JPH046282B2 - - Google Patents

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JPH046282B2
JPH046282B2 JP59126801A JP12680184A JPH046282B2 JP H046282 B2 JPH046282 B2 JP H046282B2 JP 59126801 A JP59126801 A JP 59126801A JP 12680184 A JP12680184 A JP 12680184A JP H046282 B2 JPH046282 B2 JP H046282B2
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JP
Japan
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attenuation
voltage
control
circuit
pin diode
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JP59126801A
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Japanese (ja)
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JPS615613A (en
Inventor
Hiromi Shimoda
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Publication of JPS615613A publication Critical patent/JPS615613A/en
Publication of JPH046282B2 publication Critical patent/JPH046282B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/24Frequency- independent attenuators
    • H03H7/25Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
    • H03H7/253Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
    • H03H7/255Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode the element being a PIN diode

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  • Attenuators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は、ピンダイオード・ドライバー回路に
関し、特にピンダイオードを用いる可変減衰器に
おける減衰制御特性を改善する、ピンダイオー
ド・ドライバー回路に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a pin diode driver circuit, and more particularly to a pin diode driver circuit that improves attenuation control characteristics in a variable attenuator using a pin diode.

(従来技術) 従来、例えば中間周波数帯における信号のレベ
ルを調整する可変減衰器においては、ピンダイオ
ードを減衰用素子として用い、ピンダイオードに
対するバイアス電圧を減衰量制御用の電圧として
加えてやることにより、減衰量を制御調整する方
法が用いられている。第1図aおよびbに示され
るのは、従来よく用いられているピンダイオード
による可変減衰回路例を示し、第1図aの場合に
おいては、端子101から入力される信号入力
は、ピンダイオードX1の呈するインピーダンス
に対応して減衰され、端子103より出力され
る。この場合、端子102からは、電圧制御モー
ドによりピンダイオードX1のバイアス電圧を制
御する、従来よく用いられているピンダイオー
ド・ドライバー回路の制御電圧が入力されてお
り、抵抗R1およびR2を介してピンダイオードX1
には前記制御電圧に対応するバイアス電圧が加え
られ、所定の減衰量が設定される。第1図bの場
合においては、減衰用素子として、ピンダイオー
ドX2およびX3が、相互に逆極性となるように接
続されており、電圧制御モードによるピンダイオ
ード・ドライバー回路から、端子105を経由し
て入力されるプラス・マイナス両極性制御電圧に
対応して、抵抗R3およびR4を介してそれぞれの
ピンダイオードにバイアス電圧が加えられ、第1
図aの場合と同様に、信号の入出力端子104お
よび105の間の伝送減衰量が設定される。
(Prior art) Conventionally, for example, in a variable attenuator that adjusts the level of a signal in an intermediate frequency band, a pin diode is used as an attenuation element, and a bias voltage to the pin diode is applied as a voltage for controlling the amount of attenuation. , a method of controlling and adjusting the amount of attenuation is used. FIGS. 1a and 1b show examples of variable attenuation circuits using pin diodes, which are commonly used in the past. In the case of FIG. 1a, the signal input from the terminal 101 is It is attenuated in accordance with the impedance exhibited by 1 and output from the terminal 103. In this case, the control voltage of a commonly used pin diode driver circuit, which controls the bias voltage of pin diode X 1 in voltage control mode, is input from terminal 102, and resistors R 1 and R 2 are Through pin diode x 1
A bias voltage corresponding to the control voltage is applied to set a predetermined amount of attenuation. In the case of FIG. 1b, pin diodes X 2 and X 3 are connected as attenuating elements so as to have opposite polarities, and terminal 105 is connected to the pin diode driver circuit in voltage control mode. A bias voltage is applied to each pin diode through resistors R 3 and R 4 in response to the positive and negative bipolar control voltages input through the first
As in the case of FIG. a, the amount of transmission attenuation between the signal input and output terminals 104 and 105 is set.

