JPH0476791B2 - - Google Patents

Description

請求の範囲 １ 情報を記憶できる表面を有する光学的記憶装
置において、 前記表面が記憶構造体１６の境界を定める空所
１４を含み、 前記記憶構造体が前記表面の光学特性を局所的
に変化させるための入力エネルギーに応答して変
えられ得るものであり、前記記憶構造体の平均総
面積が前記表面の10から90パーセントであり、 前記記憶構造体の特性距離が究極的には前記情
報の読み取りに用いられる電磁放射の波長に等し
いかあるいは小さいことを特徴とする記憶装置。

２ 請求の範囲第１項に記載の記憶装置におい
て、 前記空所が究極的には前記情報の読み取りに用
いられる電磁放射に対する前記記憶媒体の吸収距
離の10パーセントより大きな平均深さを有するこ
とを特徴とする記憶装置。

３ 請求の範囲第１項または第２項に記載の記憶
装置において、 前記空所の平均深さの半分で測つたとき、平均
して記憶構造体の少なくとも10個の等価面積が前
記記憶媒体の表面に入射する前記エネルギーのビ
ーム断面によつて描かれる区域を占め、 前記等価面積が前記特性距離と同じ長さの直径
を有する円の面積に等しいことを特徴とする記憶
装置。

４ 請求の範囲第３項記載の記憶装置において、 表面構造の少なくとも50個の等価面積が前記入
射エネルギーにより描かれる前記区域を占めるこ
とを特徴とする記憶装置。

５ 請求の範囲第１項または第２項記載の記憶装
置において、 前記媒体がゲルマニウム、シリコンおよびポリ
スチレンから選ばれた物質からなることを特徴と
する記憶装置。

発明の背景 １ 発明の分野 本発明は、光学的情報記憶装置に関する。

２ 技術の背景 光学的な方法によるデータ記憶装置として種々
の方法が提案され、かつ採用されいる。それら方
式のうち、典型的な方式は、基材上にテルル合金
を蒸着したものである。このような媒体に情報を
記憶するには、テルル合金を局所的に溶融する。
テルル合金を局所的に溶融することによつて、下
部の基材が露出するような空白部分が作られ、そ
れによつて、その部分の反射特性を変化させる。
しかしながら、このような方式の欠点は、テルル
合金が酸素の存在中で比較的不安定なことであ
り、そのためハーメチツク・シールが必要となる
ので、情報を書込む部分を溶融するための所要エ
ネルギーが高くなることである。

発明の要約 半導体材料あるいは種々のプラスチツクなどの
表面を、放射に対して一様で、かつ高い吸収特性
が得られるように微細に表面加工する。加工表面
は、多数の突起あるいは円柱から成り立ち、例え
ばケバ状あるいは綿毛状にすることができる。情
報を光学的に記憶するのは、加工表面の局所区域
について光学特性を変化させること、つまり突起
の１つまたはいくつかを溶かしこれをつぶすこと
によつて局所的に表面の吸収特性を低下させるこ
とによつて成し遂げられる。

図面の説明 第１および第２図は、本発明に従う光学的記憶
媒体の２つの例を遠近図法で拡大したものであ
る。

詳細な説明 例えば第１図に例示されるように、空所１４お
よび残存する記憶構造体１６からなる媒体を用い
ることは光学的記憶作用に２つの顕著な利点をも
たらすことになる。第１の利点は、局所区域に存
する空所が記憶媒体表面に平行な方向に、伝達す
る熱を十分に低減させることである。したがつ
て、光学的記録作用つまり所要の部分を島状に溶
融することが、書込みエネルギーの入射する区域
に本質的に限定されることである。同じ記憶材料
でまつたく空所のない場合に比べると、隣接区域
へ影響する横方向へのエネルギーの伝達は著るし
く低減される。それ故、この媒体は記憶密度を高
くすることができる。第２の利点は、記憶構造体
の寸法および間隔を適切に作ることによつて、光
吸収の良い媒体が作られることである。書込み前
の状態で吸収が良いことにより、コントラストが
良くなり、また書込みエネルギーの利用効率も良
くなる。

