JPH047514A - 光アイソレータ - Google Patents
光アイソレータInfo
- Publication number
- JPH047514A JPH047514A JP10871190A JP10871190A JPH047514A JP H047514 A JPH047514 A JP H047514A JP 10871190 A JP10871190 A JP 10871190A JP 10871190 A JP10871190 A JP 10871190A JP H047514 A JPH047514 A JP H047514A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- faraday element
- faraday
- optical isolator
- superconducting material
- superconducting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 54
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 6
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUPIXUINLCPYLU-UHFFFAOYSA-N barium lead Chemical compound [Ba].[Pb] DUPIXUINLCPYLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N iron yttrium Chemical compound [Fe].[Y] MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- -1 rare earth ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信などレーザ応用装置に用いる光アイソ
レータに係り、特にファラデー素子と磁化装置とを一体
化構成することによって、全体が小形化されるようにし
た光アイソレータに関するものである。
レータに係り、特にファラデー素子と磁化装置とを一体
化構成することによって、全体が小形化されるようにし
た光アイソレータに関するものである。
光アイソレータは、ファラデー効果を利用したもので、
光フアイバ端面などから光源である半導体レーザへの戻
り光を遮断することによって、半導体レーザの発振を安
定化させるために使用されるようになっている。
光フアイバ端面などから光源である半導体レーザへの戻
り光を遮断することによって、半導体レーザの発振を安
定化させるために使用されるようになっている。
第2図は従来技術に係る光アイソレータの断面を、その
外部周辺に配される光学系とともに示したものである。
外部周辺に配される光学系とともに示したものである。
図中、21は半導体レーザ、22.23はレンズ、24
は光ファイバ、25.26は方位角を互いに45°傾け
た偏光子、27は透過光の偏光面を45゜回転させるフ
ァラデー素子、28は永久磁石である。
は光ファイバ、25.26は方位角を互いに45°傾け
た偏光子、27は透過光の偏光面を45゜回転させるフ
ァラデー素子、28は永久磁石である。
この永久磁石28は、飽和磁束以上の磁束でファラデー
素子27を磁化するために設けられたものである。
素子27を磁化するために設けられたものである。
その動作について説明すれば、半導体レーザ21からの
出射光はレンズ22により平行光束とされた状態で偏光
子25に入射され、偏光子25から出射された直線偏光
はファラデー素子27を通過する際に、偏光面が45°
回転されて偏光子26に入射されるようになっている。
出射光はレンズ22により平行光束とされた状態で偏光
子25に入射され、偏光子25から出射された直線偏光
はファラデー素子27を通過する際に、偏光面が45°
回転されて偏光子26に入射されるようになっている。
偏光子26での方位角は偏光子25に対し45°傾けで
あるから、ファラデー素子27からの出射光は偏光子2
6をそのまま透過したうえ、レンズ23により集光され
て光ファイバ24に入射されるようになっている。一方
、光ファイバ24からの出射光はレンズ23により平行
光束とされた状態で偏光子26により直線偏光となりフ
ァラデー素子27に入射され、ファラデー素子27を通
過する際に、その偏光面が45°回転されて偏光子25
に入射されるようになっている。偏光子25での方位は
偏光子26の方位に対して−45°傾けであるから、偏
光子25に入射される直線偏光の偏光面と直交する結果
、偏光子25を透過し得ないことになる。即ち、光ファ
イバ24からの出射光は半導体レーザ21に戻ることは
防止されるものである。
あるから、ファラデー素子27からの出射光は偏光子2
6をそのまま透過したうえ、レンズ23により集光され
て光ファイバ24に入射されるようになっている。一方
、光ファイバ24からの出射光はレンズ23により平行
光束とされた状態で偏光子26により直線偏光となりフ
ァラデー素子27に入射され、ファラデー素子27を通
過する際に、その偏光面が45°回転されて偏光子25
に入射されるようになっている。偏光子25での方位は
偏光子26の方位に対して−45°傾けであるから、偏
光子25に入射される直線偏光の偏光面と直交する結果
、偏光子25を透過し得ないことになる。即ち、光ファ
イバ24からの出射光は半導体レーザ21に戻ることは
防止されるものである。
ところで、ファラデー素子の材質としては、光通信に用
いられる半導体レーザの発振波長1.3μ田および1.