第3図aに示されるのは、従来の電圧制御モー
ドによるピンダイオード・ドライバーを用いて減
衰量を制御する場合の、可変減衰回路における減
衰量制御特性の1例である。図において、横軸は
ピンダイオード・ドライバーに対する制御電圧
を、縦軸は可変減衰回路における減衰量を示して
いる。なお、可変減衰回路として、第1図bに対
応する回路を用いる場合には、制御電圧のプラ
ス・マイナス両極性に対応して、縦軸に対して対
象性を有する減衰特性を呈するが、第3図aにお
いては、プラスの制御電圧に対する減衰量制御特
性のみを示している。第3図aより明らかなよう
に、制御電圧入力に対応して、ピンダイオードに
対する直流バイアス電圧の立上りの状態において
は、信号入力に対する減衰量が急激に変化し、こ
のため、制御電圧値に対応する減衰量制御精度が
著しく劣化するという欠点があり、また、上記の
減衰特性に起因して、減衰特性の温度依存性が高
くなり、温度変化にともなう減衰量制御精度の低
下をも生じるという欠点も介在している。
FIG. 3a shows an example of attenuation control characteristics in a variable attenuation circuit when attenuation is controlled using a conventional pin diode driver in voltage control mode. In the figure, the horizontal axis shows the control voltage for the pin diode driver, and the vertical axis shows the amount of attenuation in the variable attenuation circuit. Note that when a circuit corresponding to FIG. 1b is used as the variable attenuation circuit, it exhibits attenuation characteristics that are symmetrical with respect to the vertical axis in response to the positive and negative polarities of the control voltage. In FIG. 3a, only the attenuation control characteristics for positive control voltages are shown. As is clear from Fig. 3a, in response to the control voltage input, when the DC bias voltage to the pin diode rises, the attenuation amount for the signal input changes rapidly, and therefore However, due to the above-mentioned attenuation characteristics, the temperature dependence of the attenuation characteristics becomes high, resulting in a decrease in the attenuation control accuracy due to temperature changes. is also involved.

(発明の目的) 本発明の目的は上記の欠点を除去し、ピンダイ
オードを減衰用素子として用いる可変減衰回路に
対する減衰量制御電圧に対応して、前記ピンダイ
オードに対する制御ドライブを、電圧制御モード
から電流制御モードに変換する作用と、前記減衰
量制御電圧における所定の制御電圧範囲におい
て、前記電流制御モードにおける制御電流を抑制
する制御作用とを併有することにより、前記可変
減衰回路に対する減衰量制御精度を著しく改善す
るピンダイオード・ドライバー回路を提供するこ
とにある。
(Object of the Invention) The object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks and change the control drive for the pin diode from the voltage control mode in response to the attenuation control voltage for the variable attenuation circuit using the pin diode as an attenuation element. Attenuation control accuracy for the variable attenuation circuit can be improved by having both the function of converting to the current control mode and the control function of suppressing the control current in the current control mode in a predetermined control voltage range of the attenuation control voltage. The object of the present invention is to provide a pin diode driver circuit that significantly improves the performance.

(発明の構成) 本発明のピンダイオード・ドライバー回路は、
所定の減衰量制御電圧に対応して、可変直流バイ
アス電圧をピンダイオードに加えることにより、
所定の信号に対する伝送減衰量を制御調整するピ
ンダイオード・ドライバー回路において、前記減
衰量制御電圧入力に対応して、前記ピンダイオー
ドに対する制御ドライブを電流モードにより行う
ために、前記減衰量制御電圧値を非直線特性を介
して電流値に変換し、前記ピンダイオードに対す
る減衰量制御電流として出力する電圧電流変換回
路を備えて構成される。
(Structure of the Invention) The pin diode driver circuit of the present invention includes:
By applying a variable DC bias voltage to the pin diode in response to a predetermined attenuation control voltage,
In a pin diode driver circuit that controls and adjusts transmission attenuation for a predetermined signal, the attenuation control voltage value is adjusted in response to the attenuation control voltage input in order to drive the pin diode in a current mode. It is configured to include a voltage-current conversion circuit that converts into a current value via non-linear characteristics and outputs it as an attenuation amount control current to the pin diode.

