JPH0463266A - 真空加熱装置 - Google Patents
真空加熱装置Info
- Publication number
- JPH0463266A JPH0463266A JP17418290A JP17418290A JPH0463266A JP H0463266 A JPH0463266 A JP H0463266A JP 17418290 A JP17418290 A JP 17418290A JP 17418290 A JP17418290 A JP 17418290A JP H0463266 A JPH0463266 A JP H0463266A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holding part
- heating
- heating material
- chamber
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、真空中で加熱物を加熱して熱処理する真空加
熱装置に関する。
熱装置に関する。
従来の真空加熱装置は、真空ポンプを備えるチェンバー
の中に加熱物を収納し、その周囲に配置された抵抗加熱
ヒーターや高周波加熱ヒーターにより、加熱物を加熱す
る構造を有する。 通常、ヒーターの周りには反射板が配置され、ヒーター
から発生した熱が効率よく加熱物に照射されるよう設計
されている。 従来の真空加熱装置の中で、現在最も優れている装置は
、加熱物を最高１２００℃まで加熱した状態で得られる
真空度は最高１０−’Ｔｏｒｒである。 今日における半導体技術や４ＷＩ形成技術の進展に伴い
、材料を超高真空中において高い温度で熱処理する技術
が要求されている。このような技術を生産ラインに適用
する場合、処理サイクルの時間ができるだけ短いことが
要求される。 そのためには例えば、 （ａ）チェンバーを必要な真空
度にまで到達させる時間、 （ｂ）加熱物を必要な温度
まで加熱する時間、 （Ｃ）加熱された加熱物を常温ま
で戻す時間等ができるだけ短いことが必要である。
の中に加熱物を収納し、その周囲に配置された抵抗加熱
ヒーターや高周波加熱ヒーターにより、加熱物を加熱す
る構造を有する。 通常、ヒーターの周りには反射板が配置され、ヒーター
から発生した熱が効率よく加熱物に照射されるよう設計
されている。 従来の真空加熱装置の中で、現在最も優れている装置は
、加熱物を最高１２００℃まで加熱した状態で得られる
真空度は最高１０−’Ｔｏｒｒである。 今日における半導体技術や４ＷＩ形成技術の進展に伴い
、材料を超高真空中において高い温度で熱処理する技術
が要求されている。このような技術を生産ラインに適用
する場合、処理サイクルの時間ができるだけ短いことが
要求される。 そのためには例えば、 （ａ）チェンバーを必要な真空
度にまで到達させる時間、 （ｂ）加熱物を必要な温度
まで加熱する時間、 （Ｃ）加熱された加熱物を常温ま
で戻す時間等ができるだけ短いことが必要である。
しかしながら、前記従来の形式の真空加熱装置の場合、
加熱物を加熱した後、これを室温まで冷却するのに、自
然放冷による冷却が行なわれていたため、１０００℃以
上の温度に加熱された加熱物を室温まで冷却するのに、
数十時間という長い時間がかかっていた。これは、真空
状態に維持されたチェンバーの中では、放熱が輻射によ
るものにのみ限られるのに加え、その周囲に設置された
反射鏡がこの熱輻射を阻むため、単位時間当りの放熱量
が極端に小さいことによる。 そこで、加熱物の加熱後、チェンバーに冷却ガスを導入
し、このガスで加熱物の熱を吸収することも行なわれて
いる。しかしかこの場合は、その都度チェンバーの真空
状態を破って、チェンバーを大気圧に戻さなければなら
ず、再減圧に長い時間を要してしまうという課題があっ
た。 本発明は、前記従来の課題を解消し、加熱物を１０００
℃以上の温度に加熱した後、チェンバーを高真空に維持
したまま、加熱物を短時間で冷却することができる真空
加熱装置を提供することを目的とする。
加熱物を加熱した後、これを室温まで冷却するのに、自
然放冷による冷却が行なわれていたため、１０００℃以
上の温度に加熱された加熱物を室温まで冷却するのに、
数十時間という長い時間がかかっていた。これは、真空
状態に維持されたチェンバーの中では、放熱が輻射によ
るものにのみ限られるのに加え、その周囲に設置された
反射鏡がこの熱輻射を阻むため、単位時間当りの放熱量