557zm帯では、YaFesO+z (イツトリウム
・アイアン・ガーネット、以下YIGと略称する)単結
晶が通常用いられる。YIGの飽和磁束は約0.2テス
ラであり、このための永久磁石28の外径は10mn程
度と大きくならざるを得ないものとなっている。即ち、
これまでの光アイソレータでは、全体としての小形化が
図れなかったものである。
いられる半導体レーザの発振波長1.3μ田および1.
557zm帯では、YaFesO+z (イツトリウム
・アイアン・ガーネット、以下YIGと略称する)単結
晶が通常用いられる。YIGの飽和磁束は約0.2テス
ラであり、このための永久磁石28の外径は10mn程
度と大きくならざるを得ないものとなっている。即ち、
これまでの光アイソレータでは、全体としての小形化が
図れなかったものである。
このような光アイソレータを小形化する方法もこれまで
に検討されていないわけではなく、たとえば特開昭64
−40811号公報によれば、ファラデー素子用永久磁
石の代りに超電導物質のコイルを用いる方法や、超電導
物質の円環状のコイルを用い、ファラデー素子の外周に
接するように構成する方法が開示されている。後者によ
る場合、円環状のコイルは接着剤などにより固定される
か、あるいはファラデー素子の外周に真空蒸着されるか
、またはファラデー素子の外周に塗布された後に焼結さ
れることによって、ファラデー素子に固定されるように
なっている。
に検討されていないわけではなく、たとえば特開昭64
−40811号公報によれば、ファラデー素子用永久磁
石の代りに超電導物質のコイルを用いる方法や、超電導
物質の円環状のコイルを用い、ファラデー素子の外周に
接するように構成する方法が開示されている。後者によ
る場合、円環状のコイルは接着剤などにより固定される
か、あるいはファラデー素子の外周に真空蒸着されるか
、またはファラデー素子の外周に塗布された後に焼結さ
れることによって、ファラデー素子に固定されるように
なっている。
一4=
〔発明が解決しようとする課題〕
以上のように、これまでの光アイソレータでは永久磁石
の大形化によって、全体としての小形化は図れないもの
となっている。また、特開昭64−40811号公報に
開示されている方法によるにしても、何等かの不具合を
生じたものとなっている。
の大形化によって、全体としての小形化は図れないもの
となっている。また、特開昭64−40811号公報に
開示されている方法によるにしても、何等かの不具合を
生じたものとなっている。
超電導物質のワイヤーを用いたコイルによりファラデー
素子を磁化させる方法では、永久磁石を用いる方法に比
し小形化されるが、その小形化はまだ十分とはいえない
ものとなっている。また、超電導物質の円環状コイルを
ファラデー素子の外周に直接接着させファラデー素子を
磁化させる方法では、十分小形化されるが、その反面周
囲温度が変化すれば両物質(超電導物質とファラデー素
子)の熱膨張係数の違いからファラデー素子に歪みを与
え、これがために特性を悪化させ′るおそれがあるもの
となっている。更に、ファラデー素子の外周に超電導物
質を蒸着したり、塗布後焼結する方法では、高温、多湿
など悪環境の下では超電導物質(薄膜)が剥離するおそ
れがあるものとなっている。
素子を磁化させる方法では、永久磁石を用いる方法に比
し小形化されるが、その小形化はまだ十分とはいえない
ものとなっている。また、超電導物質の円環状コイルを
ファラデー素子の外周に直接接着させファラデー素子を
磁化させる方法では、十分小形化されるが、その反面周
囲温度が変化すれば両物質(超電導物質とファラデー素
子)の熱膨張係数の違いからファラデー素子に歪みを与
え、これがために特性を悪化させ′るおそれがあるもの
となっている。更に、ファラデー素子の外周に超電導物
質を蒸着したり、塗布後焼結する方法では、高温、多湿
など悪環境の下では超電導物質(薄膜)が剥離するおそ
れがあるものとなっている。
本発明の目的は、小形で安定した性能を有する光アイソ
レータを供するにある。
レータを供するにある。
上記目的は、ファラデー素子と磁石を一体化されたもの
として構成するが、中心部がファラデー効果を有する物
質、外周部が超電導材料の傾斜機能材料として構成する
ことで達成される。
として構成するが、中心部がファラデー効果を有する物
質、外周部が超電導材料の傾斜機能材料として構成する