(発明の実施例) 以下、本発明について図面を参照して詳細に説
明する。
(Embodiments of the Invention) Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第2図aは、本発明の一実施例と、対応する可
変減衰回路との、それぞれの要部を示すブロツク
図である。図において、本発明のピンダイオー
ド・ドライバー回路3は、減衰量制御電圧が入力
される端子109に対応して、差動増幅器1およ
び2と、抵抗R11、R12およびツエナー・ダイオ
ードX5を含む非線形回路と、抵抗R7〜R10および
R13とにより構成されており、ピンダイオード・
ドライバー回路3自体が電圧電流変換回路そのも
のを形成している。
FIG. 2a is a block diagram showing essential parts of an embodiment of the present invention and a corresponding variable attenuation circuit. In the figure, the pin diode driver circuit 3 of the present invention includes differential amplifiers 1 and 2, resistors R 11 , R 12 and a Zener diode X 5 corresponding to a terminal 109 to which an attenuation control voltage is input. A nonlinear circuit containing and resistors R 7 to R 10 and
It consists of R 13 and a pin diode.
The driver circuit 3 itself forms the voltage-current conversion circuit itself.

第2図aにおいて、差動増幅器1、抵抗R7
R8、R9およびR10は同相加算回路を形成してお
り、また、出力が逆相入力側に帰還されている差
動増幅器2は電圧フオロワー回路を形成してい
る。今、端子109より入力される減衰量制御電
圧をViとし、抵抗R7、R8、R9およびR10の抵抗
値につきR7=R8=R9=R10≡Rに設定し、抵抗
R11、R12およびツエナー・ダイオードX5を含む
非線形回路のインピーダンスをRCとすると、前
記同相加算回路を形成する差動増幅器1の出力電
圧をV0、前記電圧フオロワー回路を形成する差
動増幅器2の出力電圧をV1として、同相加算回
路の入出力特性より次式が成立つ。
In FIG. 2a, differential amplifier 1, resistor R 7 ,
R 8 , R 9 and R 10 form a common mode adder circuit, and the differential amplifier 2 whose output is fed back to the negative phase input side forms a voltage follower circuit. Now, let the attenuation control voltage input from terminal 109 be Vi, set the resistance values of resistors R 7 , R 8 , R 9 and R 10 as R 7 = R 8 = R 9 = R 10 ≡R, and
If the impedance of the nonlinear circuit including R 11 , R 12 and the Zener diode Assuming that the output voltage of amplifier 2 is V1 , the following equation holds true from the input/output characteristics of the common-mode addition circuit.

V0=Vi+V1 (1) また、ピンダイオードX4を含む可変減衰回路
を見込むインピーダンスと抵抗R13との並列接続
によるインピーダンスをRLとすると、前記同相
加算回路の出力電圧V0に対応して、前記非線形
回路のインピーダンスRCおよび前記インピーダ
ンスRLには、電圧フオロワー回路の入力インピ
ーダンスが無限大と大きいため、出力電流I0が一
貫して流れる。従つて、差動増幅器2を含む電圧
フオロワー回路の正相入力側には、 V2=I0RL (2) の電圧が印加される。然るに、出力電圧が逆相入
力側に帰還されている電圧フオロワー回路におい
ては、その入出力電圧は等しくなるので、V1
V2となる。従つて、(1)式および(2)式より次式が
得られる。
V 0 = Vi + V 1 (1) Furthermore, if the impedance of the variable attenuation circuit including the pin diode Since the input impedance of the voltage follower circuit is infinitely large, the output current I 0 consistently flows through the impedance RC of the nonlinear circuit and the impedance RL . Therefore, a voltage of V 2 =I 0 R L (2) is applied to the positive phase input side of the voltage follower circuit including the differential amplifier 2. However, in a voltage follower circuit where the output voltage is fed back to the negative phase input side, the input and output voltages are equal, so V 1 =
It becomes V 2 . Therefore, the following equation can be obtained from equations (1) and (2).

V0=Vi+I0RL (3) また、同相加算回路の出力電圧V0と、インピ
ーダンスRCおよびRLを流れる出力電流I0との関
係より、 V0=I0(RC+RL) (4) 上記の(3)式および(4)式より、次式が与えられ
る。
V 0 = Vi + I 0 R L (3) Also, from the relationship between the output voltage V 0 of the common-mode adder circuit and the output current I 0 flowing through impedances R C and R L , V 0 = I 0 (R C + R L ) (4) From equations (3) and (4) above, the following equation is given.