が極端に小さいことによる。 そこで、加熱物の加熱後、チェンバーに冷却ガスを導入
し、このガスで加熱物の熱を吸収することも行なわれて
いる。しかしかこの場合は、その都度チェンバーの真空
状態を破って、チェンバーを大気圧に戻さなければなら
ず、再減圧に長い時間を要してしまうという課題があっ
た。 本発明は、前記従来の課題を解消し、加熱物を１０００
℃以上の温度に加熱した後、チェンバーを高真空に維持
したまま、加熱物を短時間で冷却することができる真空
加熱装置を提供することを目的とする。
すなわち、前記目的を達成するため、本発明では、加熱
物ａが収納されるチェンバー１と、該チェンバー１を減
圧する排気手段と、前記加熱物ａを加熱する手段とを備
える真空加熱装置において、耐熱性を有し、加熱物ａを
保持する保持部３と、該保持部３に接触、離間自在に配
置された吸熱ブロック２３と、該吸熱ブロック２３を冷
却する手段とを備える真空加熱装置を提供する。
物ａが収納されるチェンバー１と、該チェンバー１を減
圧する排気手段と、前記加熱物ａを加熱する手段とを備
える真空加熱装置において、耐熱性を有し、加熱物ａを
保持する保持部３と、該保持部３に接触、離間自在に配
置された吸熱ブロック２３と、該吸熱ブロック２３を冷
却する手段とを備える真空加熱装置を提供する。
前記本発明による真空加熱装置では、加熱物ａを加熱す
るとき、この加熱物ａを保持した保持部３から吸熱ブロ
ック２３を離しておく。そして、加熱終了後この吸熱ブ
ロック２３を保持部３に接触させる。すると、保持部３
の熱が吸熱ブロック２３に吸収され、さらに吸熱ブロッ
ク２３を冷却する手段によってこの熱が奪われる。この
ため、加熱物ａが保有する熱が吸熱ブロック２３を介し
て放熱され、チェンバーの真空状態を維持したまま短時
間で加熱物ａを冷却することができる。
るとき、この加熱物ａを保持した保持部３から吸熱ブロ
ック２３を離しておく。そして、加熱終了後この吸熱ブ
ロック２３を保持部３に接触させる。すると、保持部３
の熱が吸熱ブロック２３に吸収され、さらに吸熱ブロッ
ク２３を冷却する手段によってこの熱が奪われる。この
ため、加熱物ａが保有する熱が吸熱ブロック２３を介し
て放熱され、チェンバーの真空状態を維持したまま短時
間で加熱物ａを冷却することができる。
次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について詳
細に説明する。 第１図で示すように、図示の実施例では、加熱物ａが配
置される第一のチェンバー１と、これに隣接する第二の
チェンバー２とを備える。 第一のチェンバー１は、フランジ６を介して排気手段で
あるところのターボ分子ポンプ等の真空ポンプ１８に接
続され、この真空ポンプ１８での排気により、同第−の
チェンバー１の中が減圧される。また、第二のチェンバ
ー２は、円筒形の第一の隔壁１９とこれに連続する第二
の隔壁２０及び前記第一の隔壁１９の上端を塞ぐように
取り付けられた円板状の保持部３とにより、前記第一の
チェンバー１と気密に区画されている。 前記第一のチャンバー１の隔壁及び第二〇チャンバー２
の隔壁１９は、比較的熱伝導良好な例えばアルミニウム
等で形成されており、第二のチャンバー２の隔壁１９は
、これより熱伝導の悪い例えばチタンやステンレス等で
形成されている。第１図と第２図で示された保持部３は
、モリブデン等の導電性高融点材料かなる円板状のもの
で、円筒形の隔壁１９の上端面を閉じるように取り付け
られている。 前記第一のチェンバー１の保持部３の真上に立ち上がっ
た円筒部の上面にフランジ７が形成され、このフランジ
７にガスケットを介して別のフランジ２２が取り付けら
れ、これにスクリューシャフトＩＯが螺合されている。 同スクリューシャフ）１０の上端には、これを手動回転
させるためのハンドル１１が取り付けられ、同シャフ）
１０の下端には、吸熱ブロック２３が取り付けられ、こ
れが保持部３の真上に配置されている。この吸熱ブロッ
ク２３は、アルミニウムや銅等の熱伝導良好な金属で形
成され、スクリューシャフト１０を最も下げたとき、そ
の下面の周囲から下方に突出された先端部分が、保持部
３の周辺部に接触する。スクリューシャフト１０を囲む
ようにしてベローズ９が設けられ、その上端と下端とが
フランジ２２と吸熱ブロック２３に各々固着されている
。これにより、ベローズ９の中は、チェンバー１に対し
て気密に仕切られている。前記フランジ２２に冷却水の
導入パイプ８ａと排出パイプ８ｂとが取り付けられ、こ
