発信装置、 電気集塵手段、 ・直流電源、 ・ゲートバルブ、 ・真空搬送路、 ・搬送ホルダ。
FIG. 1 is a block diagram of a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram of a manufacturing system in which various vacuum processing apparatuses for manufacturing semiconductor devices each including a wafer cleaning apparatus according to the present invention are interconnected through a vacuum transfer path. Vacuum container, evacuation means, wafer support means, restraints such as link-type stoppers, elastic members such as springs, wafers, ultrasonic vibrators, high frequency transmitters, electrostatic precipitators, ・DC power supply, ・Gate valves, ・Vacuum conveyance path, ・Transfer holder.

Claims (1)

【特許請求の範囲】  排気手段(2)を有する真空容器(1)と、該真空容
器(1)の内部上面に固着され、下面にウェーハ(4)
を拘止する拘止具(31)を有するウェーハ支持手段(
3)と、 該ウェーハ支持手段(3)に固着され、該ウェーハ支持
手段(3)を振動する超音波振動子(5)と、 該超音波振動子(5)に高周波電力を供給する高周波発
信回路(6)と、 前記真空容器(1)の下部に前記ウェーハ支持手段(3
)に対向して設けられ、正・負いずれかの電位に荷電さ
れる電気集塵手段(7)と、該電気集塵手段(7)を正
・負いずれかの電位に荷電する直流電源(8)と を有することを特徴とするウェーハ清浄化装置。
[Claims] A vacuum container (1) having an evacuation means (2), a wafer (4) fixed to the inner upper surface of the vacuum container (1), and a wafer (4) on the lower surface.
wafer support means (
3), an ultrasonic vibrator (5) fixed to the wafer support means (3) and vibrating the wafer support means (3), and a high frequency transmitter for supplying high frequency power to the ultrasonic vibrator (5). a circuit (6), and the wafer support means (3) at the bottom of the vacuum container (1).
), the electrostatic precipitator (7) is charged to either a positive or negative potential, and the DC power source (7) is provided to charge the electrostatic precipitator (7) to a positive or negative potential. 8) A wafer cleaning apparatus comprising:
JP2194005A 1990-07-24 1990-07-24 Wafer cleaning device Pending JPH0480923A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2194005A JPH0480923A (en) 1990-07-24 1990-07-24 Wafer cleaning device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2194005A JPH0480923A (en) 1990-07-24 1990-07-24 Wafer cleaning device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0480923A true JPH0480923A (en) 1992-03-13

Family

ID=16317387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2194005A Pending JPH0480923A (en) 1990-07-24 1990-07-24 Wafer cleaning device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0480923A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102907895A (en) * 2012-11-13 2013-02-06 南通芯迎设计服务有限公司 Desk having functions of radiating through cold air and removing dust easily
CN112588731A (en) * 2020-11-24 2021-04-02 马文凌 Nickel alloy rod body production mould cleaning device of formula of dying is folded to sound wave

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102907895A (en) * 2012-11-13 2013-02-06 南通芯迎设计服务有限公司 Desk having functions of radiating through cold air and removing dust easily
CN102907895B (en) * 2012-11-13 2016-04-27 华北理工大学 A kind of easy dedusting desk with cold wind heat sinking function
CN112588731A (en) * 2020-11-24 2021-04-02 马文凌 Nickel alloy rod body production mould cleaning device of formula of dying is folded to sound wave

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0141659B1 (en) An apparatus for removing foreign particles and the method
US20050044653A1 (en) Cleaning apparatus and cleaning method
JPS6210014B2 (en)
TW201624107A (en) Photomask cleaning apparatus and method
JP4105778B2 (en) Airflow transfer device
JP2007227821A (en) Apparatus and method for removing foreign substance for semiconductor device
KR100526192B1 (en) Apparatus and Method For Cleaning Wafer
JP2004055748A (en) Particle-removing device
JPH0480923A (en) Wafer cleaning device
JP2015034731A (en) Testing apparatus and testing method
JP2010245332A (en) Semiconductor aligner
JPH1187457A (en) Semiconductor manufacturing apparatus equipped with electrostatic attraction device with foreign matter removal function
JPH0234923A (en) Ultrasonic cleaner
KR20080024083A (en) Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
JP2015126092A (en) Cleaning substrate and method for cleaning substrate processing device
JPH088319A (en) Board transfer mechanism, board transfer system and semiconductor production system
JPH0581314B2 (en)
JP2915458B2 (en) Semiconductor wafer cleaning equipment
KR0146272B1 (en) Method for cleaning board using megasonic
JPH04164324A (en) Semiconductor manufacturing device
JP2814757B2 (en) Foreign matter removal equipment for semiconductor devices
JP2002110515A (en) Dust collection method for pattern-drawing device
JP2000117214A (en) Dry washer
KR20230119629A (en) Methods and systems for cleaning field emission cathode devices
JPH02237028A (en) Device removing for dust on substrate