JPH0473717A - 光導波膜の製造方法 - Google Patents
光導波膜の製造方法Info
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- JPH0473717A JPH0473717A JP18540390A JP18540390A JPH0473717A JP H0473717 A JPH0473717 A JP H0473717A JP 18540390 A JP18540390 A JP 18540390A JP 18540390 A JP18540390 A JP 18540390A JP H0473717 A JPH0473717 A JP H0473717A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、光通信、光信号処理、光計測用導波型光部品
などに使用される光導波膜、さらに詳しくは、レーザお
よび光増幅器に用いられる希土類添加石英系ガラス光導
波膜の製造方法に関する。
などに使用される光導波膜、さらに詳しくは、レーザお
よび光増幅器に用いられる希土類添加石英系ガラス光導
波膜の製造方法に関する。
[従来の技術1
気相法で作製した希土類添加酸化物ガラス光導波膜は、
光損失が小さいことから、レーザ・光増幅器などの導波
型光部品として利用されている。
光損失が小さいことから、レーザ・光増幅器などの導波
型光部品として利用されている。
とりわけ、光通信波長帯にレーザ遷移波長を持つエルビ
ウム(Er、1.5μm帯)やネオジミウム(Nd、1
.3μm帯)を添加した光導波膜を用い、多数の光部品
が実現されている。
ウム(Er、1.5μm帯)やネオジミウム(Nd、1
.3μm帯)を添加した光導波膜を用い、多数の光部品
が実現されている。
従来、これらの希土類イオンを添加した光導波膜は、火
炎堆積液浸法で作製した先導波膜を用い、パターニング
技術を駆使して製造されていた。
炎堆積液浸法で作製した先導波膜を用い、パターニング
技術を駆使して製造されていた。
この火炎堆積液浸法は、第5図に示すように、まず、ガ
ラス原料の四塩化珪素、三塩化リン、三塩化ホウ素、四
塩化ゲルマニウムなどを酸水素バーナに供給し、酸水素
炎により火炎加水分解し、酸化物ガラス微粒子からなる
多孔質ガラス膜をシリコンなどの基板上に堆積させてス
ート膜を形成する。次に、このスート膜が後工程として
の浸工程で壊れないように、適当な温度でスート膜を仮
焼結し、焼結反応をある程度進行させる。次に、仮焼結
膜を塩化エルビウム等の希土類化合物溶液に浸し、その
後膜を溶液から取り出して乾燥した後、続いてこの液浸
膜を酸素含有雰囲気で加熱、透明ガラス化して、希土類
イオンを添加した石英系ガラス光導波膜を得る。
ラス原料の四塩化珪素、三塩化リン、三塩化ホウ素、四
塩化ゲルマニウムなどを酸水素バーナに供給し、酸水素
炎により火炎加水分解し、酸化物ガラス微粒子からなる
多孔質ガラス膜をシリコンなどの基板上に堆積させてス
ート膜を形成する。次に、このスート膜が後工程として
の浸工程で壊れないように、適当な温度でスート膜を仮
焼結し、焼結反応をある程度進行させる。次に、仮焼結
膜を塩化エルビウム等の希土類化合物溶液に浸し、その
後膜を溶液から取り出して乾燥した後、続いてこの液浸
膜を酸素含有雰囲気で加熱、透明ガラス化して、希土類
イオンを添加した石英系ガラス光導波膜を得る。
この火炎堆積液浸法によれば、Er、Ndなどの希土類
イオンを約5000ppmまで添加した石英系光導波膜
を製造することが可能である。
イオンを約5000ppmまで添加した石英系光導波膜
を製造することが可能である。
[発明が解決しようとする課題1
しかしながら、上述の火炎堆積液浸法で作製した光導波
路は、波長の4乗分の1に比例する散乱損失のため、短
波長域の伝搬損失が太き(、励起光の吸収効率が低いと
いう欠点があった。例えば、3000ppmのErを添
加した先導波路では、波長0.98μmの吸収損失が0
.3dB/cmであるのに対して、散乱損失が0.9d
B/amと大きかった。この原因は、液浸膜がガラス微
粒子の隙間に希土類化合物微粒子を含有する状態にあり
、希土類イオン濃度の不均一状態が透明化後まで光導波
膜中に残存して微小な散乱体となるためと考えられる。