I0=Vi/RC (5) 上記の(5)式より明らかなように、出力電流I0
は、ピンダイオードX4を含む可変減衰回路を見
込むインピーダンスと抵抗R13との並列接続によ
るインピーダンスRLの値の如何に関係なく、減
衰量制御電圧Viに比例し、且つ非線形インピー
ダンスRCに反比例している。即ち、出力電流I0
は、減衰量制御電圧Viに対応する減衰量制御用
の電圧電流交換値、即ち可変減衰回路に対する制
御電流として出力される。ここにおいて、非線形
回路のインピーダンスRCの回路構成要素を適当
に選択することにより、この制御電流I0の値を調
整し、前記可変減衰回路に対する制御電流制御回
路を形成することが可能となる。
I 0 = Vi/R C (5) As is clear from equation (5) above, the output current I 0
is proportional to the attenuation control voltage Vi and inversely proportional to the nonlinear impedance R C, regardless of the value of the impedance R L created by the parallel connection of the impedance looking into the variable attenuation circuit including the pin diode X 4 and the resistor R 13 . are doing. That is, the output current I 0
is output as a voltage-current exchange value for attenuation control corresponding to the attenuation control voltage Vi, that is, a control current for the variable attenuation circuit. Here, by appropriately selecting the circuit components of the impedance R C of the nonlinear circuit, it is possible to adjust the value of this control current I 0 and form a control current control circuit for the variable attenuation circuit.

また、インピーダンスRCは、第2図aにおけ
る場合には、抵抗器R12とツエナー・ダイオード
X5の直列インピーダンスと抵抗器R11との並列接
続により形成されており、抵抗器R11とR12との
関係としてR11≫R12となるように選定し、且つ
R11の値を適当な抵抗値に選ぶことにより、ツエ
ナー・ダイオードX5におけるツエナー電圧との
対応関係において、前記制御電圧Viに対する制
御電流I0の関係を修正し、結果的に可変減衰回路
における減衰量制御特性を改善することが可能と
なる。すなわち、減衰量に対する制御電圧Viが
低電圧の領域においては、電圧V0に対して、ツ
エナー・ダイオードX5におけるバイアス電圧は、
ツエナー電圧よりも低電位であり、従つて、イン
ピーダンスRCは、ツエナー・ダイオードX5を含
む側路が開放状態となるため、実効的に抵抗器
R11として作用する。すなわち、前記(5)式より明
らかなように、制御電流はI0=Vi/R11となり、
制御電圧Viに対する制御電流I0の関係は抵抗器
R11の抵抗値によつて規定される。このことは、
抵抗器R11の抵抗値を適当に選択することによ
り、ツエナー・ダイオードX5のバイアス電圧が、
所定のツエナー電圧以下となる制御電圧の領域に
おいては、Vi−I0特性を所望の特性に設定できる
ことを意味している。制御電圧Viの増大にとも
ない、ツエナー・ダイオードX5に対するバイア
ス電圧がツエナー電圧を上廻る状態になると、ツ
エナーダイオードX5を含む側路は導通状態とな
り、制御電流I0は、前述の抵抗器R11のみによる
規制を離れて、抵抗器R12により規制され、Viに
対する変化量が増大する傾向となる。
Also, the impedance R C is the resistor R 12 and the Zener diode in the case of Figure 2a.
It is formed by the parallel connection of the series impedance of X5 and the resistor R11 , and the relationship between the resistors R11 and R12 is selected so that R11≫R12 , and
By choosing the value of R 11 to a suitable resistance value, the relationship of the control current I 0 to the control voltage Vi is modified in correspondence with the Zener voltage in the Zener diode X 5 , and as a result in the variable attenuation circuit. It becomes possible to improve the attenuation control characteristics. That is, in the region where the control voltage Vi for the attenuation amount is low, the bias voltage at the Zener diode X 5 with respect to the voltage V 0 is:
is lower than the Zener voltage and therefore the impedance R C is effectively a resistor since the bypass containing the Zener diode X 5 is open.
Acts as R11 . That is, as is clear from equation (5) above, the control current is I 0 = Vi/R 11 ,
The relationship between the control voltage Vi and the control current I 0 is the resistor
Defined by the resistance value of R11 . This means that
By appropriately choosing the resistance value of the resistor R 11 , the bias voltage of the Zener diode
This means that the Vi-I 0 characteristic can be set to a desired characteristic in a control voltage range below a predetermined Zener voltage. As the control voltage Vi increases, when the bias voltage for the Zener diode X 5 exceeds the Zener voltage, the bypass containing the Zener diode X 5 becomes conductive, and the control current I 0 flows across the resistor R Apart from being regulated only by R 11 , it is regulated by resistor R 12 , and the amount of change with respect to Vi tends to increase.