れらがベローズ９の中に導入されている。さらに、これ
らパイプ８ ａｓ ８ ｂは、冷却器２１に接続され
ている。チェンバー１の前記保持部３の側方には、ビュ
ーイングボート１２が設けられ、ここで保持部３の状態
を監視することができる。 他方、第二のチェンバー２側には、電源１５で与えられ
る電流により、熱電子を放出する電子銃４が配置されて
おり、電源１５と電子銃４との接続は、チェンバー２の
下端に設けた端子１３．１３’を介して行なわれている
。この電子銃４の下には、負電圧に印加された反射板５
が配置されると共に、前記保持部３は正電圧に維持され
、前記電子銃４との間に加速電圧２４が印加される。こ
れにより前記電子銃４から発射された熱電子は、保持部
３側にのみ放出される。電子銃４から放出された熱電子
が保持部３の下面に入射すると、熱電子の衝撃エネルギ
ーにより、保持部３が加熱される。その時の熱量は、電
子銃４に与えられる電流と電子銃４に対して保持部３に
加えられる加速電圧との積に比例する。 この装置を使用して加熱物ａを加熱する場合は、まず保
持部３の上に加熱物ａを載せ、真空ポンプ１７．１８を
作動させて第一と第二のチェンバー１． ２を各々排気
、減圧する。そして、各々のチェンバー１１２が適当な
真空度に達したとき、電子銃４に電流を流すと共に、保
持部３と電子銃４との間に加速電圧を印加することによ
り、保持部３を電子衝撃により加熱し、その上の加熱物
ａを加熱する。 このとき、吸熱ブロック２３は、第１図及び第２図で示
すように、保持部３から離してお（。 また、ベローズ９の中にパイプ８ａ１８ｂを通して冷却
器２１から冷却水を循環させて、吸熱ブロック２３を予
め冷却しておく。 前記加熱物ａの加熱処理を終わり、これを冷却するとき
は、まず電子銃４への電流の供給を停止し、さらにスク
リューシャフト１１を回転して吸熱ブロック２３を下げ
、これを保持部３に接触させる。すると、加熱物ａ及び
保持部３の熱が吸熱ブロック２３に吸収され、これがベ
ローズ９の中に循環する冷却水に吸収されて、チェンバ
ー１の外の冷却器２１側に送られる。 このため、加熱物ａ及び保持部３の温度が急激に低下し
、これらを室温まで短時間に冷却できる。 第１図に示す装置において、最大径φ７０、厚さ１０ｍ
ｍのモリブデン製保持部３の上に、６０φ、厚さ５ｍｍ
のシリコン製加熱物ａを載せて加熱処理する場合におい
て、第一のチェンバー１を予め１０−” Ｔｏｒｒまで
減圧した状態で保持部３の加熱を開始すると、保持部３
の温度が１２００℃に達するまでに第一のチェンバー１
の真空度は、約１０−７Ｔｏｒｒまで低下する。しかし
、そのまま加熱を続けながら、第一のチェンバー１を減
圧すると、３分程で再び１Ｏ−９Ｔ。 ｒｒの真空度に戻る。さらに、加熱物ａの加熱終了後、
吸熱ブロック２３を保持部３に接触させると、加熱物ａ
を１２００℃から常温まで約５分で冷却することができ
る。 これは、実際の処理サイクルの一例であるが、前記装置
を用いた場合、保持部３を１５００℃まで加熱した状態
で、第一のチェンバー１を、１０−”Ｔｏｒｒの真空度
とすることが可能である。 この場合、第二のチェンバー２は、電子衝撃により、保
持部３を加熱できる程度の１０−’Ｔｏｒｒ以上の真空
度に維持されていればよい。 第３図に、本発明の他の実施例を示す。ここでは、保持
部３′がセラミクスからなる凹形の容器状となっており
、この中に加熱物が収納される。また、熱源としては、
前述のような電子銃の代わりに、主として輻射による熱
伝導手段を用いる場合で、フィラメントは、前記保持部
３′の外側を囲むように形成されている。 本発明は、以上説明した実施例に限られず、例えば、第
二のチェンバー２は、真空ポンプ１７等の排気手段を備
えるものに限らず、電子衝撃により、保持部３を加熱で
きる真空状態が得られれば、例えばガラス等に真空状態
を封じ込めた真空管であってもよい。さらに、加熱物を
加熱する手段は、抵抗加熱や高周波加熱手段でもよ（、
この場合はヒーターを大気中に置くこともできる。吸熱
ブロック２３を冷却する手段も、ベローズ９を用いた冷
却水の循環系を用いているが、例えば、ヒートバイブを
チェンバー１の中に導入して冷却する等、他の冷却手段
を採用しても差し支えない。また、図示の実施例では、
手動操作を前提とする装置に具体化されているが、当然
のことながら、一連の操作が自動化された装置にも適用
できる。 【発明の効果］ 以上説明した通り、本発明によれば、加熱物ａを高温に
加熱した後、これを短時間で冷却することができるため