本発明の作用を応用した媒体を作るのに広範囲
の材料を用いることができる。例えば、シリコン
あるいはゲルマニウムのような半導体、ポリスチ
レンなどのプラスチツクおよびGeSe²のような化
合物が利用可能な材料である。これらの材料は、
所要の構造となるよう、つまり所要の記憶構造体
を形成するように、なるべく材料の表面から内部
へ広がるような空所を作るように材料を除去する
ように処理される。情報を記憶するには、光源、
例えばレーザーからのエネルギーがこの媒体中の
１つの区域に加えられる。エネルギーは記憶構造
体の１つまたはいくつか、あるいは１つの記憶構
造体の一部を溶融する作用を起すのに用いられ、
これによつて処理面の光学特性を変化さすことに
なる。特定の区域の光学特性を選択的に変化させ
ることによつて処理面と未処理面に光学的な違い
が付けられる。例えば、適当な記憶構造体がある
とすると、溶融していない区域は極端に黒く見え
るのに対し、溶融している区域は平滑で十分に反
射する表面を形成することになる。このようにし
て非常に高いコントラストが得られる。これに加
えて、比較的小さな記憶構造体を用いることによ
つて、さらにこれら構造体に個有の断熱性により
高い記憶密度を得ることができる。このような物
体を用いることによつて、cm²当り30メガビツト以
上の記憶密度とわずかの書込みエネルギーによ
り、15：１以上のコントラストを得ることができ
る。

シリコン、ゲルマニウムあるいは各種のプラス
チツクのような毒性がなく安い材料を用いること
ができる。この作用は、記憶媒体のハーメチツ
ク・シールには依存しないので、そのようなシー
ルに必要な経費も不要となる。この媒体は、手近
な方法で製造できるし、また特別な読取り光源も
必要ではない。

一般に、記憶構造体は孤立した島状をなしてい
る。しかしながら、例えば記憶媒体全体を１つの
螺旋状の記憶構造体で占め、しかも所要の特性を
与えるような構造を考えることができる。当然の
ことながら、記憶構造体あるいは空所の形状およ
び密度を規定し、そのうえで媒体全体の構造を規
定することもできる。しかしながら、ここでは説
明の都合上、材料の構造は空所及び記憶構造体に
よつて規定することにする。

Ａ コントラストに関する特性 記憶媒体に作られる空所は、平均深さを光書込
み用として用意した記録媒体中において、究極的
には記憶情報の読出しに用いられることになる光
の吸収深さの10パーセント以上にする必要があ
る。（この基準は当然のことながら、記録媒体を
作る素材が十分に吸収性があり、10ミクロンより
も深いところは必要とされないことを意味してい
る。また、この基準は、吸収係数が読取り光源の
全波長にわたつて、ほぼ等しいことでも仮定して
いる。この仮定が満されない場合は、この基準
は、強度が最大となる波長の吸収距離に対して満
されるようにしなければならない。なお、吸収距
離とは媒体に入射した光の強度が入射ときの１／ｅ になるまでに光が進む距離である。）平均深さは
先ず初めに、それぞれの孤立空所区域の一番深い
点から媒体表面にある空所の開口部までの距離を
測定することによつて得られる。（孤立空所区域
とは、空所内で媒体表面で10⁴平方オングストロ
ームの面積を占める部分またはこの面積よりも狭
く完全に孤立した空所のことである。）これらの
距離の平均値が所要値である。（表面の不規則性、
たとえば、100オングストロームの深さ以下の欠
陥性の孔は、本発明の目的としては、空所とは考
えないこととする。） 同様に、空所または記憶構造体を横断する直線
距離の中央値は、媒体の特性距離として知られる
ものであるが、これは読取り光の波長と等しいか
短かくする必要がある。（この場合も、多波長の
光源の場合では、強度が最大となる波長がこの基
準に用いられる。）本件発明に係る記憶装置にお
いて、空所が大きくなれば空気と記憶媒体間の屈
折率の変化は少なくなり、よつて光はより効果的
に吸収される。特性距離は記憶媒体に入射した光
がどの程度効果的に吸収されるかを計る基準にな
る。光が吸収されることについては次のような状
況を考えることによつても理解できる。たとえ
ば、海岸に設けられた桟橋のくいを考える。くい
は桟橋から水中に伸び海岸にうちよせる波はくい
によつて減衰される。くいの大きさおよび間隔を
適当に選択すれば波をより効果的に減衰すること
ができる。同様に、特性距離を適当に選択するこ
とによつて、記憶媒体すなわちくいに入射する光
の波は最も効果的に減衰され、したがつてこの場
合にコントラストが最も高くなる。媒体の特性距
離は以下によつて得られる。１）媒体表面１９に
平行で、表面と平均深さの中点にある仮想平面を
画くこと。２）この仮想平面と記憶構造体とが交
叉することによつてできる曲線上の点をランダム
に選び（ランダムに100点をとれば代表値を得る
には一般には十分である）。３）ステツプ２で決
定した交叉曲線の、各点を通る接線を画く。４）
各点から上記の接線に垂直でありステツプ１で決
定した交叉曲線によつて囲まれた記憶構造体を横
断する方向に直線を画き、そしてこの直線が曲線
と交叉する点で止め、次にこの交叉曲線に囲まれ
た区域から離れる方向で、他の記憶構造体の交叉
曲線に突き当る点で止める。５）ステツプ４の各
直線の終点の軌跡に注をつけ、６）ステツプ２の
各点からそれに対応する終点までの距離を測り、
７）ステツプ６で決定した値から、この空所を横
断する距離の中央値および記憶構造体を横断する
距離の中央値を計算し、そして８）これら２つの
値のうち小さい方を特性距離とする。もし読取り
用の放射の波長に対して、この基準が（後にＣ節
で述べるコントラストおよび強度の両方に共通す
る基準とともに）満されると、記憶媒体のうち、
そのような構造を有する部分は素材よりもはるか
に反射の少ないものとなる。そのため良好なコン
トラストが得られるようになる。