制御電流I0は、原理的に、インピーダンスRC
接続されている抵抗器R13と、可変減衰回路にお
ける抵抗器R5、ピンダイオードX4および抵抗器
R6とを含む負荷回路のインピーダンスに関係な
く、一義的に、制御電圧ViとインピーダンスRC
とにより定まる電流値であり、この制御電流I0
よる電流モードの制御ドライブにより、ピンダイ
オードX4のバイアス電圧が制御されて、可変減
衰回路における端子107から108に対応する
伝送減衰量が制御調整される。従つて、ピンダイ
オード・ドライバー回路3の端子109から入力
される。減衰量に対する制御電圧Viに対応する
減衰量制御特性は、第3図bに示されるように、
制御電圧ViのO〜Vbの領域においては、ほぼ直
線的な特性となり、電圧Vbを境界点として、Vi
に対する変化率が増大する特性に移行する。言う
までもなく、前述の電圧値Vbは、ツエナー・ダ
イオードX5におけるバイアス電圧が、所定のツ
エナー電圧に到達する時点の制御電圧に対応して
いる。
The control current I 0 is, in principle, connected to the impedance R C with a resistor R 13 , a resistor R 5 in a variable attenuation circuit, a pin diode X 4 and a resistor
Uniquely, the control voltage Vi and the impedance R C , regardless of the impedance of the load circuit, including R 6 and
This is the current value determined by the control current I0 , and the bias voltage of the pin diode be done. Therefore, it is input from the terminal 109 of the pin diode driver circuit 3. The attenuation control characteristic corresponding to the control voltage Vi for the attenuation amount is as shown in FIG. 3b,
In the range of O to Vb of control voltage Vi, the characteristic is almost linear, and with voltage Vb as the boundary point, Vi
transition to a characteristic in which the rate of change with respect to increases. Needless to say, the aforementioned voltage value Vb corresponds to the control voltage at which the bias voltage at the Zener diode X 5 reaches the predetermined Zener voltage.

第3図aおよびbを比較対応させて見て明らか
なように、本発明のピンダイオード・ドライバー
回路を用いる場合には、制御電圧Viに対応する
減衰量制御特性が、Vi=O〜Vbの領域において
は、前述のように抵抗器R11に規制されて低勾配
の特性に改善され、また、ViがVbを越える領域
においては、抵抗器R12により規制されて比較的
急勾配の特性に移行してゆくことが分る。従つ
て、制御電圧Viの入力に対応する減衰量の変化
が低勾配の特性に改善されるために、Viにおけ
る変化量△Viに対応する減衰量の変化量△Lを
相対的に小さい量に抑制し、△Vi/△Lの値を
大きくすることができるため、制御電圧Viに対
応する、可変減衰回路に対する減衰量制御精度
を、前記△Vi/△Lの値に比例する形で改善す
ることができる。前述のように、ViがVbを越え
る制御電圧の領域においても、第3図bに示され
るように、△Vi/△Lの値が増大傾向に移行は
するものの、抵抗器R12の抵抗値の選定により、
減衰量制御精度を大きく劣化させることなく、制
御電圧Viの有効範囲を拡大することができる。
また、前記△Vi/△Lの値の向上にともない、
温度条件に対する依存度も低減し、減衰量制御精
度の温度特性も改善される。
As is clear from a comparison of FIGS. 3a and 3b, when using the pin diode driver circuit of the present invention, the attenuation control characteristic corresponding to the control voltage Vi is from Vi=O to Vb. As mentioned above, in the region where Vi exceeds Vb, it is regulated by resistor R 11 and the characteristic is improved to a low slope, and in the region where Vi exceeds Vb, it is regulated by resistor R 12 and the characteristic is improved to a relatively steep slope. I can see it moving. Therefore, in order to improve the change in attenuation amount corresponding to the input of the control voltage Vi to a low slope characteristic, the amount of change in attenuation amount ΔL corresponding to the amount of change ΔVi in Vi is made a relatively small amount. Since the value of △Vi/△L can be increased, the attenuation amount control accuracy for the variable attenuation circuit corresponding to the control voltage Vi is improved in proportion to the value of △Vi/△L. be able to. As mentioned above, even in the control voltage region where Vi exceeds Vb, as shown in Figure 3b, although the value of △Vi/△L tends to increase, the resistance value of resistor R12 By selecting
The effective range of the control voltage Vi can be expanded without significantly deteriorating the attenuation control accuracy.
In addition, with the improvement of the value of △Vi/△L,
The dependence on temperature conditions is also reduced, and the temperature characteristics of attenuation control accuracy are also improved.