路は、波長の4乗分の1に比例する散乱損失のため、短
波長域の伝搬損失が太き(、励起光の吸収効率が低いと
いう欠点があった。例えば、3000ppmのErを添
加した先導波路では、波長0.98μmの吸収損失が0
.3dB/cmであるのに対して、散乱損失が0.9d
B/amと大きかった。この原因は、液浸膜がガラス微
粒子の隙間に希土類化合物微粒子を含有する状態にあり
、希土類イオン濃度の不均一状態が透明化後まで光導波
膜中に残存して微小な散乱体となるためと考えられる。
また、このように短波長域の散乱損失が大きい光導波膜
を用いて、レーザや光増幅器を動作する場合には、lW
以上の大きな励起光強度が必要であり、励起光源として
高出力レーザを用いる必要もあった。
を用いて、レーザや光増幅器を動作する場合には、lW
以上の大きな励起光強度が必要であり、励起光源として
高出力レーザを用いる必要もあった。
本発明の目的は、散乱損失が小さく、レーザ。
光増幅器などの光部品の特性向上に寄与し得る光導波膜
の製造方法を提供することにある。
の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段j
本発明は、上述の技術的課題を解決するために、少なく
とも1種の希土類有機化合物を含むガラス原料を酸水素
炎により加水分解して酸化物ガラス微粒子からなる多孔
質ガラス膜を基体上に堆積させ、該多孔質ガラス膜を高
温で加熱して透明化することを特徴とする。
とも1種の希土類有機化合物を含むガラス原料を酸水素
炎により加水分解して酸化物ガラス微粒子からなる多孔
質ガラス膜を基体上に堆積させ、該多孔質ガラス膜を高
温で加熱して透明化することを特徴とする。
本発明に用いられる希土類有機化合物としては、
般式Ln(RCOCHCOR’)s (ここでLnは希
土類元素、R,R’はアルキル基、但し水素原子の一部
もしくは全部をフッ素原子で置換したものを含む)で表
わされる希土類βジケトン化合物をはじめ、いかなる希
土類有機化合物を挙げることができる。
土類元素、R,R’はアルキル基、但し水素原子の一部
もしくは全部をフッ素原子で置換したものを含む)で表
わされる希土類βジケトン化合物をはじめ、いかなる希
土類有機化合物を挙げることができる。
希土類βジケトン化合物としては、揮発性を有し、昇華
により輸送可能なものが好適に用いられ、具体的には2
,2,6.6−チトラメチルー3,5−へブタンジオン
エルビウム(以下、ER(DPM) aという) 、N
d (DPM) s、1,1,1.5,5.5−へキサ
フロロ−2,4−ペンタンジオンエルビウム(以下、E
r(HFA)3という)などを挙げることができる。
により輸送可能なものが好適に用いられ、具体的には2
,2,6.6−チトラメチルー3,5−へブタンジオン
エルビウム(以下、ER(DPM) aという) 、N
d (DPM) s、1,1,1.5,5.5−へキサ
フロロ−2,4−ペンタンジオンエルビウム(以下、E
r(HFA)3という)などを挙げることができる。
また、本発明に用いられるガラス原料としては、例えば
四塩化珪素、三塩化リン、三塩化ホウ素、四塩化ゲルマ
ニウムなどが好適である。
四塩化珪素、三塩化リン、三塩化ホウ素、四塩化ゲルマ
ニウムなどが好適である。
そして、ガラス原料に対する上述の希土類有機化合物の
混合割合は、最終的に得られる光導波膜に要求される特
性等に見合う希土類有機化合物の添加濃度、上述の混合
原料の種類などの条件を加味して決められる。
混合割合は、最終的に得られる光導波膜に要求される特
性等に見合う希土類有機化合物の添加濃度、上述の混合
原料の種類などの条件を加味して決められる。
[作 用1
本発明によれば、揮発性を有する希土類βジケトン化合
物原料を昇華させ、この昇華物をガラス原料と共に混合
し、分子レベルで均質な原料蒸気を酸水素バーナに供給
し、酸水素炎中で加水分解させる。このため、希土類イ
オンが均一に添加された酸化物ガラス微粒子を基板上に
堆積させることができ、これを透明ガラス化することに
より、高濃度の希土類元素が均質に分散されたきわめて
光学的に高品質の光導波膜を製造することができる。
物原料を昇華させ、この昇華物をガラス原料と共に混合
し、分子レベルで均質な原料蒸気を酸水素バーナに供給
