JPH0454885B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0454885B2
JPH0454885B2 JP59073051A JP7305184A JPH0454885B2 JP H0454885 B2 JPH0454885 B2 JP H0454885B2 JP 59073051 A JP59073051 A JP 59073051A JP 7305184 A JP7305184 A JP 7305184A JP H0454885 B2 JPH0454885 B2 JP H0454885B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
thin film
slits
magnetic head
bridge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59073051A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS60218025A (en
Inventor
Satotaka Ishama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Inoue Japax Research Inc
Original Assignee
Inoue Japax Research Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inoue Japax Research Inc filed Critical Inoue Japax Research Inc
Priority to JP7305184A priority Critical patent/JPS60218025A/en
Publication of JPS60218025A publication Critical patent/JPS60218025A/en
Publication of JPH0454885B2 publication Critical patent/JPH0454885B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は角度や位置の検出ができる磁気エンコ
ーダ、特にその磁気ヘツドの製作方法の改良に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic encoder capable of detecting angle and position, and in particular to an improvement in the method of manufacturing its magnetic head.

磁気エンコーダは円板状又は帯状状等の磁気媒
体の周辺又は辺縁部等に磁気マークを格子状に、
所定の一定間隔λ(N極とS極との間隔)で設け
て成る磁気コード盤又は磁気スケールのコード記
録面に磁気ヘツドを接触又は微少距離隔てて対向
させ、上記磁気コード盤又は磁気スケールと磁気
ヘツドとを相対的に測長方向に移動又は回転させ
ることにより、上記磁気マークを読み取るように
構成されている。
A magnetic encoder places magnetic marks in a lattice pattern on the periphery or edge of a disk-shaped or strip-shaped magnetic medium.
A magnetic head is brought into contact with the code recording surface of a magnetic code disk or magnetic scale provided at a predetermined constant interval λ (distance between the north pole and the south pole), or is opposed to the code recording surface of the magnetic scale at a small distance, and The magnetic mark is read by moving or rotating the magnetic head in the length measurement direction.

従来公知の磁気抵抗効果素子型の磁気ヘツド
(以下、MRヘツドと云う。)は、上記磁気ヘツド
の感磁部を磁気抵抗素子により構成し、且つ、そ
の磁気抵抗素子を四個又は磁気抵抗素子二個と分
圧抵抗二個とによりブリツジを形成すると共に、
該磁気抵抗素子を磁気スケールの磁気マーク間隔
に対して所望の間隔及び所定の位相差を有せしめ
て配置構成し、(例えば、特開昭56−141514号公
報参照)両者の相対移動により、磁気マーク部で
上記磁気抵抗素子に磁界を作用させ、上記ブリツ
ジの不平衡出力を一旦DC差増幅器で差動増幅し、
上記差動増幅器の出力と、別に設けた電圧発生回
路からの一定の直流電圧をシユミツトリガ回路や
演算増幅器等から成る波形変換用のコンパレータ
回路に入力し、上記比較回路に於て上記磁気ヘツ
ドに於て磁化された素子に対応した電圧パルスを
出力させるように構成されていた。
In a conventionally known magnetoresistive element type magnetic head (hereinafter referred to as an MR head), the magnetic sensing part of the magnetic head is composed of a magnetoresistive element, and four or more magnetoresistive elements are used. In addition to forming a bridge with two resistors and two voltage dividing resistors,
The magnetoresistive elements are arranged with a desired spacing and a predetermined phase difference with respect to the magnetic mark spacing of the magnetic scale (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 141514/1983), and the relative movement of the two allows magnetic A magnetic field is applied to the magnetoresistive element at the mark part, and the unbalanced output of the bridge is differentially amplified by a DC difference amplifier.
The output of the differential amplifier and a constant DC voltage from a separately provided voltage generation circuit are input to a comparator circuit for waveform conversion consisting of a Schmitt trigger circuit, an operational amplifier, etc. The device was configured to output a voltage pulse corresponding to the magnetized element.

然しながら、従来のブリツジ型MRヘツドは出
力検出回路の回路構成が複雑であると共に、その
検出精度が低く、上記出力検出回路の調整等に手
間と時間がかかる等の問題点があつた。
However, the conventional bridge type MR head has problems such as the complicated circuit configuration of the output detection circuit, low detection accuracy, and the need for time and effort to adjust the output detection circuit.

即ち、磁気スケールのコード記録面とMRヘツ
ド間の微小間隙が機械的な振動や衝撃によつて変
化することから磁気コード検出による電圧パルス
の出力特性(特にパルスの時間幅等)が変化して
デユーテイフアクタが変化するのであり、そして
このような欠点は周囲の温度変化や経年変化によ
る磁気マークの磁束量変化によつても生じてい
た。
In other words, since the minute gap between the code recording surface of the magnetic scale and the MR head changes due to mechanical vibration or impact, the output characteristics of the voltage pulse (particularly the pulse time width, etc.) caused by magnetic code detection change. The duty factor changes, and such defects also occur due to changes in the magnetic flux of the magnetic mark due to changes in ambient temperature or changes over time.

また、上記のMR磁気ヘツドは、使用する磁気
抵抗素子の位相関係に厳しい制約があり、その配
置方法が限定されると云う問題点もあつた。
Furthermore, the above-mentioned MR magnetic head has the problem that there are severe restrictions on the phase relationship of the magnetoresistive elements used, which limits the way they can be arranged.

本発明は叙上の観点に立つてなされたものであ
つて、その目的とするところは、出力検出回路の
構成が単純で、検出精度が高く、上記出力検出回
路の調整等も短時間で行なうことができる使い勝
手のよいMR磁気ヘツド回路を効率よく製作する
方法を提供することにある。
The present invention has been made based on the above-mentioned viewpoints, and its purpose is to provide a simple configuration of an output detection circuit, high detection accuracy, and adjustment of the output detection circuit, etc., in a short time. The object of the present invention is to provide a method for efficiently manufacturing a user-friendly MR magnetic head circuit.