ことで達成される。
超電導物質のコイルとファラデー素子が一体化された円
筒形の傾斜機能材料として構成されるようにしたもので
ある。側面部の超電導物質が円環状コイルとして機能す
ることによって、中心部のファラデー素子を磁化させる
ことから、光アイソレータ全体の小形化が図れるもので
ある。また、周囲の温度が急激に変化したり、高温多湿
などの悪環境下においても、ファラデー素子には歪みが
与えられないばかりか、コイルとファラデー素子は剥離
されないので、安定した性能を有する光アイソレータが
得られるものである。
筒形の傾斜機能材料として構成されるようにしたもので
ある。側面部の超電導物質が円環状コイルとして機能す
ることによって、中心部のファラデー素子を磁化させる
ことから、光アイソレータ全体の小形化が図れるもので
ある。また、周囲の温度が急激に変化したり、高温多湿
などの悪環境下においても、ファラデー素子には歪みが
与えられないばかりか、コイルとファラデー素子は剥離
されないので、安定した性能を有する光アイソレータが
得られるものである。
以下、本発明を第1図により説明する。
第1図は本発明による光アイソレータをその外部周辺に
配される光学系とともに示したものである。図中11は
半導体レーザ、12.13はレンズ、14は光ファイバ
、15.16は方位角を互いに45°傾けた偏光子、1
7は中心部がファラデー素子、側面部が超電導物質の円
筒形傾斜機能材料である。円筒形傾斜機能材料17の側
面部の超電導物質が円環状コイルとして機能し、中心部
のファラデー素子を磁化させることによって、ファラデ
ー素子を直線偏光が通過する際に、その偏光面が45°
回転されるものとなっている。したがって、光アイソレ
ータとしての動作や機能は、何等これまでのものと異な
るところはないが、ファラデー素子と円環状コイルの一
体化によって、その分光アイソレータ全体としての小形
化が図れるものである。
配される光学系とともに示したものである。図中11は
半導体レーザ、12.13はレンズ、14は光ファイバ
、15.16は方位角を互いに45°傾けた偏光子、1
7は中心部がファラデー素子、側面部が超電導物質の円
筒形傾斜機能材料である。円筒形傾斜機能材料17の側
面部の超電導物質が円環状コイルとして機能し、中心部
のファラデー素子を磁化させることによって、ファラデ
ー素子を直線偏光が通過する際に、その偏光面が45°
回転されるものとなっている。したがって、光アイソレ
ータとしての動作や機能は、何等これまでのものと異な
るところはないが、ファラデー素子と円環状コイルの一
体化によって、その分光アイソレータ全体としての小形
化が図れるものである。
ここで、本発明に係る超電導体および傾斜機能材料につ
いて一般的に説明すれば以下のようである。
いて一般的に説明すれば以下のようである。
即ち、超電導体は、当初単一金属、たとえば水銀、アル
ミニウム、亜鉛などにってい検討されたが、いずれも臨
界温度が液体ヘリウムの沸点(4,2K)近傍であり、
実用上問題があることは否めなかったものである。しか
しながら、その後、合金、炭化物、窒化物などについて
検討され、最近ではイツトリウム・バリウム・銅酸化物
、ビスマス・カルシュラム・ス1〜ロンチュウム・銅酸
化物など、ペロジスカイ1〜型の結晶構造をもつセラミ
ックスについても検討されるようになっている。
ミニウム、亜鉛などにってい検討されたが、いずれも臨
界温度が液体ヘリウムの沸点(4,2K)近傍であり、
実用上問題があることは否めなかったものである。しか
しながら、その後、合金、炭化物、窒化物などについて
検討され、最近ではイツトリウム・バリウム・銅酸化物
、ビスマス・カルシュラム・ス1〜ロンチュウム・銅酸
化物など、ペロジスカイ1〜型の結晶構造をもつセラミ
ックスについても検討されるようになっている。
これらペロブスカイト型結晶構造のセラミックスでは、
臨界温度が液体窒素の沸点(77,4K )まで高めら
れることが確認され、室温、更には室温以上で超電導現
象を示す物質発見の可能性があることは否定し得ないも
のとなっている。
臨界温度が液体窒素の沸点(77,4K )まで高めら
れることが確認され、室温、更には室温以上で超電導現
象を示す物質発見の可能性があることは否定し得ないも
のとなっている。
ところで、超電導体の特性を示すパラメータとしては臨
