JPH0461710A - 高耐久性透明導電性膜 - Google Patents
高耐久性透明導電性膜Info
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- JPH0461710A JPH0461710A JP2168838A JP16883890A JPH0461710A JP H0461710 A JPH0461710 A JP H0461710A JP 2168838 A JP2168838 A JP 2168838A JP 16883890 A JP16883890 A JP 16883890A JP H0461710 A JPH0461710 A JP H0461710A
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、導電性フィルムで高耐久性を要求される高耐
久性導電性膜に関し、詳しくは、基板としての高分子フ
ィルム上に蒸着などにより施された金属あるいは、金属
酸化物からなる導体膜あるいは、半導体薄膜の、特に、
長期耐久性を求められる膜に関するものである。
久性導電性膜に関し、詳しくは、基板としての高分子フ
ィルム上に蒸着などにより施された金属あるいは、金属
酸化物からなる導体膜あるいは、半導体薄膜の、特に、
長期耐久性を求められる膜に関するものである。
高分子フィルム上に導電性薄膜を設けた導電性フィルム
は、配線基板、ヒーター、タッチパネルの電極、あるい
は液晶表示用の電極などへの利用がある。
は、配線基板、ヒーター、タッチパネルの電極、あるい
は液晶表示用の電極などへの利用がある。
（従来技術）
一般に上記の様な用途に利用するためには、導電性膜の
耐環境性による抵抗変化を、極力小さくすることが必要
とされる。
耐環境性による抵抗変化を、極力小さくすることが必要
とされる。
最近、導電性高分子フィルムを電極とする液晶表示素子
の開発が活発に行われているが、特にドツトマトリック
ス表示タイプの場合は、電極パターンも極微細（細線３
０〜５０μｍ）になるため環境変化による、表面抵抗値
のわずかな変化が大きく影響するため、出来るだけ導電
性膜の環境による変化を小さくすることが必要となって
きている。
の開発が活発に行われているが、特にドツトマトリック
ス表示タイプの場合は、電極パターンも極微細（細線３
０〜５０μｍ）になるため環境変化による、表面抵抗値
のわずかな変化が大きく影響するため、出来るだけ導電
性膜の環境による変化を小さくすることが必要となって
きている。
基板上に形成された導電性膜の長期間にわたり抵抗変化
を少なくする方法としては、従来より、導電性膜の上に
保護膜（例えばＳＩ系、ＴＩ系などの無機Ｍ）をコート
したり、基板の導電性膜面の反対の面からの水蒸気や水
分の透過を防ぐために有機系保護膜面コートする方法が
行われている６（発明が解決しようとする問題点） 従来の抵抗変化を少なくする方法について、物理的特性
面から比較すると、例えば、導電性膜の上に保護膜をコ
ートする方法では、エツチングした場合、基板が露出さ
れる部分が出てくるなめこの部分から導電膜を劣化させ
てしまう事がある。
を少なくする方法としては、従来より、導電性膜の上に
保護膜（例えばＳＩ系、ＴＩ系などの無機Ｍ）をコート
したり、基板の導電性膜面の反対の面からの水蒸気や水
分の透過を防ぐために有機系保護膜面コートする方法が
行われている６（発明が解決しようとする問題点） 従来の抵抗変化を少なくする方法について、物理的特性
面から比較すると、例えば、導電性膜の上に保護膜をコ
ートする方法では、エツチングした場合、基板が露出さ
れる部分が出てくるなめこの部分から導電膜を劣化させ
てしまう事がある。
また、用途によっては例えば、液晶表示用では素子に組
み立てた後、電圧を印加すると保護膜の無ｌ１ｌＯＩが
イオンとなって遊離し、その結果電流増加という現象を
起こす可能性がある。
み立てた後、電圧を印加すると保護膜の無ｌ１ｌＯＩが
イオンとなって遊離し、その結果電流増加という現象を
起こす可能性がある。
また、基板の導電性膜面の反対面に有機系保護膜をコー
トする方法では有機系保護膜は屈折率を有するために液
晶表示用では着色したり表示ムラが発生したりして表示
品位を損ねてしまう恐れがある。この場合、液晶そのも
のの設計条件（例えば厚みや材料）を変更すれば、ある
程度、問題は解決できるが、表示品位を向上させること
は困難である。
トする方法では有機系保護膜は屈折率を有するために液
晶表示用では着色したり表示ムラが発生したりして表示
品位を損ねてしまう恐れがある。この場合、液晶そのも
のの設計条件（例えば厚みや材料）を変更すれば、ある
程度、問題は解決できるが、表示品位を向上させること
は困難である。
以上のことから高分子フィルム上に形成された導電性膜
の高耐久性化の開発が望まれていた。
の高耐久性化の開発が望まれていた。
（発明の目的）
本発明は、導電性フィルムの耐環境性において、抵抗変
化を少なくした導電性膜の提供を目的とする。
化を少なくした導電性膜の提供を目的とする。
（発明の構成）
即ち本発明は、表面に導電性膜を有する高分子フィルム