而して、上記の目的は、ブリツジ接続された磁
気抵抗素子と、上記磁気抵抗素子の抵抗変化を検
出する回路とから成る磁気エンコーダに於て、上
記ブリツジの少なくとも一辺にバランス調整用抵
抗を挿入し、そのブリツジ回路の素子が磁化され
ていない状態でブリツジ回路をバランスさせると
共に、上記ブリツジ回路の出力電圧をコンパレー
タ回路に導き、磁気抵抗素子が磁化されたとき生
じる不平衡電圧に対応した電圧パルスを出力させ
るよう構成した磁気ヘツドにより達成されるもの
であり、本発明においては、その製作に当たつ
て、絶縁基板上に薄膜として形成される上記ブリ
ツジ接続された複数の磁気抵抗素子を磁気スケー
ルに対する相対移動方向に沿つて少なくとも2相
形成すると共に、上記バランス調整用の抵抗の形
成操作において、絶縁基条上に帯状に形成した抵
抗材料薄膜の一辺から内側へ向けて上記薄膜を櫛
歯状に欠如せしめて成る多数の第1スリツトを形
成すると共に、上記一辺と対向する辺の内側から
上記第1スリツト同士の間の途中の位置までこれ
らと略平行に延びるよう上記薄膜を欠如せしめて
成る多数の第2スリツトを形成し、バランス調整
時に、上記第2スリツト同士の間の薄膜を第2ス
リツトと略直角に交差する方向に線状に除去して
所要の数の第2スリツトを順次接続することによ
りバランス調整のための所要の抵抗値を得るこ
と、を特徴とするものである。
The above object is to insert a balance adjustment resistor on at least one side of the bridge in a magnetic encoder comprising a bridge-connected magnetoresistive element and a circuit for detecting a change in resistance of the magnetoresistive element. Then, the bridge circuit is balanced in a state where the elements of the bridge circuit are not magnetized, and the output voltage of the bridge circuit is guided to a comparator circuit to generate a voltage pulse corresponding to the unbalanced voltage generated when the magnetoresistive element is magnetized. This is achieved by a magnetic head configured to output .In the present invention, in manufacturing the magnetic head, a plurality of bridge-connected magnetoresistive elements formed as thin films on an insulating substrate are attached to a magnetic scale. At least two phases are formed along the direction of relative movement to the resistor, and in the operation of forming the resistor for balance adjustment, the thin film is formed in a comb-like shape from one side of the resistive material thin film formed in a strip shape on the insulating base inward. A plurality of first slits are formed in the thin film, and the thin film is cut out so as to extend substantially parallel to the inner side of the side opposite to the first slit to a position midway between the first slits. A large number of second slits are formed, and during balance adjustment, the thin film between the second slits is linearly removed in a direction substantially perpendicular to the second slits to sequentially connect the required number of second slits. By doing so, the required resistance value for balance adjustment can be obtained.

なお、上述及び後述の磁気抵抗効果合金から成
る磁気抵抗素子及び該磁気抵抵抗素子のブリツジ
回路等から成る磁気ヘツド部は、後述するよう
に、例えば、ガラスやセラミツクス又は之等を被
覆した基板上への蒸着やスパツタリング等の薄膜
形状技術によつて形成された磁気抵抗効果合金、
例えば、Fe−Ni系の合金であるパーマロイの約
500Å程度の薄膜であり、後述第1図及び第2図
等で図示するブリツジ回路のパターンは、上記薄
膜を蒸着等により形成する際のマスキング形成に
よるか、全体に薄膜を形成した後のマスキングに
よる電解又はケミカルエツチングやフオトエツタ
チング等により不要部分を除去加工して形成する
か、或いはまた全体に薄膜を形成した後、マスキ
ングをすることなくダイヤモンド等の工具を使用
した数値制御によるスクライビング描画加工、又
は上記工具の代りにレーザビームやエレクトロン
ビーム等の粒子線を使用した数値制御による目的
パターンの描画加工等によつて形成されるもので
ある。
The magnetic head section consisting of the magnetoresistive element made of the magnetoresistive alloy described above and the bridge circuit of the magnetoresistive element, etc., is formed on a substrate coated with glass, ceramics, or the like, as will be described later. magnetoresistive alloys formed by thin film forming techniques such as vapor deposition and sputtering,
For example, about permalloy, an Fe-Ni alloy,
It is a thin film of about 500 Å, and the bridge circuit pattern shown in Figures 1 and 2, which will be described later, is formed by masking when forming the thin film by vapor deposition, or by masking after forming the thin film on the entire surface. After forming by removing unnecessary parts by electrolysis, chemical etching, photo etching, etc., or forming a thin film on the entire surface, scribing and drawing processing is performed by numerical control using tools such as diamond without masking. Alternatively, the pattern may be formed by drawing a target pattern through numerical control using a particle beam such as a laser beam or an electron beam instead of the above-mentioned tool.

以下、図面により本発明の詳細を具体的に説明
する。
Hereinafter, the details of the present invention will be specifically explained with reference to the drawings.

第1図は本発明に係る方法により製作される磁
気エンコーダ用磁気ヘツド回路の原理を説明する
ための1相の磁気ヘツドによる説明図、第2図は
従来公知の磁気エンコーダ用磁気ヘツド回路の同
じくその原理を説明するための1相の磁気ヘツド
による説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a one-phase magnetic head circuit for explaining the principle of a magnetic head circuit for a magnetic encoder manufactured by the method according to the present invention, and FIG. 2 is a similar diagram of a conventionally known magnetic head circuit for a magnetic encoder. FIG. 2 is an explanatory diagram of a one-phase magnetic head for explaining the principle.

第1図中、1a,1bは図示しない帯状直線ス
ケールや円板状の磁気スケールに所定の間隔
(λ)を置いて規則的に設けられる磁気マークで、
1aはN極、1bはS極であつて、2は前記磁気
スケールと殆ど接触する程度に近接した状態で、
磁気スケールの磁気マークの方向に相対的に移動
する磁気ヘツド回路である。
In FIG. 1, 1a and 1b are magnetic marks regularly provided at predetermined intervals (λ) on a band-shaped linear scale or a disc-shaped magnetic scale (not shown).
1a is a north pole, 1b is a south pole, 2 is in a state close to the magnetic scale to the extent that it almost contacts,
This is a magnetic head circuit that moves relatively in the direction of a magnetic mark on a magnetic scale.

而して、磁気ヘツド回路2は磁気ヘツド回路2
は磁気抵抗素子のブリツジ回路3から成る磁気ヘ
ツド部と該ブリツジ回路3と同体又は可撓リード
線を介する別体のシユミツトトリガや演算増幅器
等から成る波形変換用のコンパレータ回路4とか
ら成り、ブリツジ回路3は4個の磁気抵抗素子3
1,32,33,34と、2対の対辺の両方又は
一方に挿入されるバランス調整用の抵抗35とか
ら成る。
Thus, the magnetic head circuit 2
The bridge circuit consists of a magnetic head section consisting of a bridge circuit 3 made of a magnetoresistive element, and a comparator circuit 4 for waveform conversion consisting of a Schmitt trigger, an operational amplifier, etc., either integrated with the bridge circuit 3 or separate via a flexible lead wire. 3 is four magnetoresistive elements 3
1, 32, 33, and 34, and a balance adjustment resistor 35 inserted into both or one of the two pairs of opposite sides.