Ｂ 記憶密度に関する特性 情報を記憶するためには、少なくとも記憶構造
体の等価面積について、光学特性を変化させる必
要がある。（等価面積とは、特性距離の長さを直
径とする円の面積をいうものである。情報の書込
みにより記憶構造体が変えられる区域は変化した
構造体が媒体表面に平行であつて、かつ表面と平
均深さの中点にある平面で切断された部分の総面
積である。）この書込み作用において、もし特定
の等価面積１つを指定し、かつこれを変化させる
ことができるのであれば、そのような区域の１つ
が書込み光源面を占めればよいことになる。（書
込み光源面は書込みエネルギーによつて記憶媒体
の表面に描かれる断面で定義される。）しかしな
がら、一般に望まれるような書込み速度では、等
価面積の１つを特別に選ぶことはできない。適度
の書込み速度つまり１〜100メガビツト／秒では、
書込み区域内で平均して、記憶構造体の等価面積
の少なくとも10倍、できれば50倍が書込み光源面
を占めるようにするのが望ましい。50ナノメータ
ー程度の寸法の記憶構造体は製作可能であるの
で、非常に高い記憶密度が可能となる。

既に開示したように、書込み時の横方向の熱伝
達が低いことは、記憶密度に対して有利に作用す
ることになる。もしＣ節の基準が満されると、過
剰に内部結合した構造体による過剰な熱的干渉が
さけられる。たとえば、第２図に島状の記憶構造
体の間にある皮膜状の接続部２０が示されてい
る。それでも媒体は特別な基準を満すので過剰の
熱伝達はない。

記憶構造体の形状および壁の角度が特別であつ
ても大きな影響はない。たとえば、第２図に示さ
れるような円柱状の構造体または円錐状構造体で
もよい。

Ｃ 記憶密度及びコントラストの双方に関する特
性 記憶密度およびコントラストを良好にするため
にはどの書込み区域でも記憶構造体の総面積を10
から90パーセントの間に、できれば20から80％に
することが望ましい。

Ｄ 代表的な媒体の形状を作るための処理 適当な寸法の記憶構造体および空所を作るのに
種々の技術を利用することができる。例えば1981
年８月15日発行の米国特許4284689に記述されて
いるように、マスクの形式に依存するプラズマ・
エツチング技術が利用できる。簡単に述べると、
この処理法は、処理すべき材料をスパツター材の
板の上に置き、このスパツター材の一部を蒸着す
るものである。記憶構造体用のエツチング材が挿
入されると、この媒質にプラズマ放電が起る。エ
ツチング材は、記憶構造体をエツチングするばか
りでなく、スパツター材とも作用して蒸気圧の低
い化合物となつて記憶媒体の表面に蒸着する。さ
らにエツチング材は、記憶媒体上に蒸着した材料
が、媒体をぬらさずに、むしろ塊となつて多数の
小山状の構造となるものを選ぶ。小山のない所は
空所となり、そして小山のある区域は、島が作ら
れることになる。この製法によつて、0.2ミクロ
ン以上の波長の多くは0.2〜1.3ミクロンの波長域
の光の読取りに適した寸法の記憶構造体および空
所を有する構造が作られる。