、処理サイクルを大幅に短縮することが可能な真空加熱
装置を提供することができる。
細に説明する。 第１図で示すように、図示の実施例では、加熱物ａが配
置される第一のチェンバー１と、これに隣接する第二の
チェンバー２とを備える。 第一のチェンバー１は、フランジ６を介して排気手段で
あるところのターボ分子ポンプ等の真空ポンプ１８に接
続され、この真空ポンプ１８での排気により、同第−の
チェンバー１の中が減圧される。また、第二のチェンバ
ー２は、円筒形の第一の隔壁１９とこれに連続する第二
の隔壁２０及び前記第一の隔壁１９の上端を塞ぐように
取り付けられた円板状の保持部３とにより、前記第一の
チェンバー１と気密に区画されている。 前記第一のチャンバー１の隔壁及び第二〇チャンバー２
の隔壁１９は、比較的熱伝導良好な例えばアルミニウム
等で形成されており、第二のチャンバー２の隔壁１９は
、これより熱伝導の悪い例えばチタンやステンレス等で
形成されている。第１図と第２図で示された保持部３は
、モリブデン等の導電性高融点材料かなる円板状のもの
で、円筒形の隔壁１９の上端面を閉じるように取り付け
られている。 前記第一のチェンバー１の保持部３の真上に立ち上がっ
た円筒部の上面にフランジ７が形成され、このフランジ
７にガスケットを介して別のフランジ２２が取り付けら
れ、これにスクリューシャフトＩＯが螺合されている。 同スクリューシャフ）１０の上端には、これを手動回転
させるためのハンドル１１が取り付けられ、同シャフ）
１０の下端には、吸熱ブロック２３が取り付けられ、こ
れが保持部３の真上に配置されている。この吸熱ブロッ
ク２３は、アルミニウムや銅等の熱伝導良好な金属で形
成され、スクリューシャフト１０を最も下げたとき、そ
の下面の周囲から下方に突出された先端部分が、保持部
３の周辺部に接触する。スクリューシャフト１０を囲む
ようにしてベローズ９が設けられ、その上端と下端とが
フランジ２２と吸熱ブロック２３に各々固着されている
。これにより、ベローズ９の中は、チェンバー１に対し
て気密に仕切られている。前記フランジ２２に冷却水の
導入パイプ８ａと排出パイプ８ｂとが取り付けられ、こ
れらがベローズ９の中に導入されている。さらに、これ
らパイプ８ ａｓ ８ ｂは、冷却器２１に接続され
ている。チェンバー１の前記保持部３の側方には、ビュ
ーイングボート１２が設けられ、ここで保持部３の状態
を監視することができる。 他方、第二のチェンバー２側には、電源１５で与えられ
る電流により、熱電子を放出する電子銃４が配置されて
おり、電源１５と電子銃４との接続は、チェンバー２の
下端に設けた端子１３．１３’を介して行なわれている
。この電子銃４の下には、負電圧に印加された反射板５
が配置されると共に、前記保持部３は正電圧に維持され
、前記電子銃４との間に加速電圧２４が印加される。こ
れにより前記電子銃４から発射された熱電子は、保持部
３側にのみ放出される。電子銃４から放出された熱電子
が保持部３の下面に入射すると、熱電子の衝撃エネルギ
ーにより、保持部３が加熱される。その時の熱量は、電
子銃４に与えられる電流と電子銃４に対して保持部３に
加えられる加速電圧との積に比例する。 この装置を使用して加熱物ａを加熱する場合は、まず保
持部３の上に加熱物ａを載せ、真空ポンプ１７．１８を
作動させて第一と第二のチェンバー１． ２を各々排気
、減圧する。そして、各々のチェンバー１１２が適当な
真空度に達したとき、電子銃４に電流を流すと共に、保
持部３と電子銃４との間に加速電圧を印加することによ
り、保持部３を電子衝撃により加熱し、その上の加熱物
ａを加熱する。 このとき、吸熱ブロック２３は、第１図及び第２図で示
すように、保持部３から離してお（。 また、ベローズ９の中にパイプ８ａ１８ｂを通して冷却
器２１から冷却水を循環させて、吸熱ブロック２３を予
め冷却しておく。 前記加熱物ａの加熱処理を終わり、これを冷却するとき
は、まず電子銃４への電流の供給を停止し、さらにスク
リューシャフト１１を回転して吸熱ブロック２３を下げ
、これを保持部３に接触させる。すると、加熱物ａ及び
保持部３の熱が吸熱ブロック２３に吸収され、これがベ
ローズ９の中に循環する冷却水に吸収されて、チェンバ
ー１の外の冷却器２１側に送られる。 このため、加熱物ａ及び保持部３の温度が急激に低下し
、これらを室温まで短時間に冷却できる。 第１図に示す装置において、最大径φ７０、厚さ１０ｍ
ｍのモリブデン製保持部３の上に、６０φ、厚さ５ｍｍ