第2図に示す公知の磁気ヘツド回路5は、調整
抵抗を有しないブリツジ回路6、差動増幅器7及
びシユミツトトリガのようなコンパレータ回路8
とから成る。
The known magnetic head circuit 5 shown in FIG.
It consists of

なお、端子+Bはバイアス用定電圧電源の+端
子、Gは接地端子である。
Note that terminal +B is a positive terminal of a bias constant voltage power supply, and G is a ground terminal.

このように磁気抵抗素子をブリツジ接続するの
は、温度の変化に起因する抵抗値の変化と、磁気
マーク1,1による抵抗値の変化とを識別し、磁
気マーク1,1による抵抗変化のみを取り出すた
めである。
Bridge-connecting magnetoresistive elements in this way distinguishes between changes in resistance due to temperature changes and changes in resistance due to magnetic marks 1, 1, and only changes in resistance due to magnetic marks 1, 1. This is to take it out.

而して、いずれの磁気ヘツド又は磁気ヘツド回
路も、磁気スケールに沿つて相対的に移動せしめ
られると、磁気マーク1,1により、ブリツジ回
路を構成する磁気抵抗素子に順次交番的に磁界が
加えられ、このため、各ブリツジ回路の端子bd
間には、磁気ヘツドが磁気マクの1間隔λだけ移
動する都度1サイクル(或いは、例えば、特開昭
58−35414号公報に記載されているように、磁気
ヘツド回路の構成は異ななるが、複数サイクル)
の割合で交番的に変動する不平衡電圧れる。
When either magnetic head or magnetic head circuit is relatively moved along the magnetic scale, a magnetic field is sequentially and alternately applied by the magnetic marks 1, 1 to the magnetoresistive elements constituting the bridge circuit. Therefore, each bridge circuit terminal bd
In between, each time the magnetic head moves by one interval λ of the magnetic mask, one cycle (or, for example,
As described in Publication No. 58-35414, the configuration of the magnetic head circuit is different, but multiple cycles)
The unbalanced voltage varies alternately at a rate of .

而して、第2図に示した公知の磁気ヘツド回路
5に於いては、この不平衡電圧は差動増幅器7で
増幅さた後、シユミツトトリガ回路8に供給さ
れ、シユミツトトリガ回路8は差動増幅器7の出
力する信号に応じて磁気ヘツドが磁気マークの1
間隔移動する都度一つ宛出力パルスを発信する。
In the known magnetic head circuit 5 shown in FIG. 2, this unbalanced voltage is amplified by the differential amplifier 7 and then supplied to the Schmitt trigger circuit 8. The magnetic head moves the magnetic mark 1 according to the signal output from 7.
Each time the distance moves, an output pulse is sent to one destination.

而して、第2図の回路を一見した所では、上記
差動増幅器7を用いないでも目的を達成し得るよ
うに思われる。
At first glance at the circuit shown in FIG. 2, it appears that the purpose can be achieved even without using the differential amplifier 7.

然しながら、上記ブリツジ回路6を構成する磁
気抵抗素子61,62,63及び64の抵抗値
は、磁気抵抗素子の前述の製造方法からも明らか
なように素子の幅や薄膜の厚さが全体的に一定又
は所定のものとすることが難しい所から、製造時
正確に制御できない為、ブリツジ6のバランスは
不完全であり、上記ブリツジ6の端子bd間に現
れる電圧変化はかならずしも正確に磁気マク1,
1と磁気ヘツド5との相対位置を示さず、従つて
これをそのままシユミツトトリガ回路8に入力す
ると正確な間隔の磁気マークに対し、正確且つ均
一な位相及びデユーテイフアクタを有する電圧パ
ルスの検出信号を得ることができない。
However, the resistance value of the magnetoresistive elements 61, 62, 63, and 64 constituting the bridge circuit 6 depends on the width of the element and the thickness of the thin film as a whole, as is clear from the above-mentioned manufacturing method of the magnetoresistive element. Since it is difficult to maintain a constant or predetermined value and cannot be accurately controlled during manufacturing, the balance of the bridge 6 is incomplete, and the voltage change that appears between the terminals BD of the bridge 6 is not always accurate to the magnetic mask 1,
1 and the magnetic head 5. Therefore, if this signal is directly input to the Schmitt trigger circuit 8, a voltage pulse detection signal having an accurate and uniform phase and duty factor will be generated for the magnetic marks at accurate intervals. can't get it.

而して、正しく均一な信号を得るためには、各
素子間のピツチを正確且つ均一に磁気マークの間
隔λの1/2又は前記各公報記載の如1/4λ等の所定
の間隔とした上、上記ブリツジ回路6の出力を一
旦差動増幅器7の入力して差動増幅し、磁気マー
ク位置を正しく示す時間又は位相や電圧レベルを
有する信号に変換した後、シユミツト回路8に供
給する必要がある。
Therefore, in order to obtain a correct and uniform signal, the pitch between each element must be set accurately and uniformly to a predetermined interval such as 1/2 of the magnetic mark interval λ or 1/4 λ as described in each of the above publications. First, the output of the bridge circuit 6 needs to be input to the differential amplifier 7 for differential amplification, convert it into a signal having a time, phase, or voltage level that correctly indicates the position of the magnetic mark, and then supply it to the Schmitt circuit 8. There is.

第1図に示す如く、MRヘツドの磁気ヘツドの
磁気ヘツド回路2は、磁気抵抗素子31,32,
33及び34と、ブリツジのバランスを調整する
ため挿入される抵抗35とによりブリツジ回路3
が構成されている。
As shown in FIG. 1, the magnetic head circuit 2 of the magnetic head of the MR head includes magnetoresistive elements 31, 32,
33 and 34 and a resistor 35 inserted to adjust the balance of the bridge.
is configured.

そして、上記バランス調整用の抵抗素子35
は、前述の薄膜の磁気抵抗素子から成ぬ薄膜ブリ
ツジ回路の磁気ヘツド部に於て、後述するように
レーザ等によつてトリミングする等の手段により
その抵抗値を調整されており、上記ブリツジ回路
3はすべての磁気抵抗素子が磁化されていない状
態で完全にバランスを調整されるものである。
And the resistance element 35 for the above-mentioned balance adjustment.
The resistance value of the magnetic head portion of the thin film bridge circuit consisting of the above-mentioned thin film magnetoresistive element is adjusted by means such as trimming with a laser or the like, as will be described later. No. 3 is one in which the balance is completely adjusted in a state in which all magnetoresistive elements are not magnetized.