し、酸水素炎中で加水分解させる。このため、希土類イ
オンが均一に添加された酸化物ガラス微粒子を基板上に
堆積させることができ、これを透明ガラス化することに
より、高濃度の希土類元素が均質に分散されたきわめて
光学的に高品質の光導波膜を製造することができる。
[実施例1
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
第1図に本発明の方法を模式的に示す。
第1図において符号1はガラス原料供給部であり、符号
2は希土類有機化合物供給部であり、符号3は酵素、水
素供給部である。これら各供給部1.2.3は、図示し
ないキャリアガス供給部に接続されているとともに、ガ
ラス原料供給配管系IA、希土類有機化合物供給配管系
2A、酸素、水素供給配管系3Aを介して酸水素バーナ
4に接続されている。この酸水素バーナ4は基板(基体
)5の主面に向けられた状態で図示しない基台に固定さ
れている。
2は希土類有機化合物供給部であり、符号3は酵素、水
素供給部である。これら各供給部1.2.3は、図示し
ないキャリアガス供給部に接続されているとともに、ガ
ラス原料供給配管系IA、希土類有機化合物供給配管系
2A、酸素、水素供給配管系3Aを介して酸水素バーナ
4に接続されている。この酸水素バーナ4は基板(基体
)5の主面に向けられた状態で図示しない基台に固定さ
れている。
次に、このような構成の製造装置を用いた本発明の光導
波膜の製造方法の一例を説明する。
波膜の製造方法の一例を説明する。
まず、希土類有機化合物供給部2においてEr (DP
M) 、などの希土類有機化合物原料は室温以上350
℃以下の温度で昇華され、ガラス原料供給部1において
四塩化珪素などのガラス原料はバブリングされて蒸発せ
しめられる。
M) 、などの希土類有機化合物原料は室温以上350
℃以下の温度で昇華され、ガラス原料供給部1において
四塩化珪素などのガラス原料はバブリングされて蒸発せ
しめられる。
次いで、これら両原料はキャリアガスによりそれぞれの
供給配管系IA、 2Aを経て酸水素バーナ4に供給さ
れる。この酸水素バーナ4において、両原料は酸水素炎
により火炎加水分解されて、シリコン等からなる基板5
の主面上に酸化物ガラス微粒子からなる多孔質ガラス膜
が堆積せしめられる。
供給配管系IA、 2Aを経て酸水素バーナ4に供給さ
れる。この酸水素バーナ4において、両原料は酸水素炎
により火炎加水分解されて、シリコン等からなる基板5
の主面上に酸化物ガラス微粒子からなる多孔質ガラス膜
が堆積せしめられる。
次に、形成された多孔質ガラス膜を約1400℃程度の
高温で加熱して透明ガラス化して、目的の光導波膜を形
成する。
高温で加熱して透明ガラス化して、目的の光導波膜を形
成する。
以下、実験例を示す。
(実験例1)
原料としてEr (DPM) 3を用い、Er添加石英
系光導波膜および光導波路の作製実験を行った。
系光導波膜および光導波路の作製実験を行った。
まず、シリコン基板上に火炎堆積法で希土類元素の添加
されていないバッファ層(膜厚30μm)を形成した。
されていないバッファ層(膜厚30μm)を形成した。
次に、光の導波されるコア層を本発明の方法により形成
した。すなわち、アルゴンガスを、バブリングして輸送
した四塩化珪素および三塩化リンと、175℃で昇華さ
せ、この昇華物をアルゴンガスで輸送したEr (DP
M) sの飽和蒸気と共に酸水素バーナに供給し、バッ
ファ層の上にガラス微粒子を堆積させた。その後140
0℃に加熱して透明ガラス化し、Er添加濃度3000
ppm 、厚さ6μm、比屈折率差0.4%のコア層を
有する光導波膜を作製した。さらに、LSI製造に用い
られるものと同様のフォトリングラフ工程によりコア層
をパターン化し、再び火炎堆積法で希土類元素の添加さ
れていないオーバクラッド層(膜厚30μm)を形成し
、導波路幅8μmの埋め込み導波路を作製した。
した。すなわち、アルゴンガスを、バブリングして輸送
した四塩化珪素および三塩化リンと、175℃で昇華さ
せ、この昇華物をアルゴンガスで輸送したEr (DP
M) sの飽和蒸気と共に酸水素バーナに供給し、バッ
ファ層の上にガラス微粒子を堆積させた。その後140
0℃に加熱して透明ガラス化し、Er添加濃度3000