界温度ばかりでなく、臨界磁場(超電導現象が崩れる磁
場の強さ)、臨界電流密度も重要なものとなっている。
界温度ばかりでなく、臨界磁場(超電導現象が崩れる磁
場の強さ)、臨界電流密度も重要なものとなっている。
ペロブスカイト型セラミックスでは臨界電流密度が小さ
いとされていたが、最近では改善され103A/cd程
度のものが得られるようになっている。また、薄膜にす
ると105A/dが得られたとの報告(iBMワトソン
研究所)も行なわれており、多層膜にすれば、臨界電流
密度は更に」二昇するものとなっている。
いとされていたが、最近では改善され103A/cd程
度のものが得られるようになっている。また、薄膜にす
ると105A/dが得られたとの報告(iBMワトソン
研究所)も行なわれており、多層膜にすれば、臨界電流
密度は更に」二昇するものとなっている。
一方、臨界磁場に関しては、現在までに1テスラ程度の
ものが得られており、問題ないと考えられている。
ものが得られており、問題ないと考えられている。
因みに、ペロブスカイト型超電導体セラミックスの製法
は、チタン酸バリウム、ジルコン酸鉛なと圧電体セラミ
ックスと類似の方法で行なえる。
は、チタン酸バリウム、ジルコン酸鉛なと圧電体セラミ
ックスと類似の方法で行なえる。
即ち、原料の秤量→混合・粉末の均質化→仮焼(粉末状
での加熱)→粉末の均質化→成型→焼結の手順で行なえ
ばよいものである。その薄膜化には蒸着や、スパッタ、
CVDなどの方法が採られるが、特にスパッタ方法では
、上記の超電導体セラミックスをターゲットとして用い
れば、ターゲラ1〜とほぼ同一組成の薄膜が得られるも
のとなっている。
での加熱)→粉末の均質化→成型→焼結の手順で行なえ
ばよいものである。その薄膜化には蒸着や、スパッタ、
CVDなどの方法が採られるが、特にスパッタ方法では
、上記の超電導体セラミックスをターゲットとして用い
れば、ターゲラ1〜とほぼ同一組成の薄膜が得られるも
のとなっている。
また、超電導体セラミックス、または単結晶の材質とし
ては、Y−Ba−Cu−0系セラミツクスが考えられる
が、他の超電導体セラミックスでもよい。たとえば、Y
の代わりにSc、ランタノイド、アクチノイド、B、A
Q、Ga、In、TQを、Baの代わりにB e J
Mg、 Cu + S r + Ra + Z n。
ては、Y−Ba−Cu−0系セラミツクスが考えられる
が、他の超電導体セラミックスでもよい。たとえば、Y
の代わりにSc、ランタノイド、アクチノイド、B、A
Q、Ga、In、TQを、Baの代わりにB e J
Mg、 Cu + S r + Ra + Z n。
Cd、Hgを、Cuの代わりに、Ag、 Au、 Li
、 Na+に、Rb、Ce、Fr、Hfを用いたものや
、Nb系、あるいはそれらと非超電導材料の混合物でも
よい。
、 Na+に、Rb、Ce、Fr、Hfを用いたものや
、Nb系、あるいはそれらと非超電導材料の混合物でも
よい。
さて、ファラデー素子の材質に関しては、半導体レーザ
の光発振波長が1.3μm以上の長波長帯ではYIG単
結晶か、また、短波長帯(0,8μm帯)では希土類イ
オンを含む常磁性ガラスなど種々のガラスが用いられる
ようになっている。ここで、傾斜機能材料について説明
すれば、傾斜機能材料とは、表と裏でまったく性能が異
なり、表から裏へ向かって徐々にその性質が変化する材
料一般をいう。たとうば一方の側がセラミックス、他方
の側が金属の性質をもち、その間での組成や構造が連続
的に変化する材料をいう。このような材料は、2つの材
料の特徴を生かせる上に、2種類の異なった材料の貼り
合せがないので壊れにくく、小形軽量となっている。し
たがって、超耐熱性が要求される航空、宇宙、核融合分
野、耐放射性が要求される原子力分野、電気的、光学的
な特性が要求されるエレクトロニクス分野、医学分野な
ど広い応用が期待されるものとなっている。以上では、
板状のものについて説明してきたが、球状9円筒形状の
ものが必要な場合には、表面と中心部で材質の異なった
傾斜機能材料が考えられることは明らかである。本発明
では、中心部がファラデー効果を有する物質、側面が超
電導物質の円筒形状傾斜機能材料が用いられているわけ
である。
の光発振波長が1.3μm以上の長波長帯ではYIG単
結晶か、また、短波長帯(0,8μm帯)では希土類イ