なお、バランス調整用の抵抗35の挿入はブリ
ツジの一辺のみではなく、各対抗する対の辺の各
対の一方の辺に、即ち、二辺に挿入することも推
奨されるものである。このようにすると後述トリ
ミングによるバランス調整が不可能な場合を生ず
ることなく、バランス調整がより一層容易とな
る。
Note that it is recommended that the balance adjustment resistor 35 be inserted not only on one side of the bridge, but also on one side of each pair of opposing sides, that is, on two sides. In this way, balance adjustment becomes even easier without creating a case where balance adjustment by trimming, which will be described later, is impossible.

また、実際には磁気ヘツド回路の磁気抵抗素子
と同一基板上に磁気抵抗素子と同一合金材料で蒸
着等の薄膜としてレベル調整用の抵抗を形成し、
これをレーザ等によりりトリミングしてバランス
をとつたり、磁気ヘツドとは別の基板に上記と同
様に薄膜として形成したりトリミング用抵抗回路
を構成してこれをトリミングしたりしてバランス
調整を行なうように構成することもある。
In addition, in reality, a level adjustment resistor is formed as a thin film by vapor deposition or the like using the same alloy material as the magnetoresistive element on the same substrate as the magnetoresistive element of the magnetic head circuit.
Balance can be adjusted by trimming this with a laser or the like, by forming a thin film on a substrate separate from the magnetic head in the same way as above, or by configuring a trimming resistor circuit and trimming it. It may be configured to do so.

而して、磁気ヘツドのブリツジ回路3が磁気ス
ケールに沿つて移動すると、磁気マーク1,1に
より各磁気抵抗素子に順次磁界が加えられ、この
ため、端子bd間には磁気ヘツド位置に応じて交
番的に変動する不平衡電圧が発生する。
When the bridge circuit 3 of the magnetic head moves along the magnetic scale, a magnetic field is sequentially applied to each magnetoresistive element by the magnetic marks 1, 1, so that there is a gap between the terminals BD depending on the position of the magnetic head. Alternatingly varying unbalanced voltages are generated.

そして、本発明方法により製作される磁気ヘツ
ドに於ては、上記ブリツジ回路3のバランスが完
全にとられているので、上記ブリツジ回路3の端
子bd間に現れた電圧は、衝撃等によるMRヘツド
と磁気スケールコード記録面間の間隙の変化、又
温度や経年変化による磁気マークの磁界量変化等
によつて変化するもので、その変化は相対的なも
のでつて磁気マークの位置を正しく反映したもの
であることには変わりがないから、これを直接シ
ユミツトトリガ等のコンパレータ回路4に入力さ
せた際の出力電圧パルスの特性は、衝撃た間隙及
び経年による変化等によつても変ることのない一
定特性のもので、誤差を生じることなく、磁気ヘ
ツドの位置を常時正確に検出し得るものである。
In the magnetic head manufactured by the method of the present invention, the bridge circuit 3 is perfectly balanced, so that the voltage appearing between the terminals b and d of the bridge circuit 3 will not be applied to the MR head due to impact or the like. It changes due to changes in the gap between the recording surface and the magnetic scale code, as well as changes in the magnetic field of the magnetic mark due to temperature and aging, and these changes are relative and do not accurately reflect the position of the magnetic mark. Therefore, when this is directly input to the comparator circuit 4 such as a Schmitt trigger, the characteristics of the output voltage pulse are constant and do not change even depending on the impact gap or changes over time. This feature allows the position of the magnetic head to be detected accurately at all times without causing any errors.

而して、本発明の如く構成することにより、磁
気ヘツドの磁気抵抗素子の相互間隔、例えば、磁
気抵抗素子31,32に対する同素子33,34
の間隔、特に位相差を、厳密に磁気マークの間隔
λの1/2や1/4とする必要がなくなるので、本発明
によれば、磁気ヘツドの設計の自由度が向上す
る。
By configuring as in the present invention, the mutual spacing between the magnetoresistive elements of the magnetic head, for example, the distance between the magnetoresistive elements 33 and 34 relative to the magnetoresistive elements 31 and 32 can be reduced.
Since it is no longer necessary to strictly set the spacing, especially the phase difference, to 1/2 or 1/4 of the spacing λ between the magnetic marks, the present invention improves the degree of freedom in designing the magnetic head.

次に本発明に係る製作方法により、2相出力ブ
リツジ型のMR磁気ヘツドを製作する場合につい
て第3図乃至第7図を参照しつゝ説明する。
Next, the case of manufacturing a two-phase output bridge type MR magnetic head using the manufacturing method according to the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 7.

第3図は、上記2相出力ブリツジ型のMRヘツ
ドの原理的磁気ヘツド回路結線を示したもので、
31A,32A,33A及び34Aはブリツジ回
路接続されたA相ブリツジ回路3Aの磁気抵抗素
子、又31B,32B及び34Bは同様にB相の
ブリツジ回路3Bの磁気抵抗素子で、各磁気抵抗
素子は磁気スケールの磁マークの間隔λに対して
前述の如く、順次に、例えば1/2λ又は1/4λ位相
差を有するように配置構成すると共に、A相と相
の各対応磁気抵抗素子は互いに前述1/2λの時1/4
λ、又1/4λの時1/8λの位相差を有するように構
成配置されている。また、35A−1、35A−4及
び35B−1、35B−4は各相の対応磁気抵抗素子
31A、34A及び31B、34Bに夫々直列に
挿入されたバランス調整用の抵抗、4A及び4B
は各相の出力コンパレータ回路である。
Figure 3 shows the principle magnetic head circuit connection of the two-phase output bridge type MR head.
31A, 32A, 33A, and 34A are magnetoresistive elements of the A-phase bridge circuit 3A connected to the bridge circuit, and 31B, 32B, and 34B are magnetoresistive elements of the B-phase bridge circuit 3B, and each magnetoresistive element is magnetically connected. As described above, the magnetic marks of the scale are arranged sequentially so as to have a phase difference of, for example, 1/2λ or 1/4λ with respect to the interval λ, and the corresponding magnetoresistive elements of the A phase and phase are /2λ: 1/4
When the phase difference is λ, or 1/4λ, the phase difference is 1/8λ. In addition, 35A-1, 35A-4 and 35B-1, 35B-4 are balance adjustment resistors 4A and 4B inserted in series with the corresponding magnetic resistance elements 31A, 34A and 31B, 34B of each phase, respectively.
is the output comparator circuit for each phase.