ppm 、厚さ6μm、比屈折率差0.4%のコア層を
有する光導波膜を作製した。さらに、LSI製造に用い
られるものと同様のフォトリングラフ工程によりコア層
をパターン化し、再び火炎堆積法で希土類元素の添加さ
れていないオーバクラッド層(膜厚30μm)を形成し
、導波路幅8μmの埋め込み導波路を作製した。
このようにして作製されたEr添加石英系光導波路(実
施例)の損失波長特性を第2図にl/λ4表示で示した
。比較のため、従来法である火炎堆積液浸法による光導
波路(従来例)の特性結果も破線で示した。波長0.8
0μm 、 0.98μmおよび1.55/LmにEr
イオンに起因する吸収が見られる。0.98μmにおけ
る吸収損失から、これらの光導波膜側こは300.Op
pmのErイオンが添加されたことが判る。
施例)の損失波長特性を第2図にl/λ4表示で示した
。比較のため、従来法である火炎堆積液浸法による光導
波路(従来例)の特性結果も破線で示した。波長0.8
0μm 、 0.98μmおよび1.55/LmにEr
イオンに起因する吸収が見られる。0.98μmにおけ
る吸収損失から、これらの光導波膜側こは300.Op
pmのErイオンが添加されたことが判る。
波長1.55μmの損失は、作製方法に依らず、0.7
dB/cmであり、Erイオンの吸収損失が0.5dB
/Cm、先導波路の散乱損失が0.2dB/Cmであっ
た。短波長領域では、火炎堆積液浸法で作製した先導波
路は、波長の4乗分の1に比例する散乱損失のため光損
失が大きい。一方、本発明の方法による光導波路(実施
例)では短波長域の損失増加は見られない。これは、本
発明の方法による光導波路にはErイオンが極めて均質
に添加されていることを示している。
dB/cmであり、Erイオンの吸収損失が0.5dB
/Cm、先導波路の散乱損失が0.2dB/Cmであっ
た。短波長領域では、火炎堆積液浸法で作製した先導波
路は、波長の4乗分の1に比例する散乱損失のため光損
失が大きい。一方、本発明の方法による光導波路(実施
例)では短波長域の損失増加は見られない。これは、本
発明の方法による光導波路にはErイオンが極めて均質
に添加されていることを示している。
上述した本発明の方法によるEr添加石英系光導波路(
実施例)における1、535μm帯蛍光強度の励起光(
アルゴンレーザ、波長0.515μm)強度依存性を第
3図に示した。比較のため、火炎堆積液浸法による光導
波路(従来例)の結果も示した。
実施例)における1、535μm帯蛍光強度の励起光(
アルゴンレーザ、波長0.515μm)強度依存性を第
3図に示した。比較のため、火炎堆積液浸法による光導
波路(従来例)の結果も示した。
第3図から明らかなように、実施例の光導波路は比較例
に比べて10倍の蛍光強度を示した。
に比べて10倍の蛍光強度を示した。
実施例のEr添加石英系光導波路は散乱損失の小さいか
ら、低出力の励起光によっても強い蛍光を発生させるこ
とが可能となる。従って、本発明の方法は、Er添加石
英系導波型レーザや光増幅器の特性向上に有効である。
ら、低出力の励起光によっても強い蛍光を発生させるこ
とが可能となる。従って、本発明の方法は、Er添加石
英系導波型レーザや光増幅器の特性向上に有効である。
(実験例2)
ErをNdに替えた原料を用いた外は、実験例1と同様
に光導波膜および光導波路の作製およびこれらの光導波
膜等を用いたレーザ発振実験を行った。Nd原料として
Nd (DPM) lを用い、175℃で昇華させ、N
d添加濃度3000ppm 、導波路幅84zm、厚さ
6μm、比屈折率差0.4%のコアを有する埋め込み光
導波路を作製した。この先導波路(導波路長10mm)
の両端面に誘電体多層膜ミラー(励起先入射面: 1.
05μmにおける反射率99%、レーザ光出射画工反射
率95%)を蒸着し、波長0.81μmの半導体レーザ
で励起して、1.05μmレーザ発振実験を行った。
に光導波膜および光導波路の作製およびこれらの光導波
膜等を用いたレーザ発振実験を行った。Nd原料として
Nd (DPM) lを用い、175℃で昇華させ、N
d添加濃度3000ppm 、導波路幅84zm、厚さ
6μm、比屈折率差0.4%のコアを有する埋め込み光
導波路を作製した。この先導波路(導波路長10mm)
の両端面に誘電体多層膜ミラー(励起先入射面: 1.