のシリコン製加熱物ａを載せて加熱処理する場合におい
て、第一のチェンバー１を予め１０−” Ｔｏｒｒまで
減圧した状態で保持部３の加熱を開始すると、保持部３
の温度が１２００℃に達するまでに第一のチェンバー１
の真空度は、約１０−７Ｔｏｒｒまで低下する。しかし
、そのまま加熱を続けながら、第一のチェンバー１を減
圧すると、３分程で再び１Ｏ−９Ｔ。 ｒｒの真空度に戻る。さらに、加熱物ａの加熱終了後、
吸熱ブロック２３を保持部３に接触させると、加熱物ａ
を１２００℃から常温まで約５分で冷却することができ
る。 これは、実際の処理サイクルの一例であるが、前記装置
を用いた場合、保持部３を１５００℃まで加熱した状態
で、第一のチェンバー１を、１０−”Ｔｏｒｒの真空度
とすることが可能である。 この場合、第二のチェンバー２は、電子衝撃により、保
持部３を加熱できる程度の１０−’Ｔｏｒｒ以上の真空
度に維持されていればよい。 第３図に、本発明の他の実施例を示す。ここでは、保持
部３′がセラミクスからなる凹形の容器状となっており
、この中に加熱物が収納される。また、熱源としては、
前述のような電子銃の代わりに、主として輻射による熱
伝導手段を用いる場合で、フィラメントは、前記保持部
３′の外側を囲むように形成されている。 本発明は、以上説明した実施例に限られず、例えば、第
二のチェンバー２は、真空ポンプ１７等の排気手段を備
えるものに限らず、電子衝撃により、保持部３を加熱で
きる真空状態が得られれば、例えばガラス等に真空状態
を封じ込めた真空管であってもよい。さらに、加熱物を
加熱する手段は、抵抗加熱や高周波加熱手段でもよ（、
この場合はヒーターを大気中に置くこともできる。吸熱
ブロック２３を冷却する手段も、ベローズ９を用いた冷
却水の循環系を用いているが、例えば、ヒートバイブを
チェンバー１の中に導入して冷却する等、他の冷却手段
を採用しても差し支えない。また、図示の実施例では、
手動操作を前提とする装置に具体化されているが、当然
のことながら、一連の操作が自動化された装置にも適用
できる。 【発明の効果］ 以上説明した通り、本発明によれば、加熱物ａを高温に
加熱した後、これを短時間で冷却することができるため
、処理サイクルを大幅に短縮することが可能な真空加熱
装置を提供することができる。
第１図は、本発明の実施例を示す要部断面図、第２図は
、同実施例の要部拡大断面図、第３図は、本発明の他の
実施例を示す要部拡大断面図である。 ■・・・第一のチェンバー ２・・・第二のチェンバー
３．３′・・・保持部 ４・・・電子銃 ６・・・ベロ
ーズ８ ａ１８ ｂ・・・冷却水の導入、導出バイブ
２１・・・冷却器 ２３・・・吸熱ブロック特許出願人
助川電気工業株式会社
、同実施例の要部拡大断面図、第３図は、本発明の他の
実施例を示す要部拡大断面図である。 ■・・・第一のチェンバー ２・・・第二のチェンバー
３．３′・・・保持部 ４・・・電子銃 ６・・・ベロ
ーズ８ ａ１８ ｂ・・・冷却水の導入、導出バイブ
２１・・・冷却器 ２３・・・吸熱ブロック特許出願人
助川電気工業株式会社
Claims (1)
- 加熱物ａが収納されるチェンバー１と、該チェンバー１
を減圧する排気手段と、前記加熱物ａを加熱する手段と
を備える真空加熱装置において、耐熱性を有し、加熱物
ａを保持する保持部３と、該保持部３に接触、離間自在
に配置された吸熱ブロック２３と、該吸熱ブロック２３
を冷却する手段とを備えることを特徴とする真空加熱装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17418290A JPH0463266A (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 真空加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17418290A JPH0463266A (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 真空加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0463266A true JPH0463266A (ja) | 1992-02-28 |
Family
