JPH0472624U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0472624U JPH0472624U JP11692090U JP11692090U JPH0472624U JP H0472624 U JPH0472624 U JP H0472624U JP 11692090 U JP11692090 U JP 11692090U JP 11692090 U JP11692090 U JP 11692090U JP H0472624 U JPH0472624 U JP H0472624U
- Authority
- JP
- Japan
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- cell
- electrode
- gate electrode
- semiconductor device
- longitudinal direction
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例である半導体素子
の平面図、第２図は従来の半導体素子の平面図、
第３図及び第４図は第１図の半導体素子の電極配
置部分の拡大斜視図及びその等価回路図である。 図において、６は半導体基板、７はドレイン電
極、８はソース電極、９はバイアホール、１０は
ゲート電極バツド、１０ａはゲート電極を示す。
の平面図、第２図は従来の半導体素子の平面図、
第３図及び第４図は第１図の半導体素子の電極配
置部分の拡大斜視図及びその等価回路図である。 図において、６は半導体基板、７はドレイン電
極、８はソース電極、９はバイアホール、１０は
ゲート電極バツド、１０ａはゲート電極を示す。
Claims (1)
- ゲート電極をソース電極とドレイン電極ではさ
むように交互に連続して形成した半導体素子にお
いて、１つの連続した上記電極配置をした第１の
セルに対し、同一電極配置された第２のセルが、
第１のセルのゲート電極長手方向の延長線上方向
に第２のセルのゲート電極の長手方向が配するよ
うに各セルが分離されたことを特徴とする半導体
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11692090U JPH0472624U (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11692090U JPH0472624U (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472624U true JPH0472624U (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=31864775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11692090U Pending JPH0472624U (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0472624U (ja) |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP11692090U patent/JPH0472624U/ja active Pending