05μmにおける反射率99%、レーザ光出射画工反射
率95%)を蒸着し、波長0.81μmの半導体レーザ
で励起して、1.05μmレーザ発振実験を行った。
その結果、短波長域における損失増の少ない高品質な光
導波路が得られた。励起波長0.80μmにおけるNd
吸収損失3.1dB/amに対して、散乱損失は0、3
dB/cmと小さく、また、発振波長1.05gmにお
いても散乱損失0.2dB/cmと低損失であった。発
振実験の結果を第4図に示す。第4図より、発振閾値が
10mWと小さく、スロープ効率が10%と高い良好な
特性を示しているのが明らかである。
導波路が得られた。励起波長0.80μmにおけるNd
吸収損失3.1dB/amに対して、散乱損失は0、3
dB/cmと小さく、また、発振波長1.05gmにお
いても散乱損失0.2dB/cmと低損失であった。発
振実験の結果を第4図に示す。第4図より、発振閾値が
10mWと小さく、スロープ効率が10%と高い良好な
特性を示しているのが明らかである。
本実施例におけるNd添加石英系先導波路は、散乱損失
の小さいことから発振閾値が小さく、効率の高いレーザ
な実現できることが判明した。従って、本発明の方法は
、Nd添加石英系導波型レーザや光増幅器の特性向上に
極めて有効である。
の小さいことから発振閾値が小さく、効率の高いレーザ
な実現できることが判明した。従って、本発明の方法は
、Nd添加石英系導波型レーザや光増幅器の特性向上に
極めて有効である。
なお、上述の実験例1,2では、希土類原料としてEr
(DPM)s、 Nd(DPM)iを使用したが、本発
明に用いられる希土類有機化合物は上述したようにこれ
らに限定されるものではなく、イッテルビウム、ホロニ
ウムなど他の希土類元素を含む有機化合物であっても良
く、また、同じ(βジケトン化合物に属する1、1,1
,5,5.5−へキサフロロ−2,4−ペンタンジオン
エルビウムEr (HFA) sなどのように揮発性を
有し、昇華により輸送可能な希土類βジケトン化合物を
はじめ、いかなる希土類有機化合物であっても使用でき
るのは明らかである。
(DPM)s、 Nd(DPM)iを使用したが、本発
明に用いられる希土類有機化合物は上述したようにこれ
らに限定されるものではなく、イッテルビウム、ホロニ
ウムなど他の希土類元素を含む有機化合物であっても良
く、また、同じ(βジケトン化合物に属する1、1,1
,5,5.5−へキサフロロ−2,4−ペンタンジオン
エルビウムEr (HFA) sなどのように揮発性を
有し、昇華により輸送可能な希土類βジケトン化合物を
はじめ、いかなる希土類有機化合物であっても使用でき
るのは明らかである。
強度の関係を示す特性図、
第5図は従来の希土類添加光導波膜の作製法である液浸
法の工程図である。
法の工程図である。
[発明の効果1
以上示したように、本発明によれば、散乱損失の小さい
希土類添加石英系光導波膜を作製できるので、レーザ、
光増幅器などの光部品の特性向上に極めて有効である。
希土類添加石英系光導波膜を作製できるので、レーザ、
光増幅器などの光部品の特性向上に極めて有効である。
第1図は本発明の一実施例を説明するための模式図、
第2図は実施例1の方法で作製したエルビウム添加光導
波路の損失波長特性を示す特性図、第3図は本発明の一
実施例によるエルビウム添加光導波路の蛍光強度の励起
光強度依存性を示す特性図、 第4図は本発明の他の実施例によるネオジミウム添加導
波型レーザのレーザ発振光強度と励起光1・・・ガラス
原料供給部、 IA・・・ガラス原料供給配管系、 2・・・希土類有機化合物供給部、 2A・・・希土類有機化合物供給配管系、3・・・酸素
、水素供給部、 3A・・・酸素、水素供給配管系、 4・・・酸水素バーナ、 5・・・基板。
波路の損失波長特性を示す特性図、第3図は本発明の一
実施例によるエルビウム添加光導波路の蛍光強度の励起
光強度依存性を示す特性図、 第4図は本発明の他の実施例によるネオジミウム添加導
波型レーザのレーザ発振光強度と励起光1・・・ガラス
原料供給部、 IA・・・ガラス原料供給配管系、 2・・・希土類有機化合物供給部、 2A・・・希土類有機化合物供給配管系、3・・・酸素
、水素供給部、 3A・・・酸素、水素供給配管系、 4・・・酸水素バーナ、 5・・・基板。
Claims (1)
- 1)少なくとも1種の希土類有機化合物を含むガラス原
料を酸水素炎により加水分解して酸化物ガラス微粒子か
らなる多孔質ガラス膜を基体上に堆積させ、該多孔質ガ
ラス膜を高温で加熱して透明化することを特徴とする光
導波膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18540390A JPH0473717A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 光導波膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18540390A JPH0473717A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 光導波膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0473717A true JPH0473717A (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=16170184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18540390A Pending JPH0473717A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 光導波膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0473717A (ja) |
-
1990
- 1990-07-16 JP JP18540390A patent/JPH0473717A/ja active Pending
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