もう一つの製法は、記憶媒体の材料上に、これ
をぬらさない材料を蒸着するものである。マスク
が記憶媒体表面に、材料が分離して山々を形成す
る。しかしながら、前述の方法と異なりエツチン
グ材は特にマスク材料および記憶媒体の両方をエ
ツチングするものが選ばれる。さらに、このエツ
チング材はマスク材料のエツチング率が記憶媒体
に対する率よりも２倍以上遅くなるものが選ばれ
る。マスクした記憶媒体をエツチング材の中に入
れ放電すると、エツチングが進行し0.2ミクロン
以上の波長、多くは0.2〜1.3ミクロンの波長の光
を読取るのに適当な寸法をもつた円錐状の記憶構
造体が作られる。

Ｅ 書込み情報の処理 記憶媒体の材料は、その光学特性を変えられる
ものが選ばれる。例えば、記憶構造体を溶かす
か、記憶構造体を蒸発させるか、あるいは島の形
状には影響を及ばさないで放射に対する島の吸収
特性を変化させること、たとえば、シリコンから
透明な酸化物への変換のような吸収材の変換など
によつて、そのような変化を起こさせることがで
きる。レーザーような典型的な書込み光源として
は、適当な記憶媒体を変化させるに十分なエネル
ギーが得られる。代表的な材料で、50ナノ秒から
10マイクロ秒の書込み時間に対して100ミリワツ
ト／μm²の範囲のエネルギーレベルを放射する光
源が所要の変化、たとえば記憶媒体の光学特性の
変化をもたらす程度の溶融を起させる。（書込み
時間が遅くてもよければ、さらに低いレベルが適
当である。）利用可能な材料の代表的なものがシ
リコン、ゲルマニウムおよび金属被膜ポリスチレ
ンである。書込み光源のスペクトル分布は、その
エネルギーの少なくとも10％が記憶媒体に吸収さ
れるように選ばなければならない。例えば、アル
ゴンまたはヘリウム・ネオン・レーザー光源は、
それぞれシリコン、ゲルマニウムおよび金属被膜
ポリスチレンに利用できる。情報を書込みには、
記憶媒体が区域ごとに、情報によりコード化され
た形状で溶融される。例えば、書込み作用により
高い反射率を持つようになつた部分は１とされ、
また吸収する部分は０を割当てることができる。
このようにしてデイジタル情報は容易に記憶され
る。もちろん、この手順は書込まれた記憶媒体を
製造する好ましい方法ではあるが、書込まれた媒
体のマスターコピーもこの好ましい方法で製造で
き、またそのコピーもこのマスターコピーからス
タンプと同じような手順で製造することも期待で
きる。

Ｆ 記憶媒体の保護 必らずしも不可欠なことではないが、記憶媒体
が剥離しないように保護するのが望ましい。これ
に関しては、記憶媒体を書込み後に例えばポリ
（メタクリル酸メチル）など高価でない保護被膜
で被うことができる。しかしながらゲルマニウム
などの材料に対しては、これよりも望ましい方法
が可能である。ゲルマニウムを書込み前にポリ
（メタクリル酸メチル）などの比較的安い材料で
被うことができる。例えば、アルゴン・イオン・
レーザーを用いて、ゲルマニウム中の記憶媒体は
透過性のポリ（メタクリル酸メチル）の被膜をと
おして溶融される。このようにして記憶媒体は書
込み前においても剥離を防止できる。

下記の例は、本発明の実例である。

例 １ １インチ平方のガラス基材が顕微鏡スライドか
ら切出された。基材は、先ず洗浄材を溶かした温
水中に浸して清浄にされた。この溶材は超音波に
より約５分間撹拌された。次に基材は温水および
脱イオン水の中で順次すすがれ、脱イオン水中で
糸くずの出ないあわ拭きとり具で洗い落され、そ
して再び蒸気脱油装置の中で順次トリクロールエ
タンおよびアイソプロピルアルコールによつて清
浄化された。