の導電性膜において、導電性膜の比抵抗が３×１０−４
〜５×１０−４Ωｃｍであり、更には高温熱処理（１５
０℃、３時間）における表面抵抗変化率が１．２以下で
ある事を特徴とする高耐久性導電性膜である。
の導電性膜において、導電性膜の比抵抗が３×１０−４
〜５×１０−４Ωｃｍであり、更には高温熱処理（１５
０℃、３時間）における表面抵抗変化率が１．２以下で
ある事を特徴とする高耐久性導電性膜である。
本発明における導電性膜の形成としては、表面抵抗モニ
ターと、成膜速度モニターとで、比抵抗が３．０−４〜
５×１０−４Ωｃｍとなるように制御すれば良い。
ターと、成膜速度モニターとで、比抵抗が３．０−４〜
５×１０−４Ωｃｍとなるように制御すれば良い。
この場合、表面抵抗値及び膜厚については、モニター値
と絶対値との相関関係を把握しておく必要がある。
と絶対値との相関関係を把握しておく必要がある。
したがって、例えば表面抵抗が２００Ω／口であれば、
膜厚は２５０人〜１５０人の範囲で制御すれば良い。
膜厚は２５０人〜１５０人の範囲で制御すれば良い。
また、高温熱処理における表面抵抗変化率については、
適性酸素分圧の範囲で、かつ上述した比抵抗範囲を満足
させれば良い、この酸素分圧範囲で制御すれば表面抵抗
変化率は１．２以下となる。
適性酸素分圧の範囲で、かつ上述した比抵抗範囲を満足
させれば良い、この酸素分圧範囲で制御すれば表面抵抗
変化率は１．２以下となる。
本発明における透明導電性膜は、酸化スズを少量ドープ
した酸化インジウム薄膜、金薄膜が好適であり、特に、
酸化スズを少量ドープした酸化インジウム薄膜が透明性
の点で好ましい、基板状にこれらの導電性膜を設ける方
法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法等を挙げることができる。
した酸化インジウム薄膜、金薄膜が好適であり、特に、
酸化スズを少量ドープした酸化インジウム薄膜が透明性
の点で好ましい、基板状にこれらの導電性膜を設ける方
法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法等を挙げることができる。
また、本発明で用いられる高分子フィルムには、ポリス
チレン、ポリアクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポ
リ塩化ビニル、アセテート、ポリエーテルサルホン、ポ
リサルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミ
ド、ポリテトラフロロエチレン、ポリエステル等のプラ
スチック類が挙げられる。
チレン、ポリアクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポ
リ塩化ビニル、アセテート、ポリエーテルサルホン、ポ
リサルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミ
ド、ポリテトラフロロエチレン、ポリエステル等のプラ
スチック類が挙げられる。
（効果）
本発明において、ｓＩ＃電膜の比抵抗を３．５〜５゜０
Ω■とし、かつ高温熱処理（１５０℃、３時間）後の表
面抵抗変化率が１．２以下であるような膜を形成すれば
、高温数！ （８０℃、１０００時間）、恒温、恒湿放
置（８０℃、９０％ＲＨ）の環境下においても、表面抵
抗変化は２倍まで上昇せず、安定した膜特性を維持する
ことができる上で効果がある。
Ω■とし、かつ高温熱処理（１５０℃、３時間）後の表
面抵抗変化率が１．２以下であるような膜を形成すれば
、高温数！ （８０℃、１０００時間）、恒温、恒湿放
置（８０℃、９０％ＲＨ）の環境下においても、表面抵
抗変化は２倍まで上昇せず、安定した膜特性を維持する
ことができる上で効果がある。
以下、本発明方法を実施例によって詳述する。
（実施例１）
ポリエチレンテレタレートフイルムに表面抵抗が１６０
Ω／口、膜厚が２６０人になるようにインジウム−スズ
酸化物薄膜を（ＩＴＯ膜）を蒸着した。この導電性膜の
比抵抗は４．１０Ｘ１０−４Ω■であった。
Ω／口、膜厚が２６０人になるようにインジウム−スズ
酸化物薄膜を（ＩＴＯ膜）を蒸着した。この導電性膜の
比抵抗は４．１０Ｘ１０−４Ω■であった。
この導電性膜を、１５０℃、３時間の熱処理を施したと
ころ、表面抵抗は１７０Ω／口、となり、その変化は１
．０６倍であった。
ころ、表面抵抗は１７０Ω／口、となり、その変化は１
．０６倍であった。
また、長期耐久性として、８０℃、１０００時間の高温
放置及び８０℃、９０％ＲＨ１００Ｏ時間の恒温恒湿放
置試験を行ったところ、試験終了時の表面抵抗は、それ
ぞれ２３０Ω／口、２４０Ω／口となり、各々の表面抵
抗変化率は、１．４倍、１．５倍であった。
放置及び８０℃、９０％ＲＨ１００Ｏ時間の恒温恒湿放
置試験を行ったところ、試験終了時の表面抵抗は、それ
ぞれ２３０Ω／口、２４０Ω／口となり、各々の表面抵
抗変化率は、１．４倍、１．５倍であった。
（比較例１）
ポリエチレンテレフタレートフィルムに表面抵抗が、２