第2図bは、本発明の他の一実施例と、対応す
る可変減衰回路との、それぞれの要部を示すブロ
ツク図である。図において、本発明のピンダイオ
ード・ドライバー回路6は、減衰量制御電圧が入
力される端子112に対応して、差動増幅器4お
よび5と、抵抗R20、R21、ダイオードX8、X9
よびツエナー・ダイオードX10、X11を含む非線
形回路と、抵抗R16〜R15およびR22とにより構成
されており、ピンダイオード・ドライバー回路6
自体が電圧電流変換回路そのものを形成してい
る。
FIG. 2b is a block diagram showing the main parts of another embodiment of the present invention and a corresponding variable attenuation circuit. In the figure, the pin diode driver circuit 6 of the present invention includes differential amplifiers 4 and 5, resistors R 20 , R 21 , and diodes X 8 , X 9 corresponding to the terminal 112 to which the attenuation control voltage is input. It consists of a nonlinear circuit including Zener diodes X 10 and X 11 , and resistors R 16 to R 15 and R 22 , and a pin diode driver circuit 6.
itself forms the voltage-current conversion circuit itself.

第2図bに示される実施例と、第2図aに示さ
れる実施例との相異点は、ピンダイオード・ドラ
イバー回路については、制御電流制御回路の主要
構成要素である非線形回路に含まれる半導体回路
素子が、単一のツエナー・ダイオードにより構成
されるのではなく、相互に逆極性の状態にて直列
接続されるダイオードX8およびX9と、同じく相
互に逆極性の状態にて直列接続されるツエナー・
ダイオードX10およびX11とが並列に接続されて
構成されていることであり、また、対応する可変
減衰回路においても、第1図bの場合と同様に、
2個のピンダイオードが、逆極性の状態において
接続され、減衰用素子として用いられていること
である。2個のピンダイオードを用いる可変減衰
回路の作用については、既に第1図bの従来例の
説明において触れたとおりである。第2図bに示
されるピンダイオード・ドライバー回路の動作に
ついては、制御電流制御回路を形成する、抵抗器
R21と、ダイオードX8およびX9と、ツエナー・ダ
イオードX10およびX11とによる回路構成が異な
ることに起因する差異のみで、基本的に減衰量制
御特性が第3図bに示されるように改善される点
については、第2図aの場合と全く同様である。
第2図bにおいて、ツエナー・ダイオードX10
よびX11を逆極性の状態にて、それぞれダイオー
ドX8およびX9と直列に接続している理由は、端
子112から入力される制御電圧Viがプラスの
領域にある場合には、ダイオードX8とツエナ
ー・ダイオードX10より成るアームが制御電流I0
を制御するように作用し、制御電圧Viがマイナ
スの領域にある場合には、ダイオードX9とツエ
ナー・ダイオードX11より成るアームが制御電流
I0を制御するように作用する。勿論、制御電圧Vi
におけるプラス・マイナス両極性が、可変減衰回
路における2個のピンダイオードX6およびX7
それぞれに対応していることは言うまでもない。
なお、第2図bの実施例の場合には、第3図bに
示される減衰量制御特性は、減衰量を示す縦軸に
関して対象性を持つ、マイナスの制御電圧の領域
における制御特性をも併有する形で規定される。
The difference between the embodiment shown in FIG. 2b and the embodiment shown in FIG. 2a is that the pin diode driver circuit is included in the nonlinear circuit, which is the main component of the control current control circuit. The semiconductor circuit element is not composed of a single Zener diode, but is connected in series with diodes X 8 and X 9 , which are also connected in series with mutually opposite polarities. Zener to be
The diodes X10 and X11 are connected in parallel, and in the corresponding variable attenuation circuit, as in the case of Fig. 1b,
Two pin diodes are connected with opposite polarity and used as attenuation elements. The operation of the variable attenuation circuit using two pin diodes has already been mentioned in the description of the conventional example shown in FIG. 1b. For the operation of the pin diode driver circuit shown in Figure 2b, the resistor forming the control current control circuit
The attenuation control characteristics are basically as shown in Figure 3b, with only differences due to the different circuit configurations of R 21 , diodes X 8 and X 9 , and Zener diodes X 10 and X 11 . The improvements made in this case are exactly the same as in the case of FIG. 2a.
In Figure 2b, the Zener diodes X 10 and X 11 are connected in series with the diodes X 8 and X 9 , respectively, with opposite polarity because the control voltage Vi input from terminal 112 is positive. In the region of , the arm consisting of the diode X 8 and the Zener diode
When the control voltage Vi is in the negative region, the arm consisting of diode X 9 and Zener diode X 11 controls the control current.
It acts to control I 0 . Of course, the control voltage Vi
It goes without saying that the positive and negative polarities in correspond to the two pin diodes X 6 and X 7 in the variable attenuation circuit, respectively.
In the case of the embodiment shown in FIG. 2b, the attenuation amount control characteristics shown in FIG. It is stipulated in a joint manner.