而して、端子+B、G間の電圧をVo、磁気抵
抗素子31A、32A、33A、34A及び31
B、32B、33B、34Bの抵抗値を夫々R1
A、R2A、R3A、R4A及びR1B、R2
B、R3B、R4Bとすると、各相のブリツジ回
路は、各全部の磁気抵抗素子が磁化されていない
状態に於て、 R1A・R3A−R2A・R4A=0 R1B・R3B−R2B・R4B=0 となつていなければならないのであるが、トリミ
ング加工等の調整手段が採られるしても、蒸着等
の薄膜形成手段によつて形成される各短冊状等の
微小の磁気抵抗素子が、正確に予定の抵抗値を有
するように構成されることは極めて稀であつて、
前述の如くバランス調整用の抵抗35A−1、3
5A−4及び35B−1、35B−4が挿入調整
されて各ブリツジ回路の平衡が採られる訳で、上
記バランス調整用の抵抗が調整された後の各抵抗
値をR5A1、R5A4、及びR5B1、R5B
4とすると、 (R1A+R5A1)・R3A −R2A(R4A+R5A4)=0 (R1B+R5B1)・R3B −R2B(R4B+R5B4)=0 となるように調整されるものであるが、その調整
は次の如くして行なわれるものである。
Therefore, the voltage between terminals +B and G is Vo, and the magnetoresistive elements 31A, 32A, 33A, 34A and 31
The resistance values of B, 32B, 33B, and 34B are R1, respectively.
A, R2A, R3A, R4A and R1B, R2
B, R3B, and R4B, the bridge circuit of each phase has R1A・R3A−R2A・R4A=0 R1B・R3B−R2B・R4B=0 when all the magnetoresistive elements are not magnetized. However, even if adjustment methods such as trimming are used, each strip-like minute magnetoresistive element formed by thin film forming means such as vapor deposition will not be accurate as planned. It is extremely rare to be configured to have a resistance value,
As mentioned above, the balance adjustment resistors 35A-1 and 3
5A-4, 35B-1, and 35B-4 are inserted and adjusted to balance each bridge circuit, so the respective resistance values after the above balance adjustment resistors are adjusted are R5A1, R5A4, and R5B1, R5B
4, the adjustment is made so that (R1A+R5A1)・R3A −R2A(R4A+R5A4)=0 (R1B+R5B1)・R3B −R2B(R4B+R5B4)=0.The adjustment is performed as follows. It is something.

即ち、各相の端子A1、A2及びB1、B2の各出力
電圧をVA1、VA2及びVB1、VB2とすると、 VA1=R2A/R1A+R2A・Vo VA2=R3A/R3A+R4A・Vo VB1=R2B/R1B+R2B・Vo VB2=R3B/R3B+R4B・Vo となる。なお、この場合上記各バランス調整用の
抵抗R5A1、R5A4及びR5B1、R5B4
の各抵抗値は、各対応磁気抵抗素子31A、34
A及び31B、34Bの各抵抗値に対して、後述
するように当初は予め充分小さな値に設定された
状態にあるものとする。
That is, if the output voltages of terminals A 1 , A 2 and B 1 , B 2 of each phase are VA 1 , VA 2 and VB 1 , VB 2 , then VA 1 = R2A/R1A+R2A・Vo VA 2 = R3A/R3A+R4A・Vo VB 1 = R2B/R1B+R2B・Vo VB 2 = R3B/R3B+R4B・Vo. In this case, the above-mentioned balance adjustment resistors R5A1, R5A4 and R5B1, R5B4
Each resistance value of each corresponding magnetoresistive element 31A, 34
It is assumed that the resistance values of A, 31B, and 34B are initially set to sufficiently small values as will be described later.

而して、上記各出力端子A1、A2及びB1、B2
出力電圧がVA1、VA2及びVB1、VB2を測定し、
各相毎に出力電圧を比較した場合、例えばVA1
>VA2及びVB1<VB2であつたとすると、A相の
ブリツジに於ては、 R2A/R1A+R2A>R3A/R3A+R4A であるから、前述の如く、予め小さい値に設定さ
れているバランス調整用の抵抗35A−1の抵抗
値を、上記予め設定されている値より大きい所定
の抵抗値R5A1に、即ち、電圧がVA1=VA2
となる迄電圧を測定しつつ調整し、之に対してB
相のブリツジ回路に於ては、 R2B/R1B+R2B<R3A/R3A+R4A であるから、同様に予めは小さい値に設定してあ
るバランス調整用の抵抗35A−4の抵抗値を、
上記予め設定されている値より大きい所定の抵抗
値R5B4に、即ち、電圧がVB1=VB2となる迄
電圧を測定しつつ調整して調整を終了するもので
ある。
Then, the output voltages of the respective output terminals A 1 , A 2 and B 1 , B 2 are measured as VA 1 , VA 2 and VB 1 , VB 2 ,
When comparing the output voltage for each phase, for example, VA 1
> VA 2 and VB 1 < VB 2 , in the A phase bridge, R2A/R1A + R2A > R3A/R3A + R4A, so as mentioned above, the balance adjustment The resistance value of the resistor 35A-1 is set to a predetermined resistance value R5A1 larger than the preset value, that is, the voltage is VA 1 =VA 2
Measure and adjust the voltage until B
In the phase bridge circuit, R2B/R1B+R2B<R3A/R3A+R4A, so the resistance value of the balance adjustment resistor 35A-4, which is also set to a small value in advance, is
The adjustment is completed by adjusting while measuring the voltage until it reaches a predetermined resistance value R5B4 that is larger than the preset value, that is, until the voltage becomes VB 1 =VB 2 .

第4図は、前記第3図のA相及びB相の各ブリ
ツジ回路3A、3B及び夫々の磁気抵抗素子31
A、32A、33A及び34Aと31B、32
B、33B及び34B並びに各バランス調整用3
5A−1、35A−4、35B−1及び35B−
4を本発明方法に従い蒸着等の薄膜形成手段によ
り基板上に形成した一実施例のパターン及び配置
構成例を示す平面図、第5図はその側面図、そし
て第6図は前記第4図の磁気抵抗素子31Aとバ
ランス調整用の抵抗35A−1部分の一部の拡大
説明図、第7図はバランス調整用抵抗35A−1
の製作方法を説明するための拡大図である。
FIG. 4 shows the A-phase and B-phase bridge circuits 3A and 3B and their respective magnetoresistive elements 31 in FIG.
A, 32A, 33A and 34A and 31B, 32
B, 33B and 34B and each balance adjustment 3
5A-1, 35A-4, 35B-1 and 35B-
4 is a plan view showing an example of the pattern and arrangement configuration of an embodiment formed on a substrate by thin film forming means such as vapor deposition according to the method of the present invention, FIG. 5 is a side view thereof, and FIG. An enlarged explanatory view of a part of the magnetoresistive element 31A and the balance adjustment resistor 35A-1, FIG. 7 shows the balance adjustment resistor 35A-1.
It is an enlarged view for explaining the manufacturing method.