ID=15974152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17418290A Pending JPH0463266A (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 真空加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0463266A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11354526A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Sukegawa Electric Co Ltd | 板体加熱装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61227169A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-09 | Fujitsu Ltd | スパツタリング装置 |
-
1990
- 1990-06-30 JP JP17418290A patent/JPH0463266A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61227169A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-09 | Fujitsu Ltd | スパツタリング装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11354526A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Sukegawa Electric Co Ltd | 板体加熱装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5240556A (en) | Surface-heating apparatus and surface-treating method | |
| TWI528868B (zh) | Substrate processing device | |
| US6727194B2 (en) | Wafer batch processing system and method | |
| WO2019227770A1 (zh) | 蒸镀装置及蒸镀方法 | |
| JPH0529448A (ja) | 排気方法 | |
| JPS63307740A (ja) | 光化学反応処理装置 | |
| US4371787A (en) | Ion-nitriding apparatus | |
| JPH0463266A (ja) | 真空加熱装置 | |
| JPH0462389A (ja) | 真空加熱装置 | |
| JPH0463224A (ja) | 真空加熱装置 | |
| JPH07230954A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるクリーニング方法 | |
| JP2912913B1 (ja) | 板体加熱装置 | |
| JPH0661184A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP6997863B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JP4381588B2 (ja) | 加熱を伴う処理装置 | |
| JP2000311892A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
| JPH06168899A (ja) | 基板加熱用ヒータユニット | |
| JP3112672B1 (ja) | 縦型加熱装置 | |
| JP2005072468A (ja) | 半導体ウエハの熱処理装置 | |
| JP4537201B2 (ja) | バッチ炉 | |
| JPH05136074A (ja) | 半導体製造装置等における加熱装置 | |
| JP2686498B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH02111873A (ja) | 蒸着装置用クヌードセン型蒸発源装置 | |
| JPS63114118A (ja) | 薄膜加工用圧着ヒ−タ支持装置 | |
| JPH03207861A (ja) | 加熱装置 |