オンを含む常磁性ガラスなど種々のガラスが用いられる
ようになっている。ここで、傾斜機能材料について説明
すれば、傾斜機能材料とは、表と裏でまったく性能が異
なり、表から裏へ向かって徐々にその性質が変化する材
料一般をいう。たとうば一方の側がセラミックス、他方
の側が金属の性質をもち、その間での組成や構造が連続
的に変化する材料をいう。このような材料は、2つの材
料の特徴を生かせる上に、2種類の異なった材料の貼り
合せがないので壊れにくく、小形軽量となっている。し
たがって、超耐熱性が要求される航空、宇宙、核融合分
野、耐放射性が要求される原子力分野、電気的、光学的
な特性が要求されるエレクトロニクス分野、医学分野な
ど広い応用が期待されるものとなっている。以上では、
板状のものについて説明してきたが、球状9円筒形状の
ものが必要な場合には、表面と中心部で材質の異なった
傾斜機能材料が考えられることは明らかである。本発明
では、中心部がファラデー効果を有する物質、側面が超
電導物質の円筒形状傾斜機能材料が用いられているわけ
である。
以上説明したように本発明によれば、以下に記載のよう
な効果が得られることになる。
な効果が得られることになる。
i)中心部がファラデー素子、側面部が超電尋物質の円
筒形傾斜機能材料を用いているので、光アイソレータの
小形化が図れる。
筒形傾斜機能材料を用いているので、光アイソレータの
小形化が図れる。
■)上記の傾斜機能材料を用いているため、ファラデー
素子と超電導物質の熱膨張係数の違いが緩和される結果
、周囲の′Q度が急激に変化してもファラデー素子に歪
みが与えられることはない。
素子と超電導物質の熱膨張係数の違いが緩和される結果
、周囲の′Q度が急激に変化してもファラデー素子に歪
みが与えられることはない。
■)上記の傾斜機能材料を用いているため、高温多湿な
ど悪環境下においても、ファラデー素子と超電導物質と
が剥離されることはない。
ど悪環境下においても、ファラデー素子と超電導物質と
が剥離されることはない。
第1図は本発明による光アイソレータを外部光学系とと
もに示す図、第2図は従来技術に係る光アイソレータを
外部光学系とともに示す図である。 15、16・・・偏光子、17・・・中心部がファラデ
ー素子、側面部が超電導物質の円筒形傾斜機能材料。 特許出願人 日立湘南電子株式会社代理人弁理士
秋 本 正 実 (外1名) 21−−一 羊導右トレーす。 22 23−−−レンで゛ フ 24−m−光フアイ7、・・ 2526−−−傷光j 27−−−フアラデニ傳rケ 28−一一氷、久碗石
もに示す図、第2図は従来技術に係る光アイソレータを
外部光学系とともに示す図である。 15、16・・・偏光子、17・・・中心部がファラデ
ー素子、側面部が超電導物質の円筒形傾斜機能材料。 特許出願人 日立湘南電子株式会社代理人弁理士
秋 本 正 実 (外1名) 21−−一 羊導右トレーす。 22 23−−−レンで゛ フ 24−m−光フアイ7、・・ 2526−−−傷光j 27−−−フアラデニ傳rケ 28−一一氷、久碗石
Claims (1)
- 1、入射された直線偏光の方位角をファラデー効果によ
り45度回転させて出射するファラデー素子と、該ファ
ラデー素子から出射された直線偏光を透過し、これと垂
直な偏光面をもつ直線偏光を分離する偏光子と、該ファ
ラデー素子を磁化させる装置(磁石)とで構成される光
アイソレータにおいて、該磁化させる装置を超電導物質
の円環状コイルとし、しかも該ファラデー素子と該超電
導物質の円環状コイルを一体化して、中心部がファラデ
ー素子、側面部が超電導物質の円筒形傾斜機能材料とし
て構成したことを特徴とする光アイソレータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10871190A JPH047514A (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 光アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10871190A JPH047514A (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 光アイソレータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH047514A