而して、第4図乃至第6図に於て、10はガラ
スやセラミツクスから成るか又はそれ等を金属に
被覆して構成した絶縁基板であり、11は該基板
10上に蒸着やスパツタリング、メツキ又は
CVD法等の薄膜形成技術によつて形成された磁
気抵抗効果合金、例えば、パーマロイの厚さ約
500Å程度の薄膜であり、図示したパターンは蒸
着等の薄膜形成の際のマスキングによるか、全体
に薄膜を形成した後のマスキングによる電解又は
ケミカルエツチングやフオトエツチング等による
か、或いは又、全体に薄膜を形成した後マスキン
グをすることなくダイヤモンド等の工具を使用し
た数値制御によるスクライビング描画加工、又は
上記工具の代りにレーザビームやエレクトロンビ
ーム等の粒子線を使用した数値制御によるスクラ
イビング除去描画加工等によつて形成されるもの
である。
4 to 6, numeral 10 is an insulating substrate made of glass or ceramics or coated with metal, and numeral 11 is an insulating substrate formed by vapor deposition, sputtering, etc. on the substrate 10. Metsuki or
The thickness of magnetoresistive alloys, such as permalloy, formed by thin film forming techniques such as CVD
It is a thin film of about 500 Å, and the pattern shown in the figure is formed by masking during thin film formation such as vapor deposition, by electrolytic etching, chemical etching, photo etching, etc. by masking after forming a thin film on the entire surface, or by forming a thin film on the entire surface. After forming, scribing and drawing processing is performed by numerical control using tools such as diamond without masking, or scribing removal drawing processing is performed by numerical control using particle beams such as laser beams and electron beams instead of the above tools. This is how it is formed.

この実施例のAB2相出力ブリツジ型の磁気抵
抗素子を使用したMR磁気ヘツドは、磁気マーク
1a、1b、……を所定の間隔λで記録した回転
円板型の磁気スケールに対応するように、即ち、
この種の磁気スケールが、上記の各磁気マーク1
a,1b、……のそれぞれの中心線が、磁気スケ
ール円板の半径方向と一致するように着磁記録さ
れているのと対応するように、各磁気抵抗素子3
1A、32A、33A及び34A並びに31B、
32B、33B及び34Bが或る曲率の円弧上の
法線方向にあるように並設配置するようにする。
The MR magnetic head using the AB two-phase output bridge type magnetoresistive element of this embodiment has magnetic marks 1a, 1b, . That is,
This kind of magnetic scale is used for each of the above magnetic marks 1
Each magnetoresistive element 3 is magnetized and recorded so that the center line of each of a, 1b, ... coincides with the radial direction of the magnetic scale disk.
1A, 32A, 33A and 34A and 31B,
32B, 33B, and 34B are arranged side by side so that they are in the normal direction on an arc of a certain curvature.

そして各磁気抵抗素子は、第6図に一部を拡大
して示したように前記磁気スケール回転円板の半
径方向に延び、外周に対応する部分に於ける素子
の線幅例えば約0.018mmから中心に近づくに従つ
て約0.015mmとやゝ素子の線幅が狭まる10本の単
位素子31aをリード部31bにより千鳥状に直
列に連結構成してなるものであり、各単位素子3
1aの中心間の間隔Pは、この実施例では前記外
周部で約P≒0.072mm、内周部で約0.060mmであつ
て、前記磁気マーク1a、1b間の間隔を例えば
λ≒0.072mm(内側で約0.060mm)とすれば一致す
る値であつて(勿論P=nλであつても良い)、そ
して更に隣接する素子31Aと32Aの各単位素
子31aと32a間の間隔は、この実施例では約
0.126mm(内側で約105mm)で、位相差が(nλ+
3/4λ)即ち、(nλ±1/4λ)となつている(勿論 nλ±1/2λであつても良い。) また、図示されていないが、A相の各単位素子
31aと対応するB相の単位素子31a′とは、そ
の間隔又は位相差は、上記図示の場合は(nλ±
1/8λ)となるように設定形成すれば良い。
Each magnetoresistive element extends in the radial direction of the magnetic scale rotary disk, as shown in a partially enlarged view in FIG. It is constructed by connecting ten unit elements 31a in series in a staggered manner through lead portions 31b, with the line width of the element becoming narrower to about 0.015 mm as it approaches the center, and each unit element 3
In this embodiment, the distance P between the centers of the magnetic marks 1a is approximately 0.072 mm at the outer periphery and approximately 0.060 mm at the inner periphery, and the distance between the magnetic marks 1a and 1b is, for example, λ≒0.072 mm ( (approximately 0.060 mm on the inside), the values match (P=nλ of course), and furthermore, the distance between each unit element 31a and 32a of adjacent elements 31A and 32A is the same as that of this embodiment. So about
0.126mm (approximately 105mm on the inside), and the phase difference is (nλ+
3/4λ), that is, (nλ±1/4λ) (of course, it may be nλ±1/2λ). Also, although not shown, the B The phase unit element 31a' has an interval or phase difference of (nλ±
1/8λ).

而して、図示実施例では、前記バランス調整用
の各抵抗35A−1、35A−4及び35B−
1、35B−4が図示の如く各磁気抵抗素子31
A、34A及び31B、34Bの各+B側端子3
1C、34C、31C′、34C′中の薄膜11部分
に該薄膜形成時、又は薄膜形成後のエツチング若
しくは上記工具又は粒子線によるスクライビング
描画加工により、端子部分31C、34C、31
C′、34C′の薄膜導電路が千鳥状に形成可能なよ
うに、上記薄膜11が千鳥格子状に除去加工又は
無い状態に造れており、図示の状態では各ババラ
ンス調整用の抵抗35A−1、35A−4及び3
5B−1,35B−4の抵抗値は、各対応磁気抵
抗素子31A、34A及び31B、34Bのそれ
ぞれに比べて充分低い値に(この実施例では磁気
抵抗素子と同一の合金材料から成る同一の薄膜
で)構成されている。
In the illustrated embodiment, each of the balance adjustment resistors 35A-1, 35A-4, and 35B-
1, 35B-4 are each magnetoresistive element 31 as shown in the figure.
A, 34A and 31B, 34B each +B side terminal 3
Terminal portions 31C, 34C, 31 are formed on the thin film 11 portions in 1C, 34C, 31C', 34C' by etching or scribing drawing processing using the above-mentioned tool or particle beam when forming the thin film or after forming the thin film.
In order to form thin film conductive paths C' and 34C' in a zigzag pattern, the thin film 11 is formed in a zigzag pattern by removing it or leaving it absent.In the illustrated state, each balance adjustment resistor 35A- 1, 35A-4 and 3
The resistance values of 5B-1 and 35B-4 are sufficiently lower than those of the corresponding magnetoresistive elements 31A, 34A and 31B, 34B (in this example, they are made of the same alloy material as the magnetoresistive elements). composed of a thin film).