６０Ω／口、ＩＴＯ膜厚が２００人になるようにインジ
ウム−スズ酸化物薄膜を蒸着した。
６０Ω／口、ＩＴＯ膜厚が２００人になるようにインジ
ウム−スズ酸化物薄膜を蒸着した。
この導電性膜の比抵抗は５．２Ｘ１０−４Ω■である。
この導電性膜を１５０℃、３時間の熱処理を施したとこ
ろ、表面抵抗は、３９０Ω／口となりその変化率は１．
５倍であった。
ろ、表面抵抗は、３９０Ω／口となりその変化率は１．
５倍であった。
また、長期耐久性として実施例１と同様にして、高温放
置と恒温恒温放置試験を行ったところ、試験終了時の表
面抵抗は、それぞれ６００Ω／口、７５０Ω／口となり
、各々の表明抵抗変化率は、２．３．２．９倍であった
。
置と恒温恒温放置試験を行ったところ、試験終了時の表
面抵抗は、それぞれ６００Ω／口、７５０Ω／口となり
、各々の表明抵抗変化率は、２．３．２．９倍であった
。
第１図：ＩＴＯ膜の比抵抗と耐熱性［１５０°Ｃ２３時
間熱処理による表面抵抗変化率Ｒ ／ Ｒｏ ］との関係 第２図：ＩＴＯ膜の比抵抗と高温放置特性との関係 第３図：ＩＴＯ膜の比抵抗と恒温恒温特性との関係
間熱処理による表面抵抗変化率Ｒ ／ Ｒｏ ］との関係 第２図：ＩＴＯ膜の比抵抗と高温放置特性との関係 第３図：ＩＴＯ膜の比抵抗と恒温恒温特性との関係
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面に導電性膜を有する高分子フィルムの導電性膜
において、導電性膜の比抵抗が、３×１０＾−＾４〜５
×１０＾−＾４Ωｃｍであることを特徴とする高耐久性
透明導電性膜 ２ 導電性膜の高温熱処理（１５０℃、３時間）におけ
る表面抵抗変化率が１．２以下である特許請求の範囲第
１項記載の高耐久性透明導電性膜
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2168838A JPH0461710A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | 高耐久性透明導電性膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2168838A JPH0461710A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | 高耐久性透明導電性膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461710A true JPH0461710A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15875465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2168838A Pending JPH0461710A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | 高耐久性透明導電性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0461710A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5516974A (en) * | 1993-11-22 | 1996-05-14 | Polution Sciences Laboratory Incorporated | Treating agent for making harmless and immobilizing fly ash containing noxious metals and a method for the immobilizing treatment using it |
| KR20230158483A (ko) | 2021-03-17 | 2023-11-20 | 쿠리타 고교 가부시키가이샤 | 연소배기가스의 처리방법 및 연소배기가스의 처리장치 |
-
1990
- 1990-06-27 JP JP2168838A patent/JPH0461710A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5516974A (en) * | 1993-11-22 | 1996-05-14 | Polution Sciences Laboratory Incorporated | Treating agent for making harmless and immobilizing fly ash containing noxious metals and a method for the immobilizing treatment using it |
| KR20230158483A (ko) | 2021-03-17 | 2023-11-20 | 쿠리타 고교 가부시키가이샤 | 연소배기가스의 처리방법 및 연소배기가스의 처리장치 |
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