true JPH047514A (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=14491658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10871190A Pending JPH047514A (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 光アイソレータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH047514A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017045057A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 国立大学法人室蘭工業大学 | ファラデー回転子、磁気光学デバイス及び光アイソレータ |
-
1990
- 1990-04-26 JP JP10871190A patent/JPH047514A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017045057A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 国立大学法人室蘭工業大学 | ファラデー回転子、磁気光学デバイス及び光アイソレータ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0408251B1 (en) | Apparatus comprising a magneto-optic isolator utilizing a garnet layer | |
JP5792832B2 (ja) | 光アイソレータ | |
CA1115396A (en) | Ferrimagnetic faraday elements for ring lasers | |
JP2023039976A (ja) | 光アイソレータ用ファラディ回転子 | |
WO2002014939A1 (fr) | Dispositif de rotation faraday et dispositif optique renfermant celui-ci | |
JPH047514A (ja) | 光アイソレータ | |
JPS60184225A (ja) | 光フアイバ型アイソレ−タ | |
US6483645B1 (en) | Garnet crystal for Faraday rotator and optical isolator having the same | |
JP2565945B2 (ja) | 光アイソレータ | |
WO2022230528A1 (ja) | 光アイソレータ | |
US6031654A (en) | Low magnet-saturation bismuth-substituted rare-earth iron garnet single crystal film | |
JPS61292613A (ja) | フアラデ−回転子及びその製造方法 | |
JP2000221448A (ja) | 光アイソレータ | |
JP2535159Y2 (ja) | 光アイソレータ | |
JP2000241766A (ja) | 光アイソレータ、ファラデー回転素子、硬磁性ガーネット厚膜材料およびその製造方法 | |
JP2000298247A (ja) | 光アイソレータ及び非可逆相反部品 | |
JP2000075244A (ja) | 光アイソレータ | |
JPS6126019A (ja) | 光アイソレ−タ | |
JPH03137615A (ja) | 光アイソレータの製造方法 | |
JPS60208730A (ja) | フアラデ−回転素子 | |
JP2003222824A (ja) | 光アイソレータ | |
JPH0212121A (ja) | アイソレータ | |
JPH01261616A (ja) | 光アイソレータ | |
JP2000235166A (ja) | 非可逆相反部品 | |
JP2006267434A (ja) | 光アイソレータおよびその製造方法 |