そして図において、31P、34P、及び31
P′、34P′は仮想の加工スタート点で、上記第3
図で説明したように電圧VA1、VA2及びVB1
VB2を測定しつつ、先ずVA1>VA2に応じて加工
スタート点31Pから破線矢印に沿つて、例えば
レーザ加工で薄膜11を、VA1≒VA2となる迄
除去加工して行き、また次にVB1<VB2に応じて
加工スタート点34P′から破線矢印に沿つて同様
にレーザ加工で薄膜11をVB1≒VB2となる迄除
去加工して行くのである。即ち、この薄膜除去加
工により、バランス調整用の抵孔35A−1及び
35B−4に於て千鳥状の薄膜導電路が所定の長
さ形成されるのである。そしてバランス調整用の
抵抗35A−1、35A−4及び35B−1、3
5B−4の薄膜11のない格子部分と薄膜11の
格子部分の幅及び長さを図示記載の如き値とし
て、レーザ加工で薄膜11を除去、スクライビン
グ加工すると、単位調整抵抗部31Uで磁気抵抗
素子31Aの抵抗値の約0.5%の抵抗を変えるこ
とができるから、各バランス調整用の抵抗35A
−1、35A−4及び35B−1、35B−4に
於ける上記単位調整用抵抗部31Uの数は、20個
も予め構成してあれば、約10%の調整が可能であ
るからほぼ充分であると考えられる。
And in the figure, 31P, 34P, and 31
P′ and 34P′ are virtual machining start points, and the third
The voltages VA 1 , VA 2 and VB 1 as explained in the figure,
While measuring VB 2 , first, according to VA 1 > VA 2 , the thin film 11 is removed by laser processing along the broken line arrow from the processing start point 31P until VA 1 ≒ VA 2 , and then Next, in accordance with VB 1 <VB 2 , the thin film 11 is similarly removed by laser processing from the processing start point 34P' along the broken line arrow until VB 1 ≈VB 2 . That is, by this thin film removal process, a staggered thin film conductive path is formed with a predetermined length in the balance adjustment resistor holes 35A-1 and 35B-4. And resistances 35A-1, 35A-4 and 35B-1, 3 for balance adjustment
When the width and length of the lattice part without the thin film 11 of 5B-4 and the lattice part of the thin film 11 are set to values as shown in the figure, and the thin film 11 is removed by laser processing and processed by scribing, a magnetoresistive element is formed in the unit adjustment resistance section 31U. You can change the resistance by about 0.5% of the 31A resistance, so each balance adjustment resistor is 35A.
-1, 35A-4 and 35B-1, 35B-4, if 20 unit adjustment resistor parts 31U are configured in advance, adjustment of about 10% is possible, so it is almost sufficient. It is thought that.

上記調整のための加工スタート点31P、34
P及び31P′、34P′からのトリミング加工は、
数値制御によるレーザ加工に限らず、他の粒子線
や機械的工具による加工又は所定単位毎のマスキ
ング状態での粒子線やエツチングによる加工等で
あつても良いことは勿論である。
Processing start points 31P, 34 for the above adjustment
Trimming processing from P, 31P', 34P' is
It goes without saying that the laser processing is not limited to numerical control, but may also be performed using other particle beams or mechanical tools, or may be performed using particle beams or etching in a masked state for each predetermined unit.

而して、本発明による磁気ヘツドの製作方法は
前記の通りであるが、ここでバランス調整用の抵
抗35A−1等の形成方法について第7図による
拡大図を参照しつゝ再度説明する。
Although the method of manufacturing the magnetic head according to the present invention has been described above, the method of forming the balance adjusting resistor 35A-1 and the like will now be explained again with reference to the enlarged view of FIG.

即ち、絶縁基板10上に回路導体部として帯状
に形成した抵抗材料薄膜11の一辺11aから内
側へ向けて上記薄膜を櫛歯状に欠如せしめて成る
多数の第1スリツ11c,11cを形成すると共
に、上記一辺と対向する辺11bの内側から上記
第1スリツト同士の間の途中の位置までこれらと
略平行に延びるよう上記薄膜を欠如せしめて成る
多数の第2スリツト11d,11dを形成し、バ
ランス調整時に、上記第2スリツト同士の薄膜1
1e,11eを第2スリツトと略直角に交差する
方向に線状11fに除去して所要の数の第2スリ
ツトを順次接続することにより、辺11bに沿つ
た薄膜部分11gの領域を流れていた電流を不通
とすることにより抵抗35A−1の抵抗値を段階
的に高め、バランス調整のための所要の抵抗値を
得るようにするものである。
That is, a large number of first slits 11c, 11c are formed by cutting the thin film in a comb-like shape toward the inside from one side 11a of the resistive material thin film 11 formed in a strip shape as a circuit conductor on the insulating substrate 10. , a large number of second slits 11d, 11d are formed by cutting out the thin film so as to extend substantially parallel to the first slits from the inside of the side 11b opposite to the first slit, and During adjustment, the thin film 1 between the second slits
1e and 11e are removed in a linear shape 11f in a direction substantially perpendicular to the second slits, and the required number of second slits are sequentially connected, so that the liquid flows in the region of the thin film portion 11g along the side 11b. By cutting off the current, the resistance value of the resistor 35A-1 is increased stepwise to obtain the required resistance value for balance adjustment.

本発明は叙上の如く構成されるので、本発明に
よるときは、MR磁気ヘツドの出力検出回路の構
成を単純化でき、且つ、高い検出精度が得られ、
調整等に手間がかからない新規なMR磁気ヘツド
を低コストで大量に提供し得るものである。
Since the present invention is configured as described above, when the present invention is used, the configuration of the output detection circuit of the MR magnetic head can be simplified, and high detection accuracy can be obtained.
This makes it possible to provide a new MR magnetic head in large quantities at low cost that does not require much effort for adjustment.