清浄化された基材は、拡散ポンプ付の蒸着装置
の試料保持器内に置かれた。この基材は、蒸着源
から約５インチの位置で正面をこの蒸着源に向け
て置いた。蒸着源は、それぞれニオブおよびシリ
コンをおさめた２つのるつぼを有していた。るつ
ぼからの蒸発は、るつぼの中味を４キロボルトの
電子ビームでたたいて発生させた。ビームの電力
密度は蒸着密度が毎秒約３オングストロームの率
となるように調整された。チエンバーが真空に引
かれ、そして基材は約450℃に加熱された。ニオ
ブを入れた第１のるつぼを用いて約180オングス
トロームのニオブが基材に蒸着された（ニオブ
は、次に蒸着するシリコンのガラス基材に対する
付着強度を改善するために蒸着された。）。ニオブ
の蒸着中は真空チエンバーは約10^-5トールの圧力
に保持された。ニオブ層の蒸着後、第２のるつぼ
を用いて同様の方法にり1.25ミクロン厚のシリコ
ン層が蒸着された。シリコン層を作るときの蒸着
率は、毎秒約60オングストロームであり、またシ
リコン蒸着中のチエンバー圧力は約６×10^-5トー
ルであつた。

従来のダイオード蒸着システムを用いて、リア
クシヨン・イオン・エツチング処理が行われた。
このシステムは、光学的に密な水で冷却するバフ
ル板のついた油拡散ポンプと液体窒素冷却のトラ
ツプを用いていた。プラズマは、直径５インチの
平行な２枚の水冷電極に接続した13.56メガヘル
ツの無線周波（rf）発信器によつて発生された。
蒸着システムのrf整合回路は試料がエツチングさ
れるべき電極に全電力が供給されるように同調が
とられた。エツチングされる試料がのせられる電
極は水冷電極に熱的に接続された直径５インチの
アルミニウム板によつて被われていた。第２の電
極は溶融石英で被われ、電気的に接地されてい
た。

蒸着システム中の反応ガスの流れは、圧力と流
量サーボ・システムの両方によつて制御された。
圧力を監視するために静電容量型気圧計が用いら
れた。この気圧計の信号は、CCl₂F₂の流れを調
節するのに用いられた（CCl₂F₂は主ガスとして
設計されている。）。他の２つのガスO₂およびAr
の流れは、流量／比率制御器によつて制御され
た。この方法によつて、２次ガスの流れあるいは
主ガスに対するそれらの流れの比率を一定に保つ
ことができた。流量はサーマル・マス・フローメ
ーターを用いフルスケールで毎分100標準立方セ
ンチメータ（SCCM）の感度で全てのガスについ
て監視された。ガスは装置に入る前に外部のマニ
ホルドで混合された。マニホルドは壁面へのガス
の吸着を少なくするため約48℃に加熱された。

清浄化されたシリコン試料は、上面にシリコン
が蒸着されたアルミニウム板の中央に置かれ、シ
ステムは１ミリトール以下の圧力まで引きぬかれ
た。アルゴン、CCl₂F₂および酸素は、前述の流
通制御システムを用いて同じ10SCCMの率でチエ
ンバー内に供給された（ここで、同率とはモル分
率が等しいことではなく、また相対的なガスのポ
ンピング速度がプラズマ中でのモル分率を決める
ことに注意する必要がある。）。チエンバー内の全
圧は20ミリトールに制御された。rf電力は、アル
ミニウム板に−540Vの自己バイアスにより、0.5
ワツト／cm²に同調された。電力は全体で６分間供
給された。

処理済みのシリコンは、エツチング装置から取
出され、光学顕微鏡の通常の試料位置に置かれ
た。アルゴンレーザー（波長488＋１メーター）
の光が顕微鏡の垂直照明器および倍率10×の対物
レンズをとおして指向され、試料の表面に焦点を
結ばれた。ビームはポツケル・セルを用いて変調
された。シリコン媒体上には、試料上で約25ミリ
ワツトの電力を有するビームにより１マイクロ秒
のパルスでスポツトが画かれた。処理前には材料
は顕微鏡で観察すると黒く見えたが、各パルスに
よつて１ミクロンのオーダーの大きさの反射する
部分ができた。

例 ２ ガラス基材上に順次、モリブデン層、酸化シリ
コン層およびゲルマニウム層を蒸着して構造を作
る以外は、例１の手順に従つた。例１に述べたと
同じようにして電子ビーム蒸着装置内で1000オン
グストローム厚のモリブデン層が蒸着された。蒸
着中は、基材は200℃に保たれ圧力は約10^-6トー
ルに、また蒸着率は毎秒約10〜20オングストロー
ムであつた。