(発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明は、可変減
衰器の減衰用素子を形成するピンダイオードに対
する制御ドライブを、電流モードにより行い、且
つ電流モードによる制御電流を抑制し制御するこ
とにより、制御電圧に対応する減衰量制御精度を
著しく向上させ、且つ前記減衰量制御精度の温度
特性をも改善することができるという効果があ
る。
(Effects of the Invention) As described above in detail, the present invention performs control drive for the pin diode forming the attenuation element of the variable attenuator in the current mode, and suppresses and controls the control current in the current mode. This has the effect that the attenuation control accuracy corresponding to the control voltage can be significantly improved, and the temperature characteristics of the attenuation control accuracy can also be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図aおよびbは、それぞれ可変減衰回路の
要部を示すブロツク図、第2図aおよびbは、そ
れぞれ本発明の実施例と対応する可変減衰回路と
の二例の要部を示すブロツク図、第3図aおよび
bは、それぞれ減衰量制御特性を示す図である。 図において、1,2,4,5…差動増幅器。
1A and 1B are block diagrams showing the main parts of a variable attenuation circuit, and FIGS. 2A and 2B are block diagrams showing the main parts of two examples of variable attenuation circuits corresponding to an embodiment of the present invention. 3A and 3B are diagrams showing attenuation control characteristics, respectively. In the figure, 1, 2, 4, 5...differential amplifiers.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 所定の減衰量制御電圧に対応して、可変直流
バイアス電圧をピンダイオードに加えることによ
り、所定の信号に対する伝送減衰量を制御調整す
るピンダイオード・ドライバー回路において、前
記減衰量制御電圧入力に対応して、前記ピンダイ
オードに対する制御ドライブを電流モードにより
行うために、前記減衰量制御電圧値を非直線特性
を介して電流値に変換し、前記ピンダイオードに
対する減衰量制御電流として出力する電圧電流変
換回路を備えることを特徴とするピンダイオー
ド・ドライバー回路。
1 In a pin diode driver circuit that controls and adjusts the transmission attenuation for a predetermined signal by applying a variable DC bias voltage to the pin diode in response to a predetermined attenuation control voltage, Then, in order to perform control drive for the pin diode in current mode, the attenuation control voltage value is converted into a current value via non-linear characteristics, and the voltage-current conversion is outputted as an attenuation control current for the pin diode. A pin diode driver circuit characterized by comprising a circuit.
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JPS58107711A (en) * 1981-12-22 1983-06-27 Nec Corp Voltage controlled attenuator

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