なお、本発明の構成は叙上の実施例に限定され
るものではなく、例えば、ブリツジのバランスを
調整するバランス調整機構をブリツジ型の磁気ヘ
ツドとは別個の基板上の薄膜の抵抗として構成し
ても良く、各構成要素等を本発明の目的の範囲内
で自由にに設計変更できるものであつて、本発明
はそれらの総てを包摂するものである。
Note that the configuration of the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments; for example, the balance adjustment mechanism for adjusting the balance of the bridge may be configured as a thin film resistor on a substrate separate from the bridge type magnetic head. The design of each component can be changed freely within the scope of the purpose of the present invention, and the present invention encompasses all of them.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係る方法により製作される磁
気エンコーダ用磁気ヘツド回路の原理を説明する
ための1相の磁気ヘツドによる説明図、第2図は
従来公知の磁気エンコーダ用磁気ヘツド回路の同
じくその原理を説明するための1相の磁気ヘツド
による説明図、第3図乃至第7図は本発明に係る
製作方法により2相出力ブリツジ型のMR磁気ヘ
ツドを製作する場合の説明図である。 1,1……磁気マーク、2,5……磁気ヘツ
ド、3,6……ブリツジ回路、31,32,3
3,34,61,62,63,64……磁気抵抗
素子、35……バランス調整用の抵抗、4,8…
…シユミツトトリガ回路、7……差動増幅器。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a one-phase magnetic head circuit for explaining the principle of a magnetic head circuit for a magnetic encoder manufactured by the method according to the present invention, and FIG. 2 is a similar diagram of a conventionally known magnetic head circuit for a magnetic encoder. An explanatory diagram of a one-phase magnetic head for explaining the principle, and FIGS. 3 to 7 are explanatory diagrams of a two-phase output bridge type MR magnetic head manufactured by the manufacturing method according to the present invention. 1, 1... Magnetic mark, 2, 5... Magnetic head, 3, 6... Bridge circuit, 31, 32, 3
3, 34, 61, 62, 63, 64... Magnetoresistive element, 35... Resistor for balance adjustment, 4, 8...
... Schmitt trigger circuit, 7... Differential amplifier.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 磁気マークを設けた磁気スケールに対向して
相対的に移動せしめられる磁気エンコーダ用磁気
ヘツドであつて、絶縁基板上に薄膜として形成さ
れるブリツジ接続された複数の磁気抵抗素子と、
絶縁基板上に薄膜として形成され上記ブリツジの
少なくとも一辺に挿入されるバランス調整用の抵
抗とを有する磁気エンコーダ用磁気ヘツドを製作
する方法において、 絶縁基板上に薄膜として形成される上記ブリツ
ジ接続された複数の磁気抵抗素子を磁気スケール
に対する相対移動方向に沿つて少なくとも2相形
成すると共に、 上記バランス調整用の抵抗の形成操作におい
て、絶縁基板上に帯状に形成した抵抗材料薄膜の
一辺から内側に向けて上記薄膜を櫛歯状に欠如せ
しめて成る多数の第1スリツトを形成すると共
に、上記一辺と対向する辺の内側から上記第1ス
リツト同士の間の途中の位置までこれらと略平行
に延びるよう上記薄膜を欠如せしめて成る多数の
第2スリツトを形成し、バランス調整時に、上記
第2スリツト同士の間の薄膜を第2スリツトと略
直角に交差する方向に線状に除去して所要の数の
第2スリツトを順次接続することによりバランス
調整のための所要の抵抗値を得ること、 を特徴とする磁気エンコーダ用磁気ヘツドの製作
方法。
[Claims] 1. A magnetic head for a magnetic encoder that is moved relative to a magnetic scale provided with magnetic marks, the head comprising a plurality of bridge-connected magnetic resistors formed as a thin film on an insulating substrate. Motoko and
A method of manufacturing a magnetic head for a magnetic encoder having a balance adjustment resistor formed as a thin film on an insulating substrate and inserted into at least one side of the bridge, wherein the bridge-connected resistor is formed as a thin film on an insulating substrate. A plurality of magnetoresistive elements are formed in at least two phases along the direction of relative movement with respect to the magnetic scale, and in the above-mentioned operation of forming a resistor for balance adjustment, a thin film of resistance material formed in a strip shape on an insulating substrate is directed inward from one side. a plurality of first slits formed by cutting the thin film in a comb-like shape, and extending substantially parallel to the first slits from the inside of the side opposite to the one side to a position midway between the first slits. A large number of second slits are formed by omitting the thin film, and during balance adjustment, the thin film between the second slits is linearly removed in a direction substantially perpendicular to the second slits to obtain the required number of slits. A method of manufacturing a magnetic head for a magnetic encoder, characterized in that a required resistance value for balance adjustment is obtained by sequentially connecting the second slits of the head.
JP7305184A 1984-04-13 1984-04-13 Magnetic head circuit for magnetic encoder Granted JPS60218025A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7305184A JPS60218025A (en) 1984-04-13 1984-04-13 Magnetic head circuit for magnetic encoder

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7305184A JPS60218025A (en) 1984-04-13 1984-04-13 Magnetic head circuit for magnetic encoder

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60218025A JPS60218025A (en) 1985-10-31
JPH0454885B2 true JPH0454885B2 (en) 1992-09-01

Family

ID=13507178

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7305184A Granted JPS60218025A (en) 1984-04-13 1984-04-13 Magnetic head circuit for magnetic encoder

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60218025A (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0684893B2 (en) * 1986-02-05 1994-10-26 株式会社井上ジャパックス研究所 Origin detection device for magnetic encoder
JP2546233B2 (en) * 1986-04-18 1996-10-23 株式会社ニコン Origin detection unit of magnetic head for magnetic encoder
JPS6339621U (en) * 1986-09-01 1988-03-15

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56140203A (en) * 1980-04-02 1981-11-02 Toyota Central Res & Dev Lab Inc Bridge circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56140203A (en) * 1980-04-02 1981-11-02 Toyota Central Res & Dev Lab Inc Bridge circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60218025A (en) 1985-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0840095B2 (en) Magnetic encoder
US5442865A (en) Passive magnetic position sensor
EP0093870A2 (en) Magnetoresistive element
JP2924236B2 (en) Magnetic sensor and position detection device
JPH0697492B2 (en) Measuring method of lapping position of substrate for thin film converter
JP3367230B2 (en) Position detection device
JPH06130088A (en) Current sensor
JPH06148301A (en) Magnetic sensor
RU2347302C1 (en) Magnetoresistive detector
JPH0454885B2 (en)
JPH05281319A (en) Magnetic sensor
JPH0720218A (en) Magnetic sensor
EP3023804B1 (en) Magnetic induction measuring device and method
JPH0266479A (en) Magnetoresistance effect element
JPS60244813A (en) Zero-point detecting device for magnetic encoder
JP2712206B2 (en) Current detector
JPS63196817A (en) Magnetic head for magnetic encoder
JPH0323872B2 (en)
JPH0221152B2 (en)
JPH04134267A (en) Rotary sensor
JPS6382319A (en) Magnetic scale detection element
JPH11211803A (en) Magnetic sensor with magnetic impedance element
JPS6222220A (en) Thin film magnetic head
JP3417144B2 (en) Method of manufacturing position sensor and position sensor
JPH0267983A (en) Magnetoresistance element