次に基材は、通常の加熱蒸着装置に移された。
この蒸着装置のボートには、それぞれ一酸化シリ
コンおよびゲルマニウムを入れた。一酸化シリコ
ンを入れたボートは電気抵抗によつて毎秒約30オ
ングストロームの蒸発蒸着率となるような温度ま
で十分に加熱された。蒸着は層の厚さが1000オン
グストロームに達するまで続けられた。ここで一
酸化シリコンのボートの加熱は打ち切られ、次に
ゲルマニウムを入れたボートが同様にして毎秒約
20〜40オングストロームの蒸発蒸着率となるよう
な温度まで加熱された。この蒸着はゲルマニウム
層の厚さが約１ミクロンとなるまで続けられた
（一酸化シリコンおよびゲルマニウムの蒸着の最
中は、基材は加熱されなかつた。）。

エツチング処理は、例１では処理時間は６分で
あつたが、ここでは４分であり、またカソード・
バイアスは−500Vであつた。書込みは約１ミリ
ワツトのビームを用いてパルス幅１1/2ミリ秒で
実施した。作られたスポツトは電子顕微鏡によつ
て直径約１ミクロンであることが観察された。

１つの材料では酸化シリコン層を省略し、また
２番目の材料では酸化シリコン層およびモリブデ
ン層の両方を省略し、その他は同じ手順に従つ
た。その結果はこれら全ての層を有する試料とほ
ぼ同じ結果が得られた。

例 ３ スライドガラスは例１と同じように用意した。
キシレンに重量比15％のポリスチレンを入れた溶
液が用意された。この基材を2000RPMで回転し
たときに厚さ約１ミクロンの膜ができるように、
この溶液を十分な量だけ基材上に置いた。この膜
は130℃で30分間焼かれた。例２で述べた加熱蒸
着法を用いて、厚さ約150オングストロームのス
ズの層がポリスチレン上に蒸着された。この加熱
蒸着によつて達成された蒸着率は毎秒８〜10オン
グストロームであつた。

基材はエツチングガスが酸素のみを含むこと以
外は、例１と同じようにしてエツチングされた。
酸素は流量10SCCMで全圧10ミリメートルまで導
入された。基材はカソードバイアス−750Vで全
電力0.4ワツト１cm²で10分間にわたりエツチング
された（スズはポリスチレンをぬらすことがない
ためエツチマスクとして採用された）。エツチン
グ後、電子顕微鏡で円柱状構造体が観察された。

蒸着の最中、試料を蒸発率に対し約45゜の角度
にして毎秒約４回転の率で回転させながらポリス
チレン上に例２で述べたと同じようにして、厚さ
120オングストロームの金層が蒸着された。この
角度をつけた蒸着により、ポリスチレンの円柱状
構造体は平等に金の被覆ができた（金層の厚さ
は、円柱面よりむしろ平面に蒸着されたならば、
得られたと考えられる厚さであつた。）。金蒸着の
前には、ポリスチレンは殆んど可視光を吸収しな
いで、基材は光学的に透明であつた。金蒸着後は
基材は黒くなつた。書込みは、光学システムとし
て、焦点距離0.8cm凸レンズを用いたほかは例１
で述べたと同じレーザーを用いて行つたが、レー
ザーはパルス化されなかつた。その代りに試料
は、幅約20ミクロン、長さ数ミリメートルの直線
の書込み軌跡が画かれた。用いたレーザーパワは
約200ミリワツトであつた。結果は例１または２
で得られたものほど明瞭なものではなかつた。し
かしながら、反射によりあるいはまた、処理領域
を通してできた空白部分を通して基材の下から観
察者の方へ光を伝えることによつて軌跡は明るく
見えた。顕微鏡観察の結果は円柱がビームによつ
て溶融されていることを示していた。

例 ４ ゲルマニウム層の上にポリ（メタクリル酸メチ
ル）の約１ミクロン厚の層が被覆される以外は、
例２の手順がとられた。これはクロロベンゼンに
重量比６パーセントのポリ（メタクリル酸メチ
ル）を入れた溶液を用いて約1800RPMで基材を
回転することによつて作られた。例１の試料と比
べて実質的に同じ結果が得られた。